【2022年5月10日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)发布了一项全新的CoolSiC™技术,即CoolSiC™ MOSFET 1200
2022-05-10 14:10:022199 瑞萨电新发表13款具备高效能之第7代绝缘闸双极性电晶体(IGBT)系列新产品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列与1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是将系统中的直流电转换为交流电的功率半导体装
2012-07-31 11:34:281650 英飞凌科技发表新一代薄晶圆技术IGBT TRENCHSTOP 5 系列产品,其导通损失和切换损失均远低于目前的领导解决方案。透过这项突破性的产品,英飞凌为 IGBT 效能立下新标竿,继续在效率
2012-11-16 08:55:052343 全球知名半导体制造商ROHM新开发出兼备业界顶级低传导损耗※1和高速开关特性的650V耐压IGBT※2“RGTV系列(短路耐受能力※3保持版)”和“RGW系列(高速开关版)”,共21种机型。这些产品
2018-04-17 12:38:467742 与600V IGBT3一样,新的650V IGBT4也是采用了沟槽的MOS-top-cell薄片技术和场截止的概念(如图1 所示),但与600V IGBT3相比,芯片厚度增加了大约15%,并且MOS
2018-10-26 09:17:007600 为满足电动汽车市场的需求,英飞凌推出了全新的650V CoolMOS™ SJ功率 MOSFET CFD7A系列。这一产品经过专门优化,可以满足电动汽车应用 (如车载充电器、HV-LV DC-DC 转换器和辅助电源)的要求。
2020-05-31 09:15:361509 V车规级IGBT ,包括AIKQ120N75CP2 和 AIKQ200N75CP2两个型号。这款分立式IGBT EDT2器件采用TO-247PLUS封装,可以提升电动汽车主逆变器和直流链路放电开关的性能
2022-06-10 16:53:132418 GT30J65MRB用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正(PFC)电路[1]的650V分立IGBT。 功率半导体器件经过业界验证,对于节能工作意义重大,其中包括助力实现碳中和目标。由于在高功率
2023-03-16 14:50:59771 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。
2019-11-22 15:16:321787 随着新产品的发布,英飞凌完善了其600V/650V细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合
2020-02-26 08:26:001315 英飞凌推出了全新分立式封装的650 V TRENCHSTOP™ 5 WR6系列。
2021-07-14 14:56:193993 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421942 英飞凌科技宣布推出采用TO247PLUS封装的全新EDT2 IGBT。该器件专门针对分立式汽车牵引逆变器进行了优化,进一步丰富了英飞凌车规级分立式高压器件的产品阵容。
2022-03-21 14:14:041435 中国上海, 2023 年 3 月 9 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布推出一款用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正(PFC)电路[1]的650V分立IGBT
2023-03-13 09:56:12662 代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)于近日宣布推出全新的TEGRION™系列安全控制器,这是英飞凌迄今为止最广泛的28 nm安全控制器产品组合。该系列安全控制器集成了全新的Integrity
2023-08-21 14:32:22515 英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出分立式650V IGBT7 H7新品,进一步扩展其第七代TRENCHSTOP™ IGBT产品阵容。全新器件配备尖端的EC7
2023-11-03 11:40:49644 模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅(SiC)MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率等级应用,而传统
2023-12-05 17:03:49446 电子发烧友网报道(文/梁浩斌)近日英飞凌推出了CoolSiC MOSFET G2技术,据官方介绍,这是新一代的沟槽栅SiC MOSFET技术,相比上一代产品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181494 英飞凌 | CoolSiC™器件为台达双向逆变器提供助力英飞凌科技股份公司的CoolSiC™产品被总部位于台湾的全球领先的电源管理及散热解决方案提供商台达电子选用,使得台达电子向着利用绿色电力实现
2022-08-09 15:17:41
40 A 650V IGBT,它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3(亦称D2PAK)封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率密度
2018-10-23 16:21:49
逆变器等中高功率领域,可显著的减少电路的损耗,提高电路的工作频率。 关断波形图(650V/10A产品) 650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆变焊机因其体较小,操作方便,市场接受度逐步提高。因市电220V输入的特点,一般采用600V/650V规格的IGBT作为逆变主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
IGBT英飞凌的模块,用着怎么样啊,求指导。
2018-04-17 15:27:54
二极管本器件采用了最新的半导体技术[1、2]:IGBT4和EmCon4二极管。英飞凌推出的全新1200V IGBT4系列,结合改进型发射极控制二极管,针对高中低功率应用提供了三款产品,可面向不同应用满足
2018-12-07 10:23:42
[tr][td]英飞凌IGBT应用常见问题解答1.IGBT模块适用于哪些产品?2.Easy系列模块电压/电流/功率范围?3.Easy系列有哪几种封装?........总共23个问题,,已经有此资料
2018-12-13 17:16:13
设计用于驱动N通道功率MOSFET或IGBT,其工作电压最高可达650V。
特性
•650V无芯变压器隔离驱动器IC
•轨到轨输出
•保护功能
•浮动高侧驱动
•双通道欠压锁定
•3.3V和5V TTL
2023-08-24 18:21:45
罗姆(ROHM)是半导体和电子零部件领域的著名生产商,其近期推出了TO-247N封装的RGSXXTS65DHR系列绝缘栅双极型晶体管(IGBT)——RGS60TS65DHR、RGS80TS65DHR
2019-04-09 06:20:10
;TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性:3.0A,650V,最大RDS(on)= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷(典型值为16nC)快速切换经过100%雪崩测试改进的dv/dt功能主要参数:应用:高效开关模式电源,基于半桥拓扑的有源功率因数校正`
2020-04-30 15:13:55
中国上海,2023年3月9日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布推出一款用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正(PFC)电路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
其授权代理商。广大客户现可通过华秋商城购买MDD品牌产品!产品简介MDD7N65F应用场景 :LED驱动,适配器功能特点 :低导电阻、优异的开关性能和高雪崩能量产品参数 :VDSS:650V,ID
2022-11-11 11:50:23
SBD)* • Hybrid型的IGBT* • 显著降低损耗* • RGWxx65C系列* • 650V耐压* • 与使用Si快速恢复二极管(Si FRD)的IGBT相比,开通损耗显著降低
2022-07-27 10:27:04
。 BM1Pxxx支持隔离和非隔离器件,可以更简单地设计各种类型的低功耗电气转换器。 BM1Pxxx内置高压启动电路,可承受650V电压,有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
系列Hybrid MOS是同时具备超级结MOSFET(以下简称“SJ MOSFET”)的高速开关和低电流时的低导通电阻、IGBT的高耐压和大电流时的低导通电阻这些优异特性的新结构MOSFET。下面为
2018-11-28 14:25:36
并联二极管的特性参数对比 如图13所示,混合碳化硅分立器件的反向恢复时间Trr,反向恢复电流Irr和反向恢复损耗Err明显降低。 05 总结 基本半导体主要推出了650V 50A和650V
2023-02-28 16:48:24
MOSFET 寄生特性都比硅MOSFET为好。但是,这种技术确实能够提供许多优势,加上在硬开关应用中的牢固性,使其值得在更高效电源转换应用中考虑采用。650V CoolSiC系列的推出令这些优势更加明显,从而
2023-03-14 14:05:02
来电报单 电子**现金高价收购厂家、,原装外壳长期收购全新三垦igbt模块回收长期,收购,回收 IGBT模块回收英飞凌模块回收嘉善回收IGBT模块,回收西门康模块收购可控硅西门康模块回收,长期,高价,现金
2022-01-01 19:06:43
BM2P033 PWM AC / DC变换器的典型应用电路。用于AC / DC的PWM型(BM2PXX3)为包含电源插座的所有产品提供了最佳系统。 BM2PXX3支持隔离和非隔离器件,可以更简单地设计各种类型的低功耗电气转换器。 BM2PXX3内置高压启动电路,可承受650V电压,有助于实现低功耗
2020-06-05 09:15:07
650V耐压的buck电路够不够用
2023-08-01 14:38:42
用于AC/DC变换器应用的新型650V GaNFast半桥IC(氮化镓)
2023-06-19 07:57:31
CoolSiC 汽车 MOSFET 技术的成熟,英飞凌也成功的将该技术进入 EasyPACK,并获得了汽车级认证,目前正在扩展该模块系列的应用范围,旨在涵盖具有高效率和高开关频率需求的电动汽车的高压应用。其中
2021-03-27 19:40:16
650 V CoolSiC™混合分立器件,该器件包含一个50A TRENCHSTOP™ 快速开关 IGBT 和一个 CoolSiC 肖特基二极管,能够提升性价比并带来高可靠性。这种组合为硬开关拓扑
2021-03-29 11:00:47
650V IGBT4,旨在提供更大的设计自由度。这款全新的IGBT4器件具备更好的关断软度,并且由于关断电流变化率di/dt的降低,带来了更低的关断电压尖峰。该器件专门设计用于中高电流应用。相对于
2018-12-07 10:16:11
长期高价回收英飞凌IGBT模块FF300R12KT3_E 300A,1200V,共发射极,用于矩阵开关,双向变换器等 62mm ?无锡不限量收购回收英飞凌IGBT模块FF400R12KT3_E
2021-09-17 19:23:57
对工艺技术进行微调。英飞凌的第三代高速IGBT系列(2010年量产)可支持开关频率高达100 kHz的应用,其关断损耗要比前代NPT IGBT低35%。随着生产成本的降低,该系列器件的样片的定价从1.90
2018-12-03 13:47:00
电阻和高达650V的阻断电压。这种的器件还具备极低的反向恢复电荷和结实耐用的内置体二极管。数据表规范中将提供全新的Qrr 和trr最大值。我们还评估了这种新器件在典型HID半桥电路应用中的性能:省去4个
2018-12-03 13:43:55
SKII系列模块三菱CM 系列三社,东芝,松下,等各品牌各系列模块,长期 高价大量回收各种IGBT IPM GTR 整流条,可控硅,达林顿,场效应等模块。可上门回收。 专业从事电子元器件回收、IC回收
2020-08-07 14:07:29
FF650R17IE4 IGBT模块FF650R17IE4 是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块,具有沟槽结构,并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个
2023-02-07 13:59:30
英飞凌推出适用于节能家电的创新功率转换器件
英飞凌科技股份公司近日推出适用于节能家用电器电机驱动装置的功率转换器件系列。全新的600V RC IGBT驱动系列(RC指
2010-01-25 08:44:19759 英飞凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飞凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件,进一步扩大OptiMOSTM产品阵容。全新200V和250V器件适用于48V系统
2010-01-26 09:22:57827 Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET,这些功率MOSFET改善效率和具有快速开关速度,应用工作电压高达650V, 电流20A。新的TK系列器件适合用于各
2010-03-30 10:37:181447 英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结(SJ)器件的优势(如低导通电阻和低容性开关损耗)与轻松控制的开关行为、及
2010-07-05 08:48:261672 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 结型肖特基势垒 (JBS) 二极管系列,以满足最新数据中心电源系统要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:371290 英飞凌新一代CoolMOS CFD2器件具备最低的通态电阻和高达650V的阻断电压。这种的器件还具备极低的反向恢复电荷和结实耐用的内置体二极管。数据表规范中将提供全新的Qrr和trr最大值。
2011-02-14 09:04:423956 英飞凌目前正推出另一项重要的创新型高压CoolMOS MOSFET。这种全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具备650V漏源电压并集成快速体二极管的高压晶体管。
2011-02-16 09:11:171845 英飞凌RC-D功率开关器件系列在单一芯片上融合了市场领先的英飞凌专有技术TrenchSTOP™ IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和续流二极管,具有很低的开关损耗和传导损耗,并且减小了永磁电机驱
2011-05-31 09:00:421610 英飞凌科技股份有限公司扩展其车用功率半导体系列产品,推出全新 650V CoolMOS CFDA。这是业界首创整合高速本体二极体技术的超接面 MOSFET 解决方案,符合最高的汽车认证标準 AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021458 美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型(NPT)绝缘栅双极晶体管(IGBT)产品,备有45A、70A和95A额定电流型款。美高森美全新NPTIGBT产品系列专为严苛环境工作而设计,尤其适用于太阳能逆变器、焊接机和开关电源等工业产品。
2013-08-19 16:08:18862 致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC) 扩展碳化硅(SiC)肖特基产品系列,推出全新的650V解决方案产品系列,新型二极管产品瞄准包括太阳能逆变器的大功率工业应用。
2013-10-30 16:09:57856 英飞凌科技股份公司推出单片集成逆导二极管的20A 1350V器件,再次扩充逆导(RC) 软开关IGBT(绝缘栅双极型晶体管)产品组合。新的20A RC-H5是对英飞凌性能领先的RC-H系列的扩展,重点关注感应加热应用的系统效率和高可靠性要求。
2014-02-24 14:42:25827 2014年10月21日,北京——全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出多款坚固可靠的650V IRGP47xx器件,藉以扩充绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列。
2014-10-21 15:27:421975 2015年3月2日,德国慕尼黑——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)发布了能够让应用于汽车中的高速开关实现最高效率的高坚固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291443 英飞凌推出全新可控逆导型IGBT芯片,可提高牵引和工业传动等高性能设备的可靠性
2015-06-24 18:33:292516 意法半导体推出新款M系列650V IGBT,为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案,新款M系列650V IGBT,为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案,适用于暖通空调系统(HVAC
2016-11-02 17:19:431958 英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)进一步壮大其薄晶圆技术TRENCHSTOP™5 IGBT产品阵容。新的产品家族可提供最高40 A 650V IGBT,它与
2018-06-04 08:31:002053 / 650V IGBT和一个NTC热敏电阻。Q2PACK模块采用一个分立式NPC拓扑结构,使用160A / 1200V IGBT、100A / 650V IGBT和一个NTC热敏电阻。这些拓扑结构适用于更高的功率电平。
2019-03-14 06:12:004628 意法半导体的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代沟栅场截止(TFS)技术,可提高PFC转换器、电焊机、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器等中高速应用设计的能效和性能。该系列还包括符合AEC-Q101 Rev. D标准的汽车级产品。
2019-05-14 11:38:533363 CoolSiC肖特基二极管650V G6系列是英飞凌不断提高技术和流程的结果,让碳化硅肖特基二极管的设计和开发更具价格优势,性能一代更比一代强。因此,G6是英飞凌最具有性价比的CooSiC肖特基二极管的一代,在同等价格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:523697 在220V单相家用便携式焊机应用中,大部分设计是使用650V IGBT单管制作逆变电源,开关频率最高可以到50kHz,如果采用软开关技术,开关频率还能更高,也有使用650V硅基MOSFET为功率器件
2020-03-31 15:32:383409 作为碳化硅技术全球领先企业的科锐(Cree Inc., 美国纳斯达克上市代码:CREE)公司,于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET产品组合,适用于更广阔的工业应用,助力新一代电动汽车车载充电、数据中心和其它可再生能源系统应用,提供业界领先的功率效率。
2020-04-02 15:37:563648 英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET,标志着公司进一步增强了在低压SiC领域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 什么样的MOSFET才适合储能系统?英飞凌全新推出了碳化硅MOSFET:650V CoolSiC MOSFET产品系列,帮助储能系统轻松实现更高效、更高功率密度以及双向充/放电的设计。
2020-08-21 14:01:251014 英飞凌推出采用全新D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC MOSFET,导通电阻从30mΩ到350mΩ,可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器(不同的电流额定值)实现最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492695 由于 IGBT反并联SiC 肖特基势垒二极管,在 dv/dt 和 di/dt 值几乎不变下,CoolSiC™ Hybrid IGBT能大幅降低开关损耗。
2021-02-23 10:23:021660 东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)宣布,在其TOLL(TO-无引线)封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117 前言背景: 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管
2021-03-26 16:40:202349 以IMD112T iMOTION™ Driver, iMOTION™智能驱动器——带功率器件驱动的电机控制器为核心的吊扇方案,功率器件:PFC采用8A 650V TRENCHSTOP™5 H5 IGBT ,逆变器采用3A 600V逆导型IGBT。
2022-06-15 10:06:161351 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538 650V 快速恢复 SuperFET® II MOSFET 在谐振拓扑中实现高系统效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360 ROHM最近新推出650V耐压IGBT“RGTV系列(短路耐受能力保持型)”和“RGW系列(高速开关型)”共21种机型,该系列产品同时实现了业界顶级的低传导损耗和高速开关特性,并大大减少了开关时的过冲。
2023-02-09 10:19:25723 GT30J65MRB用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正(PFC)电路[1]的650V分立IGBT。 功率半导体器件经过业界验证,对于节能工作意义重大,其中包括助力实现碳中和目标。由于在高功率
2023-03-16 14:58:09653 RJP65T54DPM-A0 数据表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-03-23 19:10:100 系列IGBT,1700V系列IGBT,Hybrid系列IGBT,中压SGTMOS等多个系列产品;性能优异,可靠性和稳定性高,广泛应用于新能源电动汽车、电机驱动领域、高频电源
2022-05-19 09:54:26705 新品EVAL-IHW65R62EDS06J这块感应加热半桥评估板采用新一代650V逆导型R6系列IGBT和SOI技术的EiceDRIVERIGBT驱动器,产品针对100kHz的谐振开关应用感应
2022-03-01 09:32:40558 圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS SiC二极管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
2023-07-12 17:06:27522 继先后推出成熟化的全系列碳化硅二极管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模块产品后,2023年7月 森国科正式对外推出650V超结MOSFET系列新品 ,相较于传统的功率MOSFET,SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 森国科隆重推出IGBT分立器件新品,兼具功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高和功率双极型晶体管(BJT)低饱和压降、大电流运输能力及低损耗的优点。
2023-07-26 17:34:13355 供应40A、650V新能源绝缘栅双极型晶体管SGTP40V65SDB1P7,提供SGTP40V65SDB1P7关键参数,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-08-01 16:18:473 供应SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆变器igbt-三相igbt逆变电源,提供SGTP75V65SDS1P7关键参数,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-08-02 17:12:195 在分立式封装中,650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7可输出高达150A的电流。该产品系列电流等级为40A至150A,有四种不同封装类型:TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。
2023-11-10 15:36:22265 英飞凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品,进一步扩展其TRENCHSTOPIGBT7产品阵容。全新器件配新一代发射极控制的EC7续流二极管,以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求
2023-11-21 08:14:06255 英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用新推出的增强型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01310 IGBT 作为一种功率半导体器件,广泛应用于工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。IGBT 具有节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点,是能量转换和传输的核心装置。瑞能的650V IGBT产品在电性能和可靠性等方面具备诸多优势,在行业内也处于领先地位。
2023-12-26 13:31:35276 英飞凌科技股份公司近日发布了全新的650V软特性发射极控制高速二极管EC7。这款二极管采用TO247-2封装,具有2个引脚,不仅增加了安规距离,提高了可靠性,而且适用于多种应用场景。
2024-02-01 10:50:02365 英飞凌科技股份公司近日发布了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列。这款产品采用了先进的TO-247PLUS-4-HCC封装,规格为12-100mΩ,旨在满足高压应用的需求。
2024-02-01 10:51:00381 英飞凌新推出的IGBT7单管系列市场热度不减,本文为大家整理针对该产品系列的常见问题,一看就懂,牢牢码住!直播回放链接获取IGBT7都通过了哪些可靠性测试?答:IGBT不论单管和模块都需要通过
2024-03-05 08:17:27111 本次推出的产品主要为50A 650V TO-247封装IGBT单管;
2024-03-15 14:26:07188 英飞凌最近发布了全新的750VG1分立式CoolSiC™MOSFET,满足工业和汽车领域对更高能效和功率密度的不断增长需求。这款产品系列包含了专为图腾柱PFC、T型、LLC/CLLC、双有源
2024-03-15 16:31:45209 近日,国内半导体功率器件领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司(以下简称“扬杰科技”)再度刷新业界认知,推出了一款专为光伏储能充电桩等高频应用而设计的50A 650V TO-247封装IGBT单管产品
2024-03-16 10:48:19563 英飞凌科技股份公司,作为全球领先的半导体公司,近日推出了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列,这一创新产品采用TO-247PLUS-4-HCC封装,为设计人员提供了满足更高功率密度需求的解决方案。
2024-03-20 10:27:29126
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