mos管驱动电机电路图

驱动电路结构

图3中给出了驱动电路的电路图。驱动电路采用Totem输出结构设计，上拉驱动管为NMOS管N4、晶体管Q1和PMOS管P5。下拉驱动管为NMOS管N5。图中CL为负载电容，Cpar为B点的寄生电容。虚线框内的电路为自举升压电路。

本驱动电路的设计思想是，利用自举升压结构将上拉驱动管N4的栅极（B点）电位抬升，使得UB》VDD+VTH ，则NMOS管N4工作在线性区，使得VDSN4 大大减小，最终可以实现驱动输出高电平达到VDD。而在输出低电平时，下拉驱动管本身就工作在线性区，可以保证输出低电平位GND。因此无需增加自举电路也能达到设计要求。

考虑到此驱动电路应用于升压型DC-DC转换器的开关管驱动，负载电容CL很大，一般能达到几十皮法，还需要进一步增加输出电流能力，因此增加了晶体管Q1作为上拉驱动管。这样在输入端由高电平变为低电平时，Q1导通，由N4、Q1同时提供电流，OUT端电位迅速上升，当OUT端电位上升到VDD-VBE时，Q1截止，N4继续提供电流对负载电容充电，直到OUT端电压达到VDD。

在OUT端为高电平期间，A点电位会由于电容Cboot 上的电荷泄漏等原因而下降。这会使得B点电位下降，N4的导通性下降。同时由于同样的原因，OUT端电位也会有所下降，使输出高电平不能保持在VDD。为了防止这种现象的出现，又增加了PMOS管P5作为上拉驱动管，用来补充OUT端CL的泄漏电荷，维持OUT端在整个导通周期内为高电平。

驱动电路的传输特性瞬态响应在图4中给出。其中（a）为上升沿瞬态响应，（b）为下降沿瞬态响应。从图4中可以看出，驱动电路上升沿明显分为了三个部分，分别对应三个上拉驱动管起主导作用的时期。1阶段为Q1、N4共同作用，输出电压迅速抬升，2阶段为N4起主导作，使输出电平达到VDD，3阶段为P5起主导作用，维持输出高电平为VDD。而且还可以缩短上升时间，下降时间满足工作频率在兆赫兹级以上的要求。

mos管驱动电机电路图，工作频率和驱动信号的占空比不是很大，并且VMOS的功率规格也不是很大时，普通并不需求为VMOS配置特地的驱动电路。通用的CMOS半导体（互补金属氧化物品体管逻辑IC）、TTL（晶体管逻辑）集成电路、常见的PWM专用IC的输出级都能够直接驱动VMOS。这种驱动方式普通适用于驱动信号的产生及控制电路与VMOS构成的功率级电路共地的状况。

TTL集成电路的逻辑电平为5V，输出级通常由BJT（双极性晶体管）组成，信号普通从集电极输出，这就是常说的“集电极开路输出”，当然，输出级也有采用MOSFET的，这就是“开漏输出”。上述开路输出方式需求外部电路配置偏置电阻，以树立工作点，限定输出电流。

mos管驱动电机电路图的作用与电路原理图

电机驱动电路的作用

电机驱动电路的作用指通过控制电机的旋转角度和运转速度，以此来实现对占空比的控制，来达到对电机怠速控制的方式。

电机驱动电路原理图及电路控制方案

电机驱动电路既可通过继电器或功率晶体管驱动，也可利用可控硅或功率型MOS场效应管驱动。为了适应不同的控制要求（如电机的工作电流、电压，电机的调速，直流电机的正反转控制等），下面介绍几种电机驱动电路，以满足以上要求：

图1

图1电路利用了达林顿晶体管扩大电机驱动电流，图示电路将BG1的5A扩流到达林顿复合管的30A，输入端可用低功率逻辑电平控制。上述电路采用的驱动方式属传统的单臂驱动，它只能使电机单向运转，双臂桥式推挽驱动可使控制更为灵活。

图2

图2为一款单端逻辑输入控制的桥式驱动电路，它控制电机正反转工作，这个电路的另一个特点是控制供电与电机驱动供电可以分开，因此它较好地适应了电机的电压要求。

图3

图3也为单端正负电平驱动桥式电路，它采用双组直流电源供电，该电路实际是两个反相单臂驱动电路的组合。图3也能控制电机的正反转。

图4

图4电路以达林顿管为基础驱动电机的正反转，它由完全对称的两部分组成。当A、B两输入端之一为髙电平，另一端为低电平时，电机正转或反转;当两输入端同为高或低电平时，电机停转;如采用脉宽调制，则可控制电机的转速，因此图4具有四种组合输入状态，电机却可以产生五种运行状态。这里箝位二极管D1、D2的加入具有重要的作用，它使达林顿管BG2，BG3不会产生失控，这在大功率下运转时更显安全。本电路的另一特点是输入控制逻辑电平的高低与电机的直流工 作电压无关，用TTL标准电平就能可靠地控制。

图5

与图4相比，图5的桥式驱动电路更为有趣，其一它是以低电平触发电机运转;其二控制端A、B具有触发锁定功能;其三具有多种保护，如D1、D2的触发锁定，D3—D6的功率管集电极保护等。因此本电路只有三种输入状态有效，电机仍有五种工作状态。D1 ，D2的作用是：若A为低电平时，BG1、BG2、BG5导通，BG2集电极的髙电平将通过D2封锁B端的输入，保证BG6截止，若本电路采用TTL电路触发，必须选用集电极开路门电路。

图6

因电机对供电稳定的要求并不高，图6的驱动电路不失为一种交流供电方案，交流电经全桥整流后，驱动并联使用的MOS场效应管Q1、Q2，R3、C1起滤波作用;续流二极管D用以防止高电压对Q1、Q2的破坏。

图7

图7利用可控硅的整流特性驱动直流电机，本电路仅适用于小功率电机调速，R2，C3的滤波网络可以吸收电机的反电动势保护SCR，C2与L组成的滤波器，能抑制电网干扰。

图8

用集成电路驱动电机的情况也较多，和一般的三端稳压器直接驱动不同，图8电路使电机可以获得从0V至7V的驱动电压，因而具有低压调速性能，IC1为 正输出的固定稳压器，IC2为可调负输出的四端稳压器，调节R1可以使电机获得零电压，由于IC2的散热片内部与输入端相连，因此IC1， IC2可用公共散热器，以适应低压工作。

图9

图9采用功率型运放驱动电机，属桥式驱动电路，控制信号从R1，R2，RP1， RP2组成的惠斯登电桥臂上得到，若RP2用于信号的检测，电机对RP1进行反馈跟踪调节，则可实现误差比例控制，这里LM378可提供最大达1A的驱动电流，本电路在伺服系统中具有广泛的应用。