全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 近日推出具有超低导通电阻 （RDS（on）） 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，适合各种工业应用，包括电
2012-12-04 22:17:34
1235 采用了CoolMOS™ C7和TRENCHSTOP™ 5 IGBT技术的半导体器件，以及采用D²PAK 7引脚表面贴装封装的1200V CoolSiC™ MOSFET（IMBG120R350M1H
2022-08-09 15:17:41
40 A 650V IGBT，它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3（亦称D2PAK）封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率密度
2018-10-23 16:21:49
通电阻降低0.4 mΩ，同时大幅改进了电流处理功能。采用7引脚D2PAK封装的典型代表是IRFS3004-7PPBF。该MOSFET的额定电压为40 V，导通电阻为1.4 mΩ，漏电流(ID)为240
2019-05-13 14:11:31
封装在开关速度、效率和驱动能力等方面的有效性。最后，第四节分析了实验波形和效率测量，以验证最新推出的TO247 4引脚封装的性能。 II.分析升压转换器中采用传统的TO247封装的MOSFET A.开关
2018-10-08 15:19:33
电池管理芯片上面的MARK标注SSZB,封装为5-Pin SOT23，又没人有知道啊？是不是LM2735啊？发个照片上来哇，求指导
2013-09-05 12:34:04
描述采用 MOSFET 的隔离式自供电交流固态继电器参考设计是一种继电器替代方法，可实现高效的电源管理，适用于以低功耗方式替代标准机电式继电器。电隔离以电容方式实现，可以在恒温器和其他类似的设备中
2018-07-13 06:11:25
电动工具、园艺工具和吸尘器等电器采用低电压（2至10节）锂离子电池供电的电机驱动器。这些工具使用有刷直流(BDC)或三相无刷直流（BLDC）电机。BLDC电机的效率更高、维护少、噪音小，且使用寿命
2019-03-05 06:45:07
DN05029 / D，Design Note描述了一种简单，低成本，高性能的离线正激转换器电源，采用NCP1251B反激式控制器（TSOP6封装），NDD04N60 D-Pak Mosfet
2019-11-05 08:50:35
EVAL-AD5443-DBRDZ，评估板，采用AD5443,12位高带宽乘法DAC，串行接口。该器件采用3 V至5.5 V电源供电，非常适合电池供电的应用和许多其他应用。这些DAC采用双缓冲3线
2019-10-29 07:40:15
MOSFET 采用 100%铜夹片LFPAK 封装。该封装坚固耐用，提供较高的板级可靠性和出色的热性能。LFPAK 封装适用于汽车以及工业和消费类应用。△ 具有较大 SOA 的 Nexperia MOSFET适用于 36V 锂电池系统应用
2022-10-28 16:18:03
，可改善散热性能。图5如图5所示，选用带7个管脚的D²Pak封装，代替标准的D²Pak封装，可避免出现热集中点，从整体上降低器件的温度。SuperSO8封装具备更多的优越性。 图6图6对采用带7个管脚
2018-12-07 10:21:41
，TO263-7L（D2PAK）和TO268-2L（D3PAK）封装。TO247-3L是最常见的封装，广泛用于特定和通用应用。TO-247-4L是一个四引脚封装，使用开尔文连接作为栅极驱动源端子。因此
2019-07-30 15:15:17
。 常见的直插式封装如双列直插式封装(DIP)，晶体管外形封装(TO)，插针网格阵列封装(PGA)等。 典型的表面贴装式如晶体管外形封装(D-PAK)，小外形晶体管封装(SOT)，小外形封装(SOP
2018-11-14 14:51:03
如何采用D型和E型金刚石型MOSFET开发逻辑电路？
2021-06-15 07:20:40
各位大哥大姐,我想用开发板做个东西,但不想用u***供电，而是用干电池供电，那应该怎么办，那个D+，D-可以不用吗？还有，vcc和gnd怎么引出来？
2019-11-06 03:07:09
电路如图，VBATT为电池输入端，VBAT为USB供电端，现在想实现USB供电时电池端断开，无USB供电时电池供电，现在有个疑问，当USB供电时PMOS的D电压比S电压高，会对电池产生什么危害吗
2019-06-06 10:31:13
如何设计在电池供电与外部供电方式之间的切换电路呢？，要求当电源适配器插入电路板时采用外部供电，拔出电源适配器时采用电池供电
2019-07-31 19:59:49
数字供电和常见的模拟供电不同，前者采用了数字PWM，体积更小的整合了数字MOSFET和DRIVER的芯片，以及体积更小的数字排感，搭配多个MLCC；而模拟供电不同，采用传统的PWM芯片，每相搭配
2019-07-29 06:30:54
封装的典型代表是IRFS3004-7PPBF。该MOSFET的额定电压为40 V，导通电阻为1.4 mΩ，漏电流(ID)为240 A。同样的芯片采用传统的D2PAK封装，其通态电阻为1.8 mΩ，额定
2011-08-18 14:08:45
问题:我的应用没有电池。是否可以采用无线供电？
2019-03-30 09:35:08
我的应用没有电池。是否可以采用无线供电？
2019-07-30 06:00:33
被压缩,即使是在需要许多种供电电压和实际输出功率不断增加的情况。先进的封装形式,例如DaulCool NexFET功率MOSFET就有助于工程师在标准封装中满足这些需求。采用了NexFET技术的功率
2012-12-06 14:32:55
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的单端反激式转换器设计演示板。该设计采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面贴装封装，占板面
2019-04-29 09:25:59
在L7812c2t d^2pak封装上，经常能看到三行标识，分别是l7812c2tgkodj v6chn 327请问第二行第三行那些是什么意思？
2019-06-25 04:36:10
品牌英飞凌封装D2PAK7P批次21+数量20000制造商Infineon产品种类MOSFETRoHS是安装风格SMD/SMT封装 / 箱体TO-263-7通道数量1 Channel晶体管极性
2022-04-18 16:06:00
UnitedSiC / Qorvo D2-PAK封装中的UF3C SiC FET采用D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC / Qorvo UF3C SiC FET
2024-02-26 19:57:09
主板MOSFET的封装技术图解大全
主板的供电一直是厂商和用户关注的焦点，视线从供电相数开始向MOSFET器件转移。这是
2010-03-04 11:47:447716 满足供电需求的新型封装技术和MOSFET
2012-08-29 14:52:06771 
采用 MOSFET 参考设计的自供电交流固态继电器是单个继电器的替代方法，可实现高效的电源管理，适用于在恒温器应用中以低功耗方式替代标准机电式继电器。此 SSR 参考设计通过 24V 交流电力线实现自供电，可省去恒温器电池的其他功耗。MOSFET 可快速切换，从而在不影响负载的情况下实现自供电。
2014-08-27 16:41:47
0 英飞凌推出采用全新D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC MOSFET，导通电阻从30mΩ到350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492695 。该晶体管满足了对适合高功率密度设计的高性能开关器件迅速增长的需求。直到最近，SiC器件一直采用明显需要更大空间的D2PAK 7引脚封装。
2022-05-11 11:29:332312 2022 年 9 月 23 日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK
2022-09-23 16:44:35576 
D2PAK 中的 N 沟道 100 V、10 mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN8R9-100BSE
2023-02-17 19:15:540 D2PAK 中的 N 沟道 100 V、3.95 mΩ、标准电平 MOSFET-PSMN3R7-100BSE
2023-02-21 18:48:040 D2PAK 中的 N 沟道 100 V、4.8 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN4R8-100BSE
2023-02-22 18:50:030 I2PAK 中的 N 沟道 100 V、6.8 mΩ 标准电平 MOSFET。-PSMN7R0-100ES
2023-02-22 18:50:150 D2PAK 中的 N 沟道 100 V 7.6 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN7R6-100BSE
2023-02-22 18:50:250 I2PAK 中的 N 沟道 100 V、5 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN5R0-100ES
2023-02-22 18:59:070 I2PAK 中的 N 沟道 80 V、4.3 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN4R3-80ES
2023-02-22 18:59:380 I2PAK 中的 N 沟道 100 V、4.3 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN4R3-100ES
2023-02-22 19:00:060 I2PAK 中的 N 沟道 80 V、3.5 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN3R5-80ES
2023-02-22 19:00:360 I2PAK 中的 N 沟道 80 V、3.3 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN3R3-80ES
2023-02-22 19:01:040 I2PAK 中的 N 沟道 60 V、2.2 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN2R0-60ES
2023-02-22 19:02:120 I2PAK 中的 N 沟道 40 V、1.6 mΩ 标准电平 MOSFET。-PSMN1R5-40ES
2023-02-22 19:02:450 I2PAK 中的 N 沟道 100 V、13.9 mΩ 标准电平 MOSFET。-PSMN013-100ES
2023-02-22 19:05:000 I2PAK 中的 N 沟道 100 V、8.5 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN8R5-100ES
2023-02-22 19:06:000 I2PAK 中的 N 沟道 120 V、7.8 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN7R8-120ES
2023-02-22 19:06:390 I2PAK 中的 N 沟道 120 V、6.7 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN6R3-120ES
2023-02-22 19:07:290 D2PAK 中的 N 沟道 30 V、3.4 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN3R4-30BLE
2023-02-23 18:37:050 I2PAK 中的 N 沟道 40 V、2.1 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN2R2-40PS
2023-02-23 18:38:430 D2PAK 中的 N 沟道 30 V、1.5 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R5-30BLE
2023-02-23 18:39:490 D2PAK 中的 N 沟道 30 V 1.0 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMNR90-30BL
2023-02-23 18:41:090 I2PAK 中的 N 沟道 60 V、3.0 mΩ 标准电平 MOSFET。-PSMN3R0-60ES
2023-02-23 18:42:350 I2PAK 中的 N 沟道 30 V、1.3 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R1-30EL
2023-02-23 18:43:580 D2PAK 中的 N 沟道 100 V 13.9 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN013-100BS
2023-02-23 18:44:381 采用 I2PAK 封装的 NextPower 100 V、8.8 mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN8R5-100ESF
2023-02-23 18:44:520 采用 I2PAK 封装的 NextPower 100 V、18 mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN018-100ESF
2023-02-23 18:45:040 D2PAK 中的 N 沟道 40 V 7.6 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN8R0-40BS
2023-03-03 18:49:590 D2PAK 中的 N 沟道 40 V 2.9 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN2R8-40BS
2023-03-03 18:50:290 D2PAK 中的 N 沟道 30 V 2.1 mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN2R0-30BL
2023-03-03 18:50:470 D2PAK 中的 N 沟道 100 V 9.6 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN9R5-100BS
2023-03-03 18:52:320 D2PAK 中的 N 沟道 80 V 8.7 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN8R7-80BS
2023-03-03 18:53:010 D2PAK 中的 N 沟道 60 V 7.8 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN7R6-60BS
2023-03-03 18:53:110 D2PAK 中的 N 沟道 100V 6.8 mOhm 标准电平 MOSFET。-PSMN7R0-100BS
2023-03-03 18:53:300 D2PAK 中的 N 沟道 80 V 46 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN6R5-80BS
2023-03-03 18:53:440 D2PAK 中的 N 沟道 100 V 5.6 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN5R6-100BS
2023-03-03 18:53:570 D2PAK 中的 N 沟道 80 V、5.1 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN5R0-80BS
2023-03-03 18:54:090 D2PAK 中的 N 沟道 60 V、4.4 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN4R6-60BS
2023-03-03 18:54:350 D2PAK 中的 N 沟道 40 V 4.5 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN4R5-40BS
2023-03-03 18:54:460 D2PAK 中的 N 沟道 80 V、4.5 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN4R4-80BS
2023-03-03 18:55:000 D2PAK 中的 N 沟道 30 V 4.1 mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN4R3-30BL
2023-03-03 18:55:320 D2PAK 中的 N 沟道 100 V 3.9 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN3R8-100BS
2023-03-03 18:55:570 D2PAK 中的 N 沟道 30 V 3.3 mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN3R4-30BL
2023-03-03 18:56:180 D2PAK 中的 N 沟道 80 V、3.5 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN3R3-80BS
2023-03-03 18:56:360 D2PAK 中的 N 沟道 60 V 3.2 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN3R0-60BS
2023-03-03 18:56:490 D2PAK 中的 N 沟道 30 V 3.0 mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN2R7-30BL
2023-03-03 18:57:420 D2PAK 中的 N 沟道 40 V 2.2 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN2R2-40BS
2023-03-03 18:57:590 D2PAK 中的 N 沟道 30 V、1.8 mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R8-30BL
2023-03-03 18:58:100 D2PAK 中的 N 沟道 60 V 2 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN1R7-60BS
2023-03-03 18:58:270 D2PAK 中的 N 沟道 30 V 1.9 mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R6-30BL
2023-03-03 18:58:420 D2PAK 中的 N 沟道 40 V 1.3 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN1R1-40BS
2023-03-03 18:59:000 D2PAK 中的 N 沟道 80 V 46 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN050-80BS
2023-03-03 18:59:500 D2PAK 中的 N 沟道 100 V 34.5 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN034-100BS
2023-03-03 19:00:100 D2PAK 中的 N 沟道 100V 26.8 mOhm 标准电平 MOSFET。-PSMN027-100BS
2023-03-03 19:00:210 D2PAK 中的 N 沟道 30 V 22.6 mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN022-30BL
2023-03-03 19:00:400 D2PAK 中的 N 沟道 80 V 17 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN017-80BS
2023-03-03 19:00:570 I2PAK 中的 N 沟道 30 V 17 mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN017-30EL
2023-03-03 19:01:240 D2PAK 中的 N 沟道 30 V 17 mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN017-30BL
2023-03-03 19:01:390 D2PAK 中的 N 沟道 100V 16 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN016-100BS
2023-03-03 19:01:500 D2PAK 中的 N 沟道 60 V 14.8 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN015-60BS
2023-03-03 19:02:090 D2PAK 中的 N 沟道 80 V 11 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN012-80BS
2023-03-03 19:02:251 I2PAK 中的 N 沟道 108 V 8.5 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN8R5-108ES
2023-03-03 20:06:190 I²PAK 中的 N 沟道 40 V、1.9 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9E1R9-40E
2023-03-03 20:09:280 TO-220和TO-220 FullPack 封装的StrongIRFET 2是新一代功率MOSFET技术，它解决了广泛的应用，如适配器，电视、电机驱动、电动滑板车、电池管理、轻型电动汽车、机器人、电源和园艺工具。
2023-07-19 10:44:25426 
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