式电源 (SMPS)。 首批上市的两款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。两款产品的单位面积导通电阻(RDS(on))都非常低，可以极大程度提高功率密度
2022-05-19 10:50:42
1844 
、电机控制和配电电路的能耗和噪声。 新型 40V N 沟道增强型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充沟槽技术实现卓越的品质因数。在栅源电压 (VGS
2022-06-24 09:57:451546 
日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)开发出耐压40V的功率MOSFET ，最适合用于以工业设备和车载领域为中心的、输入电压24V的DC/DC转换器。
2012-08-08 09:18:231140 在本文中，我们将讨论一些设计技术，以在不影响性能的情况下实现更高的功率密度。
2021-09-13 11:29:541186 
为满足快速发展的电动汽车行业对高功率密度 SiC 功率模块的需求，进行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全桥 SiC 功率模块设计与开发，提出了一种基于多叠层直接键合铜单元的功率模块封装方法来并联更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03377 
日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二的产品低43%，降低压降并减小传导损耗，从而实现更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 汽车级MOSFET导通电阻比最接近的DPAK封装竞品器件低28 %，比前代解决方案低31 %，占位面积减小50 %，有助于降低导通功耗，节省能源，同时增加功率密度提高输出。
2021-04-07 10:34:071562 也显而易见，更少的组件，更高的集成度以及更低的成本。 更高的功率密度和温度 功率密度是在给定空间内可处理多少功率的度量，基于转换器的额定功率以及电源组件的体积计算得出。电流密度也是一种与功率密度有关的指标，
2022-12-26 09:30:522114 最新一代面向汽车应用的功率 MOSFET，OptiMOS™ 7 40V MOSFET提供多种无引脚、坚固的功率封装。该系列产品采用了 300 毫米薄晶圆技术和创新的封装，相比于其它采用微型封装的器件，具有
2023-06-06 11:01:361028 
40 A 650V IGBT，它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3（亦称D2PAK）封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率密度
2018-10-23 16:21:49
意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范，具体而言，低压MOSFET必须耐受高温和高尖峰电流。
2019-08-09 07:28:08
（BOM）中的组件更少，同时还能提供具有高可靠性的高密度解决方案，但可提供的功率相对有限。诸如网络路由器、交换机、企业服务器和嵌入式工业系统等应用的耗电量越来越高，需要30A、40A、60A或更高电流以
2019-07-31 04:45:11
`Nexperia 200V超快恢复整流器拥有高功率密度，同时最大限度地减少了反向恢复时间和损耗。这些器件是大功率密度、超快恢复整流器，采用高效平面技术，采用小型扁平引线SOD123W或SOD128
2020-02-13 14:30:30
`Nexperia汽车用MOSFET包括一系列符合AEC-Q101标准的器件，符合汽车行业制定的严格标准。这些Nexperia汽车器件设计用于比家用和便携式应用中使用的功率MOSFET更恶劣
2021-01-23 11:20:27
MOSFET 采用 100%铜夹片LFPAK 封装。该封装坚固耐用，提供较高的板级可靠性和出色的热性能。LFPAK 封装适用于汽车以及工业和消费类应用。△ 具有较大 SOA 的 Nexperia MOSFET适用于 36V 锂电池系统应用
2022-10-28 16:18:03
通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析，可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)参数，进而确保持续提升系统效率和功率密度。分析显示，在研发功率
2019-07-04 06:22:42
面型MOSFET的RDS(ON)组成部分主要的不同在于出现JFET部分，沟漕型由于没有JFET效应，可以得到更高密度的缩减，实现低的RDS(ON)。沟漕MOSFET的RDS(ON)由于下面几个部分
2016-10-10 10:58:30
的汽车电子系统已开创了功率器件的新时代。本文将介绍和讨论几种推动汽车电子功率器件变革的新型应用。还将探讨实现当前汽车电子系统功率MOSFET的一些发展状况。这些发展将有助于促进汽车电子行业前进
2008-08-01 15:32:09
) 或电动汽车 (EV) 牵引逆变器系统。40V 最低输入电压支持来自牵引电机的可再生制动的功能安全测试。该参考设计实现了一款碳化硅 (SiC) MOSFET，该器件具有用于降低开关损耗的高阻断
2018-10-15 14:56:46
的推出，为业界提供了最佳功率密度和低传导损耗。FDMC8010采用飞兆半导体的PowerTrench技术，非常适合要求在小空间内实现最低RDS(ON)的应用，包括：高性能DC-DC降压转换器、负载点
2012-04-28 10:21:32
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。该器件的最大导通电阻为7.0 mΩ(VGS
2018-11-26 16:09:23
. 总所周知，IR不仅是全球功率半导体领先供应商，还是管理方案领先供应商。其推出的AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET,采用COOLiRFET硅技术,40V
2018-09-28 15:57:04
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【关键词】：功率损耗,导通电
2010-05-06 08:55:20
克服了上述问题，可实现高功率密度、高效率 (达 99%) 的解决方案。这款固定比例、高电压、高功率开关电容器控制器内置 4 个 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，用于驱动外部功率 MOSFET，以
2018-10-31 11:26:48
概述OC5820 是一款内置功率 MOSFET 的单片降压型开关模式转换器。OC5820 在6-40V 宽输入电源范围内实现 2.5 A 峰值输出电流，并且具有出色的线电压和负载调整率。OC5820
2022-01-13 09:35:22
朝着更高功率密度、更高能效的功率转换器设计方向前进，需要采用SuperSO8、S3O8 或DirectFET/CanPAK等全新封装代替有管脚的SMD封装或适用于低压MOSFET的过孔器件。由于存在封装
2018-12-07 10:21:41
）”，非常适用于FA等工业设备和基站（冷却风扇）的电机驱动。近年来，为了支持工业设备和基站的电机所使用的24V输入，MOSFET作为用于驱动的器件，需要具备考虑到电压稳定裕度的、40V和60V的耐压能力
2021-07-14 15:17:34
。
SL3061 40V/2.5A开关降压型转换器产品概述:SL3061是一款内部集成功率MOSFET的降压型开关稳压器，工作在宽输入电压范围具有优良的负载和线性调整。宽范围输入电压（6V至40V）可提供
2023-12-12 16:11:08
800V，且 RDS(on) 在 10V VGS 时仅 0.15Ω ，在 4.5V 时仅 0.20Ω。威世硅尼克斯的 SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 也不含卤素（按照 IEC
2019-07-09 17:30:39
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:58 编辑
一种新型正激高功率密度逆变器
2012-04-08 16:29:16
一种新型正激高功率密度逆变器
2012-04-08 15:43:13
什么是功率密度？功率密度的发展史如何实现高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
概述SL3061是一款内部集成功率MOSFET的降压型开关稳压器，工作在宽输入电压范围具有优良的负载和线性调整。宽范围输入电压（6V至40V）可提供最大2.5A电流高效率输出。SL3061安全保护
2022-06-10 15:16:08
扩展了其650伏(V) SiC二极管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系统成本。工程师在设计用于太阳能光伏逆变器、电动车/混和动力电动车（EV / HEV）充电器、电信电源和数据中心电源等
2018-10-29 08:51:19
应用。虽然3mm x 3mm功率封装已经使DC-DC电路使用的空间大幅减少，还是有机会能够把所用的空间再减少一点，以及提高功率密度。实现这个目的的办法之一是用组合了两个器件的封装替代分立的单片MOSFET
2013-12-23 11:55:35
更高的功率密度。GaN的时代60多年以来，硅一直都是电气组件中的基础材料，广泛用于交流电与直流电转换，并调整直流电压以满足从手机到工业机器人等众多应用的需求。虽然必要的组件一直在持续改进和优化，但物理学
2019-03-01 09:52:45
实现功率密度非常高的紧凑型电源设计的方法
2020-11-24 07:13:23
如何在高功率密度模块电源中实现低损耗设计？这个问题是很多生产商和研发人员所面临的头号问题。毕竟，高功率密度的模块电源目前在我国的工业、通讯和制造业领域占据着主导地位。所以，下文将会就这一问题展开
2016-01-25 11:29:20
如何用PQFN封装技术提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
650V SiC MOSFET 的功率损耗低，可以在双向高功率转换应用（例如 EV 的 OBC）中实现高功率密度和高效率。
2023-02-27 09:44:36
的BLDC电机时，功率密度就是游戏的代名词。TI新的功率模块解决方案可在前所未有的水平上实现这一目标。其他信息有关这些新功率模块的更多信息，请查看具有40V CSD88584Q5DC的18V / 1kW
2017-08-21 14:21:03
采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片的半桥功率模块系列 产品型号 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore2
2023-02-27 11:55:35
怎么测量天线辐射下空间中某点的电磁功率（功率密度）？
2013-10-16 16:32:02
NTMFS5C430NLT1G是一款 单 N沟道 功率 MOSFET，40V，1.4 mΩ，200A。特性：•低RDS（开启）•将传导损耗降至最低•低输入电容•最大限度地减少开关损耗•最高结温为
2021-12-29 13:44:23
和输出过压闭锁功能。应用汽车和工业电源通用升压特点Silent Switcher® 架构超低EMI辐射可选展频集成40V、2.5A功率开关宽输入/输出电压范围：2.7V至40V低VIN引脚静态电流：0.3
2020-08-28 10:06:36
整个寿命周期成本时，逐步减少能量转换过程中的小部分损失并不一定会带来总体成本或环境效益的大幅提升。另一方面，将更多能量转换设备集成到更小的封装中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工厂或数据中心
2020-10-27 10:46:12
从“砖头”手机到笨重的电视机，电源模块曾经在电子电器产品中占据相当大的空间，而且市场对更高功率密度的需求仍是有增无减。硅电源技术领域的创新曾一度大幅缩减这些应用的尺寸，但却很难更进一步。在现有尺寸
2019-08-06 07:20:51
MOSFET通过降低开关损耗和具有顶部散热能力的DaulCool功率封装技术可以实现更高的工作频率,从而能够获得更高的功率密度。 理想开关 在典型的同步降压开关电源转换器中,MOSFET作为开关使用时
2012-12-06 14:32:55
MOSFET的导通电阻以及测量的条件，如AON6590，VDS=40V，分别列出了VGS=10V、VGS=4.5V的RDS(ON)，如下图所示。测量的条件：ID = 20A。导通电阻的温度系数用归一化的图表
2016-09-26 15:28:01
%和39%。改善导通电阻与栅极电荷乘积（优值系数，FOM），不仅能够提高总体的系统效率，还能够使DC/DC转换器实现更高的功率密度和更高的开关频率。为验证从TrenchFET III到TrenchFET
2013-12-31 11:45:20
`描述此降压同步直流/直流解决方案从 40V/42V 输入提供 5V 输出 (@20A)，可实现最大效率。特性带有集成同步栅极驱动器的 TPS40170 控制 IC低栅极电荷 (Qg) NexFET
2015-05-11 14:23:04
具有更高的热性能和坚固性，以及高度可靠的环氧树脂灌封技术。所有这些都导致： 优化内部低杂散电感和电弧键合™结构，显著提升动态开关性能; 功率密度比主要竞争对手的模块高20-30%; 更低的热阻
2023-02-20 16:26:24
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16
电动工具中直流电机的配置已从有刷直流大幅转向更可靠、更高效的无刷直流（BLDC）解决方案转变。斩波器配置等典型有刷直流拓扑通常根据双向开关的使用与否实现一个或两个功率金属氧化物半导体场效应晶体管
2019-08-01 08:16:08
硅芯片如何助力汽车制动系统实现更高安全性？Cortex-R4的优势是什么？
2021-05-11 06:59:51
达100A的电流处理能力等特性，使该系列产品在40至80V电压等级的低电阻MOSFET应用方面树立了全新的标准。OptiMOS 3产品用于要求高效率和高功率密度的功率转换和电源管理系统，应用范围广泛
2018-12-07 10:23:12
进一步减小，甚至消除。 结论 如今，新一代的40V和60V MOSFET可使设计工程师设计出更高功率密度的产品。开关性能的优化可使许多应用选用一个更低电压等级的MOSFET，从而全面优化通态电阻、成本
2018-12-06 09:46:29
采用微型QFN封装的42V高功率密度降压稳压器
2019-09-17 08:43:00
开发人员来说，功率密度是一个始终存在的挑战，对各种电压下更高电流的需求（通常远低于系统总线）带来了对更小的降压稳压器的需求，这样的稳压器可通过一个单极里的多个放大器，将电压从高达48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
描述 PMP11328 是高功率密度 30A PMBus 电源，满足基站远程射频单元 (RRU) 应用的 Xilinx Ultrascale+ ZU9EG FPGA 内核电压轨电源规格。该电源在
2022-09-27 06:47:49
传统变压器介绍高功率密度变压器的常见绕组结构
2021-03-07 08:47:04
集成来减小系统体积我还将演示如何与TI合作，使用先进的技术能力和产品来实现这四个方面，帮助您改进并达到功率密度值。首先，让我们来定义功率密度，并着重了解一些根据功率密度值比较解决方案时的细节
2022-11-07 06:45:10
工业电源必需满足一些特殊的要求，如低功耗(以减轻机箱冷却方面的负担)、高功率密度(以减小空间要求)、高可靠性和高耐用性，以及其它在普通电源中不常见的特性
2011-04-06 10:57:141267 
提出一种新型正激隔离式高功率密度逆变器，该变换器前级为正激变换器，只是副边二极管换成了开关管使其具备能量双向传递的功能。分析了它的工作原理，给出了仿真波形。
2011-05-19 17:28:43
71 对于现代的数据与电信电源系统，更高的系统效率和功率密度已成为核心焦点，因为小型高效的电源系统意味着节省空间和电费账单。
2011-07-14 09:15:132672 英飞凌科技推出采用先进沟槽技术制程的最新单一P通道40V汽车电源MOSFET系列产品。新型40V OptiMOS P2产品为提升能源效率、减少CO2排放及节省成本设立新的基准
2011-09-28 19:35:41648 麦瑞半导体公司(Micrel, Inc.)推出了面向高功率密度直流—直流应用的新型SuperSwitcher II(TM)系列集成MOSFET的降压稳压器产品。
2012-02-03 09:09:12894 工业电源必需满足一些特殊的要求，如低功耗（以减轻机箱冷却方面的负担）、高功率密度（以减小空间要求）、高可靠性和高耐用性，以及其它在普通电源中不常见的特性，如易于并
2012-10-11 20:42:571850 
通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析，可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)参数，进而确保持续提升系统效率和功率密度。 分析显示，在研发功率
2017-11-24 06:21:01467 
意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范
2019-01-25 07:15:01511 
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装，可提供低于2mΩ级别中的最低输出电容(Coss)。儒卓力在电子商务网站上供应这款MOSFET器件。
2020-02-20 10:27:382779 通过对同步交流对交流（DC-DC）转换器的功耗机制进行详细分析，可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管 （MOSFET）参数，进而确保持续提升系统效率和功率密度。分析显示，在研发功率
2020-08-07 18:52:000 机电元件集成来减小系统体积 我还将演示如何与TI合作，使用先进的技术能力和产品来实现这四个方面，帮助您改进并达到功率密度值。 首先，让我们来定义功率密度，并着重了解一些根据功率密度值比较解决方案时的细节。 什么是功率密
2020-10-20 15:01:15579 LTM4600-10A DC/DC uModule在紧凑的封装中提供更高的功率密度
2021-05-10 12:28:175 的散热
通过机电元件集成来减小系统体积
我还将演示如何与TI合作，使用先进的技术能力和产品来实现这四个方面，帮助您改进并达到功率密度值。
首先，让我们来定义功率密度，并着重了解一些根据
2022-01-14 17:10:261733 在QR反激式转换器中采用GaN HEMT和平面变压器，有助于提高开关频率和功率密度。然而，为了在超薄充电器和适配器设计中实现更高功率密度，软开关和变压器漏感能量回收变得不可或缺。
2022-03-31 09:26:451951 
(MOSFET)，因为它能够驱动更高的功率密度和高达 99% 的图腾柱功率因数校正 (PFC) 效率。但由于其电气特性和它所支持的性能，使用 GaN 进行设计面临着与硅甚至其他宽带隙技术（如碳化硅）不同的一系列挑战。
2022-07-29 14:06:52792 
电力电子领域的各种应用。MOSFET 的基本特性之一是其能够承受甚至非常高的工作电流、卓越的性能、稳健性和可靠性。该LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封装设计用于比 D²PAK 等旧金属电缆封装小尺寸和更高的功率密度，适用于当今空间受限的高功率汽车应用。
2022-08-09 08:02:112783 
功率密度基础技术简介
2022-10-31 08:23:243 一般电驱动系统以质量功率密度指标评价，电机本体以有效比功率指标评价，逆变器以体积功率密度指标评价；一般乘用车动力系统以功率密度指标评价，而商用车动力系统以扭矩密度指标评价。
2022-10-31 10:11:213713 本文将介绍实现更高电源功率密度的 3 种方法，工艺技术创新、电路设计技术优化、热优化封装研发
2022-12-22 11:59:59649 
基于WAYON维安MOSFET高功率密度应用于USB PD电源
2023-01-06 12:51:35549 
谈及驱动效率更高的解决方案，汽车动力总成应用显然是主要焦点之一。功率密度、热性能和空间一直都是需要改进的关键领域。适用于在30~300 W范围内对热设计有要求的系统（包括水、油和燃油泵），Nexperia新推出的LFPAK33封装40 V低RDS(on) MOSFET器件是理想的选择。
2023-02-09 09:53:08459 
40V – 250A – N 沟道功率 MOS FET 应用：汽车
2023-03-13 19:19:530 英飞凌科技汽车 MOSFET 产品线高级副总裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列将在功率密度、电流能力和芯片耐用性方面树立新标杆。
2023-06-26 13:10:00302 
40V – 250A – N 沟道功率 MOS FET 应用：汽车
2023-07-04 20:37:240 电力电子产品设计人员致力于提升工业和汽车系统的功率效率和功率密度，这些设计涵盖多轴驱动器、太阳能、储能、电动汽车充电站和电动汽车车载充电器等。
2023-09-26 10:00:04166 
随着汽车行业逐步纵深电气化，我们已经创造出了显著减少碳排放的可能性。然而，由此而来的是，增加的电子设备使得汽车对电力运作的需求日益攀升，这无疑对电源网络提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在电源管理设计中的关键切换功能，成为了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:06672 
非互补有源钳位可实现超高功率密度反激式电源设计
2023-11-23 09:08:35284 
应用提供比之前高八倍以上的功率密度。 中国上海（2024 年 3 月 6 日）– 德州仪器 (TI)（NASDAQ 代码：TXN）今日推出两个全新的功率转换器件产品系列，可帮助工程师在更小的空间内实现更高的功率，从而以更低的成本提供超高的功率密度。德州仪器新款 100V 集成氮化镓 (GaN) 功
2024-03-06 14:40:5378 
高八倍以上的功率密度。 上海2024年3月6日 /美通社/ -- 德州仪器 (TI)（NASDAQ 代码：TXN）今日推出两个全新的功率转换器件产品系列，可帮助工程师在更小的空间内实现更高的功率，从而以更低的成本提供超高的功率密度。德州仪器新款 100V 集成氮化镓 (GaN) 功率级采用热增强
2024-03-07 16:03:04225
电子发烧友App
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