空间，有助于满足下一代智能电动汽车的应用需求。Nexperia的所有产品系列都符合AEC-Q101标准，包括： · 采用DFN1110D-3封装的BC817QBH-Q和BC807QBH-Q系列
2022-04-27 18:08:53
4050 
V、13 mOhm导通内阻、逻辑控制电平MOSFET，应用于LFPAK33封装。ASFET是专门为用于某一应用而设计并优化的MOSFET。此产品组合是Nexperia为电池隔离、电机控制、热插拔和以太网
2022-05-12 10:20:495112 
恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)（纳斯达克代码：NXPI）近日发布了LFPAK56D产品组合——多款双通道Power-SO8 MOSFET
2012-09-26 11:31:261945 
恩智浦半导体近日推出54款符合汽车工业标准并采用LFPAK56封装的全新MOSFET——是目前市场上最全的Power-SO8 MOSFET产品组合。恩智浦的LFPAK56 MOSFET具有业界领先的性能和可靠性，与DPAK相比还可节省超过55%的尺寸面积，从而能大幅降低总成本。
2013-03-08 12:41:542960 业内最受欢迎的适用于AEC-Q101高温应用的BAS16 / 21二极管和BC807 / 817晶体管。
2019-07-07 10:33:18852 Nexperia公司今日推出一款全新高质量、高可靠性 的MJD 3 A 和 8 A 功率汽车双极晶体管（符合 AEC-Q101 标准以及消费者/工业标准）。
2019-12-02 15:45:441579 安世半导体推出采用LFPAK56封装的0.57 mΩ产品,籍此扩展市场领先的低RDS(on) MO,同时优化了安全工作区、漏极电流和栅极电荷。
2020-02-26 08:17:001690 LFPAK封装采用铜夹片结构，由Nexperia率先应用，已在汽车等要求严格的应用领域中使用近20年。
2020-05-08 09:02:451216 Nexperia今日宣布推出全系列低电流稳压器二极管。50µA齐纳二极管系列提供3种不同的表贴（SMD）封装选项，采用超小型分立式扁平无引脚（DFN）封装以及符合AEC-Q101标准的器件。
2022-01-27 10:40:402669 
80/100 V MOSFET产品组合的封装系列。此前该产品组合仅提供LFPAK56E封装，而现在新增了LFPAK56和LFPAK88封装设计。这些器件具备高效率和低尖峰特性，适用于通信、服务器
2023-06-21 09:21:57596 
`NPN中功率晶体管系列，采用表面贴装器件（SMD）塑料封装，具有大电流，高功耗，出色的导热性和导电性等优势。n具有中等功率能力的无铅超小型SMD塑料封装（SOT1061）。符合AEC-Q101
2020-03-11 17:20:01
`Nexperia汽车用MOSFET包括一系列符合AEC-Q101标准的器件，符合汽车行业制定的严格标准。这些Nexperia汽车器件设计用于比家用和便携式应用中使用的功率MOSFET更恶劣
2021-01-23 11:20:27
MIL-STD-750-1 M1038 Method A标准，60 V 器件的行业标准是在 175°C和80%的漏源电压额定值（48 V）下工作 1,000 小时。广泛的 MOSFET 产品选择Nexperia 放电
2022-10-28 16:18:03
Bourns CDSOT23-T24CAN-Q CANbus保护器是符合AEC-Q101标准的浪涌保护器，适用于汽车应用的CAN接口。CDSOT23-T24CAN-Q采用SOT23-3封装，设有双路
2021-01-27 10:11:12
本帖最后由 yy5230 于 2023-12-29 12:02 编辑
AGM Micro发布兼容STM32的MCU产品系列，推出具有低延迟高灵活性的功能模块MCU产品系列。AGM的FPGA
2023-12-29 10:52:29
的NPN和PNP晶体管系列，符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。 SOT23封装尺寸适用于卷轴。推荐产品：MMBT3904T-7-F；MMBT3906-7-F；MMBT3904-7-FDiodes其它
2019-08-17 09:43:27
解决方案更高的功率密度和更高的效率。无铅RoHS封装新增PowerTrench器件，丰富了FAI中等电压范围MOSFET产品阵容，作为齐全的PowerTrenchMOSFET产品系列的一部分，它能够满足
2012-04-28 10:21:32
40%,也减少50%的封装面积，为汽车应用提供更小的系统尺寸和成本。 AUIRF8736M2符合AEC-Q101标准，是在IR要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的，采用不含铅的环保封装，并符合
2018-09-28 15:57:04
RGSXXTS65DHR系列绝缘栅双极型晶体管的开关特性参数RGSXXTS65DHR系列绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的特点：·低集电极 - 发射极饱和压降·短路耐受时间为8μs·符合AEC-Q101标准·内置
2019-04-09 06:20:10
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
），AEC-Q101，AEC-Q200为最常见。其中AEC-Q100是AEC的第一个标准，AEC-Q100于1994年6月首次发表，现经过了十多年的发展，AEC-Q100已经成为汽车电子系统的通用标准。对于车
2019-07-18 13:19:45
AEC-Q101认证的车规级TVS管SM8ZXXA/CA系列，产品系列齐全，以满足不同标准要求的客户需求。特性：[size=14.0000pt]1、高可靠性、符合汽车标准AEC-Q101认证；[size
2019-03-28 10:45:32
，开关损耗降低了24%符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101在降低应用产品的功耗方面具有非常高的性价比ROHM官网免费提供应用指南和SPICE模型等丰富的设计数据TO-247N封装（TO-263L表贴型
2022-07-27 10:27:04
在为汽车应用选择组件时，您可能会发现自己问“我的汽车产品中使用的每个组件都需要AEC-Q200认证吗？”。答案是不”。AEC-Q200是抗应力的全球标准，如果这些组件将用于汽车应用，所有无源电子元件
2018-10-24 14:32:13
要进入车辆领域，打入各一级(Tier1)车电大厂供应链，必须取得两张门票，第一张是由北美汽车产业所推的AEC-Q100(集成电路IC)、AEC-Q101(离散组件)、AEC-Q102(离散光电LED
2018-11-20 15:47:25
MC33662 LIN 收发器是否符合 AEC-Q100 标准？如果是AEC-Q100 qulified，我可以在哪个文件上找到它的描述？ 数据表上没有明确说明。
2023-03-24 06:43:23
)、AEC-Q101(离散组件)、AEC-Q102(离散光电LED)、AEC-Q104(多芯片组件)、AEC-Q200(被动组件)可靠性标准；第二张门票，则要符合零失效(Zero Defect)的供应链质量管理
2018-08-27 14:47:58
)、AEC-Q101(离散组件)、AEC-Q102(离散光电LED)、AEC-Q104(多芯片组件)、AEC-Q200(被动组件)可靠性标准；第二张门票，则要符合零失效(Zero Defect)的供应链质量管理
2018-09-06 17:05:17
/SMBJ/SMCJ/SMDJ/5.0SMDJ系列，防护产品系列齐全，以满足高标准的客户需求.产品特性：1. 高可靠性、符合汽车标准AEC-Q101认证；2. 符合ISO 7637-2-5a抛负载测试
2018-07-30 09:27:08
近日，重庆平伟实业股份有限公司肖特基二极管、二极管两项产品经华碧实验室检测顺利通过AEC-Q101认证，此次通过该车规可靠性认证，标志着重庆平伟实业的二极管产品质量迈入了国际领先水平，为该公司在汽车
2022-12-08 15:25:00
泰科电子扩展ESD保护产品系列，推出业界最小的0201封装
泰科电子今日宣布其防静电（ESD）保护器件产品线上再添三款新品。其中0201尺寸的硅基ESD（
2009-09-21 08:10:59883 泰科电子扩展ESD保护产品系列，推出业界最小的0201封装
泰科电子今日宣布其防静电（ESD）保护器件产品线上再添三款新品。其中0201尺寸的硅基ESD（SESD）器件比上一代0
2009-11-04 16:50:00494 恩智浦推出符合汽车工业标准的功率MOSFET系列产品
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）近日成为首个发布以LFPAK为封装（一种紧凑型热增强无损耗的封装
2010-04-24 10:49:08860 超紧凑薄型封装的MicroFET MOSFET产品系列
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为满足便携产品设计人员不断寻求效率更高、外形更小更薄的解决方案的
2010-05-11 17:55:27738 宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 12 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出通过AEC-Q101认证
2013-12-13 15:07:13843 Vishay宣布，推出业内首批通过AEC-Q101认证的采用双片不对称功率封装的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，可在汽车应用的高效同步降压
2016-07-11 14:33:171004 现已符合AEC-Q101资格，证明这些电子组件符合用于汽车市场的主要标准。美高森美的DQ二极管取得AEC-Q101资格，意味着汽车原始设备制造商（OEM）以及一级和其他供应商能够在各种车载应用中使用这款产品。
2017-06-19 10:20:29742 Littelfuse， Inc.，作为全球电路保护领域的领先企业，宣布新推符合AEC-Q101标准的瞬态抑制二极管阵列系列，该系列产品经过优化，可保护敏感的电信端口免因静电放电 （ESD） 和雷击
2018-05-03 17:59:00748 Littelfuse公司，近日宣布推出两个符合AEC-Q101标准的瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管）系列。 AQHV和AQHV-C系列旨在提供特快熔断、高性能过电压保护器件，最适合用于电源接口、乘客充电接口以及LED照明模块和低速I/O。
2018-05-09 17:15:001065 本文档的主要内容详细介绍的是AEC-Q101基于离散半导体元件应力测试认证的失效机理中文标准规范。
2018-10-25 08:00:00
38 最新推出的产品将该系列的击穿电压范围分别从7.5V提升至550V（单向设备）以及从10V提升至650V（双向设备）。 这些符合AEC-Q101标准的瞬态抑制二极管可提供600W的脉冲峰值功率耗损
2018-11-19 14:54:583945 Nexperia，分立器件、逻辑器件和MOSFET器件的全球领导者，21日推出其恒流LED驱动器系列，该系列增加了8个符合AEC－Q101标准的新器件，可驱动电流高达250mA的低功率和中功率LED
2019-03-25 13:50:201931 ROHM新推出四款支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※1）的1200V耐压IGBT“RGS系列”产品。
2019-05-13 18:30:571418 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）新推出四款支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※1）的1200V耐压IGBT“RGS系列”产品。
2019-05-29 15:15:504944 AECQ101主要对汽车分立器件，元器件标准规范要求，AECQ101认证将会是汽车级半导体企业的首选。AEC-Q101认证包含了离散半导体元件（如晶体管，二极管等）最低应力测试要求的定义和参考测试条件，目的是要确定一种器件在应用中能够通过应力测试以及被认为能够提供某种级别的品质和可靠性。
2021-05-20 11:50:385085 总部位于荷兰的分立和 MOSFET 器件及模拟与逻辑 IC领域的专家Nexperia公司今日推出一款全新高质量、高可靠性的MJD 3 A 和 8 A 功率汽车双极晶体管（符合 AEC-Q101 标准
2019-12-03 09:32:352721 的汽车咨询公司在技术演示器中采用Nexperia已获AEC-Q101认证的GaN FET器件
2020-02-25 17:34:13883 半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品。
2020-05-09 11:07:263164 6月23日，半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出面向汽车应用领域符合AEC-Q101的业界最宽广的分立半导体产品组合，该系列器件采用了具有高热效率、节省空间、兼容
2020-06-29 15:09:052666 Nexperia推出符合AEC-Q101标准的无引脚CAN-FD保护二极管，具有行业领先的ESD性能兼容AOI，出色的RF性能。
2020-12-02 14:51:09652 基本半导体专家Nexperia近日宣布推出全系列的低电流稳压二极管。50 µA 齐纳二极管系列提供三种不同的表面贴装 （SMD） 封装选项、超小型分立扁平无引线 （DFN） 封装和符合 AEC-Q101 标准的部件，为客户提供终极选择和灵活性。
2022-03-28 11:17:522448 Nexperia 今天宣布推出其快速扩展的铜夹片FlatPower (CFP)封装二极管系列的最新产品，主要应用于工业和汽车领域。此最新产品含有32个平面肖特基二极管以及8个超快 速 恢复整流二极管，均封装
2022-10-12 09:26:07254 
此最新产品含有 32 个平面肖特基二极管以及 8 个超快恢复整流二极管，均封装在 CFP15B 中。包含通用型号和符合 AEC-Q101 车规标准的带 Q 的器件。
2022-10-13 11:25:43375 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 40 V、6.8 mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN6R8-40HS
2023-02-07 20:31:400 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 100 V、31 mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN033-100HL
2023-02-08 19:06:410 LFPAK56D 中的 N 沟道 60 V、12.5 mOhm、逻辑电平 MOSFET，使用针对重复雪崩增强的 TrenchMOS 技术-PSMN012-60HL
2023-02-08 19:06:510 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 60 V、12.5 mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN013-60HL
2023-02-08 19:07:050 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 60 V、11.5 mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN011-60HL
2023-02-08 19:07:250 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 40 V、7.2 mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN6R1-40HL
2023-02-08 19:07:440 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 40 V、9.4 mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN8R0-40HL
2023-02-08 19:08:000 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 60 V、14 mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN014-60HS
2023-02-08 19:10:200 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 60 V、10 mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN013-60HS
2023-02-08 19:10:330 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 60 V、9.3 mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN9R3-60HS
2023-02-08 19:10:460 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 100 V、45 mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN045-100HL
2023-02-08 19:11:020 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 100 V、29 mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN029-100HL
2023-02-08 19:11:190 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 100 V、37.6 mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN038-100HS
2023-02-08 19:11:300 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 100 V、27.5 mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN028-100HS
2023-02-08 19:11:450 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 100 V、24.5 mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN025-100HS
2023-02-08 19:11:590 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 40 V、8.5 mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN8R5-40HS
2023-02-08 19:12:120 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 40 V、13.6 mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN014-40HLD
2023-02-08 19:12:260 双 N 沟道 40 V、4.2 mOhm 标准电平 MOSFET，采用 LFPAK56D（半桥配置）-BUK7V4R2-40H
2023-02-08 19:27:160 ROHM新开发的“RGS系列”是满足汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的1200V耐压IGBT。此次推出的4款型号，传导损耗非常低，非常有助于应用的小型化与高效化。
2023-02-09 10:19:23456 
ROHM面向xEV车载充电器和DC/DC转换器，又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET，该系列产品“支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101”，而且共有13款型号，拥有业界丰富的产品阵容。
2023-02-09 10:19:24564 
双 N 沟道 40 V、13 mOhm 标准电平 MOSFET，采用 LFPAK56D（半桥配置）-PSMN013-40VLD
2023-02-15 19:52:550 双 N 沟道 40 V、4.2 mOhm 标准电平 MOSFET，采用 LFPAK56D（半桥配置）-PSMN4R2-40VSH
2023-02-15 19:53:060 LFPAK56D 中的双 N 沟道 40 V、13 mOhm 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9K13-40H
2023-02-16 21:23:330 LFPAK56D（半桥配置）中的双 N 沟道 40 V、13 mOhm 逻辑电平 MOSFET-BUK9V13-40H
2023-02-16 21:23:500 采用重复雪崩技术的 LFPAK56D 中的双 N 沟道 60 V、35 mOhm 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9K35-60RA
2023-02-17 19:06:540 采用重复雪崩技术的 LFPAK56D 中的双 N 沟道 60 V、55 mOhm 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9K52-60RA
2023-02-17 19:07:050 采用重复雪崩技术的 LFPAK56D 中的双 N 沟道 40 V、29 mOhm 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9K25-40RA
2023-02-17 19:07:210 采用重复雪崩技术的 LFPAK56D 中的双 N 沟道 60 V、12.5 mOhm 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9K13-60RA
2023-02-17 19:07:320 NEXPERIA LFPAK 功率 MOSFET 中的最大连续电流-AN90016
2023-02-17 19:38:100 白皮书：GaN FET 技术和 AEC-Q101 认证所需的稳健性 – 中文（650 V GaN FET 技术可提供出色效率，以及 AEC-Q101 认证所需的耐久性）-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:53:032 白皮书：GaN FET 技术和 AEC-Q101 认证所需的稳健性-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 20:08:503 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、19 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y19-100E
2023-02-21 19:41:370 ℃ AEC-Q101认证对象： 晶体管：BJT、MOSFET、IGBT、二极管、Diodes、Rectifier、Zeners、PIN、Varactors 光器件：LEDs、Optocoupler
2023-05-16 15:17:01736 
Nexperia（安世半导体）宣布扩展其备受赞誉的汽车以太网 ESD 保护器件产品组合。3 款全新 ESD 保护器件符合 AEC-Q101 标准以及 IEEE 100BASE-T1
2023-05-29 10:33:19364 Nexperia | 推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合 基础半导体器件领域的专家 Nexperia（安世半导体）推出了用于自动化安全气囊应用的专用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 Semiware推出符合AEC-Q101认证的车规级TVS管TPSMAJ/SMBJ/SMCJ/SMDJ/5.0SMDJ系列，防护产品系列齐全，以满足高标准的客户需求.
2021-12-08 11:41:13450 
3月11日，国际独立第三方检测检验和认证机构德国莱茵TV（以下简称“TV莱茵”）向上海陆芯电子科技有限公司（以下简称“上海陆芯”）的第三代IGBT产品颁发了AEC-Q101认证证书。这是上海陆芯汽车
2022-06-21 09:18:39887 
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布扩充 NextPower 80/100 V MOSFET 产品组合的封装系列。此前该产品组合仅提供 LFPAK56E 封装
2023-06-21 10:34:32562 AEC-Q101标准之TC解读TC(TemperatureCycling)高温循环测试意义在于证实极高温度，极低温度和高温与低温交替作用时，机械应力对于器件焊接性能的作用，标准AEC-Q101
2023-08-30 08:27:50567 
安建半导体40V SGT MOSFET产品已经通过AEC-Q101车规认证的全部测试。
2023-09-06 17:48:45474 电子发烧友网站提供《MOSFET符合AEC-Q101标准 采用小型有引脚和无引脚DFN的SMD封装.pdf》资料免费下载
2023-09-26 15:36:081 继1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件获AEC-Q101车规级认证后，近日，国星光电开发的1200V/80mΩ SiC-MOSFET（碳化硅-场效应管）器件也成功获得了
2023-10-24 15:52:32606 继1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件获AEC-Q101车规级认证后
2023-10-25 18:28:10422 
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日推出符合 AEC-Q101 标准的产品组合
2023-12-24 09:32:02490 电子发烧友网站提供《双N沟道40 V，13 mOhm逻辑电平MOSFET LFPAK56D（半桥配置）产品数据表.pdf》资料免费下载
2024-01-03 14:31:020 瞻芯电子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET产品，这些产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified），还具备业界领先的低损耗水平。这些新型MOSFET的推出，标志着瞻芯电子在半导体技术领域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279
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