BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
的MOSFET和IGBT会产生不可接受的损耗、WBG半导体晶体管比如GaN能够克服这些问题集成GaN HEMT和驱动器方案现在已经可以应用于电机系统中能够承受高压条件的高性能电容也可以应用到需要高压高频电机驱动电路的直流部分
2019-07-16 00:27:49
，几代MOSFET晶体管使电源设计人员实现了双极性早期产品不可能实现的性能和密度级别。然而，近年来，这些已取得的进步开始逐渐弱化，为下一个突破性技术创造了空间和需求。这就是氮化镓（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
所示为硅（Si）MOSFET和GaN MOSFET的上升和下降时间。图中数字显示死区时间存在两倍的差异，硅 MOSFET速度更慢。此外，GaN MOSFET的上升和下降更加线性。这些属性使得更精细的边缘
2018-08-30 15:05:41
的应用做好准备。要使数字电源控制为GaN的应用做好准备，它需要针对更高开关频率、更窄占空比和精密死区时间控制的时基分辨率、采样分辨率和计算能力。图1和图2显示的是一个硅 (Si) MOSFET和一个GaN
2018-09-06 15:31:50
为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说，相比LDMOS硅技术而言，GaN这一材料技术，大大提升了效率和功率密度。约翰逊优值，表征高频器件的材料适合性优值， 硅技术的约翰逊优值仅为1， GaN最高，为324。而GaAs，约翰逊优值为1.44。肯定地说，GaN是高频器件材料技术上的突破。
2019-06-26 06:14:34
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
;gt;N沟道MOSFET有三个电极，分别是源极S、漏极D和栅极G。当VGS=0时，漏、源极之间无原始导电沟道，ID=0；当VGS>0但是比较小时，漏、源极之间也无导电沟道。当
2010-08-17 09:21:57
MOSFET（如SL30N15），SL3043在典型应用中的转换效率可达90%以上。其低静态电流（2mA）特性，特别适合电池供电场景。3. 多重保护机制
输入欠压锁定（UVLO）：EN脚阈值2.8V
2025-02-12 16:37:42
基于SL4011芯片的单节锂电池升压方案：5V/9V/12V输出详解
一、引言
单节锂电池（标称3.7V，满电4.2V）因其体积小、能量密度高而被广泛应用于便携式设备。然而，许多电子设备需要更高
2025-03-27 17:13:35
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-13 09:16:34
电流2A以内功率20W以内5.方案应用范围：DCDC低压球泡灯方案AC36V球泡灯方案等SL1502内置MOS 降压型大功率LED 恒流驱动芯片 负载可驱动2A电流SL1502 供电12-85V转3串2A球泡灯方案6.SL1502芯片电路图：
2015-08-25 16:23:02
ISL6594A和ISL6594B是高频MOSFET专为驱动上下功率而设计的驱动器同步整流buck中的N沟道mosfet转换器拓扑。这些驱动程序与ISL6592数字多相降压型脉宽调制控制器N沟道
2020-09-30 16:47:03
场景提供高性价比的全国产解决方案。一、功率密度提升的核心逻辑材料特性突破：
GaN（氮化镓）作为宽禁带半导体，电子迁移率（2000cm²/Vs）和饱和漂移速度（2.5×10⁷cm/s）远超传统硅基器件
2025-10-22 09:09:58
[tr=transparent]USB 2.0接口4口HUB芯片：SL2.2s/SL2.1ASL2.2s/SL2.1A是一颗高集成度,高性能,低功耗的USB2.0集线器主控芯片；该芯片采用STT技术
2018-06-29 15:52:37
10MTO220封装 HGP100N12SLTO220封装PD电源100W：HGN077N10SL DFN5*6封装 HGP082N10MTO220封装 HGP100N12SLTO220 封装 PD电源开关30V
2018-08-07 15:25:45
ISL6594A和ISL6594B是高频MOSFET专为驱动上下功率而设计的驱动器同步整流buck中的N沟道mosfet转换器拓扑。这些驱动程序与ISL6592数字多相降压型脉宽调制控制器N沟道
2020-09-29 17:38:58
的氮化镓(GaN)直流/直流解决方案去除了中间母线直流/直流转换级，设计师可以在单级中将48V电压降至更低的输出电压。去除中间母线直流/直流转换器使得功率密度和系统成本显着增加，同时提高了可靠性。与硅
2019-07-29 04:45:02
今天观看了电子研习社的直播课程，由TI工程师王蕊讲解了TI的基于GaN的CrM模式的图腾柱无桥PFC参考方案的设计（TIDA00961）。下面是对该方案的介绍：高频临界导电模式 (CrM) 图腾柱
2022-01-20 07:36:11
在过去的十多年里，行业专家和分析人士一直在预测，基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力
2019-06-21 08:27:30
在所有电力电子应用中，功率密度是关键指标之一，这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限，设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓（GaN）来提供方案。
2020-10-28 06:01:23
拓扑。GaN具有低寄生电容（Ciss、Coss、Crss）和无第三象限反向恢复的特点。这些特性可实现诸如图腾柱无桥功率因数控制器（PFC）等较高频率的硬开关拓扑。由于它们的高开关损耗，MOSFET和绝缘
2020-10-27 06:43:42
运放正负12伏供电，运放输出端连接mosfet的G极。mosfet的D连接500v直流高压，mosfet的S极连接一个20欧姆电阻到地，20欧姆电阻连接运放反馈端，我想把运放个mosfet进行隔离，求方案。求器件。整个原理其实就是运放控制mosfet实现电流源。
2018-08-02 08:55:51
驱动25A/12V的mosfet，IR2103S需要多大的自举电容
2021-01-28 12:07:56
SL811HS/SL811S Errata Embedded USB Host/Slave Controller
The SL811HS operation of USB A and B Bank
2009-04-14 10:53:02
24 The SL811S/T USB Slave Controller is a single chip USB peripheral device that interfaces
2009-04-14 10:56:4539 TCL N21K2-S12彩电电路图TCL N21K2-S12彩色电视机电路图，TCL N21K2-S12彩电图纸，TCL N21K2-S12原理图。
2009-05-06 14:04:5171 Vishay Intertechnology, Inc.推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0.555Ω，栅极电荷减小为48nC，采
2010-07-16 15:05:2417 安森美半导体推出12款新N沟道功率MOSFET系列
经过100%雪崩测试的MOSFET提供业界领先的雪崩额定值，能承受电源和电机控制应用中的大电压尖峰
2010年2月2日 – 应用
2010-02-03 10:13:15
1453 二极管资料，
型号是DSR01S30SL，希望有帮助。
2016-03-18 17:59:103 中航微SKSE100N10L，替换AO4296，Hunteck HGS085N10SL，NCE0116AS，威兆 VSO009N10MS等，应用QC3.0 快充，5V 3A 9V 2.2A12V 1.6A 等应用中。
2017-08-02 09:51:3612 本文档的主要内容详细介绍的是SYKJ3400S MOSFET N通道封装晶体管的数据手册免费下载
2019-01-24 08:00:0011 UTC UT12N10是一种N沟道模式功率MOSFET，采用了ngutc的先进技术，为客户提供极高密度电池设计的最小状态电阻、ruggedavalanche特性和不太关键的对准步骤。
2020-03-23 11:36:5452 MOSFET及其应用优势，以帮助设计人员在许多工业应用中选择这些器件。 图1 N沟道耗尽型功率MOSFET N沟道耗尽型功率MOSFET的电路符号在图1中给出。端子标记为G（栅极），S（源极）和D（漏极）。IXYS耗尽型功率MOSFET具有称为垂直双扩散MOSFET或DMOSFET的结构，与市场上的其
2021-05-27 12:18:589886 
徕卡于12月10日正式发布全新徕卡 SL2-S相机。SL2-S具有极高的运行速度 ，可在全分辨率下实现高达每秒 25 帧的连拍速率，同时还配备了专业级的视频功能 ，可实现无长度限制的 10bit 4K 视频录制，这些都为SL系统设定了全新基准。
2020-12-11 10:48:104321 MT-093：散热设计基础
2021-03-21 08:44:4214 DC093A-设计文件
2021-04-12 15:25:161 Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET® Gen IV功率MOSFET技术。
2021-04-21 17:50:211914 
DC093A-演示手册
2021-05-23 15:13:210 DC093A-设计文件
2021-06-16 11:22:062 电子发烧友网为你提供ADI(ti)DC093A相关产品参数、数据手册，更有DC093A的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DC093A真值表，DC093A管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-09-07 11:00:04
SL12-THRU-SL110-SMA规格书下载
2021-11-30 16:20:327 GaN 、SiC很有可能在高压高频方面完全取代硅基，SiC MOSFET 主打高压领域；GaN MOSFET 主打高频领域。
2022-10-19 11:57:57751 电子发烧友网为你提供()DS18S20-SL+T&R相关产品参数、数据手册，更有DS18S20-SL+T&R的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS18S20-SL+T&R真值表，DS18S20-SL+T&R管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2022-11-02 08:22:54
MOSFET 和 GaN FET 应用手册-Nexperia_document_bo...
2023-02-17 19:13:1692 12 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMCA14UN
2023-02-17 19:45:210 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、12 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y12-100E
2023-02-21 19:46:180 双 N 沟道 60 V、9.3 mΩ 标准电平 MOSFET-山毛榉7K12-60E
2023-02-22 18:44:170 LFPAK33 中的 N 沟道 60 V、12 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7M12-60E
2023-02-22 18:44:582 LFPAK33 中的 N 沟道 40 V、12 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7M12-40E
2023-02-22 18:45:180 采用 LFPAK 的 N 沟道 100 V、12 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN012-100YS
2023-02-22 18:49:300 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、12 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN012-100YL
2023-02-22 18:50:480 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMPB12UNEA
2023-02-23 18:49:530 12 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMCM650VNE
2023-02-27 19:05:590 12 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMCM440VNE
2023-02-27 19:06:090 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMPB12UNE
2023-02-27 19:12:340 12 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMCM6501VNE
2023-03-01 18:39:270 12V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMCM4401VNE
2023-03-01 18:40:040 12 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMXB40UNE
2023-03-02 22:47:240 EMMA2SL/P DVB-S 参考板
2023-05-04 20:08:360 立元微ZS3086SL 12W小功率开关电源方案
2023-10-26 14:23:261827 
MPVA12N65FTO-220F650V12A功率MOSFET
2021-11-16 15:08:012 12N65L-ML UTC n沟道功率mosfet管
2021-11-24 15:46:561 fp6102v093-lf
2021-12-01 10:25:010 电子发烧友网站提供《SLP12N65C美浦森高压MOSFET 650V 12A.pdf》资料免费下载
2022-04-29 14:06:570 电子发烧友网站提供《SLP12N65S美浦森高压MOSFET650V 12A .pdf》资料免费下载
2022-04-29 14:09:370 电子发烧友网站提供《NCE N沟道增强型功率MOSFET NCE3010S数据手册.pdf》资料免费下载
2024-01-24 11:06:592 电子发烧友网站提供《双通道N沟道20V（D-S）MOSFET 9926产品数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-01 17:59:021 和更低的导通电阻，因此在高频、高功率和高温应用中具有显著优势。 GaN MOSFET器件结构 GaN MOSFET的基本结构包括以下几个部分： 1.1 衬底：GaN MOSFET通常采用硅或碳化硅作为衬底
2024-07-14 11:39:364189 FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器， 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S逻辑输入
2024-08-01 18:00:492964 
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2024-11-11 14:18:080 UCG28826 是一款高频准谐振反激式转换器，内置 170mΩ GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)，可将交流电转换为直流电，适用于高达 65W的电源转换器。它非常适合高功率密度应用，例如手机
2025-01-21 17:18:141589 
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2025-03-07 09:37:230 电子发烧友网为你提供AIPULNION(AIPULNION)NN3-12S24C3N相关产品参数、数据手册，更有NN3-12S24C3N的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，NN3-12S24C3N真值表，NN3-12S24C3N管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2025-03-19 18:49:48
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2025-03-20 18:50:55
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2025-03-21 18:32:28
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2025-03-21 18:45:10
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2025-03-21 18:47:19
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2025-03-21 18:48:34
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2025-03-21 18:49:09
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2025-03-21 18:57:22
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2025-03-26 16:15:070 电子发烧友网站提供《LT8623SL双通道N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-26 16:13:440 电子发烧友网站提供《LT8814SL共漏双通道N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-25 17:30:040 电子发烧友网站提供《LT8816SL共漏双通道N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-25 17:37:120 电子发烧友网站提供《LT8844SL N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-26 15:55:520 电子发烧友网为你提供AIPULNION(AIPULNION)ZCD150-48S12N-H相关产品参数、数据手册，更有ZCD150-48S12N-H的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，ZCD150-48S12N-H真值表，ZCD150-48S12N-H管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2025-03-24 18:34:21
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2025-03-24 18:37:50
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2025-05-13 16:22:020 GaN-MOSFET 的结构设计中，p-GaN gate(p 型氮化镓栅) 和Cascode(共源共栅) 是两种主流的栅极控制方案，分别适用于不同的应用场景，核心差异体现在结构设计、性能特点和适用范围上。
2025-10-14 15:28:15676 
仁懋电子（MOT）推出的MOT12N70F是一款面向700V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、UPS等领域
2025-11-07 10:31:03211 
仁懋电子（MOT）推出的MOT12N65F是一款面向650V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力，广泛适用于高频开关电源、半桥式电子镇流器、LED
2025-11-12 14:19:35317 在电子工程领域，MOSFET作为关键的功率器件，其性能直接影响着各种电力系统的效率和稳定性。今天，我们来深入了解一下安森美（onsemi）的NVBG095N65S3F这款N沟道、D2PAK - 7L封装的650V MOSFET。
2025-12-02 11:24:34430 
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