ir2103典型应用电路二 - ir2103典型应用电路详解（三款ir2103典型应用电路）

　　ir2103典型应用电路二：

　　图2中，C1为自举电容，VCC经D4、C1、负载、Q2给C1充电，以确保Q2关闭、Q1开通时，Q1管的栅极靠C1上足够的储能来驱动，从而实现自举式驱动。若负载阻抗较大，C1经负载降压充电较慢，使得Q2关断、Q1开通，C1上的电压仍充电达不到自举电压8.3V以上时，输出驱动信号会因欠压被逻辑封锁，Q1就无法正常工作。所以，要么选用小容量电容，以提高充电电压;要么为C1提供快速充电通路。由于每个Q1开关一次，C1就通过Q2开关充电一次，因此自举电容C1的充电还与输入信号HIN、LIN的PWM脉冲频率和脉冲宽度有关，当PWM工作频率过低时，若Q1导通脉宽较窄，自举电压8.3V容易满足;反之无法实现自举。因此要合理设置PWM开关频率和占空比调节范围，通过实验C1的选择应考虑以下几点：

　　（1）C1的选择与PWM的频率有关，频率高，C1应该选择小一点的。

　　（2）C1的种类最好是钽电容，在0.22μf或更大一点（一般取0.47μf且》35V）较好。

　　（3）尽量使自举回路上电不经过大阻抗负载，这样就要为C1充电提供快速充电通路。

　　（4）对于占空比调节较大的场合，特别是在高占空比时，Q2开通时间较短，C1应该选择小点的较好，否则，在有限的时间内无法达到自举电压。

　　另外，通过实验还得出了这样一些结论。自举二极管也是一个非常重要的自举器件，它应能阻断直流干线上的高压，二极管承受的电流是栅极电荷与开关频率之积。为了减少电荷损失，应选用漏电流小的快恢复二极管（高频），例如IN4148。有时IR2110HIN和LIN端口输入漂亮的PWM波形，可是HO和LO没有输出，这可能是电源不匹配的缘故造成的，比如PWM的幅值大约为3.3V，V+一般选择5V左右，这样用示波器测量，可能LO有输出，但是HO没有输出，这时应该将HO/LO分别与对应的CMOS管相连，而且应该是上下臂一起进行调整，最好是带负载，因为高端是靠自举电容，悬浮的，这时可能有波形输出。

　　ir2103典型应用电路三：

　　图2中的C1、C3和C4均为各电源与地之间的电容，其作用是利用电容的储能防止电压有大的波动，一般根据具体情况取10μF~100μF（本文设计选用10μF）；R1和R2取值均为1k？赘。C2为自举电容，VCC经D1、C2、负载、T2给C2充电，以确保在T2关闭、T1导通时，T1管的栅极靠C2上足够的储能来驱动。自举电容一般选用1.0μF，具体与PWM的频率有关，频率低时，选用大电容；频率高时，选择较小的电容，本设计选用1.0μF电解电容。需要说明的是，若自举电容取值不合适，将导致不能自举。

　　图2中的D1为保护二极管，其作用是防止T1导通时高电压串入VCC端损坏该驱动芯片。D1应选用快速恢复二极管，且导通电阻要小，以减少充电时间，如1N4148、FR系列或MUR系列等，本设计选用1N4148。