碳化硅(SiC)由于其固有的宽带隙和高导热性的材料特性而被广泛用于中高压电力半导体器件的制造中。如今,肖特基二极管,MOSFET和JFET是市场上最受欢迎的SiC功率器件。尤其是SiC肖特基二极管
2021-03-27 12:03:22
6679 功率二极管(Power Diode)是一种分立式电力半导体器件,它的电压和电流应用范围远大于一般的小信号二极管,可用于整流、钳位、瞬态电压抑制、续游、吸收、调制、 转换等。功率二极管分为 PiN
2024-01-10 15:59:07
5500 
海飞乐技术有限公司是一家以快速恢复二极管(FRD)、快恢复模块、超结MOSFET等新型功率半导体芯片及器件的设计、生产和销售为主营业务的高科技企业。公司快恢复二极管/模块产品广泛应用于变频空调
2019-10-24 14:25:15
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
SiC-MOSFET-沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品SiC功率元器件基础篇前言前言何谓SiC(碳化硅)?何谓碳化硅SiC功率元器件的开发背景和优点SiC肖特基势垒二极管所谓SiC-SBD-特征以及与Si
2018-11-27 16:40:24
功率元器件的开发背景和优点SiC肖特基势垒二极管所谓SiC-SBD-特征以及与Si二极管的比较所谓SiC-SBD-与Si-PND的反向恢复特性比较所谓SiC-SBD-与Si-PND的正向电压比较所谓
2018-11-27 16:38:39
继SiC功率元器件的概述之后,将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管下面从SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)的结构开始
2018-11-29 14:35:50
ROHM推出了SiC肖特基势垒二极管(以下SiC SBD)的第三代产品“SCS3系列”。SCS3系列是进一步改善了第二代SiC SBD实现的当时业界最小正向电压,并大幅提高了抗浪涌电流性能的产品
2018-12-03 15:12:02
当输入与输出电压之间有正电压时,运放肖特基二极管电路使MOSFET导通,如下式:VGATE=VOUT-(R2/R1)(VIN-VOUT)其中,肖特基二极管电路的VGATE是MOSFET的栅极驱动
2021-04-08 11:37:38
整流二极管用于微波炉逆变电路和高压电路。汽车高压整流二极管用于燃油喷射系统的点火线圈。4、缓冲二极管缓冲二极管是专为缓冲电路设计的辅助开关二极管,用于反激式开关电源的一次侧。 它们降低了功率 MOSFET
2021-09-20 07:00:00
的一次侧。 它们降低了功率 MOSFET 关断时产生的振铃电压,有助于提高开关电源的效率和降低噪声。5、交流发电机二极管交流发电机二极管可以承受汽车发动机室的恶劣环境。 它们采用表面贴装和压入式封装
2022-04-12 15:53:31
功率二极管、晶闸管、mosfet、IGBT和功率IC的区别和应用
2019-10-24 09:19:22
SiC JBS二极管提供卓越的功能,包括但不限于高温操作,高阻断电压和快速开关能力。本文档介绍高级交换与SiC肖特基二极管相比,GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二极管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
凑的系统),内部体二极管能够像mosfet一样处理电流吗?可以说25A电流,还是应该使用外部体二极管?如果我使用外部体二极管;我可以使用快速恢复二极管吗?那将是什么缺点。外部SiC SBD是昂贵
2019-05-29 06:12:00
阻。尽管普通二极管的“惯性”较大,但是在超过200V的工作电压场合,普通的PIN二极管占主导地位。 源于硅基的肖特基二极管,近年来开发出来新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二极管用于一些效率很关键的电力
2019-01-02 13:57:40
Si整流器与SiC二极管:谁会更胜一筹
2021-06-08 06:14:04
TVS二极管,也叫瞬变二极管、瞬态电压抑制二极管、瞬变抑制二极管、瞬态抑制二极管、TVS、TVS二极管、TVS管、二极管TVS等等,叫法很多,不同的客户叫法略有差异,但是东西都是一个东西,是防浪涌
2022-05-25 14:16:57
三相超快恢复二极管整流桥开关模块的结构及特点是什么?三相超快恢复二极管整流桥开关模块的主要技术参数及应用有哪些?
2021-06-08 08:09:38
相较于硅,碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新的技术,提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流,且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能,因此被视为下一代功率半导体。安森美半导体
2018-10-29 08:51:19
相较于硅,碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新的技术,提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流,且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能,因此被视为下一代功率半导体。
2020-07-30 07:14:58
SiC-SBD,蓝色是第二代,可确认VF的降低。SiC-SBD因高速trr而使开关损耗降低,加之VF的改善,在功率二极管中可以说是损耗最小的二极管。促进电源系统应用的效率提高与小型化前面已经介绍了
2018-12-04 10:26:52
相较于硅,碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新的技术,提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流,且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能,因此被视为下一代功率半导体。
2019-07-25 07:51:59
砷化镓功率二极管是宽带隙半导体器件,其性能仅为碳化硅(SiC)的70%左右。本文对10kW LLC转换器中GaAs、SiC和超快硅二极管的性能进行基准测试,该转换器也常用于高效电动汽车充电
2023-02-21 16:27:41
、反向恢复时间短的半导体二极管)主要用于各种功率转换器的开关功率器件(如IGBT或MOSFET),以起到续流效果。碳化硅肖特基二极管4.1 碳化硅肖特基二极管基本型肖特基二极管,也称为热载流二极管,通过
2023-02-07 15:59:32
如何识别普通二极管?晶体二极管的参数有哪些?普通二极管怎么使用?
2021-06-08 06:38:05
1.整流二极管的代换整流二极管损坏后,可以用同型号的整流二极管或参数相贩其它型号整流二极管代换。通常,高耐压值(反向电压)的整流二极管可以代换低耐压值的整流二极管,而低耐压值的整流二极管不能代换高
2021-07-07 14:58:27
最近用mosfet做PFC boost电路交流160V升到直流400v的时候,直流侧升到375v的时候电路输出二极管爆炸,直接炸成两半,后来测电路mosfet也坏了,一直弄不懂是什么原因,望各位大神指点。二极管用的型号是mur1560,开关频率50KHz。
2019-01-10 15:18:26
二极管时,看的是功率和封装形式;在实际应用中,二者通常相辅相成,紧密相连,各自发挥优势,更有效地为电路安全保驾护航!TVS二极管规格书下载:
2020-12-24 14:55:58
二极管时,看的是功率和封装形式;在实际应用中,二者通常相辅相成,紧密相连,各自发挥优势,更有效地为电路安全保驾护航!ESD二极管规格书下载:
2021-12-30 17:52:36
高压硅二极管具有低正向传导压降,但由于其反向恢复行为,会在功率转换器中造成显著的动态损耗。与硅相比,SiC二极管的反向恢复行为可以忽略不计,但确实表现出更高的体电容和更大的正向传导降。由于砷化镓技术
2023-02-22 17:13:39
250V左右。对于能够耐受500~600V以上反向电压要求,人们开始使用碳化硅(SiC)制造器件,因为它能够耐受较高的电压。 除此以外的器件参数均相当于或优于硅肖特基二极管。详见表2。 由于SiC器件的成本较高(是同类硅器件的3~5倍),除非性能上要求非用不可,还没有用它来替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其将嵌入式肖特基势垒二极管(SBD)排列成格子花纹(check-pattern embedded SBD),以降低导通电
2023-04-11 15:29:18
的开关速度、高结温承受能力、高电流密度和更高的功率密度,SiC PiN二极管在电力设备、能量储备、超高压固态电源领域扮演更重要的角色。`
2019-10-24 14:21:23
,稳压二极管不讨论响应时间,而是更关注稳压值。但对于TVS二极管来说,其特性决定了其具有不同的功能。TVS二极管具有瞬态抑制高能的功能,所以需要在短时间内吸收高能,所以这个时间非常短,达到纳秒级;4.功率大小
2021-12-21 11:16:32
值、温度系数及耗散功率等等。所以肖特基二极管与稳压二极管两个完全不一样,肖特基二极管做开关用,特点是正向导通电压低,可工作与高频开关的场合。稳压二极管起稳压作用,应用场合大多为并联在电源、IC器件两端,防止过电压,起保护作用。肖特基二极管规格书:
2020-09-25 15:38:08
请问贴片电阻,贴片电容,贴片二极管,稳压二极管,MOS管,MOSFET和封装形式有那些呢?请一一说明,谢谢各们大师哦!!!
2020-11-13 14:54:46
二极管模块
2009-11-11 16:26:14
12
二极管和发光二极管
二极管的单向导电
二极管是半
2006-09-19 15:22:40
2816 功率二极管的基本特性
1. 静态伏安特性具有单向导电性正偏时:二极管导通,通态压降1V左右。通态损耗:  
2009-04-14 21:16:14
4929 
功率二极管基础教程
二极管电流公式:注意的参数:
2009-11-21 11:41:32
2672 二极管,二极管是什么意思
目录
1 二极管的基本结构
2010-02-26 12:03:38
12003 肖特基二极管,什么是肖特基二极管,肖特基二极管原理
基本原理是:在肖特基二极管,什么是肖特基二极管,肖特基二极管原理金属(例如铅)和半导
2010-02-26 13:38:58
4312 稳压二极管(齐纳二极管),稳压二极管是什么意思
这是利用了PN接合的反向特性的二极管。用于基准电压源和
2010-03-01 10:53:07
5246 变容二极管,变容二极管电路,变容二极管原理
变容二极管是根据普通二极管内部 "PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变
2010-03-05 10:01:38
3612 关于功率二极管的15个小问题。。什么是二极管的正向额定电流?二极管的额定电流是二极管的主要标称值,比如5A/100V的二极管,5A就是额定电流。通常额定电流的定义是该二极管所能通
2011-12-06 17:04:24
4998 采用集成高压MOSFET和Qspeed™二极管的高功率PFC控制器
2016-05-11 15:18:14
21 二极管是电子设计中最常见的器件之一。根据应用的场合,工程师们更关注二极管的类型、正向电流、反向耐压和开关时间等。相对来说,耗散功率(Power Dissipation)也是同等重要。 众所周知
2017-11-10 10:56:27
7 针对电流型逆变器桥臂并联扩容时开关损耗较大的问题,对SiC肖特基二极管和Si快恢复二极管的正反向恢复特性、MOS-FET并联均流特性以及容性状态下电流型逆变器工作过程进行了研究。提出了在电流型逆变器
2018-03-05 15:36:48
1 本文主要介绍了普通硅二极管和肖特基二极管的相同和区别以及快恢复二极管和肖特基二极管的区别,并附上了普通硅二极管,肖特基二极管和快恢复二极管的图片。
2019-08-09 15:24:30
9141 二极管的种类有很多,有发光二极管、稳压二极管、贴片二极管、变容二极管等等,今天我们来讲一讲什么是稳压二极管,以及稳压二极管的作用。
2021-01-01 16:49:00
41973 多路ESD保护器件。TVS二极管,亦称为瞬态电压抑制二极管,是在稳压二极管工艺上发展起来的一种新型高效电路保护元器件。 那么,关于ESD二极管和TVS二极管,这两者之间有什么区别呢?接下来,从功率、封装、应用来谈它们之间的差异。 一、功率 ESD二极
2021-04-08 13:27:54
26172 和 MOSFET 功率模块。含有各种电路配置的集成解决方案采用 PressFit 引脚压合专利技术,将高效快速体二极管 MOSFET 和 SiC、FRED Pt 和 MOAT 二极管技术结合在小型 EMIPAK
2022-11-25 15:20:05
1895 SiC 器件取代服务器、电机、EV 中的 Si MOSFET 和二极管
2023-01-05 09:43:43
1293 继SiC功率元器件的概述之后,将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管:下面从SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)的结构开始介绍。
2023-02-08 13:43:17
1454 
上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。如图所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏极-源极间存在体二极管。
2023-02-08 13:43:20
2300 
功率二极管是一种用于大电流、大功率、高频率应用的半导体器件,其结构类似于普通二极管,但其材料和工艺设计均不同于普通二极管,使其具有更高的承受电压和电流能力。功率二极管常常用于开关电路、整流电路、电压
2023-02-18 11:42:18
3206 ,它们的承受功率一般在几十瓦到数百瓦之间。如果需要承受更大功率的电路,可以使用模块化功率器件,如IGBT模块、功率MOS管模块等。 功率二极管的稳定性主要取决于它的温度特性和反向击穿电压特性。温度对功率二极管的电阻、电容和漏电流等参数有很大影
2023-02-18 11:16:29
1699 功率二极管是一种半导体器件,它与普通二极管类似,但其能够承受更大的功率和电流,因此被广泛应用于各种功率电子电路中。功率二极管通常用于转换或控制高电压、大电流或高功率的电路,如直流电源、开关电源、交流
2023-02-18 11:24:47
3561 功率二极管是一种高电流和电压的二极管承受能力是用于交流电源转换成直流电源,或用于控制高压电路的电流。功率二极管的主要特性是能够承受大电流和电压,因此通常用于高功率应用,如电源和电动机控制。 功率
2023-02-18 11:26:59
1753 和碳化硅MOSFET。第三代半导体涵盖SiC碳化硅二极管,SiC碳化硅MOSFET,SiC碳化硅模块,SiC碳化硅裸芯片这四类
2023-02-21 10:16:47
3720 功率二极管作为最基本的电力电子器件,在电力电子系统中有着最广泛的应用,其主要结构——PN结是其他功率半导体器件的基础。深刻理解二极管的工作特性,有助于学习MOSFET和IGBT等其他功率器件
2023-02-21 18:11:57
1124 功率二极管是什么 器件功率二极管是电力电子线路最基本的组成单元,它的单向导电性可用于电路的整流、箝位、续流。合理应用功率二极管的性能是电力电子电路的重要内容。功率二极管是以PN结为基础的,实际上就是
2023-02-22 14:15:57
1550 
电力二极管的特点是具有较大的电流和功率,而普通二极管的特点是具有较小的电流和功率。此外,电力二极管的极性可以反转,而普通二极管的极性不能反转。
2023-02-22 16:59:43
6038 
功率二极管,也叫做肖特基势垒二极管,是一种常见的半导体器件。它的主要作用是在电路中起到电流的整流、稳压和开关控制等功能。
2023-02-22 18:22:31
2517 EN-1230A可对各类型Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各项动态参数如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导
2023-02-23 09:20:46
4 功率二极管是二极管的一类,是一种简单的半导体器件。与普通二极管一样,功率二极管具有两个端子并沿一个方向传导电流。但功率二极管与普通二极管的区别还是有很大的。
2023-02-23 14:18:54
1667 
最大电压和电流:功率二极管应该具有足够的额定最大电压和电流,以满足电路需求。选择功率二极管时,应该考虑电路的最大电压和电流,并选择具有比电路额定最大电压和电流更高的功率二极管。
2023-02-23 15:27:16
2236 正向特性:功率二极管正向特性曲线描述的是二极管在正向电压下的电流和电压之间的关系,通常为一条下凸曲线,斜率为正向动态电阻。
2023-02-23 15:47:03
3149 
如图所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏极-源极间存在体二极管。从MOSFET的结构上讲,体二极管是由源极-漏极间的pn结形成的,也被称为“寄生二极管”或“内部二极管”。对于MOSFET来说,体二极管的性能是重要的参数之一,在应用中使用时,其性能发挥着至关重要的作用。
2023-02-24 11:47:40
4750 
功率二极管是二极管的一类,是一种简单的半导体器件。与普通二极管一样,功率二极管具有两个端子并沿一个方向传导电流
2023-02-24 17:45:58
2556 功率二极管是一种特殊的二极管,它具有承受大电流和高电压的能力。与普通的信号二极管相比,功率二极管在结构上有所不同,其结构更加复杂,能够承受更高的功率。因此,功率二极管被广泛应用于高功率电子设备和电路中
2023-02-27 18:21:00
1491 SiC MOSFET体二极管的关断特性与IGBT电路中硅基PN二极管不同,这是因为SiC MOSFET体二极管具有独特的特性。对于1200V SiC MOSFET来说,输出电容的影响较大,而PN
2023-01-04 10:02:07
3634 
探究快速开关应用中SiC MOSFET体二极管的关断特性
2023-01-12 14:33:03
3281 
功率二极管与肖特基二极管的区别是什么? 功率二极管和肖特基二极管是两种常见的半导体器件,它们都具有二极管的特性,但在实际应用中,它们的性能差异较大,下面将详细介绍功率二极管和肖特基二极管的区别。 1
2023-08-28 16:41:25
2343 二极管选型要求 二极管功率大小选择有什么规则? 二极管,是一种半导体元件,广泛应用于数码电路、模拟电路、电源和照明器材中。在进行二极管选型时,一般需要关注以下几个方面的因素:前向电压VF、反向
2023-08-28 17:22:28
5094 功率二极管主要参数有哪些? 功率二极管是一种电子元器件,通常用于控制高电压和高电流的开关电路和放大电路中。功率二极管的主要参数与其使用环境和应用目的有关。在本文中,我们将详细讨论功率二极管的主要参数
2023-08-28 17:22:41
4155 功率二极管有哪些类型? 功率二极管是一种特殊类型的半导体器件,它能够承载高功率电流并控制电源电压,是各种电路中不可或缺的重要元器件之一。通常,功率二极管可分为三类:普通整流二极管、肖特基二极管
2023-08-29 15:46:48
2666 功率二极管和普通二极管的不同 功率二极管和普通二极管是两种不同的二极管,它们有着不同的结构和特性。在本文中,我们将介绍功率二极管和普通二极管的不同之处,包括它们的结构、性能和用途。 一、结构
2023-09-02 11:08:31
2613 功率二极管是什么器件?功率二极管的类型主要有哪些?功率二极管分为哪几类? 功率二极管是一种高压、高电流、高功率的半导体器件,也叫高功率晶体管(High Power Transistor)。它是一种
2023-09-02 11:13:53
3295 功率二极管有哪些?二极管是功率器件吗? 功率二极管是一种功率电子器件,它与普通的二极管的不同之处在于其能够承受更大的电流和电压,用于控制和转换电能。功率二极管是一种关键的电子器件,广泛应用于许多领域
2023-09-02 11:13:57
2413 工艺、测试技术和损坏机理分析。本书内除了介绍经典的功率二极管、晶闸管外,还重点介绍了MOSFET、IGBT等现代功率器件,颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的OO成果,如SiC,GaN器件,以及场控宽禁带器件等。
2023-09-14 09:53:33
760 
功率二极管的重要性在现代电子技术和电力电子领域愈发显著。两种主要类型的功率二极管,即PN结二极管和肖特基二极管,都在不同应用中发挥着关键作用,满足了不同领域的需求。随着技术的不断发展,功率二极管仍将继续演化,以适应不断变化的电子市场需求。
2023-11-05 11:30:00
1401 
1000h SiC MOSFET体二极管可靠性报告
2023-12-05 14:34:46
1464 
MOSFET为什么有“体二极管”
2023-12-14 11:26:48
3272 
SiC三极管与SiC二极管的区别 SiC三极管与SiC二极管是两种使用碳化硅(SiC)材料制造的电子元件,它们在结构、特性和应用领域等方面存在一些明显的区别。 首先,让我们来了解一下SiC材料
2023-12-21 11:31:24
1734 什么是红外二极管?发光二极管又是什么呢?红外二极管与发光二极管的区别 红外二极管和发光二极管都是基于半导体材料制造的二极管。它们在电子设备中广泛使用,具有各自独特的特点和应用。 首先来看红外二极管
2024-01-26 15:42:57
3730 的。在功率MOSFET中,这种体二极管尤为重要,因为它对器件的性能和可靠性有很大影响。 要了解MOS管体二极管的作用,首先需要了解MOSFET的基本结构。一个典型的MOSFET包括源极(Source)、漏极(Drain)和栅极(Gate)。在功率MOSFET中,通常还有一个额外的区域,
2024-01-31 16:28:22
8929 
)、电动汽车(EV)充电站在内的多种高要求应用场景在尺寸和功率上的严格标准。这款新推出的SiC肖特基二极管技术亮点在于其无反向恢复电流的特性,这意味着开关过程中的损耗极低
2024-06-14 11:36:49
1351 
SiC二极管,全称SiC碳化硅势垒二极管,也被称为SiC碳化硅肖特基二极管(SiC SBD),是碳化硅(SiC)功率器件的一种,属于第三代半导体材料的应用范畴。SiC作为一种宽禁带半导体材料,相比
2024-09-10 14:55:02
3943 SiC二极管,即碳化硅二极管,作为第三代半导体材料的重要应用之一,其工作原理和结构在电力电子领域具有独特的重要性。以下将详细阐述SiC二极管的工作原理和结构,同时结合其技术特性和应用场景进行深入分析。
2024-09-10 15:09:39
3508 PiN二极管(P-I-N Diode)和SiC二极管(Silicon Carbide Diode)在多个方面存在显著差异,这些差异主要体现在材料特性、工作性能、应用场景以及发展趋势等方面。以下是对两者区别的详细分析。
2024-09-10 15:40:48
1592 电子发烧友网站提供《AN029:了解SiC功率肖特基二极管的数据表.pdf》资料免费下载
2025-01-23 16:40:42
0 电子发烧友网站提供《AN028:SiC功率二极管的可靠性.pdf》资料免费下载
2025-01-23 16:38:36
0 使用反向并联的肖特基势垒二极管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在电力转换应用中的性能和可靠性。本文将展示两家SiC器件制造商在集成SBD与MOSFET为单芯片解决方案方面所取得的进展。SiC
2025-03-20 11:16:59
1046 
和高温环境的电子器件中。SiC碳化硅二极管和SiC碳化硅MOSFET(绝缘栅双极晶体管)便是其典型代表。本文将探讨这两种器件的应用优势。
2025-04-17 16:20:38
998 在功率电子领域,碳化硅(SiC)技术正逐步取代传统硅基器件。作为宽禁带半导体的代表,SiC二极管凭借其物理特性在多方面实现了性能突破。宽禁带半导体材料碳禁带宽度(SiC:3.2eVvsSi
2025-07-21 09:57:57
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