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使用高性能场效应晶体管的宽带超高频放大器电路图
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场效应晶体管的基础知识
场效应晶体管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。它的主要特点是具有输入电阻高、噪声低、功耗低等优点。场效应晶体管的工作原理是基于电场效应，即在栅极和源极之间施加一个控制电压，使得沟道区域的载流子发生漂移，从而改变电流的导通状态。
2023-09-28 17:10:46
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场效应晶体管的工作原理和结构
场效应晶体管(Field Effect Transistor，简称FET)是一种半导体器件，它是一种基于电场效应的三极管。与普通的三极管相比，场效应晶体管的控制电流非常小，因此具有高输入阻抗和低噪声等优点。
2023-05-17 15:15:372186
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场效应晶体管的作用
场效应晶体管是电压控制元件，因此和普通双极型晶体管相比，场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特点，这就决定了场效应晶体管与其它电子元件有异曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:04769
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场效应晶体管的分类
场效应晶体管是依靠一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻（简称场效应），使具有放大信号的功能。这薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。
2023-05-16 15:14:08669
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场效应晶体管工作原理
场效应晶体管是一种利用控制输入电路的电场效应来控制输出电路电流的半导体器件，并以此命名。因为它只依靠半导体中的多数载流子来导电，所以又称为单极晶体管。场效应晶体管英文是Field Effect Transistor，缩写为FET。
2023-05-16 15:02:23375
375场效应晶体管分类、结构、测试、工作原理是什么
的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。（6）.电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。（7）. MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管
2011-12-19 16:30:31
场效应晶体管放大电路详解
场效应晶体管的源极、漏极和栅极分别相当于晶体管的发射极、集电极和基极。对应于晶体管放大电路，场效应晶体管放大电路也有三种组态：共源极放大电路、共漏极放大电路和共栅极放大电路，其特点分别和晶体管放大电路中的共射极、共集电极、共基极放大电路类似。
2022-11-30 09:30:001635
1635MOS场效应晶体管使用注意事项_MOS场效应管安装及拆卸流程
MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则。
2020-10-02 18:06:006720
6720如何进行场效应晶体管的分类和使用
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
2020-07-02 17:19:05
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20场效应晶体管的简单介绍
场效应晶体管（FET）简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
2020-07-02 17:18:56103
103FET场效应晶体管扫盲
一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的缩写，称为场效应晶体管。它是晶体管的一种。通常所说的晶体管是指双极晶体管。 场效应晶体管的工作方式是沟道中的多数载流子在电场
2020-03-23 11:03:187650
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功率场效应晶体管的工作特性
功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金属氧化物半导体），FET（FieldEffectTransistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。
2019-10-11 10:26:319321
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场效应晶体管六大选择技巧
随着电子设备升级换代的速度，大家对于电子设备性能的标准也愈来愈高，在某些电子设备的电路设计与研发中，不仅是开关电源电路中，也有在携带式电子设备的电路中都是会运用到性能更好的电子元器件——场效应晶体管
2019-08-18 10:07:524880
488051单片机的场效应晶体管详细资料说明
晶体管是依靠输入电流变化来控制输出电流的器件，但理想的放大器是不应该损耗信号源的输出电流的，所以在一个由晶体管构成的放大电路中，因为有基极电流的存在，不可避免地会对输入信号带来损耗。与晶体管
2019-06-04 17:53:003
3隧穿场效应晶体管是什么_隧穿场效应晶体管的介绍
隧穿场效应晶体管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是带间隧穿（Band-to-band tunneling或者BTBT）。
2018-01-03 15:32:4525373
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增强型和耗尽型场效应晶体管
总的来说，场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。耗尽型场效应晶体管(D-FET)就是在0栅偏压时存在沟道、能够导电的FET;增强型场效应晶体管(E-FET)就是在0栅偏压时不存在沟道、不能
2012-02-02 11:55:2020511
20511场效应晶体管开关电路
场效应晶体管开关电路
场效应晶体管（简称场效应管）有结型（J-FET）和绝缘栅型（MOS-FET）两类。
场效应管作为开关器件应用类似
2010-05-24 15:26:0611575
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结型场效应晶体管是什么?
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结型场效应晶体管 利用场效应原理工作的晶体管，简称FET。场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，
2010-03-04 15:58:133598
3598场效应晶体管的分类及使用
场效应晶体管的分类及使用
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
2010-01-13 16:01:59133
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什么是场效应晶体管
场效应晶体管
场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即
2009-05-24 23:11:156293
6293功率场效应晶体管(MOSFET)原理
功率场效应晶体管(MOSFET)原理
功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力,而且有驱动功率小
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MOS场效应晶体管使用注意事项:
MOS场效应晶体管使用注意事项: MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下
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