Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:38
1449 URA/B_YMD-30WR3 系列是MORNSUN为满足客户对更高功率密度产品的需求，而最新推出的宽压高功率密度产品。
2020-08-04 11:13:351227 日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二的产品低43%，降低压降并减小传导损耗，从而实现更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广
2023-09-06 14:18:431207 
供产品运用的技术支持。阿里店铺：阿里 “供应商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨询客服购买。【***赖,0755-85279055】【30V MOS N/P沟道 推荐：】HN3400
2021-03-18 14:21:33
开关频率约为 3.5kHz。当使能待机模式时，最小开关频率进一步减低至 220Hz，这是 16 倍的降幅以实现超低的静态电流。在待机模式中，LT8315 的预负载通常小于满输出功率的 0.1%，静态
2018-10-29 17:04:58
2018年6月1日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）进一步壮大其薄晶圆技术TRENCHSTOP5 IGBT产品阵容。新的产品家族可提供最高
2018-10-23 16:21:49
：阿里 “供应商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨询客服购买。【***赖,0755-85279055】【30V MOS N/P沟道 推荐：】HN3400：30V5.8ASOT23N沟道 MOS管
2021-03-18 14:16:53
惠海半导体 供应30V 30ATO-252MOS管HC020N03L，原装，库存现货热销HC020N03L参数：30V 30A TO-252 N沟道 MOS管/场效应管品牌：惠海
2020-11-11 17:32:09
看完你会大有收获。1、功率MOSFET选型第一步：P管，还是N管？ 功率MOSFET有两种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择
2017-11-15 08:14:38
N 型 MOSFET。下图显示了MOSFET的结构。MOSFET的操作由栅极电压控制。由于栅极与通道隔离，因此可以对其施加正电压和负电压。当栅极偏置电压为负时，它充当耗尽型MOSFET，当栅极偏置电压
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
Si-MOSFET/IGBT不断改进，以及对GaN和SiC工艺技术的引进，现代功率转换器/逆变器的功率密度不断提高。因此，需要高度集成、耐用的新型隔离式栅极驱动器。这些驱动器的电隔离装置体积小巧，可集成到驱动器芯片
2021-01-22 06:45:02
隔离式反激开关电源设计1、反激开关电源的设计思路，拓扑结构及原理框图讲解2、驱动电路设计3、经典驱动芯片UC3842 内部结构讲解4、频率设计讲解5、吸收电路设计及作用讲解6、功率开关管MOSFET
2015-09-08 08:43:23
，表明MOSFET沟道导通。当Vgs进一步增加，Rdson下降比较来缓，因为沟道完全导通，MOSFET导通电阻由其它的电阻组成部分决定。当器件缩小到更小的尺寸，RS , RCH也减小，因为更多的单个的单元
2016-10-10 10:58:30
通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析，可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)参数，进而确保持续提升系统效率和功率密度。分析显示，在研发功率
2019-07-04 06:22:42
的功率MOSFET的G极、S极加上正向电压后，在G极的下面的P型体区，就会形成一个非常薄的反型层N型，这样D极的N、反型层N、S极的N，就会形成导通的路径。图1：N沟道(左）、P沟道MOSFET结构P
2016-12-07 11:36:11
非隔离DC-DC拓扑介绍 Buck型拓扑变换器 Buck型变换器的拓扑结构如图所示，Buck型变换器也称降压型电源拓扑。在开关管S导通时，二极管VD负极电压高于正极反偏截止，此时电流
2023-03-22 15:55:15
概述：MAX5074隔离型PWM电源IC内置功率开关MOSFET，连接成电压钳位、双晶体管电源结构。该器件可以用于正激和反激结构，具有11V至76V的宽输入电压范围和15W的输出功率。电压钳位结构
2021-05-17 06:18:24
到输出，击坏恒流检测环，或是进一步击坏芯片，造成300v直通，而烧掉整条灯管。对于隔离反激电源，会击坏MOS，现象就是保管，芯片，MOS管全烧坏。现在LED驱动电源，在使用过程中坏的，80%以上都是
2023-03-16 15:05:31
驱动时序和副边同步整流器控制特性。利用自适应停滞时间补偿可进一步优化能效，从而改善负载范围内及可编程轻载模式下的效率，同时器件具有低功耗（
2018-09-26 16:04:09
员所需要的。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor简称FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款
2012-04-28 10:21:32
及实际应用 · AN-1059 –DirectFET MOSFET 的热模型和特性 此外设计人员还可以访问IR的DirectFET网上搜索中心，进一步了解如何利用DirectFET器件的独特优点及其如何增强电气和热性能的信息。 :
2018-11-26 16:09:23
会添加带有变压的交流到直流电源转换功能，其中包含了反激、正激及半桥等拓扑结构。如图1所示，其中反激拓扑结构是功率小于30 W的中低功率应用的标准选择，而半桥结构则最适合于提供更高能效/功率密度。就隔离
2018-10-09 14:28:20
十分敏感，抑制能力差。雷击浪涌，这种电压是瞬间高压，高达几千伏，时间很短，能量极强，这个电压进入电源，对于非隔离BUCK电路，会瞬间传达到输出，击坏恒流检测环，或是进一步击坏芯片，造成300v直通，而
2015-11-19 20:47:05
深圳市三佛科技有限公司 供应NCE3080K新洁能替代型号100N03 30V贴片MOS，原装正品，库存现货热销NCE3080K为新洁能推出的30V，N沟道，大电流 MOS，TO-252封装
2019-11-27 16:52:24
的设计而言，它大幅降低了MOSFET导通电阻，并保持了出色的开关性能。 英飞凌推出的OptiMOS 3系列进一步改进了设计，使更高电压等级的器件能够受益于这种技术。在150 V 至250 V的电压
2018-12-07 10:21:41
AO7400SL3042N沟道DFN5*6-8 EP 30V88ASL2060N沟道TO-252 20V 85ASL8726N沟道TO-252 30V 85ASL484N沟道TO-252 30V 41A可替代
2020-08-01 10:10:37
沟道 TO-252 替代AOD484 功率MOS管SL403-30V-70A5毫欧TO-252封装 P沟道替代AOD403SL48430V41A14毫欧TO-252封装 N沟道替代
2020-06-04 13:58:07
型号：SLN30N03T电压：30V 电流：30A封装：DFN3*3-8种类：绝缘栅(MOSFET)SLN30N03T 原装，SLN30N03T库存现货热销售后服务：公司免费提供样品，并提供产品运用的技术支持。阿里店铺
2021-04-07 14:57:10
隔离反激式拓扑结构的12 V-1 A电源。该器件的特性包括800 V雪崩耐用功率部分，60 kHz时PWM工作，频率抖动可降低EMI，可调节设定值限流，板载软启动，故障后安全自动重启和低待机功率
2019-11-05 08:50:35
有什么方法可以进一步降低待机模式的功耗
2023-10-12 07:23:28
【中低压MOS供应】VS3622DE，30V/35A，双N沟道高级功率MOSFET 【中低压MOS供应】VS4610AE，40V55A，N沟道高级功率MOSFET VS3622DE
2020-11-04 14:40:31
一、工作原理非隔离开关电源拓扑结构如上图，为 BUCK 拓扑结构，与 DCDC 降压型拓扑不同的是，输入部分为 AC 交流，需要进行半波整流。二、优缺点优点 ：1、相对于隔离式，体积比较小，价格比
2021-08-18 18:00:05
描述此 PMP5643 采用通用电源准谐振隔离反向，可提供 51W 峰值功率和 37W 平均功率（ 13.65V 电压）。此转换器得益于“级联”拓扑，可进一步减少无负载损失，实现超快启动时间。
2018-12-11 11:45:24
什么是功率密度？功率密度的发展史如何实现高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
。由于GaN FET的开关速度很快，集成FET驱动能最小化线路面积，进一步减小开关噪声。LMG3410同时集成了一个5V稳压器，可以给ISO7831隔离芯片的次级供电。LMG3410还带过流，过温和欠
2019-03-14 06:45:08
转换器拓扑结构，无论是隔离还是非隔离。 ADP1621通过测量n沟道MOSFET导通电阻上的压降，无需使用电流检测功率电阻
2019-05-30 09:08:12
，它们的优值系数（FOM）大为改善，可以实现高频开关。CoolGaN™ IPS技术在紧凑型封装中集成了栅极驱动器并可支持高工作频率，特别适用于有源钳位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC转换器，因而有助于进一步提高充电器和适配器设计的功率密度。
2022-04-12 11:07:51
，它们的优值系数（FOM）大为改善，可以实现高频开关。CoolGaN™ IPS技术在紧凑型封装中集成了栅极驱动器并可支持高工作频率，特别适用于有源钳位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC转换器，因而有助于进一步提高充电器和适配器设计的功率密度。
2022-06-14 10:14:18
新手，问个问题，示波器探头的隔离与非隔离到底什么意思？有时候测信号说不能同时用两个非隔离的，容易烧坏器件，隔离的探头应该是同时接几个通道都没问题的吧？非隔离什么情况下可以接多个通道，什么情况下只能接一个通道，谁能系统的讲讲吗？谢谢了
2017-09-28 11:50:09
输出、输出功率1~~~3W的隔离电源。
VPS8504N内部集成振荡器，提供一对高精度互补信号以驱动两个N沟道MOSFET。芯片内部按照对称结构设计，能有效确保两个功率MOSFET的高度对称性，避免
2023-10-12 09:38:22
、输出功率1~~3W的隔离电源。
VPS8505芯片内部集成振荡器，提供一对高精度互补信号以驱动两个N沟道MOSFET。芯片内部按照对称结构设计，能有效确保两个功率MOSFET的高度对称性，避免电路在
2023-10-12 09:49:26
VPS8701B是一款专门为小体积、低待机功耗的微功率隔离电源而设计的变压器驱动器，其外围只需匹配简单的输入输出滤波电容、隔离变压器和整流电路，即可实现6~~~30V输入电压、多种输出电压、输出功率
2023-10-12 10:04:51
从“砖头”手机到笨重的电视机，电源模块曾经在电子电器产品中占据相当大的空间，而且市场对更高功率密度的需求仍是有增无减。硅电源技术领域的创新曾一度大幅缩减这些应用的尺寸，但却很难更进一步。在现有尺寸
2019-03-01 09:52:45
的FDMF8811是业界首款100 V桥式功率级模块，优化用于全桥和半桥拓扑。FDMF8811以高能效和高可靠性水平提供更高的功率密度。与分立方案相比，FDMF8811可减少一个典型的全桥方案约三分之一的PCB
2018-10-24 08:59:37
如何进一步加强对RFID的安全隐私保护？
2021-05-26 06:09:27
GN1302 晶振引脚连接 2 个 30pf 电容，每天大约慢 4 秒，如何进一步提高精度?时钟每天慢 4 秒是因为晶振的外部负载电容过大，即 30pf 电容过大。如果使用的晶振的负载电容参数为
2022-12-29 17:36:43
如何用PQFN封装技术提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
简介：这款电源非常简单，很适合刚刚学习开关电源的人员参考，电源采用常用的反激拓扑，开关电源一般最重要的设计变压器（后面简介分享下变压器参数设计）。背景： 前段时间因需要所以自制的一款输出为30V隔离
2021-12-30 06:12:37
如何让计算机视觉更进一步接近人类视觉？
2021-06-01 06:27:08
TM1363 非隔离5V500mA12V260mATM1361 非隔离5V300mA12V150mA一、功能描述：1、成本最低、元件数目最少的降压型(BUCK)转换器方案；2、支持降压(Buck
2021-12-28 08:23:14
我最近收集了一份开关电源隔离式与非隔离式（即反激式）的资料，许多应用中都需要输入/输出隔离。隔离可切断无用信号的传播路径，优势如下：保护人员、设备免遭感应在隔离另一端的危险瞬态电压损害 ；去除隔离
2020-10-27 10:48:44
电路，即可实现 6.5~30V 输入电压、多种输出电压、输出功率高达 15W 的隔离电源。VPS8703 内部集成两个 N 沟道功率 MOSFET 和两个 P 沟道功率 MOSFET，并组成桥式连接方式。芯片
2022-11-11 14:44:13
网络时间协议NTP是什么意思？NTP授时的原理是什么？怎样去进一步提高NTP的授时精度呢？
2021-11-01 07:12:40
91%以上，而且有更高的功率因素。而隔离一般能效在88%，视功率而定，所以隔离电源发热也比较大。 非隔离拥有更少的元器件稳定性却比较差，可是为什么呢？原因是非隔离电路对于浪涌十分敏感，抑制能力差
2016-08-04 13:16:13
0.7. 本文提出了一种新的高功率因数非隔离LED驱动电路，组合了逐流式功率因Buck-boost开关电源电路电路结构简单，同时满足LED驱动电源的高功率因数，高效率，符合电磁兼容EMC标准，高电流
2018-09-25 10:35:55
整个寿命周期成本时，逐步减少能量转换过程中的小部分损失并不一定会带来总体成本或环境效益的大幅提升。另一方面，将更多能量转换设备集成到更小的封装中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工厂或数据中心
2020-10-27 10:46:12
在高度可靠、高性能的应用中，如电动/混合动力汽车，隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。随着Si-MOSFET/IGBT不断改进，以及对GaN和SiC工艺技术的引进，现代功率转换器/逆变器的功率密度不断提高。
2019-08-09 07:03:09
从“砖头”手机到笨重的电视机，电源模块曾经在电子电器产品中占据相当大的空间，而且市场对更高功率密度的需求仍是有增无减。硅电源技术领域的创新曾一度大幅缩减这些应用的尺寸，但却很难更进一步。在现有尺寸
2019-08-06 07:20:51
实际应用中的开关频率。这些问题都阻碍了高功率密度、小体积电源适配器的进一步发展。 有源钳位反激（ACF）是一种新型谐振拓扑，克服了上述问题。不像QR，ACF能够吸收利用漏感能量实现软开关，临界模式
2023-03-03 16:24:56
检测环，或是进一步击坏芯片，造成300v直通，而烧掉整条灯管。事实上就是指非隔离电源，在批量出货时，返修率高于隔离LED驱动电源，大都是因为炸坏。而隔离电源炸坏的机率要小不少，非隔离的一般在2%至3
2015-11-10 00:23:46
概述VPS8701B 是一款适用于全桥拓扑结构的 DCDC 隔离型开关电源集成控制器，桥式驱动方式的变压器绕组少，成本低。满足6V~30V 的应用，兼容性强。电流过大时钳位限制功率管电流，既保证了
2023-03-21 15:24:12
进一步减小，甚至消除。 结论 如今，新一代的40V和60V MOSFET可使设计工程师设计出更高功率密度的产品。开关性能的优化可使许多应用选用一个更低电压等级的MOSFET，从而全面优化通态电阻、成本
2018-12-06 09:46:29
如何进一步减小DTC控制系统的转矩脉动？
2023-10-18 06:53:31
的需求是希望将每个机架的功率密度能提高到100kW，从而减少整体尺寸。其实，完全可以通过使用 48V 背板和配电来实现这一需求，然而这种方法却存在诸多挑战，因为它无法依靠传统同步 Buck 降压调节器将
2021-05-26 19:13:52
不需要FB反馈环路，进一步降低成本。本系列主要应用于球泡灯、射灯、吸顶灯、筒灯等LED照明驱动领域。可通过EFT、雷击、浪涌等可靠性测试，可通过3C、UL、CE等认证。钲铭科隔离式LED驱动芯片
2015-12-17 14:34:24
开发人员来说，功率密度是一个始终存在的挑战，对各种电压下更高电流的需求（通常远低于系统总线）带来了对更小的降压稳压器的需求，这样的稳压器可通过一个单极里的多个放大器，将电压从高达48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
传统变压器介绍高功率密度变压器的常见绕组结构
2021-03-07 08:47:04
集成来减小系统体积我还将演示如何与TI合作，使用先进的技术能力和产品来实现这四个方面，帮助您改进并达到功率密度值。首先，让我们来定义功率密度，并着重了解一些根据功率密度值比较解决方案时的细节
2022-11-07 06:45:10
30V N沟道增强型MOSFET管
30V N沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:41:00
20 30V P 沟道增强型MOSFET管
30V P 沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:42:0929 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技术
日前，Vishay Intertechnology推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。这些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
Vishay Siliconix推出业界性能最先进的P沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强Pow
2009-11-23 17:10:23650 Vishay推出的P沟道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP沟道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm×2mm占位面积的热增强PowerPAKSC-70封装，具
2009-11-25 17:56:52711 Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的
2010-04-07 10:52:52777 带集成肖特基二极管的30V N沟道功率MOSFET(ON)
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET器件
2010-04-10 10:32:52519 安森美推出带集成肖特基二极管的30V 扩充N沟道功率MOSFET
安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET器件阵容，新推出带集成肖特基二极管的30V产品。
NTMFS4897
2010-04-12 10:23:161107 提出一种新型正激隔离式高功率密度逆变器，该变换器前级为正激变换器，只是副边二极管换成了开关管使其具备能量双向传递的功能。分析了它的工作原理，给出了仿真波形。
2011-05-19 17:28:4371 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结技术，导通电阻低至30mΩ、电流达6A～105A，在8种封装中实现低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241063 ® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:40783 宾夕法尼亚、MALVERN — 2017 年 4 月25 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新的30V N沟道
2017-04-25 15:58:551514 基于系统效率和功率密度发展趋势示意图，我们可以清晰的看出，在最近的十年间系统的效率和功率密度有了巨大的提升，尤其以服务器和通信电源为显著。这一巨大的提升是如何实现的呢？它主要是通过尝试新的拓扑结构
2021-03-12 09:46:342465 
新型 30 V n 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。 Vishay Siliconix SiSS52DN 采用热增强型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:572153 适用于标准栅极驱动电路的MOSFET8月12日，Vishay推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET——SiSS22DN，业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件，10
2021-12-05 10:21:115 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款n沟道TrenchFET® MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可靠性。
2022-02-07 15:37:08916 
随着科技的不断革新发展，MOSFET产品也经过技术的迭代升级有了更加优越的表现。但如何提升器件性能的同时进一步降低器件的自身损耗依旧是亟待解决的问题。为此东芝半导体拓展了MOSFET产品线，推出
2022-08-26 11:01:07794 30V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV50ENEA
2023-03-03 19:33:590 全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS技术。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm2封装，具备先进的硅技术、稳定可靠的封装与极低的热阻（RthJC最大值为3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:08355 
全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14104
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