为满足电动汽车市场的需求，英飞凌推出了全新的650V CoolMOS™ SJ功率 MOSFET CFD7A系列。这一产品经过专门优化，可以满足电动汽车应用 （如车载充电器、HV-LV DC-DC 转换器和辅助电源）的要求。
2020-05-31 09:15:36
1509 科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新产品。该产品具有高可靠性、易用性和经济实用等特点，能够提供卓越的性能。这些SiC器件采用了英飞凌先进的SiC沟槽工艺、紧凑的D2PAK 表面贴装7引脚封装和.XT互连技术
2022-03-31 18:10:574794 
新款 CoolSiC Hybrid产品系列结合了650 V TRENCHSTOP™ 5 IGBT技术和碳化硅肖特基二极管的主要优点，具备出色的开关速度和更低的开关损耗，特别适用于 DC-DC 功率变换器和PFC电路。
2021-08-06 15:40:471728 
英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421942 
有了全面的提升。 性能全方面提升 英飞凌在2017年正式推出了第一代沟槽栅SiC MOSFET，即CoolSiC MOSFET G1。在CoolSiC MOSFET G1中，英飞凌采用沟槽
2024-03-19 18:13:181494 
电池充电，还能作为意外停电时的备用电源，以及高效绿色能源发电设备的核心组件。该双向逆变器搭载了英飞凌的****1200 V M1H CoolSiC™ EasyPACK™ 1B模块 和采用 D²PAK
2022-08-09 15:17:41
功率密度。得益于此，英飞凌率先将40 A 650V IGBT和40 A二极管组合到D2PAK封装中。较之竞争对手的D2PAK封装产品，这个新的产品家族的额定参数高于市场上的所有其他产品，其他组合封装
2018-10-23 16:21:49
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
0前言家用逆变焊机因其体较小，操作方便，市场接受度逐步提高。因市电220V输入的特点，一般采用600V/650V规格的IGBT作为逆变主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
可靠性是什么？充实一下这方面的知识 产品、系统在规定的条件下，规定的时间内，完成规定功能的能力称为可靠性。 这里的产品可以泛指任何系统、设备和元器件。产品可靠性定义的要素是三个“规定”：“规定
2015-08-04 11:04:27
、元器件产品、失效分析中如何确定环境应力第三章 产品可靠性能检验基础知识、产品的寿命规律及常用分布、可靠性试验数据的分析与处理、常用失效分析与仪器简介、电子元器件失效率鉴定试验六、高级证培训鉴定费用
2010-08-27 08:25:03
电子可靠性资料汇编内容： 降额设计规范；电子工艺设计规范；电气设备安全通用要求设计规范 ；嵌入式
2010-10-04 22:31:56
工作纳入产品研制（生产）的正常的技术计划渠道，在进行每一项技术工作的同时，权衡性能与可靠性，才能把高可靠性“注入”到产品中去，才能最终达到性能、可靠性、进度、经费的综合最佳效果。7.3.3 可靠性
2009-05-24 16:49:57
AD7981是什么？AD7981有什么特性？AD7981有哪些应用实例？AD7981是如何在极端温度下实现突破性能和可靠性的？
2021-05-17 07:17:52
CoolMOS CFD2系列，具有快速的体二极管，低Coss，高达650V的击穿电压，使LLC拓扑开关电源具有更高的效率和可靠性。 参考文献：1. Gary Chang “Why choose
2018-12-05 09:56:02
作者：Sandeep Bahl 最近，一位客户问我关于氮化镓（GaN）可靠性的问题：“JEDEC（电子设备工程联合委员会）似乎没把应用条件纳入到开关电源的范畴。我们将在最终产品里使用的任何GaN器件
2018-09-10 14:48:19
SiC MOS器件的栅极氧化物可靠性的挑战是，在某些工业应用给定的工作条件下，保证最大故障率低于1 FIT，这与今天的IGBT故障率相当。除了性能之外，可靠性和坚固性是SiC MOSFET讨论最多
2022-07-12 16:18:49
家公司已经建立了SiC技术作为其功率器件生产的基础。此外，几家领先的功率模块和功率逆变器制造商已为其未来基于SiC的产品的路线图奠定了基础。碳化硅（SiC）MOSFET即将取代硅功率开关;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
问题。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不会发生这类问题）ROHM通过开发不会扩大堆垛层错的独特工艺，成功地确保了体二极管通电的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET产品中，实施了
2018-11-30 11:30:41
进行半导体元器件的评估时，电气/机械方面的规格和性能当然是首先要考虑的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以处理较大功率为前提的，更需要具备充分的可靠性。SiC-SBD的可靠性SiC作为
2018-11-30 11:50:49
strcpy()函数标准该如何去实现呢？TCP协议如何保证可靠性呢？
2021-12-24 06:10:04
；TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷（典型值为16nC）快速切换经过100％雪崩测试改进的dv/dt功能主要参数：应用：高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正`
2020-04-30 15:13:55
电子可靠性资料汇编内容： 降额设计规范；电子工艺设计规范；电气设备安全通用要求设计规范 ；嵌入式
2010-10-04 22:34:14
、团队素质”等一系列影响因子。因此，评估PCB是否具备“高可靠性”需要深度确认工厂的下列管控项目是否已经完全受控。1.预防机制1)工程设计：客户要求识别、信息化管理、自动化作业、专业化技能；设计标准
2020-07-03 11:09:11
。对于产品来说，可靠性是产品性能得以发挥的保证，如果产品不可靠，技术性能即使再好也得不到发挥。“产品可靠性”就等同于产品靠不靠谱！换言之，“高可靠性”指的是产品寿命更长，并且在产品生命周期内很少
2020-07-08 17:10:00
控“工程设计、生产物料、制造设备、流程工艺、品保设施、生产环境、管理体系、团队素质”等一系列影响因子。因此，评估PCB是否具备“高可靠性”需要深度确认工厂的下列管控项目是否已经完全受控。1.预防机制1)工程设计
2020-07-03 11:18:02
一定的短路能力。下表是派恩杰半导体部分产品短路能力：表1 1200V/650V MOSFET器件短路耐量派恩杰半导体针对栅极的可靠性是严格按照AEC-Q101标准进行，在栅极分别加负压和正压（-4V
2022-03-29 10:58:06
基于行业标准、国家标准的可靠性测试方法企业设计的可靠性测试方法
2021-03-08 07:55:20
组成，只适用于某一领域中的硬件系统设计。基于硬件平台设计的应用系统有基本的可靠性保证。一个良好的硬件平台应具备：标准化、系列化、规范化设计的电路系统；柔性特性的基本应用系统体系结构；丰富的软件支持
2021-01-11 09:34:49
可靠性设计是单片机应甩系统设计必不可少的设计内容。本文从现代电子系统的可靠性出发，详细论述了单片机应用系统的可靠性特点。提出了芯片选择、电源设计、PCB制作、噪声失敏控制、程序失控回复等集合硬件系统
2021-02-05 07:57:48
。 BM1Pxxx支持隔离和非隔离器件，可以更简单地设计各种类型的低功耗电气转换器。 BM1Pxxx内置高压启动电路，可承受650V电压，有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
MOSFET 寄生特性都比硅MOSFET为好。但是，这种技术确实能够提供许多优势，加上在硬开关应用中的牢固性，使其值得在更高效电源转换应用中考虑采用。650V CoolSiC系列的推出令这些优势更加明显，从而
2023-03-14 14:05:02
为了FPGA保证设计可靠性, 需要重点关注哪些方面？
2019-08-20 05:55:13
高可靠性系统设计包括使用容错设计方法和选择适合的组件，以满足预期环境条件并符合标准要求。本文专门探讨实现高可靠性电源的半导体解决方案，这类电源提供冗余、电路保护和远程系统管理。本文将突出显示，半导体技术的改进和新的安全功能怎样简化了设计，并提高了组件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20
`请问如何提高PCB设计焊接的可靠性？`
2020-04-08 16:34:11
PMU的原理是什么？如何提高数据采集系统的实时性与可靠性？
2021-05-12 06:45:42
。因此，硬件可靠性设计在保证元器件可靠性的基础上，既要考虑单一控制单元的可靠性设计，更要考虑整个控制系统的可靠性设计。
2021-01-25 07:13:16
BM2P033 PWM AC / DC变换器的典型应用电路。用于AC / DC的PWM型（BM2PXX3）为包含电源插座的所有产品提供了最佳系统。 BM2PXX3支持隔离和非隔离器件，可以更简单地设计各种类型的低功耗电气转换器。 BM2PXX3内置高压启动电路，可承受650V电压，有助于实现低功耗
2020-06-05 09:15:07
摘要：工业电器自动化设备的限位开关、微型开关的使用渐渐趋向于灵活、方便和高薪科技的方向发展，以至于被接近开关传感器所取代并广泛使用。通过可靠性试验研究，获得最优化数据参数，显示其使用的优越性
2018-11-13 16:28:52
650V耐压的buck电路够不够用
2023-08-01 14:38:42
可靠性相关理论对现场返还数据进行分解与建模分析，获得一个融合了产品设计能力、使用环境、工艺水平、制造能力、检测能力以及质量管理水平的产品失效率模型，并建立了一套符合无线通信产品研发生产过程各项可靠性
2019-06-19 08:24:45
用于AC/DC变换器应用的新型650V GaNFast半桥IC(氮化镓)
2023-06-19 07:57:31
我想问一下高速电路设计，是不是只要做好电源完整性分析和信号完整性分析，就可以保证系统的稳定了。要想达到高的可靠性，要做好哪些工作啊？在网上找了好久，也没有找到关于硬件可靠性的书籍。有经验的望给点提示。
2015-10-23 14:47:17
。 总结 与硅替代品相比，SiC MOSFET 具有一系列优势，再加上其在硬开关应用中的鲁棒性，使其值得在最有效的功率转换应用中加以考虑。650 V CoolSiC 系列的推出使 SiC™ MOSFET 技术在经济上更加可行，适合那些将功率转换推向极限的用户。
2023-02-23 17:11:32
650 V CoolSiC™混合分立器件，该器件包含一个50A TRENCHSTOP™ 快速开关 IGBT 和一个 CoolSiC 肖特基二极管，能够提升性价比并带来高可靠性。这种组合为硬开关拓扑
2021-03-29 11:00:47
刚刚接触PCBA可靠性，感觉和IC可靠性差异蛮大，也没有找到相应的测试标准。请问大佬们在做PCBA可靠性时是怎么做的，测试条件是根据什么设定？
2023-02-15 10:21:14
相比特性非常优异。BUxxJA2MNVX-C系列是实现了近年来车载用电源IC所要求的小型、低功耗、高性能、高可靠性LDO稳压器。相关文章 重点必看安装面积比同等产品少55％，支持AEC-Q100
2018-12-04 10:13:49
时间内（由600V IGBT3的6微秒增至650V IGBT4的10微秒），该器件具备出类拔萃的开关性能和短路鲁棒性。结论利用英飞凌新型650V IGBT4可开发出专用于大电流应用的逆变器设计，以部署
2018-12-07 10:16:11
摘要新一代CoolMOS™ 650V CFD2技术为具备高性能体二极管的高压功率MOSFET树立了行业新杆标。该晶体管将650V的击穿电压、超低通态电阻、低容性损耗特性与改进反向恢复过程中的体二极管
2018-12-03 13:43:55
Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，这些功率MOSFET改善效率和具有快速开关速度，应用工作电压高达650V, 电流20A。新的TK系列器件适合用于各
2010-03-30 10:37:181447 英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为、及
2010-07-05 08:48:261672 英飞凌目前正推出另一项重要的创新型高压CoolMOS MOSFET。这种全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具备650V漏源电压并集成快速体二极管的高压晶体管。
2011-02-16 09:11:171845 英飞凌科技股份有限公司扩展其车用功率半导体系列产品，推出全新 650V CoolMOS CFDA。这是业界首创整合高速本体二极体技术的超接面 MOSFET 解决方案，符合最高的汽车认证标準 AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021458 2015年3月2日，德国慕尼黑——英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）发布了能够让应用于汽车中的高速开关实现最高效率的高坚固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291443 SiC MOSFET与传统硅MOSFET在短路特性上有所差异，以英飞凌CoolSiC™ 系列为例，全系列SiC MOSFET具有大约3秒的短路耐受能力。可以利用器件本身的这一特性，在驱动设计中考虑短路保护功能，提高系统可靠性。
2018-06-15 10:09:3825116 
ROHM第三代碳化硅MOSFET特点（相比第二代）ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中，包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200V第三代沟槽MOSFET，并利用光学显微镜和扫描电镜研究复杂的碳化硅沟槽结构。
2018-08-20 17:26:299042 CoolSiC肖特基二极管650V G6系列是英飞凌不断提高技术和流程的结果，让碳化硅肖特基二极管的设计和开发更具价格优势，性能一代更比一代强。因此，G6是英飞凌最具有性价比的CooSiC肖特基二极管的一代，在同等价格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:523697 
在220V单相家用便携式焊机应用中，大部分设计是使用650V IGBT单管制作逆变电源，开关频率最高可以到50kHz，如果采用软开关技术，开关频率还能更高，也有使用650V硅基MOSFET为功率器件
2020-03-31 15:32:383409 英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET，标志着公司进一步增强了在低压SiC领域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 什么样的MOSFET才适合储能系统？英飞凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET产品系列，帮助储能系统轻松实现更高效、更高功率密度以及双向充/放电的设计。
2020-08-21 14:01:251014 
使用此SMD封装从而提高应用性能的多种方法：被动冷却解决方案、增大功率密度、延长使用寿命等等。请联系您当地的英飞凌代表，详细了解无风扇伺服驱动的实现、机器人和自动化行业的逆变器-电机一体化，以及低功率紧凑型充电器解决方案。 CoolSiC沟槽MOSFET技术经过优化，将性能与
2020-11-03 14:09:492695 效率。 了解使用此 SMD 封装从而提高应用性能的多种方法：被动冷却解决方案、增大功率密度、延长使用寿命等等。 CoolSiC™沟槽 MOSFET 技术经过优化，将性能与可靠性相结合，并具有 3µs 的短路时间。由于采用 .XT 连接技术，其小巧封装外形的散热性能得到显著改善。相比标准封装的连接技术，
2021-03-01 12:16:022084 东芝电子元件及存储装置株式会社（东芝）宣布，在其TOLL（TO-无引线）封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117 
前言背景： 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管
2021-03-26 16:40:202349 
英飞凌科技股份公司将EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET模块升级为新型氮化铝（AIN） 陶瓷。
2021-08-06 15:25:301192 TP650H070L系列650V，72mΩ 氮化镓（GaN）FET是常关器件。它们结合了最先进的技术高压GaN HEMT和低压硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技术。
2022-03-31 15:03:35
10 650V 60mΩ SiC MOSFET主要应用市场包括光伏和储能、驱动、电动汽车及充电桩、UPS、电源等。据HIS报告，电动汽车充电市场的增长将非常强劲，高达59%。
2022-08-02 15:06:55614 
英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538 
Wolfspeed 新款车规级 E-系列（E3M）650V、60 mΩ MOSFET 系列帮助设计人员满足 EV 车载充电机应用。采用 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技术
2022-11-07 09:59:21917 650V 快速恢复 SuperFET® II MOSFET 在谐振拓扑中实现高系统效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360 继先后推出成熟化的全系列碳化硅二极管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模块产品后，2023年7月 森国科正式对外推出650V超结MOSFET系列新品 ，相较于传统的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 
电子发烧友网站提供《SLP12N65C美浦森高压MOSFET 650V 12A.pdf》资料免费下载
2022-04-29 14:06:570 电子发烧友网站提供《SLP10N65C美浦森高压MOSFET 650V 12A.pdf》资料免费下载
2022-04-29 14:12:250 电子发烧友网站提供《SLP8N65C美浦森高压MOSFET 650V 7.5A.pdf》资料免费下载
2022-04-29 14:30:151 电子发烧友网站提供《SLP5N65C美浦森高压MOSFET 650V 4.5A.pdf》资料免费下载
2022-04-29 14:33:490 碳化硅MOSFET在材料与器件特性上不同于传统硅，如何保证性能和可靠性的平衡是所有厂家需要面对的首要问题，英飞凌作为业界为数不多的采用沟槽栅做SiCMOSFET的企业，如何使用创新的非对称沟槽
2023-11-28 08:13:57372 
IGBT 作为一种功率半导体器件，广泛应用于工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。IGBT 具有节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点，是能量转换和传输的核心装置。瑞能的650V IGBT产品在电性能和可靠性等方面具备诸多优势，在行业内也处于领先地位。
2023-12-26 13:31:35276 
近日，瞻芯电子采用TO263-7封装的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ产品IV2Q06040D7Z通过了严苛的车规级可靠性认证，该产品采用TO263-7贴片封装，具有体积较小，安装简便，损耗更低的特点。
2024-01-16 10:16:24770 
英飞凌科技股份公司近日发布了全新的650V软特性发射极控制高速二极管EC7。这款二极管采用TO247-2封装，具有2个引脚，不仅增加了安规距离，提高了可靠性，而且适用于多种应用场景。
2024-02-01 10:50:02365 英飞凌科技股份公司近日发布了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列。这款产品采用了先进的TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ，旨在满足高压应用的需求。
2024-02-01 10:51:00381 Ω规格的IV2Q06060D7Z，均成功通过了严苛的车规级可靠性认证。这一认证标志着瞻芯电子的SiC MOSFET产品已经满足了汽车行业对高可靠性、高性能的严格要求，为新能源汽车市场的高效发展注入了新的活力。
2024-03-07 09:43:18222 另外，CoolSiC MOSFET产品组合还成功实现了SiC MOSFET市场中的最低导通电阻值（Rdson），这大大提高了能效、功率密度，以及在电力系统中的可靠性，降低了零件使用数量。
2024-03-10 12:32:41502 3月8日，瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38287 
近日，瞻芯电子宣布其研发的三款第二代650V SiC MOSFET产品成功通过了严格的AEC-Q101车规级可靠性认证，这一里程碑式的成就标志着瞻芯电子在功率电子领域的持续创新与技术突破。
2024-03-12 11:04:24260 瞻芯电子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET产品，这些产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified），还具备业界领先的低损耗水平。这些新型MOSFET的推出，标志着瞻芯电子在半导体技术领域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 英飞凌最近发布了全新的750VG1分立式CoolSiC™MOSFET，满足工业和汽车领域对更高能效和功率密度的不断增长需求。这款产品系列包含了专为图腾柱PFC、T型、LLC/CLLC、双有源
2024-03-15 16:31:45209 
英飞凌科技股份公司，作为全球领先的半导体公司，近日推出了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列，这一创新产品采用TO-247PLUS-4-HCC封装，为设计人员提供了满足更高功率密度需求的解决方案。
2024-03-20 10:27:29126 英飞凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，无疑为功率系统和能量转换领域带来了革命性的进步。与上一代产品相比，全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36132 CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联技术，CoolSiC技术的输出电流能力强，可靠性提高。
2024-03-22 14:08:3565
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