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电子发烧友网>电源/新能源>功率器件>英飞凌推出全新650V CoolSiC™ Hybrid IGBT分立器件系列,提供优异效率

英飞凌推出全新650V CoolSiC™ Hybrid IGBT分立器件系列,提供优异效率

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2020-11-03 14:09:492695

英飞凌推出全新650V CoolSiCHybrid IGBT 单管,进一步提高效率

由于 IGBT反并联SiC 肖特基势垒二极管,在 dv/dt 和 di/dt 值几乎不变下,CoolSiCHybrid IGBT能大幅降低开关损耗。
2021-02-23 10:23:021660

好消息 东芝650V超级结功率提高大电流设备效率的MOSFET问市

东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)宣布,在其TOLL(TO-无引线)封装的DTMOSVI系列推出650V超级结功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117

简述仿真看世界之650V混合SiC单管的开关特性

前言背景: 英飞凌最近推出系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管
2021-03-26 16:40:202349

英飞凌推出带功率器件驱动电机控制器为核心的吊扇方案

以IMD112T iMOTION™ Driver, iMOTION™智能驱动器——带功率器件驱动的电机控制器为核心的吊扇方案,功率器件:PFC采用8A 650V TRENCHSTOP™5 H5 IGBT ,逆变器采用3A 600V逆导型IGBT
2022-06-15 10:06:161351

650V混合SiC单管的开关特性

英飞凌最近推出系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538

650V 快速恢复 SuperFET® II MOSFET 在谐振拓扑中实现高系统效率和可靠性

650V 快速恢复 SuperFET® II MOSFET 在谐振拓扑中实现高系统效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360

650V耐压IGBT RGTV/RGW系列介绍

ROHM最近新推出650V耐压IGBT“RGTV系列(短路耐受能力保持型)”和“RGW系列(高速开关型)”共21种机型,该系列产品同时实现了业界顶级的低传导损耗和高速开关特性,并大大减少了开关时的过冲。
2023-02-09 10:19:25723

GT30J65MRB东芝分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率

GT30J65MRB用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正(PFC)电路[1]的650V分立IGBT。 功率半导体器件经过业界验证,对于节能工作意义重大,其中包括助力实现碳中和目标。由于在高功率
2023-03-16 14:58:09653

RJP65T54DPM-A0 数据表(650V-30A-IGBT Application: Partial switching circuit)

RJP65T54DPM-A0 数据表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-03-23 19:10:100

陆芯:单管IGBT-YGQ100N65FP 650V 100A TO247-PLUS

系列IGBT,1700V系列IGBTHybrid系列IGBT,中压SGTMOS等多个系列产品;性能优异,可靠性和稳定性高,广泛应用于新能源电动汽车、电机驱动领域、高频电源
2022-05-19 09:54:26705

新品 | 采用650V逆导型R6系列IGBT3千瓦半桥感应加热评估板

新品EVAL-IHW65R62EDS06J这块感应加热半桥评估板采用新一代650V逆导型R6系列IGBT和SOI技术的EiceDRIVERIGBT驱动器,产品针对100kHz的谐振开关应用感应
2022-03-01 09:32:40558

为快充而生的650V/4A & 650V/6A SiC二极管

圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS SiC二极管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
2023-07-12 17:06:27522

森国科650V超结MOSFET系列产品的性能指标

继先后推出成熟化的全系列碳化硅二极管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模块产品后,2023年7月 森国科正式对外推出650V超结MOSFET系列新品 ,相较于传统的功率MOSFET,SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638

森国科推出大功率IGBT分立器件

森国科隆重推出IGBT分立器件新品,兼具功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高和功率双极型晶体管(BJT)低饱和压降、大电流运输能力及低损耗的优点。
2023-07-26 17:34:13355

SGTP40V65SDB1P7 650V新能源IGBT

供应40A、650V新能源绝缘栅双极型晶体管SGTP40V65SDB1P7,提供SGTP40V65SDB1P7关键参数,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-08-01 16:18:473

SGTP75V65SDS1P7 650V光伏逆变器igbt

供应SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆变器igbt-三相igbt逆变电源,提供SGTP75V65SDS1P7关键参数,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-08-02 17:12:195

英飞凌推出面向高能效电源应用的第七代分立650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品

分立式封装中,650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7可输出高达150A的电流。该产品系列电流等级为40A至150A,有四种不同封装类型:TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。
2023-11-10 15:36:22265

英飞凌推出面向高能效电源应用的分立650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7新品

英飞凌科技推出分立650VIGBT7H7新品,进一步扩展其TRENCHSTOPIGBT7产品阵容。全新器件配新一代发射极控制的EC7续流二极管,以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求
2023-11-21 08:14:06255

英飞凌推出全新62mm封装CoolSiC产品组合,助力实现更高效率和功率密度

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用新推出的增强型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01310

瑞能650V IGBT的结构解析

IGBT 作为一种功率半导体器件,广泛应用于工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。IGBT 具有节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点,是能量转换和传输的核心装置。瑞能的650V IGBT产品在电性能和可靠性等方面具备诸多优势,在行业内也处于领先地位。
2023-12-26 13:31:35276

英飞凌发布650V软特性发射极控制高速二极管EC7

英飞凌科技股份公司近日发布了全新650V软特性发射极控制高速二极管EC7。这款二极管采用TO247-2封装,具有2个引脚,不仅增加了安规距离,提高了可靠性,而且适用于多种应用场景。
2024-02-01 10:50:02365

英飞凌发布新款CoolSiC 2000V SiC MOSFET

英飞凌科技股份公司近日发布了全新CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列。这款产品采用了先进的TO-247PLUS-4-HCC封装,规格为12-100mΩ,旨在满足高压应用的需求。
2024-02-01 10:51:00381

最新IGBT7系列分立器件常见问题

英飞凌推出IGBT7单管系列市场热度不减,本文为大家整理针对该产品系列的常见问题,一看就懂,牢牢码住!直播回放链接获取IGBT7都通过了哪些可靠性测试?答:IGBT不论单管和模块都需要通过
2024-03-05 08:17:27111

介绍一款用于光伏储能充电桩的50A 650V TO-247封装IGBT单管

本次推出的产品主要为50A 650V TO-247封装IGBT单管;
2024-03-15 14:26:07188

英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展

英飞凌最近发布了全新的750VG1分立CoolSiC™MOSFET,满足工业和汽车领域对更高能效和功率密度的不断增长需求。这款产品系列包含了专为图腾柱PFC、T型、LLC/CLLC、双有源
2024-03-15 16:31:45209

扬杰科技推出50A 650V TO-247封装IGBT单管

近日,国内半导体功率器件领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司(以下简称“扬杰科技”)再度刷新业界认知,推出了一款专为光伏储能充电桩等高频应用而设计的50A 650V TO-247封装IGBT单管产品
2024-03-16 10:48:19563

英飞凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V产品

英飞凌科技股份公司,作为全球领先的半导体公司,近日推出全新CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列,这一创新产品采用TO-247PLUS-4-HCC封装,为设计人员提供了满足更高功率密度需求的解决方案。
2024-03-20 10:27:29126

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