irf540n的生产厂家是SANYO 、IR、VISHAY,封装类型为TO-220AB。
irf540n基本信息
产品型号:irf540n生产厂家:SANYO 、IR、VISHAY描述:晶体管极性:N沟道漏极电流, Id 最大值:33A电压, Vds 最大:100V开态电阻, Rds(on):0.04ohm电压 @ Rds测量:10V电压, Vgs 最高:10V功耗:94W封装类型:TO-220AB针脚数:3功率, Pd:120W器件标记:IRF540N引脚节距:2.54mm晶体管数:1晶体管类型:MOSFET温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C热阻, 结至外壳 A:1.1°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:100V电流, Id 连续:27A电流, Idm 脉冲:110A表面安装器件:通孔安装针脚格式:1 g2 d/tab3 s针脚配置:a阈值电压, Vgs th 典型值:4V
IRF540N设计个开关电路图N沟道MOS管
负载串在漏极,源极接地,栅极用10V左右电压控制,记得栅极要加下拉电阻。
5V电压稍低,540可能不会完全导通。
如何用单片机5v控制24v3A电路的通断,手上有IRF540N。IRF540N阈值电压 Vgs th 典型值:4V,保证其工作在开关状态,要求VGS至少大于4.5以上(跟所需求的负载电流有关)。
5v单片机的输出口接口高电平,当负载电流小于10uA时输出电压为4.5V,当负载电流300uA时输出电压为3.75V。
因此如果要用IO口直接驱动IRF540N,需保证IO口负载电流在10uA以下才符合工程设计的需求。给出示意图,供参考
这个是大电流输出时候的VGS要求,其最大电流可以达到33A。你目前只有3A,按照我给你的电路图能够驱动。指标是有相对性的,最有效的办法是看器件的参数曲线。
P沟道的管子使用的时候你只需要记住几件事情:
当栅极(G)的电压比漏极的电压(D)小5V以上(有的管子可以更低),管子就开始导通,压差越大,G和S(源极)之间的电阻就越小,损耗也就越小,但是不能太大。
还有一件事情就是G和S之间的最大耐压,元器件手册上有说明。
最后就是G和S之间容许通过的最大电流,这个元器件手册上写的也很清楚。 说的够明白了。
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