MOS管推挽电路设计

1、三极管回顾：

三极管推挽电路输出特点：Vout=Vin-0.3V(如下图所示)。

这中输出方式跟三极管的特性分不开。下文中提到的MOS管推挽电路将规避这个问题：

涉及知识：三极管导通特性需要考虑压降，MOS管导通是没有压降这个概念，只需要考虑导通阻抗问题(Rds-on)

2、MOS管推挽电路设计

上N上N型推挽电路：如下图所示。Vout几乎等于VCC(这种方式是轨对轨方式(rail-rail))

工作特性：一般工作在频率比较高，功率比较大的电路。

重点：其中工作方式与之前三极管推挽电路工作方式相同;但上管导通时需要考虑自举电路设计。

上P上N型推挽电路：如下图所示。

温故MOS管导通条件：

P：Vgs

N：Vgs>Vth

所以，上P下N型推挽电路需要设计时序，方式上管和下管同时导通。

工作特性：一般工作相对于上N下N型推挽电路频率比较低，功率比较低的电路。(原因是P管相对于N管开关速度慢，Rds-on相对于N管大一点)。