结型场效应晶体管和双极晶体管级联视频放大器电路图
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场效应晶体管的基础知识
场效应晶体管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。它的主要特点是具有输入电阻高、噪声低、功耗低等优点。场效应晶体管的工作原理是基于电场效应,即在栅极和源极之间施加一个控制电压,使得沟道区域的载流子发生漂移,从而改变电流的导通状态。
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绝缘栅双极晶体管——IGBT,认识其原理及其应用
绝缘栅双极晶体管也简称为IGBT ,是传统双极结型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET)的交叉体,使其成为理想的半导体开关器件。
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场效应晶体管分类、结构、测试、工作原理是什么
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场效应晶体管的工作原理和结构
场效应晶体管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种半导体器件,它是一种基于电场效应的三极管。与普通的三极管相比,场效应晶体管的控制电流非常小,因此具有高输入阻抗和低噪声等优点。
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场效应晶体管的作用
场效应晶体管是电压控制元件,因此和普通双极型晶体管相比,场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特点,这就决定了场效应晶体管与其它电子元件有异曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:04769
场效应晶体管工作原理
场效应晶体管是一种利用控制输入电路的电场效应来控制输出电路电流的半导体器件,并以此命名。因为它只依靠半导体中的多数载流子来导电,所以又称为单极晶体管。场效应晶体管英文是Field Effect Transistor,缩写为FET。
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MOSFET和晶体管的区别
。与普通的晶体管相比,MOSFET有着更低的输入电流、更高的输入阻抗、更大的增益和更小的功耗,广泛用于数字电路和模拟电路的放大、开关和控制应用。MOSFET的结构和原理基本上与JFET(结型场效应晶体管)相同,只是控制电场是通过氧化层的电荷,而不是PN结的耗尽区域,因此称为金属氧化物半导体场效应晶体管。
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如何进行场效应晶体管的分类和使用
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。
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