美国SemiSouth Laboratories公司发布了耐压为650V和耐压为1700V的SiC制JFET产品,均为常开型功率元件。耐压为650V的产品名称为“SJDA065R055”,导通电阻为55mΩ,漏电流在室温时(25℃)为30A,在
2012-05-21 10:31:012494 瑞萨电新发表13款具备高效能之第7代绝缘闸双极性电晶体(IGBT)系列新产品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列与1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是将系统中的直流电转换为交流电的功率半导体装
2012-07-31 11:34:281650 为满足电动汽车市场的需求,英飞凌推出了全新的650V CoolMOS™ SJ功率 MOSFET CFD7A系列。这一产品经过专门优化,可以满足电动汽车应用 (如车载充电器、HV-LV DC-DC 转换器和辅助电源)的要求。
2020-05-31 09:15:361509 随着新产品的发布,英飞凌完善了其600V/650V细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合
2020-02-26 08:26:001315 Teledyne e2v HiRel为其基于GaN Systems技术的650伏行业领先高功率产品系列新增两款耐用型GaN功率HEMT(高电子迁移率晶体管)。 这两款全新大功率HEMT
2021-01-09 11:14:212799 基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。
2021-04-27 09:35:371195 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421942 合并PIN肖特基结构可带来更高的稳健性和效率 奈梅亨, 2023 年 4 月 20 日: 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管
2023-04-20 09:39:30796 首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode(增强型)功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型E-mode器件,从GaN FET到其他
2023-05-10 09:24:51420 40 A 650V IGBT,它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3(亦称D2PAK)封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率
2018-10-23 16:21:49
Parameter Symbol Value Unit TO-220F TO-220 TO-247 Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 650 V
2021-04-06 11:35:02
逆变器等中高功率领域,可显著的减少电路的损耗,提高电路的工作频率。 关断波形图(650V/10A产品) 650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆变焊机因其体较小,操作方便,市场接受度逐步提高。因市电220V输入的特点,一般采用600V/650V规格的IGBT作为逆变主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
MOS管 N-channel Id=34.5A VDS=650V TO247
2023-03-24 14:52:47
`我看到AD650的技术文档上说要将信号地直接连在AD650芯片的模拟地管脚上,请问我直接将一整块电路板覆铜,然后把模拟地接在覆铜上可以吗?会影响电路的效果吗?`
2016-01-25 13:56:34
因数校正,新能源电网,新能源汽车,轨道交通等不同领域!附上同系列650V B1D02065E B1D06065FB1D04065KB2D08065K 等更多型号选型表:
2021-11-09 16:36:57
650-621 ExamAdvanced Wireless LAN科目编号:650-621 科目名称:Advanced
Wireless LAN 考题数目:47 Q&
2010-06-08 09:37:29
`IDM165L650是一种高功率脉冲晶体管,专为工作于0.125-0.167 GHz的Sub-1 GHz系统而设计。 该双MOSFET器件以1ms的脉冲宽度和20%的占空比工作,在瞬时工作带宽上以
2021-04-01 10:03:31
`IGN1214M650A是最适合L波段雷达应用的高功率GaN晶体管。 该晶体管被指定用于AB类工作,提供1.2-1.4 GHz的工作频率,最小650W的峰值脉冲功率,50V和10%的占空比。 该
2020-04-21 11:17:44
;TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性:3.0A,650V,最大RDS(on)= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷(典型值为16nC)快速切换经过100%雪崩测试改进的dv/dt功能主要参数:应用:高效开关模式电源,基于半桥拓扑的有源功率因数校正`
2020-04-30 15:13:55
模拟和 GaN 逻辑的全功能 650V GaN 功率 IC 于 2016 年和 2017 年以单开关 v 和半桥 vi 格式推出,如图 2 所示。文章全部详情,请加V获取:hlknch
2021-07-06 09:38:20
。 BM1Pxxx支持隔离和非隔离器件,可以更简单地设计各种类型的低功耗电气转换器。 BM1Pxxx内置高压启动电路,可承受650V电压,有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
BM2P033 PWM AC / DC变换器的典型应用电路。用于AC / DC的PWM型(BM2PXX3)为包含电源插座的所有产品提供了最佳系统。 BM2PXX3支持隔离和非隔离器件,可以更简单地设计各种类型的低功耗电气转换器。 BM2PXX3内置高压启动电路,可承受650V电压,有助于实现低功耗
2020-06-05 09:15:07
本帖最后由 3T华钻电子 于 2020-9-22 17:05 编辑
新洁能原厂 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超结场效应管 ,原装正品,优势价格。深圳市华钻电子
2019-12-31 15:08:03
650V耐压的buck电路够不够用
2023-08-01 14:38:42
用于AC/DC变换器应用的新型650V GaNFast半桥IC(氮化镓)
2023-06-19 07:57:31
600V IGBT3,全新芯片具备更出色的关断软度和更高的阻断电压功能。此外,该器件的短路能力大幅增强。而600V IGBT3主要适用于低功率应用或杂散电感很低的高功率应用。650V IGBT4的设计与技术
2018-12-07 10:16:11
的安全裕量。 图1 CoolMOS高压功率MOSFET及其内部体二极管的横截面示意图2. 反向恢复行为新一代CoolMOS™ 650V CFD的反向恢复特性如图2所示。与标准器件相比,新一代
2018-12-03 13:43:55
英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结(SJ)器件的优势(如低导通电阻和低容性开关损耗)与轻松控制的开关行为、及
2010-07-05 08:48:261672 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 结型肖特基势垒 (JBS) 二极管系列,以满足最新数据中心电源系统要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:371290 英飞凌目前正推出另一项重要的创新型高压CoolMOS MOSFET。这种全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具备650V漏源电压并集成快速体二极管的高压晶体管。
2011-02-16 09:11:171845 富威集团代理产线Invensense推出IDG-650/ ISZ-650,增加运动传感之游戏机台与手持游戏机,增添了新的互动空间。
2011-05-01 08:18:522072 英飞凌科技股份有限公司扩展其车用功率半导体系列产品,推出全新 650V CoolMOS CFDA。这是业界首创整合高速本体二极体技术的超接面 MOSFET 解决方案,符合最高的汽车认证标準 AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021458 2014年10月21日,北京——全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出多款坚固可靠的650V IRGP47xx器件,藉以扩充绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列。
2014-10-21 15:27:421975 •正温度系数,易于并联使用•不受温度影响的开关特性•最高工作温度175℃•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
650V 4A 碳化硅肖特基功率二极管
兼容 C3D04060A C3D04065A
2016-06-06 15:09:147 G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二极管 TO-220
2016-06-17 15:42:454 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二极管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二极管
产品特性
•
正温度系数,易于并联使用
•不受温度影响的开关特性
•
最高工作温度175℃•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
2016-06-17 15:42:454 G2S06530A 650V 30A 碳化硅肖特基功率二极管
正温度系数,易于并联使用•
不受温度影响的开关特性•
最高工作温度175℃
•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
2016-06-23 17:56:190 意法半导体推出新款M系列650V IGBT,为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案,新款M系列650V IGBT,为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案,适用于暖通空调系统(HVAC
2016-11-02 17:19:431958 ROHM第三代碳化硅MOSFET特点(相比第二代)ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中,包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200V第三代沟槽MOSFET,并利用光学显微镜和扫描电镜研究复杂的碳化硅沟槽结构。
2018-08-20 17:26:299042 碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC/美商联合碳化硅股份有限公司 宣布,已经为UJ3C(通用型)和UF3C(硬开关型)系列650V SiC FET新增加了7种新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封装组合产品。
2019-05-08 09:04:021767 GAN063-650WSA的特点是低导通电阻(最大RDS(on) 仅为 60 m)以及快速的开关切换;效率非常高。 Nexperia氮化镓器件的目标是高性能要求的应用市场,包括电动汽车、数据中心、电信设备、工业自动化和高端电源。
2019-11-29 09:00:183369 作为碳化硅技术全球领先企业的科锐(Cree Inc., 美国纳斯达克上市代码:CREE)公司,于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET产品组合,适用于更广阔的工业应用,助力新一代电动汽车车载充电、数据中心和其它可再生能源系统应用,提供业界领先的功率效率。
2020-04-02 15:37:563648 英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET,标志着公司进一步增强了在低压SiC领域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 同被称为第三代半导体材料的氮化镓(GaN)因其特性,多被用于650V以下的中低压功率器件及射频和光电领域,而碳化硅(SiC)则主要用在650V以上的高压功率器件领域。
2020-06-24 15:56:043046 2020年7月4日 华润微电子(CR MICRO)正式向市场投入1200V 和650V 工业级SiC肖特基二极管功率器件产品系列,与此同时宣布国内首条6英寸商用SiC晶圆生产线正式量产。 华润微电子
2020-07-04 22:28:507770 东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)宣布,在其TOLL(TO-无引线)封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117 前言背景: 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管
2021-03-26 16:40:202349 传统的升压PFC仅使用一个有源开关,通常是650V超结Si MOSFET。当今,大多数常规开关电源都采用升压PFC,从而充分利用其简单性、低成本和可靠性。用650V GaN FET代替650V Si MOSFET可以减少开关损耗,但是效率的提高并不明显——通常只有0.1%至0.15%。
2021-04-14 11:22:412636 东芝拓展650V超结结构N沟道功率MOSFET新品 景嘉微发布JH920 东芝拓展新一代超级结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的产品线 东芝电子元件及存储装置株式会社 (“东芝
2022-03-18 17:35:264581 关键半导体领域的专家Nexperia今天宣布推出 650 V、10 A SiC 肖特基二极管,进军大功率碳化硅 (SiC) 二极管市场。这是 Nexperia 的一项战略举措,Nexperia 已经是值得信赖的高效功率氮化镓 (GaN) FET 供应商,旨在扩展其高压宽带隙半导体器件产品。
2022-03-28 14:30:092205 TP650H070L系列650V,72mΩ 氮化镓(GaN)FET是常关器件。它们结合了最先进的技术高压GaN HEMT和低压硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技术。
2022-03-31 15:03:3510 650V 60mΩ SiC MOSFET主要应用市场包括光伏和储能、驱动、电动汽车及充电桩、UPS、电源等。据HIS报告,电动汽车充电市场的增长将非常强劲,高达59%。
2022-08-02 15:06:55614 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538 650V 快速恢复 SuperFET® II MOSFET 在谐振拓扑中实现高系统效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360 Nexperia(安世半导体)持续加大投资,扩大产能,以满足市场对于 CFP 封装产品不断增长的需求。为满足高电压功率应用的广大需求,Nexperia(安世半导体)计划进一步扩大 650 V 表面贴装的快恢复整流管(高达30 A)
2022-11-22 14:57:25569 LP88G24DCD内置650V级联型结构的GaN功率器件,采用QFN8*8封装,进一步减小芯片占板面积,底部采用一体化铜基板设计,具有极佳的散热性能。
2022-11-30 09:41:12628 ROHM最近新推出650V耐压IGBT“RGTV系列(短路耐受能力保持型)”和“RGW系列(高速开关型)”共21种机型,该系列产品同时实现了业界顶级的低传导损耗和高速开关特性,并大大减少了开关时的过冲。
2023-02-09 10:19:25723 采用 CCPAK1212 封装的 650 V、33 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN039-650NBA
2023-02-16 20:47:212 采用 CCPAK1212i 封装的 650 V、33 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN039-650NTBA
2023-02-16 20:47:323 采用 CCPAK1212i 封装的 650 V、33 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN039-650NTB
2023-02-16 20:47:450 采用 CCPAK1212 封装的 650 V、33 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN039-650NBB
2023-02-16 20:48:020 采用 TO-247 封装的 650 V、35 mΩ 氮化镓 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:495 650 V、50 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245 白皮书:GaN FET 技术和 AEC-Q101 认证所需的稳健性 – 中文(650 V GaN FET 技术可提供出色效率,以及 AEC-Q101 认证所需的耐久性)-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:53:032 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二极管,主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650
2023-04-20 15:55:361319 全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride:氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产
2023-05-18 16:34:23464 Nexperia | 用于汽车和工业的650V超快恢复整流管
2023-05-24 12:16:57300 全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride:氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产,这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。
2023-05-24 15:19:34447 非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统的效率提升和小型化 全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride:氮化镓)HEMT
2023-05-25 00:25:01322 Vishay 新型第三代 650V SiC 二极管 器件采用 MPS 结构设计 额定电流 4 A~ 40 A 正向压降、电容电荷和反向漏电流低 Vishay 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode(增强型)功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化
2023-05-30 09:03:15384 润新微电子(Runxin Microelectronics)荣幸推出了最新一代的650V GaN功率晶体管(FET),该产品具备卓越的性能和广泛的应用领域。 产品特点: 易于使用:650V GaN
2023-06-12 16:38:34693 ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN™650V E模式氮化镓(GaN)FET采用低导通电阻和高速开关来提高电源转换效率和减小尺寸。该款高度可靠的GNP1 FET具有内置ESD
2023-06-19 15:09:18273 圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS SiC二极管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
2023-07-12 17:06:27522 继先后推出成熟化的全系列碳化硅二极管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模块产品后,2023年7月 森国科正式对外推出650V超结MOSFET系列新品 ,相较于传统的功率MOSFET,SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 650V硅上GaN增强型功率品体管,采用5mm双扁平无引线封装(DFN)X6毫米大小。增强型晶体管-正常关闭电源开关,符合JEDEC标准的工业应用。
2023-08-16 23:36:51687 650V硅上GaN增强模式功率晶体管,英诺赛科INN650D150A采用双扁平无引线封装(DFN),8mmx8mm尺寸,增强型晶体管-正常关闭电源开关
2023-08-07 17:22:17968 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的 E-mode(增强型)功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500 SP9683高频准谐振、集成650V氮化镓功率器件,30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008 电子发烧友网站提供《SLP12N65C美浦森高压MOSFET 650V 12A.pdf》资料免费下载
2022-04-29 14:06:570 电子发烧友网站提供《SLP10N65C美浦森高压MOSFET 650V 12A.pdf》资料免费下载
2022-04-29 14:12:250 电子发烧友网站提供《SLP8N65C美浦森高压MOSFET 650V 7.5A.pdf》资料免费下载
2022-04-29 14:30:151 电子发烧友网站提供《SLP5N65C美浦森高压MOSFET 650V 4.5A.pdf》资料免费下载
2022-04-29 14:33:490 供应40A、650V新能源绝缘栅双极型晶体管SGTP40V65SDB1P7,提供SGTP40V65SDB1P7关键参数,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-08-01 16:18:473 供应SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆变器igbt-三相igbt逆变电源,提供SGTP75V65SDS1P7关键参数,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-08-02 17:12:195 SVSP35NF65P7D3士兰微高压超结mos管650V,35A,提供SVSP35NF65P7D3关键参数,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-09-06 14:57:507 供应SVSP11N65DD211A,650V士兰微超结MOS,提供SVSP11N65DD211A,650V士兰微超结MOS关键参数,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-11-02 15:17:061 650V高压低功耗非隔离电源芯片,默认输出12V,最大电流2A,具有输出可设置3-24V
2023-12-01 19:19:030 IGBT 作为一种功率半导体器件,广泛应用于工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。IGBT 具有节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点,是能量转换和传输的核心装置。瑞能的650V IGBT产品在电性能和可靠性等方面具备诸多优势,在行业内也处于领先地位。
2023-12-26 13:31:35276 近日,瞻芯电子采用TO263-7封装的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ产品IV2Q06040D7Z通过了严苛的车规级可靠性认证,该产品采用TO263-7贴片封装,具有体积较小,安装简便,损耗更低的特点。
2024-01-16 10:16:24770 近日,全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)宣布,其650V GaN器件(EcoGaN™)已被台达电子(Delta Electronics, Inc.,以下简称
2024-03-12 10:42:46123 近日,瞻芯电子宣布其研发的三款第二代650V SiC MOSFET产品成功通过了严格的AEC-Q101车规级可靠性认证,这一里程碑式的成就标志着瞻芯电子在功率电子领域的持续创新与技术突破。
2024-03-12 11:04:24260 瞻芯电子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET产品,这些产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证(AEC-Q101 Qualified),还具备业界领先的低损耗水平。这些新型MOSFET的推出,标志着瞻芯电子在半导体技术领域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 本次推出的产品主要为50A 650V TO-247封装IGBT单管;
2024-03-15 14:26:07188 近日,国内半导体功率器件领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司(以下简称“扬杰科技”)再度刷新业界认知,推出了一款专为光伏储能充电桩等高频应用而设计的50A 650V TO-247封装IGBT单管产品
2024-03-16 10:48:19563 电子发烧友网站提供《具有集成驱动器的 650V 120mΩ GaN FET LMG3612数据表.pdf》资料免费下载
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2024-03-21 10:19:400
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