51单片机控制74HC595驱动的编程要点
51单片机控制74HC595驱动的编程要点:74595外形图
74595的数据端:
QA--QH: 八位并行输出端,可以直接控制数码管的8个段。
QH‘: 级联输出端。我将它接下一个595的SI端。
SI: 串行数据输入端。 74595的控制端说明:
/SCLR(10脚): 低点平时将移位寄存器的数据清零。通常我将它接Vcc。
SCK(11脚):上升沿时数据寄存器的数据移位。QA--》QB--》QC--》。。。--》QH;下降沿移位寄存器数据不变。(脉冲宽度:5V时,大于几十纳秒就行了。我通常都选微秒级) RCK(12脚):上升沿时移位寄存器的数据进入数据存储寄存器,下降沿时存储寄存器数据不变。通常我将RCK置为低点平,当移位结束后,在RCK端产生一个正脉冲(5V时,大于
几十纳秒就行了。我通常都选微秒级),更新显示数据。
/G(13脚): 高电平时禁止输出(高阻态)。如果单片机的引脚不紧张,用一个引脚控制它,可以方便地产生闪烁和熄灭效果。比通过数据端移位控制要省时省力。
注意:
1)74164和74595功能相仿,都是8位串行输入转并行输出移位寄存器。74164的驱动电流(25mA)比74595(35mA)的要小,14脚封装,体积也小一些。
2)74595的主要优点是具有数据存储寄存器,在移位的过程中,输出端的数据可以保持不变。这在串行速度慢的场合很有用处,数码管没有闪烁感。
3)595是串入并出带有锁存功能移位寄存器,它的使用方法很简单,在正常使用时SCLR为高电平,G为低电平。从SER每输入一位数据,串行输595是串入并出带有锁存功能移位寄存器,它的使用方法很简单,如下面的真值表,在正常使用时SCLR为高电平,G为低电平。从SER每输入一位数据,串行输入时钟SCK上升沿有效一次,直到八位数据输入完毕,输出时钟上升沿有效一次,此时,输入的数据就被送到了输出端。入时钟SCK上升沿有效一次,直到八位数据输入完毕,输出时钟上升沿有效一次,此时,输入的数据就被送到了输出端。
步骤:
其实,看了这么多595的资料,觉得没什么难的,关键是看懂其时序图,说到底,就是下面三步(引用):
第一步:目的:将要准备输入的位数据移入74HC595数据输入端上。
方法:送位数据到 P1.0。
第二步:目的:将位数据逐位移入74HC595,即数据串入
方法:P1.2产生一上升沿,将P1.0上的数据移入74HC595中。从低到高。
第三步:目的:并行输出数据。即数据并出
方法:P1.1产生一上升沿,将由P1.0上已移入数据寄存器中的数据
送入到输出锁存器。
说明: 从上可分析:从P1.2产生一上升沿(移入数据)和P1.1产生一上升沿 (输出数据)是二个独立过程,实际应用时互不干扰。即可输出数据的同时移入数据。而具体编程方法为:
如:R0中存放3FH,LED数码管显示“0”
无插件,无病毒
*****接口定义:
DS_595 EQU P1.0 串行数据输入(595-14)
CH_595 EQU P1.2 移位时钟脉冲(595-11)
CT_595 EQU P1.1 输出锁存器控制脉冲(595-12)
*****将移位寄存器内的数据锁存到输出寄存器并显示
OUT_595:
CALL WR_595 调用移位寄存器接收一个字节数据子程序
CLR CT_595 拉低锁存器控制脉冲
NOP
12 11 号引脚接脉冲信号 14号接高电平
13号引脚接低电平
单片机驱动74HC595的c51程序
#include
#define uchar unsigned char
#define uint unsigned int
sbit clk=P3^5;
sbit dat=P3^6;
sbit shuo_cun=P3^7;
uchar volatile e,f;
uchar code tab[]={ 0x03,/*0*/
0x9F,/*1*/
0x25,/*2*/
0x0D,/*3*/
0x99,/*4*/
0x49,/*5*/
0x41,/*6*/
0x1F,/*7*/
0x01,/*8*/
0x09,/*9*/
};
void fa_shon(uchar k) //
{
uchar i; //定义循环变量
for(i=0;i《8;i++) //因为是1字节是8位,所以循环8次
{
dat=k&0x01; //将要发送的数据与上0X01送到数据引脚
clk=0; //时钟引脚加低电平
clk=1; //时钟引脚加高电平
k》》=1; //将发送的数据右移1位
}
}
void main()
{
TMOD=0x01;
TH0=15535/256;
TL0=15535%256;
EA=1;
ET0=1;
TR0=1;
while(1)
{
uchar a;
for(a=0;a《3;a++)
{
fa_shon(tab[e%10]);
fa_shon(tab[e%100/10]);
fa_shon(tab[e/100]);
}
shuo_cun=0; //锁存为低电平
shuo_cun=1; //锁存为高电平
}
}
void tt()interrupt 1
{
TH0=15535/256;
TL0=15535%256;
f++;
if(f》10)
{
f=0;
e++;
if(e》250)e=0;
}
}
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