MOS场效应晶体管高阻抗偏置方法
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场效应晶体管的基础知识
场效应晶体管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。它的主要特点是具有输入电阻高、噪声低、功耗低等优点。场效应晶体管的工作原理是基于电场效应,即在栅极和源极之间施加一个控制电压,使得沟道区域的载流子发生漂移,从而改变电流的导通状态。
2023-09-28 17:10:46177
MOS场效应晶体管的特性与原理
MOS场效应晶体管(简称MOS管)是一种新型的半导体器件,图1是N沟导MOS管芯结构原理图,即在P型硅基片上有两个 N+扩散区,其中一个称源,用S表示,另一个称漏,用D表示,在D和S间的硅片上覆盖了较薄的8iO。绝缘层和金属层,并引出一电极,称栅,用G表示。应用中 D接正,8接地,G用正电源控制。
2023-09-19 11:06:05130
MOSFET场效应晶体管设计基础
MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管(Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的简称,有时候我们也会简写成MOS。下面是一个典型的MOSFET结构。
2023-07-11 10:56:24440
场效应晶体管的工作原理和结构
场效应晶体管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种半导体器件,它是一种基于电场效应的三极管。与普通的三极管相比,场效应晶体管的控制电流非常小,因此具有高输入阻抗和低噪声等优点。
2023-05-17 15:15:372186
场效应晶体管的作用
场效应晶体管是电压控制元件,因此和普通双极型晶体管相比,场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特点,这就决定了场效应晶体管与其它电子元件有异曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:04769
场效应晶体管工作原理
场效应晶体管是一种利用控制输入电路的电场效应来控制输出电路电流的半导体器件,并以此命名。因为它只依靠半导体中的多数载流子来导电,所以又称为单极晶体管。场效应晶体管英文是Field Effect Transistor,缩写为FET。
2023-05-16 15:02:23375
场效应晶体管放大电路详解
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MOS场效应晶体管使用注意事项_MOS场效应管安装及拆卸流程
MOS场效应晶体管在使用时应注意分类,不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高(包括MOS集成电路)极易被静电击穿,使用时应注意以下规则。
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如何进行场效应晶体管的分类和使用
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。
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场效应晶体管的简单介绍
场效应晶体管(FET)简称场效应管,它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
2020-07-02 17:18:56103
FET场效应晶体管扫盲
一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的缩写,称为场效应晶体管。它是晶体管的一种。通常所说的晶体管是指双极晶体管。 场效应晶体管的工作方式是沟道中的多数载流子在电场
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两列典型的场效应晶体管应用电路
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功率场效应晶体管的工作特性
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场效应晶体管六大选择技巧
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51单片机的场效应晶体管详细资料说明
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场效应晶体管有哪几种分类_场效应晶体管作用是什么
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