全对称MOS FET 100W HI-FI放大器电路图
- HI-FI放大器(6234)
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100W MOSFET放大器电路图
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基于LAMP和MOSFET的Hi-Fi耳机放大器电路图
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基于TDA1521的30W立体声功率放大器电路图
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基于TDA7294的100W桥式放大器电路图
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基于FET的100W音频放大器电路图
该 100W 音频放大器设计采用两个 V-MOSFET 晶体管技术作为输出级,可在 4 Ω 负载下提供 100W 输出。重要的是,通过添加散热器或风扇等方式使输出级的晶体管保持凉爽。
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基于LM12CLK的100W音频放大器电路图
100W音频功率放大器由运算功率放大器集成电路LM12CLK供电。该单片 IC 可以向 4Ω 负载提供 80W 正弦波功率,失真率为 0.01%。功率带宽为 60 kHz。IC LM12CLK 的重要特性包括:受控开启、过压关断、输出电流限制、动态安全区域保护、热限制、输入保护。
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基于FET的100W功率音频放大器电路图
这是基于一对FET元件在最终放大过程中构建的100W功率音频放大器电路图。 FET 元件使用一对 K134 和 J49,这些 FET 的替代品是 J162 和 K1058 的组合。 8欧姆扬声器的输出功率约为100W。对于立体声应用,您应该构建两个类似的电路。
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100W低音炮功放电路图 低音炮放大器电路设计
低音炮是一种提供低频音频信号的扬声器。 Ken Kreisler 于 1970 年发明了第一台低音炮放大器。其主要目的是增强音频信号的低音质量。我们创建了一款低音炮放大器,可产生 20 至 200 Hz 之间的低频音频信号,并具有 100W 输出功率来驱动 4 欧姆负载。
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基于LM12CLK的100W音频放大器电路
基于100W音频放大器的LM12CLK是可以简单组装的放大器电路之一。虽然结构简单,但产生的功率在2欧姆扬声器上可以达到150瓦,在4欧姆扬声器负载下可以达到100瓦。
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图表中所指示的(从20W到80W RMS ).
一些解释:
-你首先要作的是测试末极功率管的放大系数hfe or β.
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