碳化硅功率器件,助力OBC提升功率密度降低重量,让新能源汽车充电更快,续航更长
2022-09-23 18:31:407175 仅从物理特性来看,氮化镓比碳化硅更适合做功率半导体的材料。研究人员还将碳化硅与氮化镓的“Baliga特性指标(与硅相比,硅是1)相比,4H-SiC是500,而氮化镓是900,效率非常高。
2023-02-10 11:29:221049 本推文主要介碳化硅器件,想要入门碳化硅器件的同学可以学习了解。
2023-11-27 17:48:06642 ,第四代氮化镓(如图2)有望制造出在绝对 $/W 上比 LDMOS 更具成本效益的基于氮化镓的器件,更不用说其在系统层面上的优势;在量产层面上,第四代氮化镓能够提供比性能相仿但更加昂贵的碳化硅基氮化镓
2017-08-15 17:47:34
数据已证实,硅基氮化镓符合严格的可靠性要求,其射频性能和可靠性可媲美甚至超越昂贵的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)替代技术。 硅基氮化镓成为射频半导体行业前沿技术之时正值商用无线基础设施发展
2018-08-17 09:49:42
PN结器件优越的指标是正向导通电压低,具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点,一是反向耐压VR较低,一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。 二、碳化硅半导体材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言,该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量,并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值,对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44:07
)新的650V碳化硅器件有助于在几个方面降低成本。与硅基650V MOSFET相比,碳化硅器件的导通损耗降低了50%,开关损耗降低了75%,而功率密度提高了三倍,因此,不仅可以实现更高效率,而且还可以降低磁性
2023-02-27 14:28:47
5G将于2020年将迈入商用,加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势,将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计,2018年全球SiC基板产值将达1.8
2019-05-09 06:21:14
、GaP、InP等)之后发展起来的第三代半导体材料。作为一种宽禁带半导体材料,碳化硅具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、载流子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点,可以用来制造
2019-10-24 14:21:23
至半导体内部导致失效。同样的晶片表面钝化层损坏后,杂质可能迁移到晶片内部导致失效。 HTRB试验可以使这些失效加速呈现,排查出异常器件。基本半导体碳化硅二级管的HTRB实验温度为175℃,高于一般
2023-02-28 16:59:26
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能,碳化硅是宽禁带半导体材料的一种,主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等,因此被应用于各种半导体材料当中,碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 (ZnO) 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK碳化硅压敏电阻我们
2024-03-08 08:37:49
超过40%,其中以碳化硅材料(SiC)为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体行业协会统计,2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元
2021-01-12 11:48:45
大量采用持续稳定的线路板;在引擎室中,由于高温环境和LED 灯源的散热要求,现有的以树脂、金属为基材的电路板不符合使用要求,需要散热性能更好碳化硅电路板,例如斯利通碳化硅基板;在高频传输与无线雷达侦测
2020-12-16 11:31:13
。超硬度的材料包括:金刚石、立方氮化硼,碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化钛等。3)高强度。在常温和高温下,碳化硅的机械强度都很高。25℃下,SiC的弹性模量,拉伸强度为1.75公斤/平方厘米,抗压强度为
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 变流器等。集成式快速开关 50A IGBT 的关断性能优于纯硅解决方案,可与 MOSFET 媲美。较之常规的碳化硅 MOSFET,这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间,能以更低成本实现 95
2021-03-29 11:00:47
的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷广泛用于各类应用,如汽车制动器和离合器,以及嵌入防弹背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备,如火焰点火器、电阻加热元件以及恶劣环境下的电子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料,为什么应用的领域会受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
,热导率是硅材料的3倍,电子饱和漂移速率是硅的2倍,临界击穿场强更是硅的10倍。材料特性对比如图(1)所示。 图(1) 4H型碳化硅与硅基材料特性对比 在硅基半导体器件性能已经进入瓶颈期时,碳化硅材料
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(49W/mK)使功率半导体器件效率更高,运行速度更快
2023-02-28 16:34:16
二十世纪五十年代后半期,才被纳入到固体器件的研究中来。二十世纪九十年代,碳化硅技术才真正意义上得到了迅速发展。SiC材料与目前应该广泛的Si材料相比,较高的热导率决定了其高电流密度的特性,较高的禁带宽
2021-03-25 14:09:37
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 该GaN内部匹配(IM)FET与其他技术相比,具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
有限公司承办。 本届论坛为期3天,同期二十余场次会议,25日上午 “氮化镓材料与器件技术”分会如期召开,分会重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料,以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料,高效量子
2018-11-05 09:51:35
%的峰值效率以及19dB的线性增益,若匹配以合适的谐波阻抗其峰值效率会超过80%。该功率效率性能可与最优秀的碳化硅基氮化镓器件的效率相匹敌,与传统LDMOS器件相比有10%的效率提升。若能被正确地
2017-08-30 10:51:37
可以做得更大,成长周期更短。MACOM现在已经在用8英寸晶圆生产氮化镓器件,与很多仍然用4英寸设备生产碳化硅基氮化镓的厂商不同。MACOM的氮化镓技术用途广泛,在雷达、军事通信、无线和有线宽带方面都有
2017-09-04 15:02:41
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
TGF2023-2-20碳化硅晶体管产品介绍TGF2023-2-20报价TGF2023-2-20代理TGF2023-2-20咨询热线TGF2023-2-20现货,王先生*** 深圳市首质诚
2018-06-22 11:09:47
校准 对传统的硅基分立器件(硅IGBT和硅MOSFET),通常是用柔性电流探头(罗氏线圈)去测试集电极电流或漏极电流。但对于开关速度更快的碳化硅MOSFET,在实际测试过程中,由于柔性电流探头测试
2023-02-27 16:14:19
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:氮化镓发展技术编号:JFSJ-21-041作者:炬丰科技网址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
项目名称:基于碳化硅功率器件的永磁同步电机先进驱动技术研究试用计划:申请理由:碳化硅作为最典型的宽禁带半导体材料,近年来被越来越广泛地用于高频高温的工作场合。为了提高永磁同步电机伺服控制系统的性能
2020-04-21 16:04:04
,该晶圆有望实现纵型FET。与碳化硅基的纵型MOS FET相比,在性能方面,纵型FET具有更高的潜力(下图5)。与利用传统的体块式氮化镓晶圆制成的芯片相比,实验制作的二极管的ON电阻值降低了50%,纵
2023-02-23 15:46:22
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年,无论是吊打碳化硅,还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质,确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的结构是如何构成的?
2021-06-18 08:32:43
=rgb(51, 51, 51) !important]与砷化镓和磷化铟等高频工艺相比,氮化镓器件输出的功率更大;与LDCMOS和碳化硅(SiC)等功率工艺相比,氮化镓的频率特性更好。氮化镓器件的瞬时
2019-07-08 04:20:32
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生,以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
,在这些环境中,传统的硅基电子设备无法工作。碳化硅在高温、高功率和高辐射条件下运行的能力将提高各种系统和应用的性能,包括飞机、车辆、通信设备和航天器。今天,SiC MOSFET是长期可靠的功率器件。未来,预计多芯片电源或混合模块将在SiC领域发挥更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
说到功率转换电子器件,每位设计师都希望用到损耗最小的完美半导体开关,而宽带隙碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)器件通常被认为是接近完美的器件。不过,想要达到“完美”,只靠低损耗是远远不够的。开关必须
2023-02-05 15:14:52
大功率适配器为了减小对电网的干扰,都会采用PFC电路、使用氮化镓的充电器,基本也离不开碳化硅二极管,第三代半导体材料几乎都是同时出现,强强联手避免短板。创能动力推出的碳化硅二极管
2023-02-22 15:27:51
功率器件在工业应用中的解决方案,议程分为:功率分立器件概览 、 IGBT产品3、高压MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二极管和整流器、氮化镓PowerGaN、工业电源中的应用和总结八个部分。
2023-09-05 06:13:28
本文重点介绍赛米控碳化硅在功率模块中的性能,特别是SEMITRANS 3模块和SEMITOP E2无基板模块。 分立器件(如 TO-247)是将碳化硅集成到各种应用中的第一步,但对于更强大和更
2023-02-20 16:29:54
附件:嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封,在部分应用中可以替代传统的IGBT (硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封),使得IGBT的开关损耗大幅降低。这款混合碳化硅分立器件的性能介于超结MOSFET
2023-02-28 16:48:24
员要求的更低的寄生参数满足开关电源(SMPS)的设计要求。650V碳化硅场效应管器件在推出之后,可以补充之前只有1200V碳化硅场效应器件设计需求,碳化硅场效应管(SiC MOSFET)由于能够实现硅
2023-03-14 14:05:02
7月已经宣布收购科锐的Wolfspeed部门,Wolfspeed提供碳化硅功率器件和碳化硅基氮化镓射频器件)。还有包括波音、Northrop Grumman和雷神等在内的军工厂商也在开发氮化镓和其他
2016-08-30 16:39:28
是基本半导体针对新能源商用车等大型车辆客户对主牵引驱动器功率器件的高功率密度、长器件寿命等需求而专门开发的产品。 该产品采用标准ED3封装,采用双面有压型银烧结连接工艺、高密度铜线键合技术、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
直连散热器、微通道液冷散热器集成及芯片直接散热方式等均为碳化硅器件的散热提供了更多的可能。可以预见,碳化硅器件和封装技术的发展已经为电力电子技术打开了一扇更广阔的大门,助力电力电子技术朝着高频、高效
2023-02-22 16:06:08
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题,解决各行业遇到的各种芯片散热问题,如果你有类似的困惑,欢迎前来探讨,铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热,高刚度,高耐磨,低膨胀,低密度,低成本,适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流,谢谢各位!
2016-10-19 10:45:41
一体的高科技企业,产品研发骨干来自北京清华大学和韩国延世大学,掌握碳化硅功率器件的核心技术。再加上萨科微总经理宋仕强先生深耕华强北多年,深度了解华强北的商业模式,萨科微slkor的多年积累,为现阶段快速
2023-02-21 09:24:40
的碳化硅功率器件。 而作为车载产品,且承担的是充电这一功率变换部分,整车厂对于产品中元器件使用的要求,也相应提高。为了更好的满足这样的要求提升,车规级器件则成了首选。泰科天润作为中国碳化硅(SiC
2023-02-27 14:35:13
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大,碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件,主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面,具体如下
2023-02-27 16:03:36
的差异,然后整理出三种最近上市的 GaN 器件。晶体管用氮化镓和碳化硅氮化镓和碳化硅由于其高电压能力、快速开关速度和耐高温性能,经常被认为是高功率和频率电子应用的顶级材料。然而,当它们投入使用
2022-06-15 11:43:25
好,硬度大(莫氏硬度为9.5级,仅次于世界上最硬的金刚石(10级))、导热性能优良、高温抗氧化能力强等。由于天然含量甚少,碳化硅主要多为人造。二、碳化硅半导体器件由于碳化硅具有不可比拟的优良性能,碳化硅
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅,采用的是ICP系列设备,刻蚀气体使用的是SF6+O2,碳化硅上面没有做任何掩膜,就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
,是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中,长期担任副总裁及更高级别的管理职位,并领导研发工作。他在硅、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
Qorvo QPD0011 30W/60W 48V碳化硅基氮化镓HEMTQorvo QPD0011 30W/60W 48V碳化硅 (SiC) 基氮化镓 (GaN) HEMT(高电子迁移率晶体管
2024-02-26 22:58:56
Qorvo QPA2511 L波段碳化硅基氮化镓功率放大器Qorvo QPA2511 L波段碳化硅基氮化镓功率放大器在1.2GHz至1.4GHz脉冲射频连续波下工作。该款100W、50V
2024-02-26 23:12:06
碳化硅功率器件近年来越来越广泛应用于工业领域,受到大家的喜爱,不断地推陈出新,大量的更高电压等级、更大电流等级的产品相继推出,市场反应碳化硅元器件的效果非常好,但似乎对于碳化硅元器件的普及还有
2017-12-13 09:17:4421986 1.1 碳化硅和氮化镓器件的介绍, 应用及优势
2018-08-17 02:33:006437 氮化镓+碳化硅PD 方案的批量与国产氮化镓和碳化硅SIC技术成熟密不可分,据悉采用碳化硅SIC做PFC管的方案产品体积更小,散热更好,效率比超快恢复管提高2个百分点以上。
2021-04-01 09:23:261413 2020年,当大部分快充电源厂商还在探索65W氮化镓快充市场时,倍思开创性地推出了业界首款120W氮化镓+碳化硅快充充电器。也正是这款产品,第一次将“碳化硅快充”从设想变为现实,开启了碳化硅
2021-04-19 11:37:022632 前言 碳化硅产业链包含碳化硅粉末、碳化硅晶锭、碳化硅衬底、碳化硅外延、碳化硅晶圆、碳化硅芯片和碳化硅器件封装环节。其中衬底、外延片、晶圆、器件封测是碳化硅价值链中最为关键的四个环节,衬底成本占到
2021-08-16 10:46:405266 中,基本半导体总经理和巍巍博士发布了汽车级全碳化硅模块、第三代碳化硅肖特基二极管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品。至此基本半导体产品布局进一步完善,产品竞争力再度提升,将助力国内第三代半导体产业进一步发展。基本半导体的碳化硅
2021-11-29 14:54:087839 在高端应用领域,碳化硅MOSFET已经逐渐取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化镓领衔的宽禁带半导体发展迅猛,被认为是有可能实现换道超车的领域。
2022-07-06 12:49:161072 亿美元的新工厂。随着新能源汽车的加速渗透,碳化硅技术的重要性愈发凸显。安森美、Wolfspeed、意法半导体等碳化硅领域主导企业,均发表了对行业发展的积极展望,并计划投资扩大产能。碳化硅大厂间的新一轮卡位之战正在展开。 激进的扩产步伐 作为碳化
2022-10-08 17:02:25872 一旦硅开始达不到电路需求,碳化硅和氮化镓就作为潜在的替代半导体材料浮出水面。与单独的硅相比,这两种化合物都能够承受更高的电压、更高的频率和更复杂的电子产品。这些因素可能导致碳化硅和氮化镓在整个电子市场上得到更广泛的采用。
2022-12-13 10:01:358944 前言:碳化硅产业链包含碳化硅粉末、碳化硅晶锭、碳化硅衬底、碳化硅外延、碳化硅晶圆、碳化硅芯片和碳化硅器件封装环节。其中衬底、外延片、晶圆、器件封测是碳化硅价值链中最为关键的四个环节,衬底成本占到
2023-01-05 11:23:191191 碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)被称为“宽带隙半导体”(WBG)。在带隙宽度中,硅为1.1eV,SiC为3.3eV,GaN为3.4eV,因此宽带隙半导体具有更高的击穿电压,在某些应用中可以达到1200-1700V。
2023-02-05 14:13:341220 什么是第三代半导体?我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体,这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二极管
2023-02-21 10:16:472090 在半导体材料领域,碳化硅与氮化镓无疑是当前最炙手可热的明星。其中,碳化硅拥有高压、高频和高效率等特性,其耐高频耐高温的性能,是同等硅器件耐压的10倍。
2023-04-06 11:06:53465 碳化硅功率模组有哪些 碳化硅功率器件系列研报深受众多专业读者喜爱,本期为番外篇,前五期主要介绍了碳化硅功率器件产业链的上中下游,本篇将深入了解碳化硅功率器件的应用市场,以及未来的发展趋势,感谢各位
2023-05-31 09:43:20390 6.3.5.3界面氮化6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改进方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.3.5.2氧化
2022-01-17 09:18:16613 基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.5.4其他方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.5.3界面氮化∈《碳化硅技术基本原理——生长、
2022-01-21 09:35:56706 氮化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.5.2氧化后退火∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.5.1界面态分布∈《碳化硅技
2022-01-18 09:28:24662 碳化硅产业链主要分为衬底、外延、器件和应用四大环节,衬底与外延占据 70%的碳 化硅器件成本。根据中商产业研究院数据,碳化硅器件的成本构成中,衬底、外延、前段、 研发费用和其他分别占比为 47%,23%,19%,6%,5%,衬底+外延合计约 70%
2023-06-26 11:30:56733 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性,突破硅基半导体材料物理限制,是第三代半导体核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展,碳化硅需求增速可观。
2023-08-19 11:45:221041 随着新能源汽车的快速发展,碳化硅功率器件在新能源汽车领域中的应用也越来越多。碳化硅功率器件相比传统的硅功率器件具有更高的工作温度、更高的能耗效率、更高的开关速度和更小的尺寸等优点,因此在新能源
2023-09-05 09:04:421880 业内人士预测,今年将成为8英寸碳化硅器件的元年。国际功率半导体巨头Wolfspeed和意法半导体等公司正在加速推进8英寸碳化硅技术。在国内市场方面,碳化硅设备、衬底和外延领域也有突破性进展,多家行业龙头选择与国际功率半导体巨头合作。
2023-10-24 17:11:21967 碳化硅器件在UPS中的应用研究
2023-11-29 16:39:00240 碳化硅和氮化镓的区别 碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是两种常见的宽禁带半导体材料,在电子、光电和功率电子等领域中具有广泛的应用前景。虽然它们都是宽禁带半导体材料,但是碳化硅和氮化镓在物理性质
2023-12-08 11:28:51741 随着电力电子技术的不断发展,碳化硅(SiC)功率器件作为一种新型的半导体材料,在电力电子领域的应用越来越广泛。与传统的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐压、高耐流等优点
2023-12-14 09:14:46240 随着科技的快速发展,碳化硅(SiC)功率器件作为一种先进的电力电子设备,已经广泛应用于能源转换、电机控制、电网保护等多个领域。本文将详细介绍碳化硅功率器件的原理、应用、技术挑战以及未来发展趋势。
2023-12-16 10:29:20359 随着科技的不断进步,碳化硅(SiC)作为一种新型的半导体材料,在功率器件领域的应用越来越广泛。碳化硅功率器件在未来具有很大的发展潜力,将在多个领域展现出显著的优势。本文将介绍未来碳化硅功率器件的优势
2024-01-06 14:15:03353 碳化硅(SiC)是一种优良的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点,因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379
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