Nexperia与Ricardo合作开发基于GaN的EV逆变器设计

　　领先的汽车咨询公司在技术演示器中采用Nexperia已获AEC-Q101认证的GaN FET器件

　　奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模拟和逻辑器件领域的生产专家Nexperia宣布与知名汽车工程咨询公司Ricardo合作，以研制基于氮化镓（GaN）技术的EV逆变器技术演示器。

　　GaN是这些应用的首选功率器件，因为GaN FETs使系统以更低的成本达到更高的效率、更好的热性能和更简单的开关拓扑。在汽车领域，这意味着车辆行驶里程更长，而这正是所有电动汽车消费者最关心的问题。现在，GaN即将取代基于硅的IGBT和SiC，成为插电式混合动力汽车或纯电动汽车中使用的牵引逆变器的首选技术。

　　Nexperia去年推出了一系列已获AEC-Q101认证的GaN FET器件，在这一高效技术领域为汽车设计师们提供成熟可靠的器件及不断扩充的产品组合，从而提供动力系统电气化所需的功率密度。Ricardo在汽车行业深受好评，这家全球性工程创新公司为汽车行业的概念提供设计和咨询服务，包括技术原型和演示器的生产，并与McLaren和Bugatti等著名领先品牌合作。对于该项目，Ricardo是Nexperia理想的合作伙伴。

　　Nexperia GaN FET器件的总经理Michael LeGoff表示：“通过将GaN FET器件用于逆变器设计并由Ricardo对逆变器进行试验，我们能够更好地了解如何安全可靠地驾驶车辆。我们正在开发一个实际解决方案，相信许多汽车设计师有兴趣了解该解决方案，并发现该解决方案的优势。”

　　Ricardo技术与产品总监Adrian Greaney称：“半导体技术是逆变器系统效率的关键，在电动汽车性能和效率方面发挥着重要作用。氮化镓可以显著提高开关速度和效率，堪称一项推动性的技术。除了增加行使里程，它还有助于缩小逆变器的封装尺寸并减轻重量，从而提供更大的动力系统设计灵活性，并有助于减轻车辆重量。从系统层面看，该设计还有许多优势，Ricardo非常高兴能够与Nexperia就GaN FET器件展开合作。”