恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)（纳斯达克代码：NXPI）近日发布了LFPAK56D产品组合——多款双通道Power-SO8 MOSFET
2012-09-26 11:31:26
3877 
恩智浦半导体近日推出54款符合汽车工业标准并采用LFPAK56封装的全新MOSFET——是目前市场上最全的Power-SO8 MOSFET产品组合。恩智浦的LFPAK56 MOSFET具有业界领先的性能和可靠性，与DPAK相比还可节省超过55%的尺寸面积，从而能大幅降低总成本。
2013-03-08 12:41:543472 LFPAK封装采用铜夹片结构，由Nexperia率先应用，已在汽车等要求严格的应用领域中使用近20年。
2020-05-08 09:02:451852 现可提供具备高效开关和低尖峰特性的LFPAK56和LFPAK88封装 奈梅亨， 2023 年 6 月 21 日： 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布扩充NextPower
2023-06-21 09:21:571173 
飞兆半导体推出了导通电阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，这款全新飞兆半导体器件FDMS7650是最大RDS(ON)值为0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N沟道器件，它是业界采用5×6mm POWER56封装且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391887 的PSMNR51-25YLH已经是业内公认的低压、低RDS（on）的领先器件，它树立了25 V、0.57 mΩ的新标准。该市场领先的性能利用安世半导体独特的NextPowerS3技术实现，并不影响最大漏极电流
2020-02-20 18:56:034115 集微网消息，前段时间闻泰科技收购安世半导体的消息可谓轰动一时，安世半导体目前如封装等多个细分领域都位于全球前三，预计未来三年所有产品都可以做到销量销售额市占率全方位的全球第一。
2020-03-05 15:45:324513 
半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品。
2020-05-09 11:07:263713 采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100 V、5.6 mOhm N 沟道 MOSFET-PSMN5R5-100YSF
2023-02-08 18:42:39
0 采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100 V、15.3 mOhm N 沟道 MOSFET-PSMN015-100YSF
2023-02-09 21:54:470 采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100 V、11.7 mOhm N 沟道 MOSFET-PSMN012-100YSF
2023-02-09 21:55:001 采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100 V、10 mOhm N 沟道 MOSFET-PSMN9R8-100YSF
2023-02-09 21:55:100 采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100 V、6.9 mOhm N 沟道 MOSFET-PSMN7R2-100YSF
2023-02-09 21:55:270 采用 LFPAK56 的 NextPower 80 V、4.5 mOhm N 沟道 MOSFET-PSMN4R5-80YSF
2023-02-14 19:20:100 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 25 V、1.75 mOhm、200 A 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R7-25YLD
2023-02-16 20:44:510 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 25 V、2.09 mΩ、179 A 逻辑电平 MOSFET-PSMN2R0-25YLD
2023-02-16 20:45:110 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 25 V、1.2 mΩ、230 A 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R2-25YLD
2023-02-16 20:45:220 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 25 V、1.0 mΩ、240 A 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R0-25YLD
2023-02-17 20:02:200 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、6.5 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y6R5-40H
2023-02-20 18:50:590 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 30 V、0.82 mΩ、300 A 逻辑电平 MOSFET-PSMNR70-30YLH
2023-02-20 19:23:340 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 25 V、0.7 mΩ、300 A 逻辑电平 MOSFET-PSMNR60-25YLH
2023-02-20 19:33:110 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56E 中的 N 沟道 25 V、0.57 mΩ、380 A 逻辑电平 MOSFET-PSMNR51-25YLH
2023-02-20 19:33:220 采用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、2.2 mΩ、180 A 标准电平 MOSFET-PSMN2R2-40YSD
2023-02-20 19:34:180 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、3.3 mΩ、120 A 逻辑电平 MOSFET，使用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技术-PSMN3R2-40YLD
2023-02-20 19:39:220 采用 NextPower-S3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、1.4 mΩ、240 A 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R4-40YLD
2023-02-20 19:43:150 采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100V、10.9mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN011-100YSF
2023-02-20 19:50:190 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 30 V、1.2 mΩ、250 A 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R2-30YLD
2023-02-20 20:08:220 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 30 V、2.0 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN2R0-30YLD
2023-02-21 18:34:140 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、2.4 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y2R4-40H
2023-02-21 18:48:530 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、1.9 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y1R9-40H
2023-02-21 18:49:070 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、1.6 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y1R6-40H
2023-02-21 18:49:250 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、1.4 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y1R4-40H
2023-02-21 18:49:370 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、1.3 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y1R3-40H
2023-02-21 18:49:560 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、2.8 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y2R8-40H
2023-02-21 19:25:590 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、3.8 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y3R5-40E
2023-02-21 19:27:370 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、3.5 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y3R5-40H
2023-02-21 19:28:000 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、1.7 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y1R7-40H
2023-02-21 19:28:180 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、2.0 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y2R0-40H
2023-02-21 19:28:280 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、2.5 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y2R5-40H
2023-02-21 19:28:460 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、3.0 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y3R0-40H
2023-02-21 19:29:010 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、3.0 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y3R0-40E
2023-02-21 19:38:060 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、153 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y153-100E
2023-02-21 19:38:260 LFPAK56 中的 N 沟道 80 V、15 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y14-80E
2023-02-21 19:38:420 LFPAK56 中的 N 沟道 60 V、7.2 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y7R2-60E
2023-02-21 19:41:160 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、19 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y19-100E
2023-02-21 19:41:370 LFPAK56 中的 N 沟道 60 V、4.8 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y4R8-60E
2023-02-21 19:44:580 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、22 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y22-100E
2023-02-21 19:45:120 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、19 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y19-100E
2023-02-21 19:45:300 LFPAK56 中的 N 沟道 60 V、15 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y15-60E
2023-02-21 19:45:460 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、15 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y15-100E
2023-02-21 19:46:020 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、12 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y12-100E
2023-02-21 19:46:180 LFPAK56 中的 N 沟道 60 V、7.2 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y7R2-60E
2023-02-21 19:54:181 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、3.5 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y3R5-40E
2023-02-22 18:40:510 LFPAK56 中的 N 沟道 80 V、10 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN010-80YL
2023-02-22 18:50:380 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、12 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN012-100YL
2023-02-22 18:50:480 LFPAK56 中的 N 沟道 60 V、13 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN013-60YL
2023-02-22 18:51:070 LFPAK56 中的 N 沟道 80 V、14 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN014-80YL
2023-02-22 18:51:220 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、15 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN015-100YL
2023-02-22 18:51:320 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、19 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN019-100YL
2023-02-22 18:51:500 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、21 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN021-100YL
2023-02-22 18:52:060 LFPAK56 中的 N 沟道 80 V、25 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN025-80YL
2023-02-22 18:52:160 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 25 V、0.85 mΩ、300 A 逻辑电平 MOSFET-PSMN0R9-25YLD
2023-02-22 18:52:290 LFPAK56 中的 N 沟道 60 V、4.1 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN4R1-60YL
2023-02-22 18:53:300 LFPAK56 中的 N 沟道 60 V、5.2 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN5R2-60YL
2023-02-22 18:53:440 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 25 V、5.69 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN5R4-25YLD
2023-02-22 18:54:570 LFPAK56 中的 N 沟道 60 V、5.6 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN5R6-60YL
2023-02-22 18:55:070 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 25 V、6.75 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN6R0-25YLD
2023-02-22 18:55:170 LFPAK56 中的 N 沟道 80 V、8 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN8R0-80YL
2023-02-22 18:55:510 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 30 V、0.87 mΩ、300 A 逻辑电平 MOSFET-PSMN0R9-30YLD
2023-02-22 18:56:120 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 30 V、1.0 mΩ、300 A 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R0-30YLD
2023-02-22 18:56:460 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、37.5 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN038-100YL
2023-02-22 19:05:130 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 30 V、4.0 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN4R0-30YLD
2023-02-23 18:36:320 LFPAK56 中的 N 沟道 80 V、41 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN041-80YL
2023-02-23 18:39:260 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 30 V、7.5 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN7R5-30YLD
2023-02-23 18:41:281 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 30 V、6.1 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN6R1-30YLD
2023-02-23 18:41:450 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 30 V、6.0 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN6R0-30YLD
2023-02-23 18:42:000 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 30 V、3.0 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN3R0-30YLD
2023-02-23 18:42:530 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 30 V、2.4 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN2R4-30YLD
2023-02-23 18:43:080 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 30 V、1.4 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R4-30YLD
2023-02-23 18:43:240 LFPAK56 中的 N 沟道 60 V、7.5 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN7R5-60YL
2023-02-23 18:46:190 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56 中的 N 沟道 25 V、0.72 mΩ、300 A 逻辑电平 MOSFET-PSMN0R7-25YLD
2023-02-23 18:51:320 采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100 V、9 mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN8R7-100YSF
2023-02-23 18:51:500 采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100 V、7 mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN6R9-100YSF
2023-02-23 18:52:290 LFPAK56 中的 NXP 大功率双极晶体管替代继电器-AN11641
2023-03-03 19:59:430 兰奈梅亨--(美国商业资讯)--Nexperia(安世半导体)，分立器件、逻辑器件和 MOSFET 器件的全球领导者，今日宣布其已采用 Trench 11 技术实现具有史上最低导通阻抗
2023-06-08 13:57:211443 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布扩充 NextPower 80/100 V MOSFET 产品组合的封装系列。此前该产品组合仅提供 LFPAK56E 封装
2023-06-21 10:34:321564 近日，基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）宣布推出负载开关产品系列，进一步扩充其模拟和逻辑产品组合。NPS4053是本次产品发布的主角，这是一款高密度集成电路(IC
2023-08-18 09:25:071617 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出首批 80 V 和 100 V 热插拔专用 MOSFET(ASFET)，该系列产品采用紧凑型 8x8 mm
2023-09-22 09:08:101797 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:501725 据介绍，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后安世半导体将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。
2023-12-04 16:49:111670 ，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后安世半导体将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。
2023-12-05 10:33:322728 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，该器件采用新一代高压 GaN HEMT 技术和专有铜夹片 CCPAK 表面贴装封装，为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。
2023-12-13 10:38:171650 电子发烧友网站提供《NextPower 80 V，3.1 mOhm，160 A，N沟道MOSFET LFPAK56包装产品数据表.pdf》资料免费下载
2024-01-03 16:42:000 电子发烧友网站提供《LFPAK56中的N沟道40 V，1.3 mΩ逻辑电平MOSFET BUK9Y1R3-40H数据手册.pdf》资料免费下载
2024-01-26 09:25:320 电子发烧友网站提供《N沟道80 V，3.1 mOhm，标准级MOSFET LFPAK56数据手册.pdf》资料免费下载
2024-01-29 11:15:260 Nexperia（安世半导体）近日宣布，公司现推出业界领先的 1200 V 碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7 表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ RDson 值可供选择。
2024-05-22 10:38:312066 Nexperia（安世半导体）将向您展示H桥直流电机控制电路参考设计。 H桥电路是一个全桥DC-DC转换器，支持有刷直流电动机（最大电压48 V、最小电压12 V、最大电流5 A）运行。该控制电路
2024-07-25 11:30:111745 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。这些产品均采用创新型铜夹片CCPAK1212封装，具有业内领先的功率密度
2024-12-12 11:35:134678 安世半导体是半导体行业的领先企业，提供离散元件、功率元件和逻辑集成电路，在质量和可靠性方面享有盛誉。安世半导体矢志创新，不断快速扩展产品组合，尤其是功率 MOSFET、宽带间隙半导体、IGBT 以及
2025-09-24 10:08:571930 位于中国东莞的封装测试工厂交付晶圆，理由是“当地管理层未能履行其付款义务”。 在11月2日，安世半导体中国有限公司发布公告称，指控荷兰安世半导体单方面停止向位于中国东莞的封装测试工厂（ATGD）供应晶圆，并表示强烈反对荷兰总部抹
2025-11-04 17:10:461904
电子发烧友App
工商网监
评论