高频功率放大电路图

高频功率放大电路图

单闸极MOS FET 前置放大器（１）ＶＨＦ高频放大电路以往都是以双极电晶体（Bipolar Transistor）为主流，但是现在大都以ＦＥＴ取代之。图２－１便是其代表性电路，２ＳＫ２４１（东芝）系ＶＨＦ用的ＦＥＴ，功率增益可达２８ｄＢ（＠１００ＭＨｚ），是最适於ＶＨＦ接收器的高频放大级使用的。由於闸极的动作点是零偏压（Zero Bias），所以电路的结构相当简单，电路的全部元件共有六个，配合表２－１所示之电感及电容就能适用於各种频率的高频放大电路。泄极电流为９ｍＡ，在电源电压为６～１２Ｖ之范围内，泄极电流都保持一定。

该功率放大器可将功1—2W、88—108MHz调频发射机的功率扩展至于10—15W，采用单管丙类放大及多级低通滤波器组成，具有较高的转换效率及很强的诣波抑制能力。
电路见附图所示，采用大功率发射管C1972，其参数如下：175MHz、4A、25W、功率增益≥8.5db、按图所示参数，电路工作中心频率约为98MHZ，输入约2W的射频功率时，额定输出可达15W。为保88~108MHZ内的任一频点时输出达到额定值，可根据前级的中心频率对部分元件作适当调整。必要时，可减少低通波波器级数，以增大输出功率。经扩展后的功率信号由三级低通滤波器滤去高次诣波成份馈入了发射天线。

元件选择：除电解电容外，其它用高频瓷片电容器， C11、C12、C14用高频特性好，性能稳定的可调电容，扼流电感RFC1、RFC2用成品电感器，必须注意RFC2的电流承载能力，应选用线径较粗的带磁心的电感器。L1—L6可用ø0.8mm的高强度漆包线制，直径约5MM，圈数图中以“T”为单位标明。Q1用普通Q9插座，与插头配套使用。Q2用专用50Ω射频输出接头，接解电阻更小，更有利于阻抗匹配。功率放大管用比较常见的发射专用管C1972，当然如果您银子特别充足，买块C2538等高增益管的话，功率将会更大。 调试电路时，务必注意因电路功率大，一定要接上假负载（本人用30支1W、1500Ω高精度金属膜电阻并联制成），并且要有足够在的散热装置，正常工作时电源功率不低于2.5A，天线阻抗严格等于50Ω，不能用短棒拉杆天线，否则强烈的射频回馈电流将使电路造成自身干扰，大部分射频能量无法辐到空间而消耗在功率管上，使其过热损坏；必须通过50Ω发射专用同轴电览引到室外天线发射。电路能否正常工作关键在于电路的调试，整个过程都得十分小心。调试时，只输入较小的激励功率，电源电压下降为9V，用高频电压表（不能用普通万用表）监测假负载两端高频电压值，调节C12、C14，L3、L4、L5、L6、使电压幅度达15—20V左右，再调节C11、L1使电压最大。然后逐步提高电压，每提高一次电压都反复调整C12、C14和C11、L1使输出端电压最高，注意的是电压应与射频输入激励功率同步增大，以保证调试结果的准确性。达到额定值时，电源电压13.8V下工作电流约2A左右，50Ω纯电阻假负载两端电压≥40V，射频输出功率达15W。

用该射频功率放大器配合50Ω伞状全向垂直发射天线（增益约2dB)，以普通调频收音机测试，发射距离覆盖面不少于15K. (敬告：搞无线电发射实验活动必须遵守国家有关法律规定)