PN816220W PD快充芯片特点
2020-12-17 06:20:12
65W氮化镓电源原理图
2022-10-04 22:09:30
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
PD快充65W常用什么规格GaN
2021-12-26 19:57:19
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
高效能、高电压的射频基础设施。几年后，即2008年，氮化镓金属氧化物半导场效晶体（MOSFET）（在硅衬底上形成）得到推广，但由于电路复杂和缺乏高频生态系统组件，使用率较低。
2023-06-15 15:50:54
、ZENDURE 45W氮化镓充电器+移动电源66、ZENDURE氮化镓拓展坞+充电器从以上已有30多家厂商推出了超达66款氮化镓快充产品来看，其中，60W及以上占比达到了五分之三之多；而30W规格的只占了五分之一
2020-03-18 22:34:23
的挑战丝毫没有减弱。氮化镓（GaN）等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年，电力电子领域将管理大约80％的能源，而2005年这一比例仅为30％1。这相当于30亿千瓦时以上
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空间，所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年，电力电子领域将管理大约80%的能源，而2005年这一比例仅为30
2018-11-20 10:56:25
在所有电力电子应用中，功率密度是关键指标之一，这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限，设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓（GaN）来提供方案。
2020-10-28 06:01:23
的上限与下限均被进一步拉大，上可突破千元下可达数十元。其中，高性价比款式氮化镓快充与普通充电器售价已十分接近，全民狂欢。59.9元的氮化镓充电器表现如何？YOGA 65W 双口氮化镓充电器充电头网曾进行
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
时间。
更加环保：由于裸片尺寸小、制造工艺步骤少和功能集成，氮化镓功率芯片制造时的二氧化碳排放量，比硅器件的充电器解决方案低10倍。在较高的装配水平上，基于氮化镓的充电器，从制造和运输环节产生的碳足迹，只有硅器件充电器的一半。
2023-06-15 15:32:41
目标应用。而在其最明显的缺陷当中，值得一提的是，砷化镓只能提供有限的功率输出(低于 50W)，而 LDMOS 受限于较低频率(低于 3GHz)。正当砷化镓和LDMOS在功率和频率上显现出缺憾之时，氮化镓
2017-08-15 17:47:34
的数十亿次的查询，便可以获得数十亿千瓦时的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空间，所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓（GaN）等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年
2019-03-14 06:45:11
。在此基础上，增加单管激光器的发光区宽度和长度，单管激光器的光功率可以进一步提升，并结合正在发展的GaN激光器的光束整形和合束技术，将实现更高功率的激光器模组。氮化镓激光器的应用也将更加广泛。 垂直腔GaN
2020-11-27 16:32:53
GaN如何实现快速开关？氮化镓能否实现高能效、高频电源的设计？
2021-06-17 10:56:45
降低了产品成本。搭载GaN的充电器具有元件数量少、调试方便、高频工作实现高转换效率等优点，可以简化设计，降低GaN快充的开发难度，有助于实现小体积、高效氮化镓快充设计。 Keep Tops氮化镓内置多种
2023-08-21 17:06:18
`Cree的CGH40010是无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。 CGH40010，正在运行从28伏电压轨供电，提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高效率，高增益和宽带宽功能而设计。 该器件可部署在L，S和C频段放大器应用中。 数据手册中的规格
2020-02-24 10:48:00
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化镓（GaN）高电子迁移率基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
板上看出，得益于使用合封氮化镓器件，芯片无需辅助散热措施即可满足27W的连续输出，并且合封将控制器和开关管集成在一颗芯片内，初级的元件也十分精简，可满足高性价比的氮化镓快充设计。钰泰半
2021-11-28 11:16:55
教授，AIXTRON SE 全球副总裁Michael HEUKEN带来了宽禁带器件在汽车应用中的加速采用的报告，分享了目前的发展现状及AIXTRON的策略。近年来，垂直氮化镓器件，尤其是硅衬底上，因其低成本
2018-11-05 09:51:35
MACOM科技解决方案控股有限公司(纳斯达克证交所代码: MTSI) (简称“MACOM”)今天宣布一份硅上氮化镓GaN 合作开发协议。据此协议，意法半导体为MACOM制造硅上氮化镓射频晶片。除扩大
2018-02-12 15:11:38
用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大的变革，特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的主导地位正在被氮化镓(GaN)撼动，这将对无线
2017-08-30 10:51:37
，尤其是2010年以后，MACOM开始通过频繁收购来扩充产品线与进入新市场，如今的MACOM拥有包括氮化镓（GaN）、硅锗（SiGe）、磷化铟（InP）、CMOS、砷化镓等技术，共有40多条生产线
2017-09-04 15:02:41
多个方面都无法满足要求。在基站端，由于对高功率的需求，氮化镓（GaN）因其在耐高温、优异的高频性能以及低导通损耗、高电流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
测试背景地点：国外某知名品牌半导体企业，深圳氮化镓实验室测试对象：氮化镓半桥快充测试原因：因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管，需要对半桥上管控制信号的具体参数进行摸底测试测试探头：麦科信OIP
2023-01-12 09:54:23
QPD1004氮化镓晶体管产品介绍QPD1004报价QPD1004代理QPD1004咨询热线QPD1004现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1004是25W（p3db），50欧姆输入匹配
2018-07-30 15:25:55
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:24:16
由于换了三星手机，之前的充电器都不支持快充了，一直想找一款手机电脑都能用的快充充电器，「倍思GaN2 Pro氮化镓充电器」就是这样一款能满足我的充电器，这篇文章就来说下这款充电器的选购过程
2021-09-14 08:28:31
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：氮化镓发展技术编号：JFSJ-21-041作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
碳化硅（SiC）和硅上氮化镓（GaN-on-Si）。这两种突破性技术都在电动汽车市场中占有一席之地。与Si IGBT相比，SiC提供更高的阻断电压、更高的工作温度（SiC-on-SiC）和更高的开关
2018-07-19 16:30:38
极限。而上限更高的氮化镓，可以将充电效率、开关速度、产品尺寸和耐热性的优势有机统一，自然更受青睐。
随着全球能量需求的不断增加，采用氮化镓技术除了能满足能量需求，还可以有效降低碳排放。事实上，氮化镓
2023-06-15 15:47:44
氮化镓(GaN)是一种“宽禁带”(WBG)材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离出来所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以说氮化镓拥有宽禁带特性（WBG）。
硅的禁带宽
2023-06-15 15:53:16
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化镓功率芯片，能令先进的电源转换拓扑结构，从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证，特推出“氮化镓系列”，告诉大家什么是氮化镓（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
镓充电器可谓吸引了全球眼球，小巧的体积一样可以实现大功率输出，比APPLE原厂30W充电器更小更轻便。[color=rgb(51, 51, 51) !important]将内置氮化镓充电器与传统充电器
2019-07-08 04:20:32
应用领域，SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11
（GaN）原厂来说尤为常见，其根本原因是氮化镓芯片的优异开关性能所引起的测试难题，下游的氮化镓应用工程师往往束手无策。某知名氮化镓品牌的下游客户，用氮化镓半桥方案作为3C消费类产品的电源，因电源稳定性
2023-02-01 14:52:03
高频150W PFC-LLC与GaN功率ic(氮化镓)
2023-06-19 08:36:25
氮化镓(GaN) 功率放大器(PA) 设计是当前的热门话题。出于多种原因，GaN HEMT 器件已成为满足大多数新型微波功率放大器需求的领先解决方案。过去，PA 设计以大致的起点开始并运用大量
2019-07-31 08:13:22
和优化、EMC优化和整改技巧、可靠性评估和分析。第一步：元器件选型对于工程师来说，GaN元器件相较于传统的MOSFET而言有很多不同和优势，但在设计上也带来一定挑战。课程从硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓
2020-11-18 06:30:50
我经常感到奇怪，我们的行业为什么不在加快氮化镓 (GaN) 晶体管的部署和采用方面加大合作力度；毕竟，大潮之下，没人能独善其身。每年，我们都看到市场预测的前景不太令人满意。但通过共同努力，我们就能
2022-11-16 06:43:23
充电的话，还需要去淘宝买一个type-c转联想方口的一个转接器。这样下来，首先来讲是可以使用的，但是由于快充协议的不兼容，充电器无法满血65w为拯救者充电，拯救者原装充电器是135w。显而易见是差的很远的。笔记本正常使用的情况下，电量会保持不变，不会增加也不会减少。性能方面，我看了网上的文章，他用工
2021-09-14 06:06:21
导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当
2022-11-16 06:23:29
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品？
2021-06-15 06:30:55
氮化镓技术非常适合4.5G或5G系统，因为频率越高，氮化镓的优势越明显。那对于手机来说射频GaN技术还需解决哪些难题呢？
2019-07-31 06:53:15
设计，而微波开关器(RF switch)则利用D-mode pHEMT来设计。
公司领先全球研发于六吋砷化镓基板，同时制作二种以上高效能之组件，以整合芯片制程上之技术，并缩小射频模组电路面积、降低成本
2019-05-27 09:17:13
大幅降低电流在保护板上的损耗，随着手机充电功率达到200W，电池端的电流达到20A。传统硅MOS温升明显，甚至需要辅助导热措施来为其散热。使用氮化镓代替硅MOS之后，可以无需导热材料，降低快充过程中
2023-02-21 16:13:41
一下，目前已经推出氮化镓快充的电商品牌及其产品。ANKER安克1、ANKER 30W氮化镓充电器ANKER PowerPort Atom PD 1 GaN氮化镓充电器于2018年10月推出，是业内首款
2021-04-16 09:33:21
第 1 步 – 栅极驱动选择 驱动GaN增强模式高电子迁移率晶体管（E-HEMT）的栅极与驱动硅（Si）MOSFET的栅极有相似之处，但有一些有益的差异。 驱动氮化镓E-HEMT不会消除任何
2023-02-21 16:30:09
使用外，也可应用于海陆通、第一卫、贝尔金等品牌20W迷你快充上，性能获得客户一致认可。
对应INN3378C氮化镓主控芯片的同步整流管来自恒泰柯，型号为HGN080N10AL，是一颗耐压100V
2023-06-16 14:05:50
关键，而硅基氮化镓在成本上具有巨大的优势，随着硅基氮化镓技术的成熟，它能以最大的性价比优势取得市场的突破。2.GaN在快充市场的应用随着电子产品的屏幕越来越大，充电器的功率也随之增大，尤其是对于大功率
2019-07-05 04:20:06
智融SW3556发布，双C口，支持140W(20V7A)，500K开关频率，支持直驱氮化镓GaN，MCU定制协议，实现加密及协议定制，与SW3516PIP，硬件设计兼容，最大约100%占空比。应用：车充、多口充、GaN、适配器、充电头、插排深圳市尊信电子技术有限公司胡先生：*** V信同号
2021-08-06 17:29:13
小得多，因此每块晶圆就可以生产出更多的氮化镓器件，从而实现可量产、具低成本、成熟、迅速反应和非常易于扩展的供应链。
误解5 ：GaN FET和集成电路的价格昂贵
这是关于氮化镓技术最常见的错误观念！ 氮化
2023-06-25 14:17:47
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
，2013年1月达到140lm为/W。 硅芯片和蓝宝石的区别，蓝宝石是透明衬底，硅衬垂直结构，白光出光均匀，容易配二次光学。硅衬底氮化镓基LED直接白光芯片，荧光粉直涂白光芯片分布集中。 下一步怎么做呢
2014-01-24 16:08:55
5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8
2019-05-09 06:21:14
%的产品输出功率集中在10W～100W之间，最大功率达到1500W（工作频率在1.0-1.1GHz，由Qorvo生产），采用的技术主要是GaN/SiC GaN路线。此外，部分企业提供GaN射频模组产品，目前
2019-04-13 22:28:48
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
，是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
解决方案，累计近100家客户选用了茂睿芯的氮化镓解决方案。致力于为客户提供最优解，进一步提高PD快充的功率密度，提高GaN系统可靠性，茂睿芯重磅推出33W集成氮化镓PD方案MK2787/MK2788，集成
2021-11-12 11:53:21
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
深圳市三佛科技有限公司 供应 LP35118V 20W-30W氮化镓快充专用同步整流IC ，原装，库存现货热销 品牌：芯茂微型号：LP35118V封装
2022-05-30 10:31:43
从硅晶圆到8英寸晶圆代工报价调涨，世界先进8英寸产能供需吃紧一路畅旺到年底，并积极扩增氮化镓（GaN）产能，已有国际IDM大厂看好电动车产业后市，预先包下世界先进GaN产能，明年中GaN产出将快速放量，成为全球首座8英寸GaN代工厂。
2018-06-29 16:02:00
5143 今天，小米推出了一款33W氮化镓充电器套装，售价79元。现已开启预约，将于2月25日10点首卖。
2021-02-23 15:42:522542 几天前，小米品牌正式推出全新的33W氮化镓充电器，该充电器采用Type-C接口，只需58分钟即可为Redmi K30至尊纪念版充满电，可媲美原装充电器。25日上午10点，小米GaN充电器33W正式开售，价格是79元。
2021-02-25 11:21:0810201 红米的33W快充可以说是红米的传统艺能了，红米K30旗舰系列手机采用的是33W快充技术，然而到了红米K40的时候仍然还是采用33W这样的做法引起了许多网友们的不满，认为红米不重视充电。不过，最近有数码博主做了一个测试，结果显示，红米33W的充电速度甚至不输小米的55W快充，这是怎么回事呢？快来一起看看吧！
2021-02-25 12:05:1021268 前几天，小米正式上架了小米GaN充电器33W，并开始销售。前段时间，另一款小米品牌采用氮化镓技术的充电头也已经开售。据数码博主@数码闲聊站 带来的消息，小米120W GaN充电器上架开售，向下兼容新旗舰。
2021-03-01 14:30:572981 今天，紫米推出了33W氮化镓充电器mini，将于3月8日开售，到手价79元起。
2021-03-04 16:09:173218 随着更多智能手机开始支持快速充电技术，外设厂商们开始在充电器这个行业发力，陆续推出了一些体积小巧、充电功率高的产品。日前，紫米GaN 33W充电器MINI正式亮相，该产品号称拥有5W充电器的体积，但是能带来33W的快速充电能力。这款产品将于3月8日正式开售，它的原价是109元，现价79元。
2021-03-05 15:18:372015 日前，紫米公司发布致歉公告，表示ZMI 33W氮化镓充电器，因不可抗力原因导致无法如期上市，具体日期待定中，更新进度会及时告与大家，望理解体谅。
2021-03-08 09:38:052515 本月初，紫米宣布推出33W氮化镓充电器mini，原计划3月8日上市开卖。
2021-03-19 14:57:202753 采用 CCPAK1212 封装的 650 V、33 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN039-650NBA
2023-02-16 20:47:21
2 采用 CCPAK1212i 封装的 650 V、33 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN039-650NTBA
2023-02-16 20:47:323 采用 CCPAK1212i 封装的 650 V、33 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN039-650NTB
2023-02-16 20:47:450 采用 CCPAK1212 封装的 650 V、33 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN039-650NBB
2023-02-16 20:48:020 以及PE等主流快充协议。结合自身在多口氮化镓快充上积累的的开发经验，智融基于SW2303再次推出一套65W单口氮化镓快充方案，满足部分客户对单口多协议快充方案的需求
2022-07-29 16:46:40
电子发烧友App
工商网监
评论