英飞凌科技股份公司近日宣布推出满足汽车行业的动力总成和安全应用的各种要求的全新32位多核单片机系列。
2012-05-22 09:33:13
4243 英飞凌科技推出用于商业航空电子设备和雷达系统的脉冲应用和其他类型工业放大器的高功率晶体管。基于全新的50V LDMOS工艺技术，全新推出的器件具备高能效、适用于小型化系统设计
2012-07-15 01:23:461266 LSI公司宣佈推出专为Ultrabook设计的SandForce SF-2200/2100用户端快闪记忆体储存处理器（FSP），其强化功能可满足Ultrabook严格的功耗要求，并提供快闪记忆体技术的卓越效能优势。
2012-08-06 10:20:321744 
英飞凌科技推出全新600V CoolMOS P6 产品系列，专为提升系统效率及易于使用所设计，补足了专注提供顶尖效能（CoolMOS CP）及强调使用方便性（如 CoolMOS C6 或 E6）两者之间的技术区间。
2012-11-13 08:54:331678 英飞凌科技股份公司已在生产基于300毫米薄晶圆的功率半导体方面取得了重大突破。今年2月，从奥地利费拉赫工厂的300毫米生产线走下来的英飞凌CoolMOS™家族产品，得到了第一批客户的首肯。
2013-02-25 09:52:061520 英飞凌科技股份公司（FSE代码： IFX / OTCQX代码： IFNNY）进一步壮大其高压产品组合，推出采用全新650V超结MOSFET技术的CoolMOSTM C7。全新的C7产品家族针对所有标准封装实现了一流的通态电阻RDS（on）。另外，得益于低开关损耗，还可在任何负载条件下实现能效改进。
2013-05-20 11:31:282572 英飞凌CE系列CoolMOS 是英飞凌公司专为消费类电子产品和照明产品推出的高压功率MOSFET。##该案例为一款全球输入范围的15W充电器。##接下来介绍CE系列CoolMOS产品应用于LED球泡灯驱动器的案例。
2015-03-24 13:50:073701 更高密度的低功率SMPS设计需要越来越多的高压MOSFET器件。英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出CoolMOS™ P7系列的新成员950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件。
2018-08-27 14:15:536079 为满足电动汽车市场的需求，英飞凌推出了全新的650V CoolMOS™ SJ功率 MOSFET CFD7A系列。这一产品经过专门优化，可以满足电动汽车应用 （如车载充电器、HV-LV DC-DC 转换器和辅助电源）的要求。
2020-05-31 09:15:361509 高功率密度 → 更紧凑的设计CoolMOS CFD7A在硬开关和谐振开关拓扑中，尤其是轻负荷条件下具有较大改进，令效率更上一层楼。与之前几代产品相比，其在相同栅极损耗的水平下可实现更高的开关频率；而且这一产品组合极具前景，使CFD7A成为减少系统重量和空间以实现更紧凑设计的关键因素。
2023-09-12 10:46:36518 
随着新产品的发布，英飞凌完善了其600V/650V细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合
2020-02-26 08:26:001315 英飞凌科技股份公司成功开发出满足最高效率和质量要求的解决方案。对于MOSFET低频率开关应用而言，新推出的600 V CoolMOS™ S7系列产品可带来领先的功率密度和能效。
2020-03-04 07:46:001360 凭借在汽车领域的多年从业经验，英飞凌将远超AEC Q101标准的最高品质与出色的技术知识相结合，推出CoolMOS™ CFD7A系列。
2020-05-09 09:05:38985 英飞凌推出了全新分立式封装的650 V TRENCHSTOP™ 5 WR6系列。
2021-07-14 14:56:193993 
英飞凌科技再次推出了全新的MOTIX™ BTN99xx（NovalithIC™+）系列智能半桥驱动集成芯片。
2022-03-02 14:07:131887 
英飞凌科技宣布推出采用TO247PLUS封装的全新EDT2 IGBT。该器件专门针对分立式汽车牵引逆变器进行了优化，进一步丰富了英飞凌车规级分立式高压器件的产品阵容。
2022-03-21 14:14:041435 
/ OTCQX代码：IFNNY）推出了适用于反激式拓扑结构的ICC80QSG单级脉冲宽度调制（PWM）控制器，进一步扩展了英飞凌旗下AC-DC控制器IC的产品阵容。该IC专为电池充电应用量身定制，与CoolMOS™ P7超级结（SJ）MOSFET配合使用，实现输出功率高达130 W的、可扩展的功率设
2022-10-10 17:06:25631 
基于Integrity Guard 32的增强型安全架构，在安全性、效率、性能和易用性方面树立全新行业标杆 【 2023 年 8 月 18 日 ， 德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司（FSE
2023-08-21 14:32:22515 
™ Edge。PSoC™产品组合是英飞凌基于Arm® Cortex®内核打造的高性能且低功耗的安全器件。PSoC Edge 专为新一代实时响应计算和控制应用而设计，并提供由硬件辅助的机器学习（ML
2023-11-30 15:55:38422 
【 2023 年 12 月 19 日，德国慕尼黑讯】 为提高结温传感的精度，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出带有集成温度传感器的全新CoolMOS
2023-12-19 15:22:26900 
40 A 650V IGBT，它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3（亦称D2PAK）封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率密度
2018-10-23 16:21:49
CoolMOS CFD2系列，具有快速的体二极管，低Coss，高达650V的击穿电压，使LLC拓扑开关电源具有更高的效率和可靠性。 参考文献：1. Gary Chang “Why choose
2018-12-05 09:56:02
是ALTAIR05T-800，它是ALTAIR系列的第一个（全主传感开关稳压器）。该IC在同一封装中集成了高性能，低电压PWM控制器芯片和800V，雪崩耐用功率MOSFET。 PWM芯片是一种准谐振（QR）电流模式控制器IC，专为QR ZVS（零电压开关）反激式转换器而设计
2020-08-12 08:43:59
，英飞凌成功完成了全新40V 和 60V MOSFET的开发工作。 与OptiMOS™3技术直接比较，结果表明，新一代MOSFET不仅可极大地降低通态电阻RDS(on)，还可大幅改进开关特性。 阻断电压为
2018-12-06 09:46:29
推荐课程：张飞软硬开源：基于STM32的BLDC直流无刷电机驱动器（视频+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd 附件是英飞凌在低压电动车的方案分享，给有需要的人选择
2019-06-18 10:31:33
这一傲人的成绩。英飞凌的MEMS麦克风开发战略涵盖了主要的构建模块MEMS、ASIC和该传感器系列的封装。因此，英飞凌完全掌握着其产品的性能、质量和技术创新。如今，英飞凌在自主技术的基础上推出
2023-03-03 16:53:59
了MOSFET的导通损耗。此外，采用高压MOSFET还可降低主传导损耗。例如，800V CoolMOS® C3 或全新900V CoolMOS® 可使效率再提高1%至3%[6-8]。这出色地平衡了成本和效率
2018-12-05 09:46:05
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:45 编辑
英飞凌科技推出XMC4000单片机家族
2012-08-17 13:27:22
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:45 编辑
英飞凌科技推出XMC4000单片机家族2
2012-08-17 13:29:28
专为工业物联网而生，打造DTU600系列，助力数据超远距离传输！明远智睿的DTU600系列，工业场景专用设计，符合工业行业标准，采用高性能的工业级32位通信处理器，具备软件多级检测和硬件多重保护机制
2021-12-17 17:46:35
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:15
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:09
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:13
IPW65R080CFD - 650V CoolMOS CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R310CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R420CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R660CFD - 650V CoolMOS CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPX65R310CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
的设计而言，它大幅降低了MOSFET导通电阻，并保持了出色的开关性能。 英飞凌推出的OptiMOS 3系列进一步改进了设计，使更高电压等级的器件能够受益于这种技术。在150 V 至250 V的电压
2018-12-07 10:21:41
；TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷（典型值为16nC）快速切换经过100％雪崩测试改进的dv/dt功能主要参数：应用：高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正`
2020-04-30 15:13:55
更高的要求。CoolMOS，具有快速的体二极管，低Coss，有的可高达650V的击穿电压，使LLC拓扑开关电源具有更高的效率和可靠性。
2021-08-23 09:23:12
－减小系统EMI使得外置的吸收电路不再需要预先注册本次在线研讨会，将会增大在7月18日至7月28日2012 英飞凌夏季大型网络活动“CoolMOS™ 开门吧”活动中的中奖机率！获奖攻略；1、预先注册本次
2012-07-13 10:50:22
参数设置。以直流电压源为例，双击电压源图标会弹出参数设置界面，填入输入额定电压值“100”V即可;▍电路模型重复上述步骤进行器件选择与参数设置后，按照电路拓扑结构对器件进行连接,得到的LC串联谐振
2024-03-01 10:05:15
为什么 ST 在 AN4599 的 LLC 谐振拓扑中添加一个 100pf 1000V 1210 并联电容器和 MOSFET？
2022-12-26 07:53:01
的数字产品和解决方案，在提供高性能表现的产品和系统解决方案的同时，极大的减轻了客户库存的压力和新产品推出的周期，扩展了研发设计的灵活性。英飞凌照明驱动IC以其丰富的产品类型，广泛的拓扑组合，搭配业界领先功率晶体管CoolMOS技术，充分满足了LED驱动电源设计的半导体器件选型需求。
2019-10-18 06:23:59
目前已在锂电池充电器中做了实验，输出为48V，2A的充电器。效率可达90%。有需要试用的可以发站内信联系我！基本参数为650V，20A，Rdson160毫欧姆。
2010-12-31 15:00:21
：www.ncepower.com。欢迎大家查看。目前我司已经量产的Super junction有以下几类：650V 25A/11A/7A/4ATO220/TO247600V 25A/11A/7A/4ATO220
2011-01-05 09:49:53
CoolMOSCFD/CFD7系列的Qrr比上一代CoolMOS CFD改进了十倍，但CoolSiC的Qrr参数再比CoolMOS CFD/CFD7的Qrr又降低了五到十倍。这意味着，通过使用48mΩCoolSiC
2023-03-14 14:05:02
来电报单 电子**现金高价收购厂家、,原装外壳长期收购全新三垦igbt模块回收长期,收购,回收 IGBT模块回收英飞凌模块回收嘉善回收IGBT模块,回收西门康模块收购可控硅西门康模块回收,长期,高价,现金
2022-01-01 19:06:43
开关，如何降低失效率，提升系统可靠性，降低系统的成本有更高的要求。CoolMOS，具有快速的体二极管，低Coss,有的可高达650V的击穿电压，使LLC拓扑开关电源具有更高的效率和可靠性。
2018-12-03 11:00:50
软开关，如何降低失效率，提升系统可靠性，降低系统的成本有更高的要求。CoolMOS，具有快速的体二极管，低Coss，有的可高达650V的击穿电压，使LLC拓扑开关电源具有更高的效率和可靠性。
2018-12-12 18:35:12
的数字产品和解决方案，在提供高性能表现的产品和系统解决方案的同时，极大的减轻了客户库存的压力和新产品推出的周期，扩展了研发设计的灵活性。英飞凌照明驱动ＩＣ以其丰富的产品类型，广泛的拓扑组合，搭配业界领先功率晶体管CoolMOS技术，充分满足了LED驱动电源设计的半导体器件选型需求。
2019-08-06 06:14:02
描述此设计将 LM5023 反激式控制器用于双开关准谐振反激式拓扑。它从通用输入 (85VAC - 265VAC) 产生隔离式输出 (19.5V@3.84A)。主要特色通用输入电压双开关准谐振反激式拓扑
2018-11-13 16:52:24
。IPL65R190E6 ——作为650V CoolMOS™E6器件的代表，具备快速、可控的开关性能，适用于效率和功率密度是关键要求的应用。650VCoolMOS™ E6器件易于应用，是各种高能效开关产品
2017-04-12 18:43:19
），Qg（开关损耗）有要求，同时对于如何能够有效的实现软开关，如何降低失效率，提升系统可靠性，降低系统的成本有更高的要求。CoolMOS，具有快速的体二极管，低Coss,有的可高达650V的击穿电压，使LLC拓扑开关电源具有更高的效率和可靠性。
2018-10-22 15:23:49
母线电路需设计极小寄生电感。因此，可选用具备软开关特性的专用IGBT，例如全新的650V IGBT4。如图2所示， 600V IGBT3（快速）和650V IGBT4（软度）在开关性能方面差别明显，采用
2018-12-07 10:16:11
ICL5101来实现一个120W的LCC恒流LED驱动电源. 图-7是LCC拓扑结构，采用次级电流采样做恒流反馈，并能实现0-10V调光的示意电路。PFC开关管采用了英飞凌的高性价比P6系列CoolMOSTM
2018-10-10 17:30:07
，低成本，高效率，高可靠性，长寿命等。采用16脚封装，集成PFC和半桥谐振控制器的ICL5101，并使用LCC拓扑很好的实现了以上目标，它的高集成度可减少外部元件数量，非常合适结合LCC高性能的优势。实现
2018-12-12 09:49:28
摘要新一代CoolMOS™ 650V CFD2技术为具备高性能体二极管的高压功率MOSFET树立了行业新杆标。该晶体管将650V的击穿电压、超低通态电阻、低容性损耗特性与改进反向恢复过程中的体二极管
2018-12-03 13:43:55
华润微coolMOS 现货供应 CRJF290N65G2_TO220F650V15A240mΩ
2022-12-27 22:15:06
英飞凌欲借新一代超结MOSFET树立硬开关应用基准
英飞凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET产品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP两个产品系列的优势，可降低设
2009-06-23 21:17:44594 英飞凌推出性能领先业界的200V和250V OptiMOSTM系列器件，壮大功率MOSFET 产品阵
2010年1月21日，德国Neubiberg讯——英飞凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX： IFNNY）近
2010-01-26 09:25:271053 英飞凌推出全新XMM2138平台支持不断增长的双卡手机市场
英飞凌科技股份公司近日推出支持双卡手机操作的全新 XMM2138平台。双卡手机可在一部手机中同时使用两个SIM（
2010-02-26 11:16:24590 英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为、及
2010-07-05 08:48:261672 Diodes公司日前推出全新多拓扑LED驱动器，全面提升高亮度汽车、工业及商用照明系统的性能。最新的ZXLD1374 LED驱动器
2010-11-19 09:29:15763 英飞凌新一代CoolMOS CFD2器件具备最低的通态电阻和高达650V的阻断电压。这种的器件还具备极低的反向恢复电荷和结实耐用的内置体二极管。数据表规范中将提供全新的Qrr和trr最大值。
2011-02-14 09:04:423956 
英飞凌目前正推出另一项重要的创新型高压CoolMOS MOSFET。这种全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具备650V漏源电压并集成快速体二极管的高压晶体管。
2011-02-16 09:11:171845 英飞凌科技今日推出全新的XMC4000 32位单片机产品家族，它们选用ARM®的Cortex™-M4处理器。英飞凌利用自身在开发针对应用而优化的外设，并具备出色的实时功能的单片机方面的30多年的丰
2012-02-22 09:22:591285 英飞凌科技股份有限公司扩展其车用功率半导体系列产品，推出全新 650V CoolMOS CFDA。这是业界首创整合高速本体二极体技术的超接面 MOSFET 解决方案，符合最高的汽车认证标準 AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021458 CoolMOS具有优越的直流特性。为了设计出一个600V CoolMOS结构，首先CoolMOS的结构人手，结合电荷平衡 理论，分析了其高击穿电压BV、低导通电阻R。 的原理。通过理论计算，得到相关的设计
2012-06-20 16:37:20
48 e络盟日前宣布新增来自全球半导体和系统解决方案领先提供商英飞凌的CoolMOS™与OptiMOS™系列产品，进一步扩充其功率MOSFET产品组合。
2015-03-02 17:37:381390 英飞凌推出全新可控逆导型IGBT芯片，可提高牵引和工业传动等高性能设备的可靠性
2015-06-24 18:33:292516 
电源制造商需要使用能够提供最佳性能、效率、稳健性且便于设计的器件。为此，英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了第5代固定频率700 V/800
2018-04-03 17:01:2611179 近来， LLC拓扑以其高效，高功率密度受到广大电源设计工程师的青睐，但是这种软开关拓扑对MOSFET的要求却超过了以往任何一种硬开关拓扑。特别是在电源启机，动态负载，过载，短路等情况下。CoolMOS 以其快恢复体二极管，低Qg 和Coss能够完全满足这些需求并大大提升电源系统的可靠性。
2018-04-11 09:39:425792 ™CE ，及最新一代超高性价比的CoolMOS™ P7，每系列产品一经推出都在CoolMOS™市场独领风骚。
2018-09-06 15:54:256753 全球连接与传感领域领军企业TE Connectivity (TE)近日宣布推出微型同轴电缆连接器。节省空间的微型同轴电缆连接器具有坚固、紧凑的设计，专为高性能微波系统而打造。TE的连接器专为接受
2018-11-07 15:46:13963 1.1谐振变换器拓扑综述
2019-02-27 06:04:004369 
1.2基本二元和三元谐振拓扑
2019-02-26 06:17:004274 
4月24日，SteelSeries赛睿正式宣布推出Arctis寒冰9X游戏耳机。这是赛睿寒冰家族首款专为Xbox One打造的高品质音频设备，采用Xbox Wireless无线连接技术，耳机在使用时更加方便快捷，同时支持蓝牙连接。
2019-04-25 09:48:542787 Cool-Mos是英飞凌推出的新产品，其中C3系列是最有代表性，因为其性能参数都比别的品牌好，但价格相当高。
2019-06-25 15:02:5022622 CoolSiC肖特基二极管650V G6系列是英飞凌不断提高技术和流程的结果，让碳化硅肖特基二极管的设计和开发更具价格优势，性能一代更比一代强。因此，G6是英飞凌最具有性价比的CooSiC肖特基二极管的一代，在同等价格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:523697 
、CFD7系列，与650V CoolSiC G6系列肖特基二极管则是方案设计中能效与功率密度的“双赢”之选。再搭配英飞凌最新的第五代准谐振CoolSET 系列产品以及EiceDRIVER系列驱动IC芯片。
2019-09-24 11:20:593014 
以600V的IPW60R070CFD7为例，我们从下图显示的应用测量结果也可以看出，最新的CoolMOS CFD7系列功能在谐振开关拓扑结构中可显著提高效率。CoolMOS CFD7系列与市场上
2019-09-24 14:22:322579 
英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET，标志着公司进一步增强了在低压SiC领域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 据悉，由中国电信与华为联合打造的TC7102路由器采用一种叫“凌霄650”WiFi 6+方案。凌霄650不是一个单独的芯片，而是由凌霄650 WiFi、凌霄650 PLC和凌霄650 CPU三颗
2020-08-26 17:25:045203 一直以打造极具沉浸式游戏体验为荣的ALIENWARE，与NVIDIA和AMD强化合作，进一步打破电脑游戏的边界，推出全新升级版ALIENWARE m15/17 R4 和 ALIENWARE AURORA R10，为游戏玩家提供更畅快淋漓的极致体验。
2021-01-13 16:55:001768 浅析LLC谐振电路的拓扑结构与电路仿真
2021-11-17 17:56:4592 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538 
英飞凌的总体战略是将当今的每一项尖端硅技术与宽带对应技术相结合。基于市场上已经推出的 CoolSiC™ 技术，英飞凌推出了全新的 CoolGaN™ 解决方案，这些解决方案完善了 CoolMOS
2022-08-09 09:45:11795 
CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superjunction MOSFET 技术，补全了 CoolMOS™ 7 系列。
2022-09-30 17:09:321182 【 2022 年 11 月 08 日，德国慕尼黑讯】 为了满足当今市场对产品小型化、高能效的需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了全新的CoolMOS
2022-11-09 11:33:15378 
650V 快速恢复 SuperFET® II MOSFET 在谐振拓扑中实现高系统效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360 ，IRS2975C的小尺寸和性能专为不断增加的iToF应用量身定制，能够在低功耗的情况下提供宽泛的工作范围。这款全新iToF传感器是智能手机、服务机器人、无人机以及各种物联网设备的理想选择。 英飞凌的最新像素技术由于包含高级3D场域工程设计，因此具有优异的解调效率。并且
2022-12-25 01:22:25684 ，IRS2975C的小尺寸和性能专为不断增加的iToF应用量身定制，能够在低功耗的情况下提供宽泛的工作范围。这款全新iToF传感器是智能手机、服务机器人、无人机以及各种物联网设备的理想选择。 英飞凌的最新像素技术由于包含高级3D场域工程设计，因此具有优异的解调效率。并且
2023-01-09 12:56:07355 LLC电源拓扑顾名思义该拓扑是由两个感抗器件和一个容抗器件组成的，一个是谐振电感Lr，一个变压器（原边感量为Lm）和一个谐振电容Cr，三个器件串联形成谐振腔。
2023-03-17 17:14:047191 
SP9683高频准谐振、集成650V氮化镓功率器件，30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008 
英飞凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，进一步扩展其TRENCHSTOPIGBT7产品阵容。全新器件配新一代发射极控制的EC7续流二极管，以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求
2023-11-21 08:14:06255 
2024年1月4日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布其旗下品佳推出基于英飞凌（Infineon）XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS MOSFET的3.3KW高功率密度双向相移全桥方案。
2024-01-05 09:45:01227 
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