日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:40
1439 英飞凌科技公司将“全球首次”使用口径300mm的硅晶圆制造功率半导体。具体产品是有超结（Super Junction）构造的功率MOSFET“CoolMOS系列产品”，由奥地利菲拉赫工厂生产。
2013-02-25 08:53:001733 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN，业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件，10 V条件下最大导通电阻降至4 m，采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装。
2019-10-05 07:04:005406 OptiMOS SD 40 V低电压功率 MOSFET 提供两种版本：标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。
2020-11-04 11:20:371482 【 2023 年 5 月 12 日，德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）推出 OptiMOS™ 7 40V MOSFET 系列。作为英飞凌
2023-06-06 11:01:361028 
。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广
2023-09-06 14:18:431207 
。 OptiMOS 7 功率MOSFET 该半导体产品组合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm²源极底置（Source-Down）封装，标准门级和门级居中
2023-12-12 18:04:37494 
7引脚封装的1200 V CoolSiC™ MOSFET （一种表面贴装器件）。它将三个应用整合在一起，在一个尺寸仅为425 x 865 x 160 mm3的紧凑封装中实现了三个一系统的设计，具有重要
2022-08-09 15:17:41
、摄像连接及其他的对 ESD 敏感的电路所需的静电放电保护。ESD3.3V88D-LA特性：0402 小封装 1.0mm x 0.6mm x 0.5mm单向单路防护低的容值、低漏流及低箝位电压IEC
2017-07-25 16:15:41
描述PMP6753 参考设计可通过宽范围 18V-60V 电信输入提供 3.3V 25A 的电源，效率达 94% 以上。该设计采用 UCC2897A 有源钳位控制器和德州仪器 (TI) 的 NexFET 功率 MOSFET 进行同步整流。
2018-12-10 11:25:25
24V转3.3V稳压芯片24V转3.3V稳压芯片24V转3.3V稳压芯片24V转3.3V稳压芯片PW2312是一个高频，同步，整流，降压，开关模式转换器内部功率MOSFET。它提供了一个非常紧凑
2021-01-22 09:35:12
`描述This reference design generates an isolated 2W dual output (+3.3V & -3.3V) from AC
2015-03-12 10:29:05
3.6V转3.3V，想加个二极管求指教什么型号的锗管，什么封装，最好是0603的封装。谢谢了
2019-04-23 04:18:08
3.9*3.3mm Elliptical Wide Angle LED封装尺寸及参数说明产品说明：ChipMaterial:GaNEmitted Color:Whiteλσ（nm）:Lens
2008-09-28 17:53:44
@ 1MHz工作温度-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型封装/外壳0402（1006 公制）供应商器件封装X1-DFN1006-2 3.3 V 1 Channel ESD 抑制器
2020-05-06 10:56:03
，希望能够帮助客户更安全合理的使用3.3kV系列模块产品。英飞凌作为全球最大的功率半导体厂商，总部位于德国慕尼黑，可以提供从发电、输电到用电整个链条所需的功率半导体和功率模块。英飞凌科技（中国）有限公司
2018-12-06 10:06:18
单片机是STC15L104W,MOS管是HUF75307D,用3.6V的3节充电电池接上后MOS管一直导通,不受单片机控制,灯珠是3.3V 3W的大功率灯珠
2019-09-18 03:45:09
的MOSFET设计，就无法做到这一点。2006年，英飞凌为了满足客户的要求，推出了OptiMOS™ 2 100 V MOSFET[1]。它是该电压等级里采用电荷补偿技术的第一个功率MOSFE器件。相对于传统
2018-12-07 10:21:41
时，从结点到PCB的热阻仅为1.8°C/W。图1 PQFN底侧裸热焊盘改善电气和热性能 在封装内，两种可能的技术都可以被用来创建从裸片到封装端子之间的MOSFET源连接。利用标准后端冷却方式来连接
2018-09-12 15:14:20
XLLGA-3到D2Pak和TO-220封装不等。MOSFET额定电压范围从12 V至200 V以上。功率MOSFET用于便携式设备如手机和平板电脑。它们也用于计算机、服务器、电动工具和汽车。选择合适
2018-10-18 09:13:03
功率MOSFET的结构特点为什么要在栅极和源极之间并联一个电阻呢？
2021-03-10 06:19:21
`功率Mosfet参数介绍V(BR)DSS（有时候叫做BVDSS）是指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
。 特别是，封装源极寄生电感是是器件控制的关键因素。在本文中，英飞凌提出了一种用于快速开关超结MOSFET的最新推出的TO247 4引脚器件封装解决方案。这个解决方案将源极连接分为两个电流路径；一个用于
2018-10-08 15:19:33
，从而在不改变封装体积的情况下提高输出功率。另一个普遍的希望是，能够最终避免采用插件封装的器件（比如TO220、TO247）。阻断电压为40V和60V的最新一代英飞凌MOSFET，如今可满足设计工
2018-12-06 09:46:29
导读：近日，英飞凌宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管。该晶体管具备业界最高的L波段输出功率（700瓦），适用于工作频率范围为1200 MHz~1400 MHz的雷达系统。这种新型器件可通过减少
2018-11-29 11:38:26
DN331 - 25μV 微功率双路运算放大器安装在 3mm x 3mm 的封装中
2019-07-08 09:49:29
员所需要的。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor简称FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款
2012-04-28 10:21:32
Hittite推出集成VCO的新型3.3V宽带PLL
2019-06-03 09:29:18
技术,是该公司首批采用5x6mm PQFN封装、优化铜片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF20V器件可实现业界领先的RDS(on),在4.5V Vgs下,最高仅为<br/&
2010-05-06 08:55:20
LC03- 3.3低电容3.3V高速接口电压TVSLC03- 6低电容TVS用于高速数据接口大功率低容值瞬变二极管阵列瞬态电压抑制元件LC03-3.3，LC03-6LC Series 18 V
2020-04-24 14:00:17
击穿电压范围：20V~30V；Id-连续漏极电流范围：3A~30A；功率耗散：1W~20W封装形式：DFN1006-3，HSMT8（3.3x3.3），DFN2020-8S，DFN2020-8D，SOT-346T，SOT-363T，SOT-457T和TSMT8应用：电机应用；电动牙刷；电动剃须刀`
2021-02-02 09:55:16
`优恩半导体目前推出低电压、小封装、超低容值的ESD静电二极管ESD3.3V88D-LA。该款器件主要用来保护敏感的电子产品（汽车电子、消费类电子），使其免于受到ESD 高达 IEC
2017-03-30 15:05:15
系列 3.3 V 500 mW 表面贴装 硅 齐纳 二极管 - SOD-123规格电压 - 齐纳（标称值）(Vz)3.3V容差±5%功率 - 最大值500mW不同 Vr 时电流 - 反向泄漏7.5
2020-12-16 14:54:38
`SOD323 大功率保护TVS二极管TVS二极管，适用于浪涌和ESD保护应用，采用SOD323封装。单向TVS二极管非常适合用于保护数据线路和直流电源。这款500W、5V、符合用于需要
2020-03-23 14:06:26
，TO-247-4这种带辅助源极管脚的封装形式对碳化硅MOSFET这种高速功率开关带来的优势。 02 从数据的角度去分析共源杂散电感对开关损耗的影响 （1）双脉冲测试时的重要注意事项---电流探头的相位
2023-02-27 16:14:19
/DC开关电源的设计开发。2009年加入英飞凌科技（中国）有限公司。任系统应用工程师，负责英飞凌功率半导体器件的应用和方案推广。演讲內容介紹：英飞凌新的OptiMOS产品为MOSFET分离器件设立了一个
2012-07-13 10:50:22
全球知名的半导体厂商罗姆(ROHM)公司推出了一款内部集成高额定电压的功率MOSFET的电流模式同步降压转换器——BD9V101MUF-LB，它可以保证在工业市场长期支持。该芯片通过纳米脉冲控制技术
2019-04-01 06:20:06
的封装内采用更高性能的MOSFET，业内的一个趋势是从SO-8等标准引线封装向带有底面漏极焊盘的功率封装转变。对于大电流应用，常用的是功率6mmx 5mm封装，例如PowerPAK® SO-8。但对
2013-12-23 11:55:35
3.3V 应用，所选 MOSFET 的额定导通电阻应针对 3V 或更小的栅极驱动电压。例如，对于具有 3.3V 驱动的100 mA负载，额定漏极电流为250 μA的FET在栅极 - 源极施加 1V 电压
2019-09-10 16:38:10
的能力。对于 3.3V 应用，所选 MOSFET 的额定导通电阻应针对 3V 或更小的栅极驱动电压。例如，对于具有 3.3V 驱动的100 mA负载，额定漏极电流为250 μA的FET在栅极 - 源极施加
2021-05-09 06:30:00
5V，因此想通过IO口的高低电平设置来控制那个器件电压的供给。有什么好的解决方案？下面是实现方式之一，不过存在问题：如何外接三极管来控制 ，下图中，P1.0为什么不能置低？当P1.0为3.3V时，Vic电压是多少？
2023-04-18 10:27:07
如何用PQFN封装技术提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
：3.3V →5V直接连接技巧六：3.3V→5V使用MOSFET转换器技巧七：3.3V→5V使用二极管补偿技巧八：3.3V→5V使用电压比较器技巧九：5V→3.3V直接连接技巧十：5V→3.3V使用二极
2019-09-03 10:47:49
进一步提升效率。BSZ0909ND是英飞凌针对无线充电应用而推出的产品，把2个N-MOS集成在一个3.3*3.3mm的封装里，可以有助于小型化设计，以及降低整体BOM成本。电路示意图： 实物图片
2018-05-17 20:05:42
求大神推荐几个LDO，输入5v输出3.3v 500mA 封装SOT-25/SOT23-5
2017-05-22 14:42:20
`海飞乐技术现货替换IXFH150N25X3场效应管制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体
2020-03-09 15:32:12
`海飞乐技术现货替换IXFN170N25X3场效应管制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: Chassis Mount 封装 / 箱体
2020-03-19 16:29:21
`海飞乐技术现货替换IXFP60N25X3场效应管制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体
2020-03-20 17:12:51
. 由于其体积小和双向设计, 因此非常适用于需要音频线路保护的手机, MP3播放器和便携式应用.DC3321D5的参数：封装：SOD-523 电压：3.3V钳位电压：6.5V容值：12.5pF 功率
2020-05-29 14:23:13
，就可以将效率提高0.4%。这种消耗的降低，来源于更低的封装电阻和低至约1nH的极低封装电感。对应于40V、60V和80V的电压等级，OptiMOS 3的漏极-源极通态电阻RDS(on)分别为1.8m
2018-12-07 10:23:12
ST25R3911B-disco板使用5V VDD。你能用3.3V的VDD，使用3.3V有什么缺点吗？ ＃st25r3911b-VDD以上来自于谷歌翻译以下为原文
2019-07-29 16:53:07
使用三极管或者二极管实现装着蓝牙模块的小板子能够和3.3v或者5v的MCU进行通讯。哪个大神可以给一个可以用的电路图，最好有图纸和三极管器件型号。
2018-06-10 19:39:48
英飞凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飞凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，进一步扩大OptiMOSTM产品阵容。全新200V和250V器件适用于48V系统
2010-01-26 09:22:57827 英飞凌推出25V OptiMOS调压MOSFET和DrMOS系列
为提高计算和电信产品的能效，英飞凌科技股份公司近日宣布，公司将在2010年应用电力电子会议和产品展示
2010-03-01 11:20:47731 采用PQFN封装的MOSFET 适用于ORing和电机驱动应用
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型HEXFET功率MOSFET，其中包括能够提供业界最低导通电阻 (R
2010-03-12 11:10:071235 用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK 8x8
英飞凌科技股份公司近日推出适用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK 8x8。新封装的占板空间
2010-05-12 18:17:18951 基于英飞凌适用于功率MOSFET的功能强大的第二代沟槽技术，OptiMOS-T2器件成为大电流汽车电机驱动应用、电动助力转向（EPS）系统和汽车启停系统的理想解决方案。
出于成
2010-08-09 09:08:22557 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3x3封装，为电信、网络通信和高端台式机及笔记本电
2010-11-24 09:14:351506 用改进的PQFN器件一对一替换标准SO-8 MOSFET可提升总体工作效率。电流处理能力也能够得以增强，并实现更高的功率密度。在以并联方式使用的传统MOSFET应用中，采用增强型封装(如PQFN和DirectFET)的最新一代器件可用单个组件代替一个并联的组件对。
2011-03-09 09:13:025987 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其封装系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术
2011-06-16 09:35:042537 IR扩展其封装系列，推出PQFN 4mm x 4mm封装。IR最新的高压栅级驱动IC采用该封装，为家用电器、工业自动化、电动工具和替代能源等一系列应用提供了超紧凑、高密度和高效率的解决方案
2011-06-29 09:07:191134 英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40V OptiMOS P2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了行业新标杆，从而进一步
2011-09-13 08:33:16692 英飞凌科技推出采用先进沟槽技术制程的最新单一P通道40V汽车电源MOSFET系列产品。新型40V OptiMOS P2产品为提升能源效率、减少CO2排放及节省成本设立新的基准
2011-09-28 19:35:41648 英飞凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽车封装类型的合格100%无铅功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451013 飞兆半导体公司和英飞凌科技宣布进一步扩展封装兼容合作伙伴关系，扩展协议将包括5x6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。
2012-02-09 09:18:22807 e络盟日前宣布新增来自全球半导体和系统解决方案领先提供商英飞凌的CoolMOS™与OptiMOS™系列产品，进一步扩充其功率MOSFET产品组合。
2015-03-02 17:37:381390 2015年3月24日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）今日推出了OptiMOS™ 5 25V和30V产品家族，它们是采用标准分立式封装的新一代功率MOSFET。
2015-04-01 14:06:081313 MCP87130 是采用常见的 PDFN 5 mm x 6 mm 封装和
PDFN 3.3 mm x 3.3 mm 封装的 N 沟道功率 MOSFET。
MCP87130 利用先进的封装和硅片
2018-06-29 11:23:00
2 MCP87090 是采用常见的 PDFN 5 mm x 6 mm 封装和
PDFN 3.3 mm x 3.3 mm 封装的 N 沟道功率 MOSFET。
MCP87090 利用先进的封装和硅片
2018-07-02 10:23:0010 MCP87055 器件是采用常见的 PDFN 3.3 mm x 3.3 mm
封装的 N 沟道功率 MOSFET。先进的封装和硅片加工技
术使 MCP87055 可以在给定 RDS
2018-06-29 10:24:005 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 扩展其封装系列，推出PQFN 4mm x 4mm封装。IR最新的高压栅级驱动IC采用
2018-11-13 16:26:191658 最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFETreg
2019-01-01 16:29:01380 电子发烧友网为你提供ADI(ti)LTC1517-3.3相关产品参数、数据手册，更有LTC1517-3.3的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，LTC1517-3.3真值表，LTC1517-3.3管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2019-02-22 13:42:34
SuperSO8封装：OptiMOS 5 150V功率MOSFET此次提供了尺寸更小的SuperSO8封装，堪称封装界的best-in-class级别，相比于TO-220封装，SuperSO8将在减少封装电感的基础上进一步增大功率密度、减少漏源电压V DS的尖峰。
2019-09-25 10:28:174535 
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装，可提供低于2mΩ级别中的最低输出电容(Coss)。儒卓力在电子商务网站上供应这款MOSFET器件。
2020-02-20 10:27:382779 LTC1517-3.3：5针SOT-23封装中的微功耗、调节3.3V电荷泵数据表
2021-05-20 10:24:395 新型 30 V n 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。 Vishay Siliconix SiSS52DN 采用热增强型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:572153 V条件下最大导通电阻降至4 mW，采用热增强型3.3 mm * 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装。SiSS22DN专门用于提高功率转换拓扑结构的效率和功率密度，栅极电荷仅为22.5 nC，...
2021-12-05 10:21:115 英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS™ 源极底置（Source-Down，简称SD）功率MOSFET，为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。
2022-02-15 13:51:382073 
英飞凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封装的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列，旨在为分立功率MOSFET技术树立全新的行业标准。
2022-03-14 17:39:161651 
OptiMOS 已经成为采用英飞凌独特技术的中低耐压 MOSFET 的商标，有多种耐压、RDS(on)、封装，适用于汽车和消费类应用。英飞凌在功率半导体领域的市场占有率位居全球第一，特别是在汽车
2022-08-19 15:05:053319 使用 OptiMOS™ 6 MOSFET 优化电源设计
2022-12-29 10:02:53785 
采用 LFPAK88 封装的 NextPower 100 V、3.3 mOhm、180 A、N 沟道 MOSFET-PSMN3R3-100SSF
2023-02-08 19:25:250 未来电力电子系统的设计将持续推进，以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势，英飞凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm² PQFN 封装的源极底置功率MOSFET，电压范围涵盖
2023-02-16 16:27:22758 TO-220 封装的 N 沟道 80 V、3.3 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN3R3-80PS
2023-02-22 19:00:520 理由相信潮流正在转变。正如TechInsights在不久前发布的PCIM Europe 2023 -产品公告和亮点博客[4]文章中所讨论的那样，英飞凌宣布推出采用3.3 kV SiC MOSFET芯片的CoolSiCTM XHPTM 2大功率模块[5]。
2023-06-03 12:30:58382 
低电压TVS瞬变抑制二极管在实际应用中，很常用，比如3.3V、5V、6V、6.5V、7V、7.5V、8V、8.5V、9V等等。关于3.3V的TVS二极管，之前TVS厂家东沃电子（DOWOSEMI
2022-09-29 17:40:501689 
DFN82x3x0.4mm封装的3.3V64MbitSPINORFlash产品XT25F64FDTIGT，满足物联网、智能穿戴、小型便携设备等应用对产品高度集成化、小型化
2022-11-22 14:40:34704 
英飞凌科技汽车 MOSFET 产品线高级副总裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列将在功率密度、电流能力和芯片耐用性方面树立新标杆。
2023-06-26 13:10:00302 
采用OptiMOS 7 技术的40V车规MOSFET产品系列，进一步提升比导通电阻，减小RDSON*A，即在同样的晶圆面积下实现更低的RDSON，或者说在更小的晶圆面积下实现相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12678 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS技术。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm2封装，具备先进的硅技术、稳定可靠的封装与极低的热阻（RthJC最大值为3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 MOS场效应管DFN3.3X3.3-8L30V25A
2022-09-23 17:59:370 英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363 
2024年1月4日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布其旗下品佳推出基于英飞凌（Infineon）XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS MOSFET的3.3KW高功率密度双向相移全桥方案。
2024-01-05 09:45:01227 
MOSFET集成在紧凑的3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3 x 3FS单体封装中，为工业和通信应用的功率转换带来了显著的性能提升。
2024-03-12 10:32:0294
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