美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技术的全新1200 V肖特基二极管系列
2012-11-22 14:09:06
1450 碳化硅二极管是单极器件，因此与传统的硅快速恢复二极管(硅FRD)相比，碳化硅二极管具有理想的反向恢复特性。当器件从正向切换到反向阻断方向时，几乎没有反向恢复功率，反向恢复时间小于20ns，甚至600V10A碳化硅二极管的反向恢复时间也小于10ns。
2023-02-08 17:23:233979 
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42:49
极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料，SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点，SiC
2019-10-24 14:25:15
电压或高温条件的器件非常有利。在高频、高温、高功率及恶劣环境下，仍具有更优越的开关性能以及更小的结温和结温波动。 碳化硅二极管广泛应用于开关电源、功率因素校正（PFC）电路、不间断电源（UPS）、光伏
2020-09-24 16:22:14
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
二极管的Vf特性，。Vgs为0V即MOSFET在关断状态下，没有通道电流，因此该条件下的Vd-Id特性可以说是体二极管的Vf-If特性。如“何谓碳化硅”中提到的，SiC的带隙更宽，Vf比
2018-11-27 16:40:24
二极管的参数是选用二极管的决定性因素之一，二极管的压降的其中的一种。 二极管在正向导通的时候，流过电流的时候会产生压降。一般情况下，这个压降和正向电流以及温度有关。通常硅二极管，电流越大，压降越大。温度越高，压降越小。但是碳化硅二极管却是温度越高，压降越大。二极管规格书下载：
2021-03-22 17:25:26
)碳化硅器件为减少功率器件体积和降低电路损耗作出了重要贡献。 碳化硅的不足是： 碳化硅圆片的价格还较高,其缺陷也多。 三、碳化硅肖特基二极管的特点 上面已谈到硅肖特基二极管反向耐压较低，约
2019-01-11 13:42:03
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电
2023-04-11 15:29:18
应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员！附件是海飞乐技术碳化硅二极管选型表，欢迎大家选购！碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
下降0.5%。PFC拓扑中的高效率也是通过通道而不是体二极管升压来实现的。 工作温度下的导通电阻与硅相当 一个关键的比较参数是导通电阻 RDS（on）。硅 MOSFET 在纸面上看起来比 SiC 更好
2023-02-23 17:11:32
。超硬度的材料包括:金刚石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化钛等。3)高强度。在常温和高温下，碳化硅的机械强度都很高。25℃下，SiC的弹性模量，拉伸强度为1.75公斤/平方厘米，抗压强度为
2019-07-04 04:20:22
第二代碳化硅肖特基二极管-JBS简介 产业界以第一代标准肖特基结构做成的肖特基二极管（SBD）漏电流大，反向耐压低，产品竞争力差，商业应用价值低。为了提升产品竞争力，碳化硅肖特基二极管的结构也从标准
2023-02-28 16:55:45
，能够有效降低产品成本、体积及重量。 碳化硅具有载流子饱和速度高和热导率大的特点，应用开关频率可达到1MHz，在高频应用中优势明显，其中碳化硅肖特基二极管（SiC JBS）耐压可以达到6000V以上
2023-02-28 16:34:16
阻。尽管普通二极管的“惯性”较大，但是在超过200V的工作电压场合，普通的PIN二极管占主导地位。 源于硅基的肖特基二极管，近年来开发出来新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二极管用于一些效率很关键的电力
2019-01-02 13:57:40
能对升压二极管起保护作用。我的观点是：1：PFC续流二极管碳化硅的应用.2：雷击浪涌实验而需要加旁路二极管。具体原因我在附件里面已经描述了。
2021-01-28 14:10:17
，有助于满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。
二、 SiC的性能优势
1、SiC SBD可将耐压提高到3.3kV，极大扩展了SBD的应用范围
肖特基二极管
2023-10-07 10:12:26
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
是1000V。FR106,FR107300ns快速恢复二极管FR101-FR105150nsSR260肖特基二极管 10ns左右反向恢复时间短，特别适用于高频电路。二、碳化硅二极管碳化硅是一种新材料，几乎不
2023-02-15 14:24:47
应用领域，SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。安森美半导体
2018-10-29 08:51:19
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2020-07-30 07:14:58
大功率适配器为了减小对电网的干扰，都会采用PFC电路、使用氮化镓的充电器，基本也离不开碳化硅二极管，第三代半导体材料几乎都是同时出现，强强联手避免短板。创能动力推出的碳化硅二极管
2023-02-22 15:27:51
硅 IGBT 和二极管与多电平配置等新拓扑相结合，可提供最佳的性价比。混合碳化硅结合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基续流二极管，也是一个不错的选择，与纯硅解决方案相比，可将功率损耗降低多达50
2023-02-20 16:29:54
混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）。基本半导体的碳化硅肖特基二极管采用的主要是碳化硅 JBS工艺技术，与硅 FRD对比的主要优点有： 图9 二极管反向恢复
2023-02-28 16:48:24
ROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基势垒二极管）。2010年在日本国内率先开始SiC SBD的量产，目前正在扩充第二代SIC-SBD产品阵容，并推动在
2018-12-04 10:26:52
MOSFET之所以有如此的大吸引力，在于与它们具有比硅器件更出众的可靠性，在持续使用内部体二极管的连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）设计，例如图腾功率因数校正器的硬开关拓扑中，碳化硅
2023-03-14 14:05:02
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2019-07-25 07:51:59
》 Gen3 02 电源效率对比 碳化硅肖特基二极管应用在1500W电源的PFC电路中（位置如下图）。 测试条件： 输入电压 100V、220V 输出电压 48V 输出电流30A 图（3
2023-02-28 17:13:35
）SiC器件可以减少功率器件的体积和电路损耗。4.3 碳化硅肖特基二极管的应用SiC肖特基二极管可广泛应用于开关电源、功率因数校正（PFC）电路、不间断电源（UPS）、光伏逆变器等中高功率领域，可显著降低
2023-02-07 15:59:32
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
碳化硅（SiC）等宽带隙技术为功率转换器设计人员开辟了一系列新的可能性。与现有的IGBT器件相比，SiC显著降低了导通和关断损耗，并改善了导通和二极管损耗。对其开关特性的仔细分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管。功率二极管包括结势垒肖特基（JBS）二极管
2023-02-20 15:15:50
C6D06065G为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案
2022-05-29 19:36:12
C3D06065E为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案
2022-05-29 19:45:27
在高频PFC Boost变换器中，一种CoolMOS和碳化硅(SiC)二极管配合使用的方法已成为研究热点。这里，以400kHz 500W PFC变换器为例，对其方法进行了研究；针对变换器低压输入时效率下降的情况
2011-05-23 16:37:48
42 碳化硅(SiC)功率器件的市场领先者科锐公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出全新系列封装型二极管。在现有碳化硅肖特基二极管技术条件下，该系列二极管可提供业界最高的阻断电压。
2012-02-07 15:40:401701 推动高能效创新的安森美半导体推出最新650 V碳化硅（SiC）肖特基二极管系列产品，扩展了SiC二极管产品组合。
2018-03-01 13:14:179301 2018年6月5日 —推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，发布了碳化硅 (SiC) 肖特基二极管的扩展系列，包括专门用于要求严苛的汽车应用的器件。
2018-06-21 16:08:424497 相比硅二极管，GEN2碳化硅肖特基二极管可显著降低开关损耗，并大幅提高电力电子系统的效率和可靠性。
2018-07-06 15:11:355264 据外媒报道，在今年的纽伦堡PCIM欧洲展会上，英飞凌（Infineon）推出了首款车用碳化硅产品，肖特基（Schottky）二极管，并为其新创了一个品牌名CoolSiC。
2018-09-21 14:36:505349 具有优越的射频信号控制能力，同时也被广泛应用于移相、调制、限幅等电路中。大功率碳化硅二极管由于其优越的耐压特性，被广泛应用在电力领域中，主要用作大功率整流管。PIN二极管具有很高的反向临界击穿电压VB
2018-11-20 15:28:071866 碳化硅MOSFET寄生体二极管具有极小的反向恢复时间trr和反向恢复电荷Qrr。如图所示，同一额定电流900V的器件，碳化硅MOSFET 寄生二极管反向电荷只有同等电压规格硅基MOSFET的5
2019-04-28 15:11:4910932 碳化硅肖特基二极管（SiCSBD）是一种单极型器件，采用结势垒肖特基二极管结构（JBS），因此相比于传统的硅快恢复二极管（SiFRD），碳化硅肖特基二极管具有理想的反向恢复特性。可以有效降低反向漏电
2020-11-17 15:55:056966 碳化硅肖特基二极管的优点 碳化硅SiC的能带间隔为硅的2.8倍（宽禁带），达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍，高达3.2MV/cm.，其导热率是硅的3.3倍，为49w/cm.k
2021-01-13 09:42:412238 领域商用的大门。 图1：SMBF封装碳化硅肖特基二极管 针对PD快充“小轻薄”的特点，碳化硅功率器件领先企业基本半导体在国内率先推出SMBF封装碳化硅肖特基二极管，该产品具有体积小、正向导通压低和抗浪涌能力强等特点，能很好地满足PD快充对器件
2021-04-19 11:37:023697 
当下，随着USB-PD快充技术的普及和氮化镓技术的成熟，大功率快充电源市场逐渐兴起，碳化硅二极管也开始在消费类电源市场中崭露头角，被部分100W大功率氮化镓快充产品选用。 碳化硅（SiC）是第三代宽
2021-08-20 09:23:535371 
二次侧整流二极管通常使用FRD（快速恢复二极管）和SBD（肖特基势垒二极管）等，本文提到的基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D30120HC基本没有开关损耗，而且VF具有正向温度系数，有利于提高车载充电机实际的效率。
2022-07-26 14:43:341889 碳化硅肖特基功率二极管GRS06501AT产品规格书免费下载。
2022-08-31 09:55:104 碳化硅（SiC）是一种高性能的半导体材料，基于SiC的肖特基二极管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性，可以在电力电子技术领域打破硅的极限，成为新能源及电力电子的首选器件。
2023-02-03 13:45:31863 使用PFC电路来修正功率因数。引入功率因数校正，需使用二极管整流。由于目前的PFC电路中大部分使用氮化镓开关管，开关频率达到百kHz级别，传统的快恢复二极管无法满足氮化镓的高开关频率，所以引入碳化硅二极管用于高频PFC整流。
2023-02-03 13:51:591375 高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。 碳化硅基于SiC的肖特基二极管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性，可以在电力电子技术领域打破硅的极限，成为新能源及电力电子的首选器件。 碳
2023-02-05 16:34:592272 碳化硅二极管具有较短的恢复時间、溫度针对电源开关个人行为的危害较小、规范操作温度范畴为-55℃到175℃，那样更平稳，还大幅度降低热管散热器的要求。碳化硅二极管的关键优点取决于它具有极快的电源开关速率且无反向恢复电流量，与硅元器件对比，它可以大幅度降低开关损耗并完成非凡的能耗等级。
2023-02-09 10:05:521325 
碳化硅二极管是用碳化硅为原料制作而成的二极管。碳化硅二极管，号称反向恢复时间为零，是高效PFC boost电路的专用升压二极管。以碳化硅二极管为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视，并在智能
2023-02-10 17:45:173674 碳化硅二极管是一种由碳化硅材料制成的半导体器件，它具有较高的强度、轻量、耐磨性和耐腐蚀性。碳化硅二极管的工作原理是，当电压通过碳化硅二极管时，电子会从N极流向P极，从而产生电流。碳化硅二极管可以用于汽车电子控制系统，以及其他电子设备中，用于控制电流和电压。
2023-02-15 15:13:421713 碳化硅二极管是一种由碳化硅材料制成的半导体器件，它具有较高的强度、轻量、耐磨性和耐腐蚀性。
2023-02-15 15:21:401513 碳化硅二极管是一种由碳化硅材料制成的二极管，具有良好的耐腐蚀性、耐磨性、抗拉强度和抗压强度等特性，可以用于电路中的放大、检测、控制等功能。
2023-02-16 14:40:561939 书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：用于紫外发光二极管的碳化硅上的氮化铝镓编号：JFKJ-21-1173作者：华林科纳 一直在使用碳化硅（碳化硅）衬底生长氮化铝(AlGaN)结构，针对278nm深紫
2023-02-21 09:21:581 我们拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二极管和碳化硅MOSFET展开说明。碳和硅进过化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成为粉末，碳化硅粉末经过碳化硅单晶生长成为碳化硅晶锭；碳化硅晶锭
2023-02-21 10:04:113177 
Star、80Plus、以及European Efficiency）外，碳化硅二极管的动态特性是标准硅二极管的四倍，而正向电压（VF）比其低15%。 碳化硅（SiC）二极管的使用大大提高了太阳能逆变器、电机
2023-02-21 10:06:421980 
SiC碳化硅二极管起步电压为650V，电流6A到10A，主要用于UPS、快充、微逆、电源、电动工具、消费类产品、工控。碳化硅二极管料号为：KN3D06065F（650V碳化硅二极管，电流6A，贴片
2023-02-21 10:12:244172 
什么是第三代半导体？我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体，这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二极管
2023-02-21 10:16:473720 ，碳化硅二极管封装小型化成为趋势。那么各个碳化硅二极管厂家推出了更小的封装DFN5X6,DFN8X8,超薄型封装。主要用于高功率密度电源和PD快充这样子的应用中。
2023-02-21 13:38:163523 
能力是硅的2～3倍。用碳化硅制成的肖特基二极管具有正温度系数及反向恢复时间接近零的特点，使得在PFC电路（功率因数校正）上的MOSFET开通损耗减少，效率得到进一步的提升。
2023-04-17 16:36:421137 
碳化硅二极管是什么 碳化硅二极管是一种半导体器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐压能力和高的温度耐受性，因此碳化硅二极管具有较低的反向漏电流、高温下稳定性良好、响应速度快等特点，广泛用于高功率、高频率、高温、高压等领域，如电源、变频器、太阳能、电动汽车等。
2023-06-02 14:10:321819 碳化硅肖特基二极管（Silicon Carbide Schottky Diode）是一种高性能半导体器件，具有低开启电压、高速开关、高温性能等优点，广泛应用于电源、驱动、逆变器、电动汽车等领域。
2023-06-04 16:09:004308 碳化硅肖特基二极管是一种基于碳化硅材料的半导体器件，具有高速、高温、高功率特性。其原理基于肖特基效应，即在金属与半导体接触处形成一个肖特基势垒，使得半导体中的载流子向金属一侧偏移，形成整流效应。
2023-06-07 17:10:342338 7.4结势垒肖特基（JBS）二极管与混合pin肖特基（MPS）二极管第７章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：7.3.4电流-电压关系∈《碳化硅技术
2022-02-15 11:20:415478 
7.3pn与pin结型二极管第７章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：7.2肖特基势磊二极管（SBD）∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件
2022-02-10 09:18:151371 的通断状态切换速度非常快，也用普通双极二极管技术切换时的反向恢复电流。清除反向恢复电流效应后，碳化硅二极管的能耗降低了70%，可在较宽的温度范围内保持较高的能效，提
2022-12-14 11:36:052133 
森国科第五代650/2A TMPS二极管具有一流的鲁棒性和耐久性 ，具备高浪涌电流和雪崩能力
2023-07-08 10:54:031239 
大功率电源PFC电路推荐，瑞森半导体碳化硅二极管，可提升大功率电源的功率密度和效率，减少体积和降低成本，同时实现更高的环保效率。
2023-08-18 11:05:26864 
大功率电源PFC电路推荐，瑞森半导体碳化硅二极管，可提升大功率电源的功率密度和效率，减少体积和降低成本，同时实现更高的环保效率。
2023-08-18 11:21:401182 
本文研究SiC碳化硅功率模块及分立器件，功率模块主要包括碳化硅MOSFET模块（SiC MOSFET Module），分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二极管（主要是碳化硅肖特二极管）。
2023-09-08 11:30:455189 
经专业拆解机构——充电头网的拆解报告显示：古石一款188W多口氮化镓桌面充电器的PFC升压电感采用了森国科第五代TMPS碳化硅二极管：型号为KS08065D，耐压650V，正向电流8A，最高工作温度175℃，采用PDFN5*6封装。
2023-11-27 16:37:252279 
碳化硅二极管的优点和局限性分析 碳化硅（SiC）二极管是一种新型半导体材料，在高频电源电子装置中得到了广泛应用。与传统的硅（Si）材料相比，碳化硅二极管具有许多优点和局限性。下面是对碳化硅二极管
2023-12-21 11:31:274769 在当今快速发展的电力电子领域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而备受关注。作为一种宽禁带半导体材料，碳化硅在制造高效、高温和高速的电子器件方面具有巨大潜力。其中，碳化硅肖特基二极管作为一种重要
2023-12-29 09:54:291624 USB快充接口专用ESD二极管
2024-05-10 08:03:04924 
SiC二极管，全称SiC碳化硅势垒二极管，也被称为SiC碳化硅肖特基二极管（SiC SBD），是碳化硅（SiC）功率器件的一种，属于第三代半导体材料的应用范畴。SiC作为一种宽禁带半导体材料，相比
2024-09-10 14:55:023943 SiC二极管，即碳化硅二极管，作为第三代半导体材料的重要应用之一，其工作原理和结构在电力电子领域具有独特的重要性。以下将详细阐述SiC二极管的工作原理和结构，同时结合其技术特性和应用场景进行深入分析。
2024-09-10 15:09:393508 选择光伏板碳化硅二极管需考虑以下因素。
2024-09-29 14:33:141654 
华芯邦科技已推出了以碳化硅为基础的MOSFET和碳化硅JBS二极管（结势垒肖特基二极管）。JBS是一种高性能的功率二极管，结合了肖特基二极管（SBD）和PIN二极管的特点，旨在满足高性能功率
2024-09-26 17:32:421185 
为什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二极管全面取代FRD快恢复二极管 在科技政策与法规的推动下，半导体行业正经历一场深刻的变革。随着对高效能、低能耗电子设备需求的不断增长，BASiC基本公司
2025-02-06 11:51:051090 
结合国产碳化硅功率半导体市场的竞争格局和技术发展趋势，SiC碳化硅二极管公司已经成为国产碳化硅功率器件行业出清的首批对象，比如2024已经有超过两家SiC碳化硅二极管公司破产清算，仅有碳化硅二极管
2025-02-28 10:34:31753 PI的超快速Qspeed H系列二极管现可达到650V以及高达30A的电压电流额定值。这些高功率器件具有业界最低的硅二极管反向恢复电荷(Qrr)。它们是碳化硅(SiC)二极管的理想替代品，可提供与其相当的效率和电压降额性能，同时具有硅二极管的价格优势和供应保证。
2025-03-27 13:46:55864 
和高温环境的电子器件中。SiC碳化硅二极管和SiC碳化硅MOSFET（绝缘栅双极晶体管）便是其典型代表。本文将探讨这两种器件的应用优势。
2025-04-17 16:20:38998 在功率电子领域，碳化硅(SiC)技术正逐步取代传统硅基器件。作为宽禁带半导体的代表，SiC二极管凭借其物理特性在多方面实现了性能突破。宽禁带半导体材料碳禁带宽度(SiC：3.2eVvsSi
2025-07-21 09:57:571246 
碳化硅（SiC）功率半导体技术引领者森国科，推出了采用SOT227封装的SiC MOSFET及JBS功率模块系列。这一突破性封装方案结合了高功率密度与系统级可靠性，为新能源发电、工业电源及电动汽车等领域提供高效能解决方案。
2025-08-16 13:50:093156 
第三代半导体碳化硅功率器件领军企业森国科推出的碳化硅二极管 KS10065（650V/10A），针对不同场景的散热、空间及绝缘要求，提供7种封装形态，灵活覆盖车规、工业电源、消费电子三大领域。通过
2025-08-16 15:55:442377 
在电力电子领域，碳化硅（SiC）肖特基二极管正凭借其卓越性能逐渐成为主流。今天我要和大家分享安森美（onsemi）的一款碳化硅肖特基二极管——NDSH20120C - F155，深入探讨它的特性、参数和应用。
2025-12-01 15:55:06207 
作为电子工程师，我们在电源设计领域总是不断追求更高的效率、更快的频率和更小的体积。碳化硅（SiC）肖特基二极管的出现，为我们带来了新的解决方案。今天就来详细分析安森美（onsemi）的一款碳化硅肖特基二极管——NDSH10120C - F155。
2025-12-01 16:07:55218 
替换为碳化硅肖特基二极管，可以减小损耗，减小了对周围电路的电磁干扰，提高电源的可靠性，满足严格的电源能效认证要求。 一般来说，我们都希望在单相PFC
2022-07-25 13:47:17
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