(SiC) MOSFET。该晶体管满足了对适合高功率密度设计的高性能开关器件迅速增长的需求。直到最近，SiC器件一直采用明显需要更大空间的D2PAK 7引脚封装。 TOLL 封装的尺寸仅为 9.90
2022-05-11 11:45:30
4086 
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 近日推出具有超低导通电阻 （RDS（on）） 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，适合各种工业应用，包括电
2012-12-04 22:17:341675 科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新产品。该产品具有高可靠性、易用性和经济实用等特点，能够提供卓越的性能。这些SiC器件采用了英飞凌先进的SiC沟槽工艺、紧凑的D2PAK 表面贴装7引脚封装和.XT互连技术
2022-03-31 18:10:575864 
40 A 650V IGBT，它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3（亦称D2PAK）封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率密度
2018-10-23 16:21:49
通电阻降低0.4 mΩ，同时大幅改进了电流处理功能。采用7引脚D2PAK封装的典型代表是IRFS3004-7PPBF。该MOSFET的额定电压为40 V，导通电阻为1.4 mΩ，漏电流(ID)为240
2019-05-13 14:11:31
封装在开关速度、效率和驱动能力等方面的有效性。最后，第四节分析了实验波形和效率测量，以验证最新推出的TO247 4引脚封装的性能。 II.分析升压转换器中采用传统的TO247封装的MOSFET A.开关
2018-10-08 15:19:33
如题 LT3086并联使用是主从关系，7-Lead Plastic DD Pak封装没有TRACK引脚 如何并联使用是用镇流电阻吗说明文档里没有写出，如使用镇流电阻用多大阻值的 或者计算公式？请知道的大哥帮我一下。
2024-05-22 06:03:37
导通（D极）加上正电压后，Pin3的电压会和Pin7相等，为什么？
2，在MOSFET没有导通前，Pin5/Pin6有电压20mV和1.2mV，Pin7的电压为1.7mV。为什么？
2024-09-03 06:16:48
，可改善散热性能。图5如图5所示，选用带7个管脚的D²Pak封装，代替标准的D²Pak封装，可避免出现热集中点，从整体上降低器件的温度。SuperSO8封装具备更多的优越性。 图6图6对采用带7个管脚
2018-12-07 10:21:41
。 常见的直插式封装如双列直插式封装(DIP)，晶体管外形封装(TO)，插针网格阵列封装(PGA)等。 典型的表面贴装式如晶体管外形封装(D-PAK)，小外形晶体管封装(SOT)，小外形封装(SOP
2018-11-14 14:51:03
如何采用D型和E型金刚石型MOSFET开发逻辑电路？
2021-06-15 07:20:40
电路如图，VBATT为电池输入端，VBAT为USB供电端，现在想实现USB供电时电池端断开，无USB供电时电池供电，现在有个疑问，当USB供电时PMOS的D电压比S电压高，会对电池产生什么危害吗
2019-06-06 10:31:13
如何设计在电池供电与外部供电方式之间的切换电路呢？，要求当电源适配器插入电路板时采用外部供电，拔出电源适配器时采用电池供电
2019-07-31 19:59:49
封装的典型代表是IRFS3004-7PPBF。该MOSFET的额定电压为40 V，导通电阻为1.4 mΩ，漏电流(ID)为240 A。同样的芯片采用传统的D2PAK封装，其通态电阻为1.8 mΩ，额定
2011-08-18 14:08:45
问题:我的应用没有电池。是否可以采用无线供电？
2019-03-30 09:35:08
我的应用没有电池。是否可以采用无线供电？
2019-07-30 06:00:33
被压缩,即使是在需要许多种供电电压和实际输出功率不断增加的情况。先进的封装形式,例如DaulCool NexFET功率MOSFET就有助于工程师在标准封装中满足这些需求。采用了NexFET技术的功率
2012-12-06 14:32:55
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的单端反激式转换器设计演示板。该设计采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面贴装封装，占板面
2019-04-29 09:25:59
在L7812c2t d^2pak封装上，经常能看到三行标识，分别是l7812c2tgkodj v6chn 327请问第二行第三行那些是什么意思？
2019-06-25 04:36:10
品牌英飞凌封装D2PAK7P批次21+数量20000制造商Infineon产品种类MOSFETRoHS是安装风格SMD/SMT封装 / 箱体TO-263-7通道数量1 Channel晶体管极性
2022-04-18 16:06:00
UnitedSiC / Qorvo D2-PAK封装中的UF3C SiC FET采用D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC / Qorvo UF3C SiC FET
2024-02-26 19:57:09
东芝光耦:7pin DIP8(LF2) 封装(包装)Specification of 7pin DIP8(LF2) package
2012-03-19 11:01:56867 
东芝光耦7pin DIP8(LF5)封装(包装)Specification of 7pin DIP8(LF5) package
2012-03-19 11:03:45896 
TOSHIBA光耦7pin DIP8(LF4)封装Specification of 7pin DIP8(LF4) package
2012-03-19 11:06:451006 
东芝光耦7pin DIP8(LF1)封装Specification of 7pin DIP8(LF1) package
2012-03-19 11:13:091161 
满足供电需求的新型封装技术和MOSFET
2012-08-29 14:52:061021 
采用 MOSFET 参考设计的自供电交流固态继电器是单个继电器的替代方法，可实现高效的电源管理，适用于在恒温器应用中以低功耗方式替代标准机电式继电器。此 SSR 参考设计通过 24V 交流电力线实现自供电，可省去恒温器电池的其他功耗。MOSFET 可快速切换，从而在不影响负载的情况下实现自供电。
2014-08-27 16:41:47
0 Littelfuse， Inc.，作为全球电路保护领域的领先企业，今日宣布推出了高温SCR（硅控整流器）晶闸管——同类首款结温高达150°C，采用紧凑型表面安装式D-PAK （TO-252）封装
2017-10-26 10:04:539793 本文档的主要内容详细介绍的是芯片的TO263和D2PAK封装尺寸原理图免费下载。
2019-09-30 08:00:00189 英飞凌推出采用全新D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC MOSFET，导通电阻从30mΩ到350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:493799 晶体管满足了对适合高功率密度设计的高性能开关器件迅速增长的需求。直到最近，SiC器件一直采用明显需要更大空间的D2PAK 7引脚封装。
2022-05-11 11:29:333576 (SiC) MOSFET。该晶体管满足了对适合高功率密度设计的高性能开关器件迅速增长的需求。直到最近，SiC器件一直采用明显需要更大空间的D2PAK 7引脚封装。 TOLL 封装的尺寸仅为 9.90
2022-05-12 23:48:441030 2022 年 9 月 23 日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7
2022-09-23 16:44:351200 
【导读】近年来，工业应用对MOSFET 的需求越来越高。从机械解决方案和更苛刻的应用条件都要求半导体制造商开发出新的封装方案和实施技术改进。从最初的通孔封装(插件)到 DPAK 或 D2PAK 等
2022-12-08 17:05:384134 
功率MOSFET封装向来尺寸较大，因为这提供了更好的散热和性能，提高了器件整体安全性和可靠性。 TO-220、TO-247、I²PAK、DPAK和D²PAK等传统封装已经使用多年，鉴于其成本和众所周知的特性，一些供应商仍在采用这些封装。
2023-02-10 09:40:381546 
D2PAK 中的 N 沟道 100 V、10 mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN8R9-100BSE
2023-02-17 19:15:540 D2PAK 中的 N 沟道 100 V、3.95 mΩ、标准电平 MOSFET-PSMN3R7-100BSE
2023-02-21 18:48:040 D2PAK 中的 N 沟道 100 V、4.8 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN4R8-100BSE
2023-02-22 18:50:030 I2PAK 中的 N 沟道 100 V、6.8 mΩ 标准电平 MOSFET。-PSMN7R0-100ES
2023-02-22 18:50:150 D2PAK 中的 N 沟道 100 V 7.6 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN7R6-100BSE
2023-02-22 18:50:250 I2PAK 中的 N 沟道 120 V、7.8 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN7R8-120ES
2023-02-22 19:06:390 D2PAK 中的 N 沟道 30 V、3.4 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN3R4-30BLE
2023-02-23 18:37:050 D2PAK 中的 N 沟道 30 V、1.5 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R5-30BLE
2023-02-23 18:39:490 D2PAK 中的 N 沟道 30 V 1.0 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMNR90-30BL
2023-02-23 18:41:091 D2PAK 中的 N 沟道 100 V 13.9 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN013-100BS
2023-02-23 18:44:381 采用 I2PAK 封装的 NextPower 100 V、8.8 mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN8R5-100ESF
2023-02-23 18:44:520 采用 I2PAK 封装的 NextPower 100 V、18 mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN018-100ESF
2023-02-23 18:45:040 D2PAK 中的 N 沟道 40 V 7.6 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN8R0-40BS
2023-03-03 18:49:590 D2PAK 中的 N 沟道 40 V 2.9 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN2R8-40BS
2023-03-03 18:50:290 D2PAK 中的 N 沟道 30 V 2.1 mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN2R0-30BL
2023-03-03 18:50:470 D2PAK 中的 N 沟道 100 V 9.6 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN9R5-100BS
2023-03-03 18:52:320 D2PAK 中的 N 沟道 80 V 8.7 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN8R7-80BS
2023-03-03 18:53:010 D2PAK 中的 N 沟道 60 V 7.8 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN7R6-60BS
2023-03-03 18:53:110 D2PAK 中的 N 沟道 100V 6.8 mOhm 标准电平 MOSFET。-PSMN7R0-100BS
2023-03-03 18:53:300 D2PAK 中的 N 沟道 80 V 46 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN6R5-80BS
2023-03-03 18:53:440 D2PAK 中的 N 沟道 100 V 5.6 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN5R6-100BS
2023-03-03 18:53:570 D2PAK 中的 N 沟道 80 V、5.1 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN5R0-80BS
2023-03-03 18:54:090 D2PAK 中的 N 沟道 60 V、4.4 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN4R6-60BS
2023-03-03 18:54:350 D2PAK 中的 N 沟道 40 V 4.5 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN4R5-40BS
2023-03-03 18:54:460 D2PAK 中的 N 沟道 80 V、4.5 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN4R4-80BS
2023-03-03 18:55:000 D2PAK 中的 N 沟道 30 V 4.1 mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN4R3-30BL
2023-03-03 18:55:320 D2PAK 中的 N 沟道 100 V 3.9 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN3R8-100BS
2023-03-03 18:55:570 D2PAK 中的 N 沟道 30 V 3.3 mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN3R4-30BL
2023-03-03 18:56:180 D2PAK 中的 N 沟道 80 V、3.5 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN3R3-80BS
2023-03-03 18:56:360 D2PAK 中的 N 沟道 60 V 3.2 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN3R0-60BS
2023-03-03 18:56:490 D2PAK 中的 N 沟道 30 V 3.0 mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN2R7-30BL
2023-03-03 18:57:420 D2PAK 中的 N 沟道 40 V 2.2 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN2R2-40BS
2023-03-03 18:57:590 D2PAK 中的 N 沟道 30 V、1.8 mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R8-30BL
2023-03-03 18:58:100 D2PAK 中的 N 沟道 60 V 2 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN1R7-60BS
2023-03-03 18:58:270 D2PAK 中的 N 沟道 30 V 1.9 mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R6-30BL
2023-03-03 18:58:420 D2PAK 中的 N 沟道 40 V 1.3 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN1R1-40BS
2023-03-03 18:59:000 D2PAK 中的 N 沟道 80 V 46 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN050-80BS
2023-03-03 18:59:500 D2PAK 中的 N 沟道 100 V 34.5 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN034-100BS
2023-03-03 19:00:100 D2PAK 中的 N 沟道 100V 26.8 mOhm 标准电平 MOSFET。-PSMN027-100BS
2023-03-03 19:00:210 D2PAK 中的 N 沟道 30 V 22.6 mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN022-30BL
2023-03-03 19:00:400 D2PAK 中的 N 沟道 80 V 17 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN017-80BS
2023-03-03 19:00:570 D2PAK 中的 N 沟道 30 V 17 mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN017-30BL
2023-03-03 19:01:390 D2PAK 中的 N 沟道 100V 16 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN016-100BS
2023-03-03 19:01:500 D2PAK 中的 N 沟道 60 V 14.8 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN015-60BS
2023-03-03 19:02:090 D2PAK 中的 N 沟道 80 V 11 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN012-80BS
2023-03-03 19:02:251 TO-220和TO-220 FullPack 封装的StrongIRFET 2是新一代功率MOSFET技术，它解决了广泛的应用，如适配器，电视、电机驱动、电动滑板车、电池管理、轻型电动汽车、机器人、电源和园艺工具。
2023-07-19 10:44:251528 
Qorvo，全球领先的综合连接和电源解决方案供应商，近日发布了其全新车规级碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品。这款产品拥有紧凑的 D2PAK-7L 封装，实现了业界领先的9mΩ导通电阻RDS
2024-02-01 10:18:061404 市场对于30V解决方案需求的持续增长。这款经过精心设计的功率MOSFET，凭借高可靠性和易用性，专为满足广泛的大众市场应用需求而生，提供了极大的设计灵活性。其适用场景涵盖了工业开关模式电源（SMPS）、电机驱动器、电池供电设备、电池管理系统以及不间断电源（UPS）等多个领域。
2024-09-30 16:15:581766 新品采用OptiMOS6功率MOSFET的模块化半桥功率板该套件功率板模块采用OptiMOS6功率MOSFET135V，D²PAK7引脚封装，是LVD可扩展功率演示板平台的功率部分。它是一个带功率
2024-10-24 08:03:521298 
新品D²PAK和DPAK封装的TRENCHSTOP的IGBT7系列D²PAK和DPAK封装的TRENCHSTOP的IGBT7系列，是采用额定电压为1200V的IGBT7S7芯片，器件采用D²PAK
2024-11-14 01:03:501615 为了满足高密度的功率变换的需求，瞻芯电子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）顶部散热型、表面贴封装1200V碳化硅（SiC）MOSFET产品，具有低损耗、散热性强等特点，让系统设计更紧凑、更高效，组装时能自动化生产。
2024-11-27 14:58:201444 
新品第二代CoolSiC34mΩ1200VSiCMOSFETD²PAK-7L封装采用D²PAK-7L(TO-263-7)封装的第二代CoolSiCG21200VMOSFET系列以第一代技术的优势为
2024-11-29 01:03:07830 电子发烧友网站提供《D2PAK-7L,SMD卷盘包装.pdf》资料免费下载
2025-02-12 16:11:310 近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，专为满足工业应用中的高效能和耐用性需求而设计。这些新产品不仅具备卓越的温度稳定性，还采用了先进的表面贴装(SMD
2025-03-20 11:18:11964 
汽车应用场景，例如电动汽车(EV)的车载充电器(OBC)、牵引逆变器，以及DC-DC转换器、暖通空调系统(HVAC)等。这些器件采用愈发流行的D2PAK-7表面贴装封装，相
2025-05-09 19:42:5351616 纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日推出一种全新的可靠性标准，以满足最严苛汽车及工业应用的系统寿命要求。纳微最新一代650V与1200V“沟槽辅助平面栅”碳化硅MOSFET，搭配优化的HV-T2Pak顶部散热封装，实现行业最高6.45mm爬电距离，可满足1200V以下应用的IEC合规性。
2025-05-14 15:39:301342 新品采用D2PAK-7封装的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7引脚封装（TO-263-7），该系列导通电阻（RDS
2025-07-01 17:03:111321 AB3M040065C SiC MOSFET采用T2PAK-7兼容 HU3PAK封装 的优势和应用领域的深度分析： 一、T2PAK-7兼容HU3PAK封装的核心优势 顶面散热设计 热管理优化
2025-08-10 15:11:061220 
(onsemi) NVMFWS1D7N04XM MOSFET具有低电容和低R ~DS(on)~ ，可最大限度地降低驱动器和导通损耗。NVMFWS1D7N04XM采用5mmx6mm的小尺寸封装，非常适用于电机驱动、电池保护和同步整流。
2025-11-24 09:41:22320 
安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)宣布推出采用行业标准T2PAK顶部冷却封装的EliteSiC MOSFET，为汽车和工业应用的电源封装技术带来突破。这款新品为电动汽车、太阳能基础设施及储能系统等市场的高功率、高电压应用提供增强的散热性能、可靠性和设计灵活性。
2025-12-11 17:48:49736
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