简单的过热保护电路图(五)
过热保护电路在芯片温度过高时将大功率管关断,在阈值温度点需要较高的温度灵敏度,因此,大多数是基于比较器设计的。图1是过热保护电路原理图。
图1所示的过热保护电路由温度探测电路和比较器电路构成,该电路三极管Q的导通电压VBE具有负温度特性,并且工作在亚阈值区的MOS管产生具有正温度系数的电流I1和I2。随着工作温度的升高,VBE越来越小,而电阻上的电压随着电流的升高越来越大。当VBE《VR3时,比较器输出发生翻转,VOUT输出为低电平,关断主要功耗电路,使芯片发热量降低,这个过热保护的比较器有较高的分辨率,在高温下也能稳定工作,但无疑增加电路的功耗,而且利用工作在亚阈值区的MOS管产生的与绝对温度成正比的PTAT电流精度不高,易受电源电压影响,过热保护电路不够稳定。
本文的过热保护电路是在带隙基准电路基础上设计的,使用带隙基准电路的偏置电压作为过热保护电路偏置,且在电路中优化了比较器电路,使得电路结构简单且性能稳定,较易在版图上实现。过热保护电路如图2所示。
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