V、13 mOhm导通内阻、逻辑控制电平MOSFET，应用于LFPAK33封装。ASFET是专门为用于某一应用而设计并优化的MOSFET。此产品组合是Nexperia为电池隔离、电机控制、热插拔和以太网
2022-05-12 10:20:49
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DSN1006和DSN1010中的三款全新器件可在空间受限的应用中节省电力并简化散热管理 奈梅亨，2022年7月27日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出
2022-07-27 10:14:36526 
多年来，功率MOSFET一直是高功率应用的支柱，能够可靠地提供大电流。然而，随着功率应用技术的进步，需要极高水平的电流。这些应用已达到功率水平要求，而一个MOSFET的实现已不再足够，这迫使设计人
2021-03-12 11:29:324652 Nexperia今日宣布，位于英国曼彻斯特的新8英寸晶圆生产线启动，首批产品使用最新的NextPower芯片技术的低RDS（on）和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。
2021-06-24 09:18:57701 Nexperia（安世半导体）今日宣布MOSFET器件推出全新增强型电热模型。半导体制造商通常会为MOSFET提供仿真模型，但一般仅限于在典型工作温度下建模的少量器件参数。
2022-03-24 09:31:461418 
产品组合，旨在提高电子系统的灵活性和重复利用能力。其中一款GPIO扩展器NCA9595采用可通过寄存器配置的内部上拉电阻，可根据实际需要自定义以优化功耗。当需要扩展I/O数量时，利用该产品组合可实现简洁的设计，同时尽可能减少互连。这有助于设计工程师增添新功能，而且不会增加
2023-04-28 10:37:19612 
80/100 V MOSFET产品组合的封装系列。此前该产品组合仅提供LFPAK56E封装，而现在新增了LFPAK56和LFPAK88封装设计。这些器件具备高效率和低尖峰特性，适用于通信、服务器
2023-06-21 09:21:57596 
SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后Nexperia将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高，
2023-11-30 09:12:02432 
字符，这样就编译不过去了，提示在lcd.c中重新定义 White0[]，怎么定义呀？？？？？提前谢谢大家帮忙！！
2014-12-24 20:25:58
对MOSFET的重要设计参数进行介绍。 1. 功率损耗MOSFET的功率损耗主要受限于MOSFET的结温，基本原则就是任何情况下，结温不能超过规格书里定义的最高温度。而结温是由环境温度和MOSFET自身的功耗决定
2018-07-12 11:34:11
速度。更能说明器件实际开关速度的是器件的栅极电荷参数和内部栅极电阻，Rg，这两个参数几乎不受这些技术指针差距 (specmanship) “游戏”的影响。图2：定义MOSFET数据表开关时间的波形
2018-09-05 09:59:06
MOSFET简介MOSFET的一些主要参数MOSFET的驱动技术
2021-03-04 06:43:10
什么是MOSFET管？由哪几部分组成？MOSFET的主要参数是什么？如何选型？
2022-02-23 06:57:53
。推荐产品：BCP56-16,115；BCX56-16,115Nexperia其它相关产品请 点击此处 了解特性：大电流三种电流增益选择高功耗能力裸露的散热器具有出色的导热性和导电性（SOT89
2020-03-11 17:20:01
的工作环境，由于其额定温度为+175°C，因此非常适合用于要求高温的环境。Nexperia汽车用MOSFET具有额定重复性雪崩，开关速度非常快，ESD电阻高。Nexperia MOSFET采用先进的业界领先
2021-01-23 11:20:27
通常为 36V；最大充电电压为 42 V。额定击穿电压介于 45 V 和 52.5 V 之间的 MOSFET 可提供至少 80% 的降额。然而，在这些应用中通常使用 60 V MOSFET，因为它提供了
2022-10-28 16:18:03
` 谁来阐述一下mosfet选型什么参数优先考虑？`
2019-10-29 16:30:15
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数。
2023-06-16 06:04:07
)DSS。它具有正温度特性。故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。5、RDS(on)：在特定的VGS（一般为10V）、结温及漏极电流的条件下，MOSFET导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要
2016-05-23 11:40:20
）其他如板上丝印所示，引出所有未使用到的 IO 管脚
新定义 TBK-RD8T3x 开发板提供了以上各项功能，同时新定义 TBK-RD8T3x 开发板也提供了丰富的开发板资料，下面给各位朋友列出资料地址
2023-09-24 22:28:07
。
产品资料
新定义TBK-RD8T3x应用资料.rar
包含TBK-RD8T37x开发板原理图、开发板板载触控demo、开发板使用指南
KEIL 插件RD_KEIL_Setup.rar
安装以后在
2023-09-24 22:38:03
AD16 PCB重新定义板型时没有Redefine BoardShape，求指导
2017-05-14 16:05:02
的推出，为业界提供了最佳功率密度和低传导损耗。FDMC8010采用飞兆半导体的PowerTrench技术，非常适合要求在小空间内实现最低RDS(ON)的应用，包括：高性能DC-DC降压转换器、负载点
2012-04-28 10:21:32
，几代MOSFET晶体管使电源设计人员实现了双极性早期产品不可能实现的性能和密度级别。然而，近年来，这些已取得的进步开始逐渐弱化，为下一个突破性技术创造了空间和需求。这就是氮化镓（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
范围内，OptiMOS 3器件不仅具备同类最佳性能，而且同时在几个重要参数上取得了改善。这种全新的器件具备较低的栅极电荷特性、较高的开关速度和良好的抗雪崩性能，从而成为众多开关电源（SMPS）产品的理想之
2018-12-07 10:21:41
;  MOSFET的规格书中，通常会给出MOSFET的特性参数，如输出曲线、输出电压、通态电阻RDS(ON)、栅极阀值电压VGS(TH)等。在选择MOSFET时，需要根据电路
2010-08-10 11:46:47
HSI_VALUE 值为 4000000，它被重新定义为编译器指令：-mcpu=cortex-m0plus -std=gnu11 -g3 -DDEBUG -DSTM32L031xx
2022-12-13 06:07:18
各位大神，有没有经典的MOSFET，所给的说明书里，能提供衬底掺杂浓度这样的信息？ 小弟毕设要用到这些参数，奈何市面上很多都没有这个信息。特发此贴，求大神解答、谢！{:1:}
2014-04-19 22:38:47
提供了详尽的文档资料，包括技术规格、硬件设计指南、开发指南等。这些文档为开发者提供了必要的技术支持和参考资料，有助于更深入地了解NBK-RD8x3x的功能和使用方法。
总结
综上所述，新定义mcu
2023-09-24 22:11:00
MOSFET技术的过程中，以往常见以QG和QGD(即RDS(on)×QG和RDS(on)×QGD)为基础的因子(FOM)已无法满足需求，若坚持采用固定因子，将可能导致技术选择无法达成优化。通过此次分析的启示
2019-07-04 06:22:42
。MOSFET数据表的第二部分提供器件的电气特性。每个参数被定义为一组特定的测试条件，并显示器件的典型值、最小值和最大值。数据表的第三部分包含一组典型的性能曲线，描绘器件在多种条件下包括电压、电流
2018-10-18 09:13:03
`功率Mosfet参数介绍V(BR)DSS（有时候叫做BVDSS）是指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
单片机中宏定义与重新定义数据类型（typedef）区别，并且各自的优势（初学单片机）eg:#define SKY unsigned chartypedef unsigned char SKY
2012-08-27 20:21:25
在AD14中如何在重新定义板子形状时画出圆形的板子，求高手解答
2015-08-17 10:36:16
` 功率MOSFET具有开关速度快，导通电阻小等优点，因此在开关电源，马达控制等电子系统中的应用越来越广。通常在实际的设计过程中，电子工程师对其的驱动电路以及驱动电路的参数调整并不是十分关注
2011-09-27 11:25:34
确地控制阈值电压和栅极电阻分布提供了许多优势。有几个这种性质的设备参数，其中参数的绝对值不如观察到的参数变化宽度重要。对这些分布进行更严格的控制将使设计人员能够灵活地在系统设计中做出权衡，根据特定
2023-02-27 10:02:15
51单片机里有引脚重新定义命令***it如：***it LED_G = P1^6 ;在pic里头要把RA0定义为LED_G呢，请教大侠什么实现：***it LED_G = RA0； 编译提示错误的
2013-11-18 17:34:03
■记者：胥京宇爱特梅尔公司推出结合了 USB 控制器和高性能模拟功能的全新AVR微控制器产品，型号为 ATmega16UA 和 ATmega32U4。虽然电池供电设备能够通过USB连接进行充电，然而
2019-06-27 07:20:29
更优的雪崩耐量，提高了器件应用中的可靠性。同时，采用自主创新先进的多层外延技术，优化了器件开关特性，使其在系统应用中具有更好的表现，为系统设计提供更多选择。 安森德SJ MOSFET优势 效率高
2023-06-13 16:30:37
请教大神怎样去重新定义 _write函数呢？
2021-12-01 07:55:36
请问AD21版本如何重新定义板子形状？
2022-02-07 09:15:27
图取自NXP / Nexperia发布的本应用笔记。结论本文回顾了在器件选择中起着重要作用的低频MOSFET特性。在下一篇文章中，我们将研究动态参数，由于它经常使用FET代替线性控制器作为开关模式控制器（例如，在开关稳压器，LED调光器，音频放大器中使用），因此动态参数在当今尤为重要。
2019-10-25 09:40:30
传感器参数来优化实时控制系统的数据捕获提供了三个技巧。您可能需要监控电机的位置和转速、调节电动汽车(EV)充电站的输出功率，甚至需要测量车辆与其前方停车间的极近距离。无论什么应用，对于闭环系统的安全
2022-11-03 07:33:52
和编译器并使其工作。他们的最终产品不是芯片。而是系统，他们需要能有效地解决他们的问题的东西。你提供的是一种尺寸缩减的带有大量功能和选项的器件，所以你需要满足每个人的需求，从最高级的用户到开发一次性产品
2018-01-10 15:45:47
Diodes推出为VoIP应用优化的全新MOSFET
Diodes公司推出两款N沟道MOSFET，为网络电话 (VoIP) 通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案，极大地降低了电路的复杂性
2009-12-03 09:50:37764 Diodes针对VoIP应用优化的全新MOSFET，可极大降低成本
Diodes公司推出两款N沟道MOSFET，为网络电话 (VoIP) 通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案，极大地降低了电路
2009-12-04 08:33:09626 飞兆UniFET II MOSFET优化消费产品功率转换器
2011-02-09 10:53:02936 2015年2月4日，北京讯。日前，德州仪器 （TI） 宣布推出了四款全新SIMPLE SWITCHER® 超小型电源模块。这几款模块重新定义了应用于较小空间的电源设计。
2015-02-04 11:06:321266 通过高压创新重新定义电源管理，感兴趣的可以瞧一瞧。
2016-11-16 15:22:12
1 ？MultiTasking Once More（重新定义多任务），表明360手机N5将会在多任务处理上，进行更多的改进和优化，360手机觉得要通过“重新定义多任务管理”，令用户的体验更加出彩。
2017-02-20 16:49:142070 中国北京2017年6月6日讯 – 全球领先的测量解决方案提供商——泰克科技公司再次突破创新障碍，基于全新平台推出5系列混合信号示波器（MSO）。为了更好地满足现代电子设计挑战，5系列MSO融入大量
2017-06-06 17:43:261146 智能家居新定义有两个变化：增加了人工智能技术、明确了营造个性化的智慧健康场景这一功能需求。
2018-08-08 16:41:34668 3月12日，TCL 2019春季发布会在上海1933老场坊拉开帷幕，梦想之家T-HOME第四个成员TCL X10洗衣机全球耀世发布，3月14日X10洗衣机亮相2019AWE，惊艳四座，引发重磅关注。X10洗衣机打破传统洗衣概念，将免污带入洗衣行业，全新定义洗衣机，走向高端家电市场。
2019-03-25 13:46:011399 有一个共同的用户界面所有的工具在你的设计过程听起来像一个好主意,但是你会使用Microsoft®Excel写一本书吗?更好的方法是优化的用户界面手头的任务。垫提供特定于任务的用户界面,这样你可以尽可能高效地交付高质量的产品。
2019-10-10 07:02:002918 总部位于荷兰的分立和 MOSFET 器件及模拟与逻辑 IC领域的专家Nexperia公司今日推出一款全新高质量、高可靠性的MJD 3 A 和 8 A 功率汽车双极晶体管（符合 AEC-Q101 标准
2019-12-03 09:32:352721 半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品。
2020-05-09 11:07:263164 ，部分供应商和制造商。 嵌入式世界今天，PCB设计软件的全球领导者altium宣布推出新的基于云的应用程序，该应用程序重新定义了设计师之间共享印刷电路板设计的方式，部分供应商和制造商。！ 由Altium 365云平台提供支持的A365 Viewer是一种全新的创新方式，
2020-10-27 09:57:461558 本应用笔记介绍了IXYS功率MOSFET数据表中使用的参数定义。本文档介绍了基本额定值和特性，例如温度，能量，机械数据以及电流和电压额定值。它还简要介绍了数据手册中包含的图形以及功率MOSFET
2021-05-26 14:52:161508 
高通5G芯片在5G领域占据着重要地位，每一款高通5G芯片都成为市场关注的焦点。第三代高通5G芯片骁龙888，采用了全新半导体制程、全新处理器架构的高通5G芯片重新定义了“旗舰机型”性能和体验，一经推出，便热度不断。
2020-12-21 14:43:501996 Alitum中如何将原有默认的板框删除或重新定义板框
2020-12-24 09:25:390 等……诸多苹果造车的信息引发股市、车企、ICT产业的广泛关注。苹果重新定义了智能手机，现在苹果要造车，会重新定义汽车吗？苹果会颠覆谁？又会给未来车的世界带来怎样的变革？
2020-12-29 09:26:201901 重新定义ADC在无线领域的角色
2021-05-26 16:23:081 搜芯易今天宣布，它从知名半导体企业Nexperia获得原厂正式授权代理，可在全球范围内销售Nexperia产品。通过互利共赢的战略合作伙伴关系，Sourceability与Nexperia在全新的全球分销协议框架下，进一步增强了搜芯易在满足采购用户需求与提供高质量零件的能力，同时还扩大对元器件市场的洞
2021-07-06 16:10:40279 AD pcb设计规则检查报错Silk To Solder Mask Clearance Constraint问题：新版本没有“重新定义板子形状”解决软件版本Altium Designer
2021-12-04 16:51:050 Nexperia今天宣布，其位于德州达拉斯的全新设计中心正式启动。值此成为独立实体五周年之际，这一举措标志Nexperia朝着2030年成为全球基础半导体领军企业的既定目标又迈出了重要的一步。
2022-03-25 09:13:241015 
基本半导体专家Nexperia今天宣布为其 MOSFET 器件发布新的增强型电热模型。半导体制造商通常会为其 MOSFET 提供仿真模型，但这些模型通常只包含在典型工作温度下建模的有限数量的器件参数
2022-03-28 09:56:054259 Nexperia全新POWER MOSFET工程师设计指南 认识理解功率 MOSFET 数据手册中的参数 功率 MOSFET 单次和重复雪崩强度限值 RC 热阻模型的使用 基于 LFPAK 封装的 MOSFET 热设
2022-04-07 11:40:220 扬杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET产品，采用先进的SGT （Shield Gate Trench MOSFET） 制程工艺，针对电机驱动、BMS等应用设计，优化BVdss、Rdson、Qg等参数性能同时，提升MOSFET抗冲击电流能力。
2022-04-08 15:01:341688 
超小DFN封装的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已经提供采用该封装的ESD保护器件，如今更进一步，Nexperia成功地将该封装技术运用到MOSFET产品
2022-07-06 16:13:22586 
基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)今日宣布MOSFET器件推出全新增强型电热模型。半导体制造商通常会为MOSFET提供仿真模型，但一般仅限于在典型工作温度下建模的少量器件参数。Nexperia的全新先进模型可捕获-55℃至175℃的整个工作温度范围的一系列完整器件参数。
2022-09-21 00:08:34704 TI全新Sitara™︎ AM2x系列重新定义MCU，处理能力相比现有器件提高10倍
2022-10-28 12:00:090 通过高压创新 重新定义电源管理
2022-11-02 08:16:230 全面优化12V热插拔和软启动应用中控制浪涌电流的RDS(on)和SOA 奈梅亨， 2022 年 11 月 18 日： 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其适用于热插拔
2022-11-18 10:32:58399 
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布扩展其适用于热插拔和软启动的 ASFET 产品组合，推出 10 款全面优化的 25V 和 30V 器件。新款器件将业内领先
2022-11-21 16:11:38646 重新定义零售体验——RF技术的四大机遇
2022-12-26 10:16:19692 
使用 OptiMOS™ 6 MOSFET 优化电源设计
2022-12-29 10:02:53785 
边缘计算如何重新定义 IIoT 应用程序
2023-01-03 09:45:08455 
针对空间非常紧凑的功率MOSFET应用而言，3x3封装是理想的尺寸。因此，在Nexperia的MOSFET产品序列中，采用了非常可靠的高性能LFPAK33封装。Nexperia开发了MLPAK33，它是一款功率MOSFET封装，与业界闻名的DFN3333封装保持管脚兼容性，提供给客户另外一个选项。
2023-02-08 09:18:00243 、可靠的线性模式性能、增强保护或EMI特性等。突然之间，一系列全新的MOSFET参数（例如安全工作区域(SOA)）已经成为某个特定应用的关键参数。而优化这些参数通常会对历来很重要的参数产生直接负面影响。
2023-02-08 09:22:39590 用于功率 MOSFET 的 SPICE 和 VHDL-AMS 中的 Nexperia 精密电热模型-AN90034
2023-02-09 21:43:380 MOSFET 和 GaN FET 应用手册-Nexperia_document_bo...
2023-02-17 19:13:1625 NEXPERIA LFPAK 功率 MOSFET 中的最大连续电流-AN90016
2023-02-17 19:38:100 Nexperia（安世半导体）的高功率氮化镓场效应晶体管，共将分为（上）（下）两期，包含其工艺、性能优势、产品及封装等
内容。本期将先介绍 Nexperia（安世半导体）氮化镓产品的成熟的工艺
2023-02-22 15:40:430 超重载AGV领域全新一代单只载荷20T“神兽级”舵轮-让凤凰动力重新定义“精工制造”
2023-03-03 14:23:40970 
【工业实践干货分享】AI2.0时代，工业视觉正被重新定义
2023-04-12 13:40:11876 
Nexperia | 推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合 基础半导体器件领域的专家 Nexperia（安世半导体）推出了用于自动化安全气囊应用的专用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 重新定义连接-物联网卡流量池解决方案
2023-09-22 10:11:16272 Nexperia ASFET 是定制器件。经过优化，可用于特定的设计和 IU。通过专注于对某一应用至关重要的特定参数，它提供全新性能水平，从而最好地满足系统要求。
2023-11-02 16:07:45292 
) MOSFET分立产品。Nexperia和三菱电机都是各自行业领域的领军企业，双方联手开发，将促进SiC宽禁带半导体的能效和性能提升至新高度，同时满足对高效分立式功率半导体快速增长的需求。 三菱电机的功率半导体产品有助于客户在汽车、家用电器、工业设备和牵引电机等众多领域实现大幅节
2023-11-14 10:06:00101 
电子发烧友网站提供《ADC中的集成式容性PGA:重新定义性能.pdf》资料免费下载
2023-11-22 10:40:390 Nexperia 适用于 36V 电池系统的特定应用 MOSFET
2023-11-30 11:47:40251 
电子发烧友网站提供《Nexperia NEH2000BY 能量采集 PMIC产品手册.pdf》资料免费下载
2024-01-08 16:57:380 全球基础半导体器件领域的领军企业Nexperia（安世半导体）最近发布了全新的专用于监测和保护1.8V电子系统的4通道和8通道模拟开关系列产品。这一创新系列产品的推出，旨在满足汽车、消费类电子产品及工业应用等多样化领域对高性能模拟开关的需求。
2024-03-11 10:08:3582
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