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电子发烧友网>电源/新能源>电池技术>用碳化硅MOSFET设计双向降压-升压转换器

用碳化硅MOSFET设计双向降压-升压转换器

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SICMOSFET作为第三代半导体器件,以其卓越的高频高压高结温低阻特性,已经越来越多的应用于功率变换电路。那么,如何用最有效的方式驱动碳化硅MOSFET,发挥SICMOSFET的优势,尽可能
2022-11-30 15:28:282647

SiC MOSFET碳化硅芯片的设计和制造

来源:碳化硅芯观察对于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言,高质量的衬底可以从外部购买得到,高质量的外延片也可以从外部购买到,可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础,高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:201221

碳化硅MOSFET芯片设计及发展趋势

随着国内对碳化硅技术的日益重视和不断加大的研发投入,国内碳化硅MOSFET芯片设计的水平逐步提升,研究和应用领域也在不断扩展。
2023-08-10 18:17:49854

碳化硅MOSFET尖峰的抑制

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2023-11-28 17:32:26322

碳化硅MOSFET设计双向降压-升压转换器实现97%能效

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2023-12-04 16:12:20277

碳化硅MOSFET在高频开关电路中的应用优势

碳化硅MOSFET在高频开关电路中的应用优势  碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件,具有在高频开关电路中广泛应用的多个优势。 1. 高温特性: 碳化硅MOSFET具有极低的本征载流子浓度
2023-12-21 10:51:03357

一文了解SiC碳化硅MOSFET的应用及性能优势

共读好书 碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料,碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能,能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。 碳化硅MOSFET具有高频高效
2024-02-21 18:24:15412

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