对 MOSFET 的栅极进行充电和放电需要同样的能量, 无论充放电过程快或慢 (栅极电压的上升和下降)。因 此,MOSFET 驱动器的电流驱动能力并不影响由 MOS- FET 栅极的容性负载产生的驱动器功耗。
2018-04-28 09:11:0612541 设计解决方案9-2相DC / DC控制器可降低电容并延长便携式应用的电池寿命
2019-07-24 09:03:26
Maxim推出具有±15kV ESD保护的4通道输出驱动器MAX14521E,用于驱动多个场致发光(EL)灯。这款EL灯驱动器采用基于电感的升压转换器产生300VP-P (最大值)的高压,对应EL灯
2019-08-27 07:53:09
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
MOSFET栅极驱动器LTC44411资料下载内容包括:LTC4441-1功能和特点LTC4441-1引脚功能LTC4441-1内部方框图LTC4441-1典型应用电路LTC4441-1电气参数
2021-03-24 07:13:00
MOSFET栅极驱动器LTC4441资料下载内容主要介绍了:LTC4441功能和特点LTC4441引脚功能LTC4441内部方框图LTC4441典型应用电路LTC4441电气参数
2021-03-29 06:26:56
你好,我正在寻找这两个MOSFET的驱动器IC,FDD7N20TMCT-ND和FQD7P20TMCT-ND。我的逻辑由CPLD产生,为3.3V。我在想使用MD1822K6-GCT-ND。这些
2018-10-25 14:27:53
MOSFET栅极电路常见的作用MOSFET常用的直接驱动方式
2021-03-29 07:29:27
延长电池寿命是各种应用中常见的设计要求。无论是玩具还是水表,设计师都有各式技术来提高电池寿命。在这篇博文中,我将阐述一种可策略性地绕过低掉电线性稳压器(LDO)的技术。 生成导轨使用LDO是从电池
2019-03-25 06:45:12
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
为何需要栅极驱动器栅极驱动器的关键参数
2020-12-25 06:15:08
高得多的电流。图2中,当功率MOSFET由微控制器I/O引脚以最大额定拉电流驱动时,观察到切换时间间隔较长。如图3所示,采用ADuM4121隔离式栅极驱动器时,转换时间大大缩短;当驱动同一功率
2021-07-09 07:00:00
同时施加一个信号,则两个通道输出的时间延迟是延迟匹配数值。延迟匹配数值越小,栅极驱动器可以实现的性能越好。延迟匹配有两个主要好处:· 确保同时驱动的并联MOSFET具有最小的导通延迟差。· 简化了栅极
2019-04-15 06:20:07
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
我设计一个基于PIC24的电池供电记录器,没有用户输入(按钮等)。它将作为USB主机(仅)操作,并且应该检测何时插入USB拇指驱动器(然后转储所收集的数据)。LED指示器将显示活动,电池寿命应该
2020-03-18 10:44:06
180度。 高端驱动器 高端驱动器设计用于驱动浮动低RDS(ON)N沟道MOSFET驱动电源和下沉栅极电流的最大输出电阻为5Ω。低输出电阻允许驱动器在3nF负载下有20ns的上升和下降时间。高压侧
2020-07-21 15:49:18
CK5G14 在同一颗芯片中同时集成了三个 250V 半桥栅极驱动器,特别适合于三相电机应用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动。芯片内置了死区时间和上下管直通保护,非常有效地阻止半桥
2022-01-04 14:16:57
隔离电源转换器详解栅极驱动器解决方案选项最优隔离栅极驱动器解决方案
2021-03-08 07:53:35
到低压侧的栅极MOSFET(LGATE)。转换器的输出电压为然后受到低边MOSFET阈值的限制为微处理器提供一些保护,如果在初始启动期间,MOSFET短路。这些驱动器还具有一个三态PWM输入
2020-09-30 16:47:03
DN472 - 电池调理器延长了锂离子电池的寿命
2019-08-09 14:16:12
尽量地延长可再充电电池组的循环寿命
2019-07-04 15:05:23
用于Si8751隔离式MOSFET驱动器的Si8751-EVB,Si875x评估套件是驱动各种应用中使用的功率开关的理想选择,与普通SSR相比,具有更长的使用寿命和更高的可靠性。 Si8751隔离式
2020-06-08 12:07:42
驱动器系列之类的器件不仅能满足高能效 BLDC 电机的要求,还能减少系统的元件数量,同时降低成本和复杂性。DRV8323x 系列有三种型号。每种型号都集成了三个独立的栅极驱动器,能够驱动高压侧和低压侧
2019-08-13 07:00:00
耦合器相比,具有速度优势。在图3中,采用的是一个脉冲变压器,其工作速度可以达到半桥栅极驱动器应用通常所需的水平(最高1 MHz)。栅极驱动器IC可用于提供容性MOSFET栅极充电所需的高电流。在此,栅极
2018-07-03 16:33:25
变的危险,这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此,为IGBT提供合适栅极信号的栅极驱动器,还执行提供短路保护并影响开关速度的功能。然而,在选择栅极驱动器时,某些特性至关重要。
2020-10-29 08:23:33
Si-MOSFET/IGBT不断改进,以及对GaN和SiC工艺技术的引进,现代功率转换器/逆变器的功率密度不断提高。因此,需要高度集成、耐用的新型隔离式栅极驱动器。这些驱动器的电隔离装置体积小巧,可集成到驱动器芯片
2021-01-22 06:45:02
栅极驱动器的 +16V/-8V 电压,能够通过具有外部 BJT/MOSFET 缓冲器的单极或双极电源为栅极驱动器供电可针对反相/非反相工作情况配置栅极驱动器输入可选择通过如下方式评估系统:栅极驱动器和 IGBT 之间的双绞线电缆栅极和发射极之间的外部电容
2018-12-27 11:41:40
作者:Chris Glaser 德州仪器采用电池驱动单 LED 时,效率是关键。高效使用电池能量并将其转换为光输出可延长电池使用寿命,降低成本并为最终用户减少麻烦。首先要实现高效开关功率转换,接下来
2018-09-19 11:31:57
。TB9083FTG这款新产品能够控制和驱动用于驱动3相直流无刷电机的外置N沟道功率MOSFET。它非常适合用于满足ISO 26262功能安全性标准第二版 ^[2]^ 的要求,并支持ASIL-D ^[3]^ 用于高安
2023-02-28 14:11:51
:BJT图腾柱(左)与栅极驱动器芯片UCC27517A-Q1(右)分立式电路的一个显著缺点是它不提供保护,而栅极驱动器IC集成了对于确保可预测和稳定的栅极驱动非常重要的功能…
2022-11-04 06:40:48
(升压)转换器的IC成本。但线性电路的效率可以缩短电池寿命。 图1:具有LDO的智能锁定框图 图2所示为带升压转换器的方框图,如TPS61030。四节AA电池重新排列,以支持电机驱动器的升压拓扑,而无
2019-03-27 06:45:03
什么是MOSFET驱动器?MOSFET驱动器功耗包括哪些部分?如何计算MOSFET的功耗?
2021-04-12 06:53:00
负载的响应性较差,这可能导致电池可用容量降低。因此在本文中,我们将探讨一种降低电池峰值负载(数百毫安级)的有效方法,从而帮助延长电池寿命。更大程度提高电池可用容量是十分重要的,因为这可以使系统设计实现
2022-11-04 07:14:17
一次。目前,我计划使用MCU和单片MOSFET H桥,但希望减少元件数量。所以,有没有这样的节拍?谢尔斯达格尔 以上来自于百度翻译 以下为原文 I have an application
2018-10-29 11:16:42
到低压侧的栅极MOSFET(LGATE)。转换器的输出电压为然后受到低边MOSFET阈值的限制为微处理器提供一些保护,如果在初始启动期间,MOSFET短路。这些驱动器还具有一个三态PWM输入
2020-09-29 17:38:58
以及功率MOSFET的驱动元件。本产品融合了罗姆独创的BiCDMOS技术与新开发的片上变压器工艺技术,作为内置了绝缘元件的栅极驱动器,是业界最小的小型封装,有助于逆变器电路的小型化。另外,与传统的光耦
2019-04-29 21:09:14
Brian Kennedy,ADI公司数字隔离器部高级应用工程师内容提要带同步整流功能的隔离式DC-DC转换器的传统设计方法是使用光耦合器或脉冲变压器进行隔离,并将其与一个栅极驱动器IC结合
2018-10-15 09:46:28
DRV8353RH-EVM是什么?基于DRV8353RH的三相智能栅极驱动器评估模块电路该如何去设计?
2021-07-02 07:09:31
延长电池寿命是各种应用中常见的设计要求。无论是玩具还是水表,设计师都有各式技术来提高电池寿命。在这篇博文中,我将阐述一种可策略性地绕过低掉电线性稳压器(LDO)的技术。
2019-07-26 07:55:11
增大MOSFET栅极电阻可消除高平震荡,是否栅极电阻越大越好,为什么?请你分析一下增大栅极电阻能消除高平震荡的原因
2023-05-16 14:32:26
本文就充放电过程的温度控制技术、电池充电电源短路保护与选择电池充电器以延长电池寿命等芯片应用的方案配置作介绍。
2021-05-12 06:53:05
如何延长蓄电池的使用寿命?
2021-06-18 06:03:40
过。另据报道,与基于IGBT的电机驱动器相比,使用具有有限dv/dt的SiC-MOSFET和传统的栅极驱动器可以带来更高的效率[3]。在驱动应用中使用 SiC-MOSFET 的优势可以通过 CSD
2023-02-21 16:36:47
,能够在 MOSFET 关断状态下为栅极提供负电压、高充电/放电脉冲电流,并且足够快以在纳秒范围内操作栅极。IC IX6611是一款智能高速栅极驱动器,可轻松用于驱动碳化硅(SiC)MOSFET以及标准
2023-02-27 09:52:17
您好,我正在尝试使用 MC34GD3000 栅极驱动器,但我们遇到了设备故障和损坏高侧 MOSFET 栅极驱动器的问题。首先,是否有任何关于正确设置栅极驱动器输出的应用说明。我们看到的是在没有任何
2023-04-19 06:36:06
高亮度的照明时,调光可帮助用户减少光输出,进而降低电池电源消耗。调光与高效率功率转换相结合,可最大限度地延长智能手机和血糖仪等设备的电池使用寿命。通过 a) 检测电阻器与 b) 功率级中的 MOSFET
2022-11-23 07:21:04
、时序特性更精确,与光耦合器相比,具有速度优势。在图3中,采用的是一个脉冲变压器,其工作速度可以达到半桥栅极驱动器应用通常所需的水平(最高1 MHz)。栅极驱动器IC可用于提供容性MOSFET栅极充电
2018-10-23 11:49:22
1 MHz)。栅极驱动器IC可用于提供容性MOSFET栅极充电所需的高电流。图3中的栅极驱动器以差分方式驱动脉冲变压器的原边,该变压器副边有两个绕组,用于驱动半桥的各个栅极。使用脉冲变压器的一个优势
2018-10-16 16:00:23
MOSFET栅极充电所需的高电流。在此,栅极驱动器以差分方式驱动脉冲变压器的原边,两个副边绕组驱动半桥的各个栅极。在这种应用中,脉冲变压器具有显着优势,不需要用隔离式电源来驱动副边MOSFET. 图3
2018-09-26 09:57:10
描述该用于工业驱动器的三相紧凑型功率级参考设计使用支持基本电容隔离要求的 UCC53xx 栅极驱动器,可通过光耦合器提供更长的使用寿命和更佳的传播延迟匹配,从而最大程度地减小逆变器死区失真和损耗
2018-09-30 09:44:42
延长电池寿命的开关电源
2019-09-18 09:11:39
越低,转换器就越能延长系统待机模式下的电池寿命。 2. 真关断模式:关断时将电流输出与输入阻塞,该功能可提高效率、延长最终产品保质期。如果作为转换器的集成功能,还能够节省昂贵的外部元件。 3
2021-01-28 17:21:40
带同步整流功能的隔离式DC-DC转换器的传统设计方法是使用光耦合器或脉冲变压器进行隔离,并将其与一个栅极驱动器IC结合在一起。本文将说明光耦合器和脉冲变压器的局限性,并提出一种集成度更高的方法,其
2017-04-05 14:05:25
(图 3)。 图 3:高集成度栅极驱动器(如 TI 的 DRV8323R)可以减少系统元件数量,降低成本和复杂性,同时节省空间。(图片来源:Texas Instruments) 这些栅极驱动器具有多项
2019-09-23 08:30:00
减少系统的元件数量,同时降低成本和复杂性。DRV8323x 系列有三种型号。每种型号都集成了三个独立的栅极驱动器,能够驱动高压侧和低压侧的 MOSFET 对。栅极驱动器包含一个电荷泵,可为高压侧晶体管
2019-10-31 08:00:00
/5.0V),用作端口控制器的数字电源。MAX77756的静态电流低至20μA,大幅降低空闲模式下的功耗,进而延长电池寿命。为简化系统设计,MAX77756采用双输入理想二极管构成的“或”电路,允许芯片由
2017-09-18 10:27:27
每个半桥的参数设置、晶体管的独立或协调控制以及诊断监控。图3:使用从MCU到DRV8718-Q1汽车栅极驱动器的菊花链配置控制16个半桥统一控制可减少 MCU 的工作量。只需一条命令,MCU 即可启用
2022-11-03 07:05:16
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案,可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源,其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
AN1315,用于三相电机驱动的L6386 MOSFET功率驱动器评估板。 L6386,用于三相电机驱动的MOSFET功率驱动器。三相演示板是用于评估和设计高压栅极驱动器L6386的参考套件。用户
2019-07-03 09:22:07
范围,并给出了低功率和大功率栅极驱动器的实例计算。此外,它旨在解释如何解释大相径庭的散热器的要求,数量的 mosfet 正在使用,等等。电动工具选择的广泛性一些电动工具阵容跨越12v 到24v 的范围
2022-04-14 14:43:07
开启、关闭和音量调节时可确保无杂音工作。地电位检测可降低地回路电流产生的输出噪声。立体声D类扬声器放大器采用Maxim最新的超低EMI、高效率、无需滤波技术,能够为8Ω扬声器提供950mW输出功率,效率高达87%。上述功能可有效延长移动设备的电池使用寿命、减少外部元件数量、并提供丰富的声压等级。
2021-04-16 06:51:33
CR2032硬币电池操作电路延长电池寿命利用它内部的Boost变换器,该ltc3107可以从TEG提供电压水平低20 mV收获能量。随着2.2 V的LDO输出驱动外部MCU,该器件提供了一个主输出电压
2016-03-02 14:36:45
描述电池寿命延长器我试图将 NodeMCU 用于远程温度监控器。对于电池供电的设备,睡眠模式仍然使用太多电流。该电路应该使我能够使用 AA 或 AAA 电池运行数月。NodeMCU 被编程为在传输温度和湿度后提供 DONE 信号 提供一个小开关以允许用户触发计时器,因此他们不必等待 30 分钟。
2022-08-16 06:19:43
电动工具、园艺工具和吸尘器等电器采用低电压(2至10节)锂离子电池供电的电机驱动器。这些工具使用有刷直流(BDC)或三相无刷直流(BLDC)电机。BLDC电机的效率更高、维护少、噪音小,且使用寿命
2019-03-05 06:45:07
IGBT/功率 MOSFET 是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为
2018-10-25 10:22:56
的拉电流和灌电流额定值通常可达数十毫安,而栅极驱动器可以提供高得多的电流。图2中,当功率MOSFET由微控制器I/O引脚以最大额定拉电流驱动时,观察到切换时间间隔较长。如图3所示,采用ADuM4121
2018-11-01 11:35:35
驱动器供电。变压器包含四个次级绕组,三个用于顶部栅极驱动器每相的浮动电源,以及底部栅极驱动器的公共电源(图3)。除了大型变压器之外,还需要用于滤波的大电容器和用于初级绕组开关的大型晶体管。这些大型设备
2018-08-18 12:05:14
高速低侧栅极驱动器14nsUCC27201A3A,120V高侧和低侧驱动器20ns表1:高速驱动器 系统效率是一个团队努力的结果。本博客系列介绍了高速和高电流栅极驱动器是关键件。立即访问
2019-03-08 06:45:10
高速栅极驱动器可以实现相同的效果。高速栅极驱动器可以通过降低FET的体二极管的功耗来提高效率。体二极管是寄生二极管,对于大多数类型的FET是固有的。它由p-n结点形成并且位于漏极和源极之间。图1所示
2022-11-14 07:53:24
MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计本应用笔记将详细讨论与MOSFET 栅极电荷和工作频率相关的MOSFET 驱动器功耗。还将讨论如何根据MOSFET 所需的导通和截止时间将MOSFET 驱动器的
2010-06-11 15:23:20212 N沟道MOSFET延长便携设备电池寿命
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)因应手机、便
2010-03-13 11:11:20867 笔记本最大限度延长电池的使用寿命
本文将讨论如何有效地使用电池,以及最大限度地延长电池的使用寿命。本文将只讨论最新的XTRA这几个使用了锂电池的系列,对于较
2010-04-19 09:20:34850 高压MOSFET驱动器电路的LTC1154被用作电荷泵,从而来驱动一个高压侧功率MOSFET的栅极。
2011-12-17 00:02:004947 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器,可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 高压MOSFET驱动器电路的LTC1154被用作电荷泵,从而来驱动一个高压侧功率MOSFET的栅极。高压MOSFET驱动器电路:
2017-10-19 16:02:3723 ADP3110A是一个单相12V MOSFET栅极驱动器,它被优化成在同步降压转换器中同时驱动高_侧和低_侧功率MOSFET的栅极。高_侧和低_侧驱动器能够以25ns的传播延迟和30ns的过渡时间驱动3000pF负载。
2018-08-27 10:44:0078 通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394941 栅极驱动器可以驱动开关电源如MOSFET,JFET等,因为如MOSFET有个栅极电容,在导通之前要先对该电容充电,当电容电压超过阈值电压(VGS-TH)时MOSFET才开始导通。
2020-01-29 14:18:0019390 来源:罗姆半导体社区 栅极驱动器的作用 栅极驱动器可以驱动开关电源如MOSFET,JFET等,因为MOSFET有个栅极电容,在导通之前要先对该电容充电,当电容电压超过阈值电压(VGS-TH
2022-11-16 17:50:18987 摘要
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为
2021-01-28 08:13:3820 LTC4441:N沟道MOSFET栅极驱动器数据表
2021-05-26 08:42:545 ADI隔离栅极驱动器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 ROHM不仅提供电机驱动器IC,还提供适用于电机驱动的非隔离型栅极驱动器,以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我们将先介绍罗姆非隔离型栅极驱动器,再介绍ROHM超级结MOSFET
2021-08-09 14:30:512409 MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)为其TCK42xG系列MOSFET 栅极驱动器IC 的产品阵容增加面向可穿戴设备等移动设备的五款新品。该系列的新产品配备了过压锁定功能,并根据输入电压控制外部MOSFET的栅极电压。
2022-06-09 10:00:301635 IGBT/功率MOSFET是一种电压控制器件,用作电源电路和电机驱动器等系统中的开关元件。栅极是每个设备的电气隔离控制端子。 MOSFET的其他端子是源极和漏极,对于IGBT,它们被称为集电极
2023-01-30 17:17:121151 栅极驱动参考 1.PWM直接驱动2.双极Totem-Pole驱动器3.MOSFET Totem-Pole驱动器4.速度增强电路5.dv/dt保护 1.PWM直接驱动 在电源应用中,驱动主开关
2023-02-23 15:59:0017 功率 MOSFET 是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。
2023-04-04 09:58:391001 功率 MOSFET 是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。
为了操作 MOSFET,通常须将一个电压施加于栅极(相对于源极或发射极)。使用专用驱动器向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流。
2023-05-17 10:21:391475 介绍
在设计电源开关系统(例如电机驱动器或电源)时,设计人员必须做出重要决定。什么电机或变压器符合系统要求?什么是最好的MOSFET或IGBT来匹配该电机或变压器?以及哪种栅极驱动器 IC 最适合
2023-07-24 15:51:430 在电机驱动系统中,栅极驱动器或“预驱动器” IC常与N沟道功率MOSFET一起使用,以提供驱动电机所需的大电流。在选择驱动器IC、MOSFET以及某些情况下用到的相关无源元件时,有很多需要考量的设计因素。如果对这个过程了解不透彻,将导致实现方式的差强人意。
2023-08-02 18:18:34808 电子发烧友网站提供《现代IGBT/MOSFET栅极驱动器 提供隔离功能的最大功率限制.pdf》资料免费下载
2023-11-22 16:48:150
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