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在MOS管选择方面，系统请求相关的几个重要参数是：
2． 输入—输出电压。它受MOSFET负载占空比才能限制；
3． mos开关频率FS。这个参数影响MOSFET开关霎时的耗散功率；
4． MOSFET最大允许工作温度。这要满足系统指定的牢靠性目的。
MOSFET设计选择：
一旦系统的工作条件（负载电流，开关频率，输出电压等）被肯定，功率MOSFET在参数方面的选择如下：
1 RDSON的值。最低的导通电阻，能够减小损耗，并让系统较好的工作。但是，较低电阻的MOSFET较高电阻器件。
2 散热。假如空间足够大，能够起到外部散热效果，就能够以较低本钱取得与较低RDSON一样的效果。也能够运用外表贴装MOSFET到达同样效果。
3 MOSFET组合。假如板上空间允许，有时分，能够用两个较高RDSON的器件并联，以取得相同的工作温度，并且本钱较低。
MOS管参数
（1）MOS管主要参数
饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。
夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。
开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。
（2）MOS管交流参数
交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数，输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间，而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内，特殊的可达100mS，甚至更高。
低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。
极间电容MSO管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。
（3）MOS管极限参数
①最大漏极电流是指管子正常工作时漏极电流允许的上限值，
②最大耗散功率是指在管子中的功率，受到管子最高工作温度的限制，
③最大漏源电压是指发生在雪崩击穿、漏极电流开始急剧上升时的电压，
④最大栅源电压是指栅源间反向电流开始急剧增加时的电压值。
除以上参数外，还有极间电容、高频参数等其他参数。
漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。
栅极击穿电压结型MOS管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。
（4）使用时主要关注的MOS管参数
1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅MOS管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。
2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅MOS管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。
3、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。
4、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量MOS管放大能力的重要参数。
5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，MOS管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在MOS管上的工作电压必须小于BUDS。
6、PDSM—最大耗散功率。也是一项极限参数，是指MOS管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，MOS管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。
7、IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数，是指MOS管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。MOS管的工作电流不应超过IDSM。
MOS管参数含义说明
1、极限参数：
ID：最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过 ID 。此参数会随结温度的上升而有所减额
IDM：最大脉冲漏源电流。此参数会随结温度的上升而有所减额
PD：最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于 PDSM 并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升有所减额
VGS：最大栅源电压
Tj：最大工作结温。通常为 150 ℃ 或 175 ℃ ，器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度，并留有一定裕量
TSTG：存储温度范围
2、静态参数
V（BR）DSS：漏源击穿电压。是指栅源电压VGS 为 0 时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于 V（BR）DSS 。 它具有正温度特性。故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。△ V（BR）DSS/ △ Tj ：漏源击穿电压的温度系数，一般为 0.1V/ ℃
RDS（on）：在特定的 VGS （一般为 10V）、结温及漏极电流的条件下， MOSFET 导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数，决定了 MOSFET 导通时的消耗功率。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。 故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算
VGS（th）：开启电压（阀值电压）。当外加栅极控制电压 VGS 超过 VGS（th） 时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。应用中，常将漏极短接条件下 ID 等于 1 毫安时的栅极电压称为开启电压。此参数一般会随结温度的上升而有所降低
IDSS：饱和漏源电流，栅极电压 VGS=0 、 VDS 为一定值时的漏源电流。一般在微安级
IGSS：栅源驱动电流或反向电流。由于MOSFET输入阻抗很大，IGSS 一般在纳安级
3、动态参数
gfs ：跨导。是指漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比，是栅源电压对漏极电流控制能力大小的量度。 gfs 与 VGS 的转移关系注意看图表
Qg ：栅极总充电电量。 MOSFET 是电压型驱动器件，驱动的过程就是栅极电压的建立过程，这是通过对栅源及栅漏之间的电容充电来实现的，下面将有此方面的详细论述
Qgs ：栅源充电电量
Qgd ：栅漏充电（考虑到 Miller 效应）电量
Td（on） ：导通延迟时间。从有输入电压上升到 10% 开始到 VDS 下降到其幅值 90% 的时间
Tr ：上升时间，输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间
Td（off） ：关断延迟时间，输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间
Tf ：下降时间，输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间
Ciss ：输入电容， Ciss= CGD + CGS （ CDS 短路）
Coss ：输出电容，Coss = CDS +CGD
Crss ：反向传输电容，Crss = CGD
MOS管的极间电容，MOSFET 之感生电容被大多数制造厂商分成输入电容，输出电容以及反馈电容。所引述的值是在漏源电压为某固定值的情况下。此些电容随漏源电压的变化而变化，电容数值的作用是有限的。输入电容值只给出一个大概的驱动电路所需的充电说明，而栅极充电信息更为有用。它表明为达到一个特定的栅源电压栅极所必须充的电量。
4、雪崩击穿特性参数
这些参数是 MOSFET 在关断状态能承受过压能力的指标。如果电压超过漏源极限电压将导致器件处在雪崩状态
EAS：单次脉冲雪崩击穿能量。这是个极限参数，说明 MOSFET 所能承受的最大雪崩击穿能量
IAR：雪崩电流
EAR：重复雪崩击穿能量
5、体内二极管参数
IS：连续最大续流电流（从源极）
ISM：脉冲最大续流电流（从源极）
VSD：正向导通压降
Trr：反向恢复时间
Qrr：反向恢复充电电量
Ton：正向导通时间。（基本可以忽略不计）
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