大联大控股宣布，其旗下品佳代理的英飞凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。
2018-04-10 14:04:34
8342 
为满足快速发展的电动汽车行业对高功率密度 SiC 功率模块的需求，进行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全桥 SiC 功率模块设计与开发，提出了一种基于多叠层直接键合铜单元的功率模块封装方法来并联更多的芯片。
2024-03-13 10:34:033982 
靠性。在碳化硅材料中，垂直界面的缺陷密度明显低于横向界面。这就为性能和鲁棒性特征与可靠性的匹配提供了新的优化潜力。 安富利合作伙伴英飞凌推出的CoolSiC MOSFET G2沟槽技术继承了G1的高可靠性。 基于所有已售出的CoolSiC MOSFET G1、分立器件和工
2024-05-16 09:54:311373 
的CoolSiCMOSFET650V和1200VGen2技术在确保质量和可靠性的前提下，进一步提升了MOSFET的主要性能指标，拥有更高的效率和功率密度。Gen2SiC性价比
2025-08-19 14:45:005067 
铁路牵引变流器作为轨道交通车辆动力系统的核心部件，正朝着高可靠性、高功率密度和高效率方向发展。目前IGBT仍是铁路牵引领域的主流功率半导体器件，但是SiC MOSFET模块的应用正在加速。本文重点介绍三菱电机SiC MOSFET模块的高功率密度和低损耗设计。
2025-09-23 09:26:332066 
该62mm模块配备了英飞凌的CoolSiC MOSFET芯片，可实现极高的电流密度。其极低的开关损耗和传导损耗可以最大限度地减少冷却器件的尺寸。
2020-07-14 17:40:231952 日前发布的器件在小型封装内含有高性能n沟道沟槽式MOSFET和PWM控制器，提高了功率密度。稳压器静态工作电流低，峰值效率达98 %，减少功率损耗。
2021-03-24 16:58:211873 英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）即将推出采用XHP™ 2封装的CoolSiC™ MOSFET和.XT技术的功率半导体，这款专门定制的解决方案旨在满足轨道交通市场的需求。
2022-03-07 14:52:09835 
和信号完整性以提高系统级保护和精度。 在这些趋势之外，功率密度越来越高也是一个不争的行业趋势，如果能在更小的空间内实现更大的功率，就能以更低的系统成本增强系统级性能。随着功率需求的增加，电路板面积和厚度日益成为限制
2022-11-29 01:04:002449 电子发烧友网报道（文/李宁远）电源模块功率密度越来越高是行业趋势，每一次技术的进步都可以让电源模块尺寸减小或者让功率输出能力提高。随着技术的不断发展，电源模块的尺寸会越来越小。功率密度不断提高的好处
2022-12-26 09:30:523461 。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广
2023-09-06 14:18:432171 
模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率等级应用，而传统
2023-12-05 17:03:491311 
TDM2254xD系列双相功率模块，为AI数据中心提供更佳的功率密度、质量和总体成本（TCO）。TDM2254xD系列产品融合了强大的OptiMOSTM MOSFET技术创新与新型封装和专有磁性结构，通过稳健的机械设计提供业界领先的电气和热性能。它能提高数据中心的运行效率，在满足A
2024-03-05 13:52:101491 
™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线
2024-03-14 11:07:581205 
了全面的提升。 性能全方面提升 英飞凌在2017年正式推出了第一代沟槽栅SiC MOSFET，即CoolSiC MOSFET G1。在CoolSiC MOSFET G1中，英飞凌采用沟槽栅
2024-03-19 18:13:184422 
™ MOSFET 750 V G2。这款新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而设计。它提供一系列精细化的产品组合，在25°C时R DS(on) 值
2025-07-02 15:00:301604 
™ 1B模块（F4-23MR12W1M1_B11）。该模块可提供 超高的设计灵活性和高电流密度 。同时，该模块采用了领先的封装技术，与CoolSiC™ MOSFET配合使用，实现了 低电感设计以及极小
2022-08-09 15:17:41
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
解决方案的功率仅为其75%。 新器件的高功率密度允许设计人员升级现有设计，开发输出功率提高最多25%的新平台，或者减少并联功率器件数量，从而实现更紧凑的设计。独一无二的组合封装40 A D2PAK可以替代D3PAK或TO-247，用于表面贴装。这可支持轻松焊接，实现快速且可靠的贴装生产线。
2018-10-23 16:21:49
通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析，可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)参数，进而确保持续提升系统效率和功率密度。分析显示，在研发功率
2019-07-04 06:22:42
全球半导体领先供应商英飞凌联合第三方，推出了性能优越的的750W伺服套件。该套件包括主控板和功率板两部分。主控板采用英飞凌32位微处理器XMC4500（ARM Cortex-M4 core）为主
2018-12-11 10:47:32
的推出，为业界提供了最佳功率密度和低传导损耗。FDMC8010采用飞兆半导体的PowerTrench技术，非常适合要求在小空间内实现最低RDS(ON)的应用，包括：高性能DC-DC降压转换器、负载点
2012-04-28 10:21:32
电子产品有害物质管制规定 （RoHS） . 产品规格 AUIRF8736M2适合需要在紧凑的占位面积内提供高功率密度的重载汽车应用，包括电动助力转向系统、刹车系统、水泵等。
2018-09-28 15:57:04
克服了上述问题，可实现高功率密度、高效率 (达 99%) 的解决方案。这款固定比例、高电压、高功率开关电容器控制器内置 4 个 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，用于驱动外部功率 MOSFET，以
2018-10-31 11:26:48
Leadway GaN系列模块以120W/in³的功率密度为核心，通过材料创新、电路优化与封装设计，实现了体积缩减40%、效率提升92%+的突破。其价值在于为工业自动化、机器人、电动汽车等空间受限
2025-10-22 09:09:58
的MOSFET设计，就无法做到这一点。2006年，英飞凌为了满足客户的要求，推出了OptiMOS™ 2 100 V MOSFET[1]。它是该电压等级里采用电荷补偿技术的第一个功率MOSFE器件。相对于传统
2018-12-07 10:21:41
标准(与线性电源相比具有更好的功率密度和效率)，组件设计人员设法通过芯片级创新和改进封装来不断提升功率MOSFET的导通和开关性能。芯片的不断更新换代使得在导通电阻(RDS(ON))和影响开关性能
2018-09-12 15:14:20
什么是功率密度？功率密度的发展史如何实现高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
在现有空间内继续提高功率，但同时又不希望增大设备所需的空间，”德州仪器产品经理Masoud Beheshti说，“如果不能增大尺寸，那么只能提升功率密度。” 了解如何利用德州仪器的GaN产品系列实现
2019-03-01 09:52:45
实现功率密度非常高的紧凑型电源设计的方法
2020-11-24 07:13:23
设计带来更低的温升更高的可靠性。 那么，在设计过程中如何才能提高电源模块产品的功率密度呢?工程师可以从下面三个方向入手：第一，工程师可以在线路设计过程中采用先进的电路拓朴和转换技术，实现大功率低损耗
2016-01-25 11:29:20
如何用PQFN封装技术提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
整个寿命周期成本时，逐步减少能量转换过程中的小部分损失并不一定会带来总体成本或环境效益的大幅提升。另一方面，将更多能量转换设备集成到更小的封装中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工厂或数据中心
2020-10-27 10:46:12
从“砖头”手机到笨重的电视机，电源模块曾经在电子电器产品中占据相当大的空间，而且市场对更高功率密度的需求仍是有增无减。硅电源技术领域的创新曾一度大幅缩减这些应用的尺寸，但却很难更进一步。在现有尺寸
2019-08-06 07:20:51
具有更高的热性能和坚固性，以及高度可靠的环氧树脂灌封技术。所有这些都导致： 优化内部低杂散电感和电弧键合™结构，显著提升动态开关性能; 功率密度比主要竞争对手的模块高20-30%; 更低的热阻
2023-02-20 16:26:24
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16
定制DCB（直接铜粘合）布线和引脚而获得的应用灵活性；降低客户开发周期和成本；高功率密度；集成式温度传感器；低杂散电感模块设计；符合RoHS标准。英飞凌已成功将这些模块纳入其汽车功率模块产品组合。因此
2018-12-07 10:13:16
开发人员来说，功率密度是一个始终存在的挑战，对各种电压下更高电流的需求（通常远低于系统总线）带来了对更小的降压稳压器的需求，这样的稳压器可通过一个单极里的多个放大器，将电压从高达48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
传统变压器介绍高功率密度变压器的常见绕组结构
2021-03-07 08:47:04
集成来减小系统体积我还将演示如何与TI合作，使用先进的技术能力和产品来实现这四个方面，帮助您改进并达到功率密度值。首先，让我们来定义功率密度，并着重了解一些根据功率密度值比较解决方案时的细节
2022-11-07 06:45:10
Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，这些功率MOSFET改善效率和具有快速开关速度，应用工作电压高达650V, 电流20A。新的TK系列器件适合用于各
2010-03-30 10:37:181779 飞兆和英飞凌签署功率MOSFET兼容协议
全球领先的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布，两家公司就采用MLP 3x
2010-04-26 08:50:51813 用改进的PQFN器件一对一替换标准SO-8 MOSFET可提升总体工作效率。电流处理能力也能够得以增强，并实现更高的功率密度。在以并联方式使用的传统MOSFET应用中，采用增强型封装(如PQFN和DirectFET)的最新一代器件可用单个组件代替一个并联的组件对。
2011-03-09 09:13:026854 国际整流器公司推出PowIRaudio集成式功率模块系列，适用于高性能家庭影院系统及车用音频放大器。新器件将脉冲宽度调制控制器和两个数字音频功率MOSFET集成至单一封装，提供高效紧凑
2012-05-23 10:56:151134 在电路板尺寸不断缩小的新一代服务器和电信系统供电应用中，提高效率和功率密度是设计人员面临的重大挑战。为了应对挑战，飞兆半导体研发了智能功率级（SPS）模块系列——下一代超紧凑的集成了MOSFET
2013-11-14 16:57:012749 2016年5月10日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技术，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET具备更大灵活性，可提高效率和频率。
2016-05-10 18:14:091448 通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析，可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)参数，进而确保持续提升系统效率和功率密度。 分析显示，在研发功率
2017-11-24 06:21:01944 
模块分别针对CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4芯片组的最佳点损耗进行了优化，具有更高的功率密度和高达48 kHz的开关频率，适用于新一代1500V光伏和储能应用。
2019-09-14 10:56:005286 带有降压稳压器的Recom RPX-2.5电源模块采用集成的倒装芯片技术，提供高功率密度和优化的散热管理功能。
2020-05-22 11:24:513603 通过对同步交流对交流（DC-DC）转换器的功耗机制进行详细分析，可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管 （MOSFET）参数，进而确保持续提升系统效率和功率密度。分析显示，在研发功率
2020-08-07 18:52:00
0 什么样的MOSFET才适合储能系统？英飞凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET产品系列，帮助储能系统轻松实现更高效、更高功率密度以及双向充/放电的设计。
2020-08-21 14:01:251416 
机电元件集成来减小系统体积 我还将演示如何与TI合作，使用先进的技术能力和产品来实现这四个方面，帮助您改进并达到功率密度值。 首先，让我们来定义功率密度，并着重了解一些根据功率密度值比较解决方案时的细节。 什么是功率密
2020-10-20 15:01:151460 使用此SMD封装从而提高应用性能的多种方法：被动冷却解决方案、增大功率密度、延长使用寿命等等。请联系您当地的英飞凌代表，详细了解无风扇伺服驱动的实现、机器人和自动化行业的逆变器-电机一体化，以及低功率紧凑型充电器解决方案。 CoolSiC沟槽MOSFET技术经过优化，将性能与
2020-11-03 14:09:493799 英飞凌采用全新 D2PAK-7L 封装的 1200V CoolSiC™ MOSFET，导通电阻从 30mΩ到 350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高
2021-03-01 12:16:023163 从物联网 （IoT） 的数据服务器到电动汽车 （EV），电源系统设计人员总会面临的共同压力是如何实现更高的功率密度和转换效率。尽管人们将更多精力放在实现这些改进目标的半导体开关器件上，但多层陶瓷
2020-12-17 21:26:0036 10A DC/DC 微型模块在一个紧凑封装内提供了新的功率密度级
2021-03-19 08:07:577 与业内人士交流互动产品和应用技术。 借英飞凌碳化硅20周年之际，9月10日，我们在展会会场，隆重举办第三届碳化硅应用技术发展论坛，敬请莅临。 英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)将EasyDUAL CoolSiC MOSFET模块升级为新型氮化铝(AIN) 陶瓷。该器件采用半桥配置
2021-08-24 09:31:503563 的散热
通过机电元件集成来减小系统体积
我还将演示如何与TI合作，使用先进的技术能力和产品来实现这四个方面，帮助您改进并达到功率密度值。
首先，让我们来定义功率密度，并着重了解一些根据
2022-01-14 17:10:262447 在QR反激式转换器中采用GaN HEMT和平面变压器，有助于提高开关频率和功率密度。然而，为了在超薄充电器和适配器设计中实现更高功率密度，软开关和变压器漏感能量回收变得不可或缺。
2022-03-31 09:26:453361 
CoolSiC™ MOSFET集高性能、坚固性和易用性于一身。由于开关损耗低，它们的效率很高，因此可以实现高功率密度。
2022-06-22 10:22:225141 
V 阻断电压的六组全桥模块，针对电动汽车 (EV) 中的牵引逆变器进行了优化。该功率模块建立在英飞凌的 CoolSiC 沟槽 MOSFET 技术之上，能够在高性能应用中实现高功率密度，并保持高可靠性
2022-08-04 17:09:472100 
电力电子领域的各种应用。MOSFET 的基本特性之一是其能够承受甚至非常高的工作电流、卓越的性能、稳健性和可靠性。该LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封装设计用于比 D²PAK 等旧金属电缆封装小尺寸和更高的功率密度，适用于当今空间受限的高功率汽车应用。
2022-08-09 08:02:114328 
功率密度基础技术简介
2022-10-31 08:23:243 一般电驱动系统以质量功率密度指标评价，电机本体以有效比功率指标评价，逆变器以体积功率密度指标评价；一般乘用车动力系统以功率密度指标评价，而商用车动力系统以扭矩密度指标评价。
2022-10-31 10:11:216549 和信号完整性以提高系统级保护和精度。 在这些趋势之外，功率密度越来越高也是一个不争的行业趋势，如果能在更小的空间内实现更大的功率，就能以更低的系统成本增强系统级性能。随着功率需求的增加，电路板面积和厚度日益成为限制因
2022-11-29 07:15:101577 电子发烧友网报道（文/李宁远）电源模块功率密度越来越高是行业趋势，每一次技术的进步都可以让电源模块尺寸减小或者让功率输出能力提高。随着技术的不断发展，电源模块的尺寸会越来越小。功率密度不断提高的好处
2022-12-26 07:15:022248 基于WAYON维安MOSFET高功率密度应用于USB PD电源
2023-01-06 12:51:351525 
功率半导体注定要承受大的损耗功率、高温和温度变化。提高器件和系统的功率密度是功率半导体重要的设计目标。
2023-02-06 14:24:203471 
在功率器件领域，除了围绕传统硅器件本身做文章外，材料的创新有时也会带来巨大的性能提升。比如，在谈论功率密度时，GaN（氮化镓）凭借零反向复原、低输出电荷和高电压转换率等突出优势，能够帮助厂商大幅提升系统密度，而另一种主流的宽带隙半导体材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳选择。
2023-05-18 10:56:272254 
为了实现全球气候目标，交通运输必须转用更加环保的车辆，比如节能的电气化列车。然而，列车运行有苛刻的运行条件，需要频繁加速和制动，且要在相当长的使用寿命内可靠运行。因此，它们需要采用具备高功率密度
2023-06-22 10:14:43865 
增强型1代1200V CoolSiC™ MOSFET的EasyDUAL™ 1B半桥模块，采用PressFIT压接式安装技术和温度检测NTC，并有使用预涂的热界面材料（TIM）版本。
2023-07-28 14:22:44707 随着汽车行业逐步纵深电气化，我们已经创造出了显著减少碳排放的可能性。然而，由此而来的是，增加的电子设备使得汽车对电力运作的需求日益攀升，这无疑对电源网络提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在电源管理设计中的关键切换功能，成为了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:061580 
提高4.5kV IGBT模块的功率密度
2023-11-23 15:53:382051 
功率半导体冷知识：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:451652 
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用新推出的增强型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:011647 在电力电子系统的设计和优化中，功率密度是一个不容忽视的指标。它直接关系到设备的体积、效率以及成本。以下提供四种提高电力电子设备功率密度的有效途径。
2023-12-21 16:38:072526 
另外，CoolSiC MOSFET产品组合还成功实现了SiC MOSFET市场中的最低导通电阻值（Rdson），这大大提高了能效、功率密度，以及在电力系统中的可靠性，降低了零件使用数量。
2024-03-10 12:32:411773 随着人工智能（AI）技术的飞速发展，全球数据生成量呈现出爆炸式增长，进而推动了芯片对能源需求的急剧上升。在这一背景下，英飞凌科技近日宣布推出TDM2254xD系列双相功率模块，旨在为AI数据中心提供卓越的功率密度、质量和总体成本（TCO）优化方案。
2024-03-12 09:58:241526 德州仪器（TI）近日推出两款创新的功率转换器件产品系列，旨在帮助工程师在更紧凑的空间内实现更高的功率输出，从而以更低的成本提供卓越的功率密度。这一突破性的技术进展，无疑将推动汽车和工业系统等领域的技术革新和性能提升。
2024-03-15 09:55:131303 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度
2024-03-20 08:13:051068 英飞凌科技股份公司，作为全球领先的半导体公司，近日推出了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列，这一创新产品采用TO-247PLUS-4-HCC封装，为设计人员提供了满足更高功率密度需求的解决方案。
2024-03-20 10:27:291466 英飞凌科技近日推出了其最新的OptiMOS™ 7 80 V系列首款产品——IAUCN08S7N013。这款MOSFET技术不仅显著提升了功率密度，还采用了通用且坚固的SSO8 5x6mm² SMD封装。
2024-05-07 15:08:071440 在日新月异的电力电子行业，对更高效、更强大、更紧凑元器件的需求持续存在。对于新一代硅基MOSFET，英飞凌进行了巨大的研发投入，以重新定义系统集成标准，使其在广泛的电力电子应用中能够实现更高功率密度和效率。
2024-08-02 16:47:57817 
基于最新的TRENCHSTOPIGBT71200V和快速二极管EmCon7技术。由于采用了最新的微沟槽设计，该产品具有卓越的控制能力和性能。这大大降低了损耗，提高了效率和功率密度。该产品组合包
2024-08-14 08:14:45958 在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大
2024-09-07 10:02:072095 Wolfspeed碳化硅助力实现高性能功率系统
2024-10-24 10:51:362 和优越性能。 创新型铜夹片设计能够承载高电流、寄生电感更低且热性能出色，因此这些器件非常适合电机控制、电源、可再生能源系统和其他耗电应用。该系列还包括专为AI服务器热插拔功能设计的特定应用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封装的MOSFET提供顶部和底部散热选项，可实现高功率密度
2024-12-12 11:35:134678 和高性能计算方面发挥关键作用。全新OptiMOS TDM2454xx四相功率模块通过提升系统性能并结合英飞凌一贯的稳健性，为AI数据中心运营商实现业界领先的功率密度，降低总体拥有成本（TCO
2025-03-19 16:53:22737 
各行业对高功率密度和能效解决方案日益增长的需求。新推出的SiCMOSFET模块采用强大的平面技术制造，具备耐用的栅氧化物结构，并集成了可靠的体二极管，从而显著提升
2025-04-17 11:23:54723 
新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模块英飞凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ半桥和三电平模块采用CoolSiCSiCMOSFET增强型1代
2025-06-03 17:34:31906 的CoolSiCMOSFET1200VG2。这款新型半导体器件能够提供更加出色的热性能、系统效率和功率密度，专为应对工业应用的高性能和高可靠性要求而设计，例如电动汽车充电
2025-08-01 17:05:091507 加大的爬电距离和电气间隙，使用.XT焊接芯片技术。芯片同时用于62mm封装的半桥模块和EasyPACK3B封装的升压模块。这些产品的性能提高了系统功率密度，可靠性和效
2025-08-29 17:10:021599 。新的CoolSiC™ MOSFET具有更优的热性能、系统效率和功率密度。其专为满足高功率与计算密集型应用需求而设计，涵盖了AI服务器电源、光伏逆变器、不
2025-10-31 11:00:59297
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