日前,德州仪器 (TI) 宣布推出一款面向绝缘栅双极型晶体管(IGBT)与MOSFET的隔离式栅极驱动器,其速度比同等光学栅极驱动器快40%。
2012-10-11 14:04:33
2029 设计解决方案9-2相DC / DC控制器可降低电容并延长便携式应用的电池寿命
2019-07-24 09:03:26
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
MOSFET栅极驱动器LTC44411资料下载内容包括:LTC4441-1功能和特点LTC4441-1引脚功能LTC4441-1内部方框图LTC4441-1典型应用电路LTC4441-1电气参数
2021-03-24 07:13:00
MOSFET栅极驱动器LTC4441资料下载内容主要介绍了:LTC4441功能和特点LTC4441引脚功能LTC4441内部方框图LTC4441典型应用电路LTC4441电气参数
2021-03-29 06:26:56
你好,我正在寻找这两个MOSFET的驱动器IC,FDD7N20TMCT-ND和FQD7P20TMCT-ND。我的逻辑由CPLD产生,为3.3V。我在想使用MD1822K6-GCT-ND。这些
2018-10-25 14:27:53
延长电池寿命是各种应用中常见的设计要求。无论是玩具还是水表,设计师都有各式技术来提高电池寿命。在这篇博文中,我将阐述一种可策略性地绕过低掉电线性稳压器(LDO)的技术。 生成导轨使用LDO是从电池
2019-03-25 06:45:12
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
为何需要栅极驱动器栅极驱动器的关键参数
2020-12-25 06:15:08
高得多的电流。图2中,当功率MOSFET由微控制器I/O引脚以最大额定拉电流驱动时,观察到切换时间间隔较长。如图3所示,采用ADuM4121隔离式栅极驱动器时,转换时间大大缩短;当驱动同一功率
2021-07-09 07:00:00
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
CK5G14 在同一颗芯片中同时集成了三个 250V 半桥栅极驱动器,特别适合于三相电机应用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动。芯片内置了死区时间和上下管直通保护,非常有效地阻止半桥
2022-01-04 14:16:57
用于Si8751隔离式MOSFET驱动器的Si8751-EVB,Si875x评估套件是驱动各种应用中使用的功率开关的理想选择,与普通SSR相比,具有更长的使用寿命和更高的可靠性。 Si8751隔离式
2020-06-08 12:07:42
驱动器系列之类的器件不仅能满足高能效 BLDC 电机的要求,还能减少系统的元件数量,同时降低成本和复杂性。DRV8323x 系列有三种型号。每种型号都集成了三个独立的栅极驱动器,能够驱动高压侧和低压侧
2019-08-13 07:00:00
栅极驱动器的 +16V/-8V 电压,能够通过具有外部 BJT/MOSFET 缓冲器的单极或双极电源为栅极驱动器供电可针对反相/非反相工作情况配置栅极驱动器输入可选择通过如下方式评估系统:栅极驱动器和 IGBT 之间的双绞线电缆栅极和发射极之间的外部电容
2018-12-27 11:41:40
:BJT图腾柱(左)与栅极驱动器芯片UCC27517A-Q1(右)分立式电路的一个显著缺点是它不提供保护,而栅极驱动器IC集成了对于确保可预测和稳定的栅极驱动非常重要的功能…
2022-11-04 06:40:48
什么是MOSFET驱动器?MOSFET驱动器功耗包括哪些部分?如何计算MOSFET的功耗?
2021-04-12 06:53:00
负载的响应性较差,这可能导致电池可用容量降低。因此在本文中,我们将探讨一种降低电池峰值负载(数百毫安级)的有效方法,从而帮助延长电池寿命。更大程度提高电池可用容量是十分重要的,因为这可以使系统设计实现
2022-11-04 07:14:17
一次。目前,我计划使用MCU和单片MOSFET H桥,但希望减少元件数量。所以,有没有这样的节拍?谢尔斯达格尔 以上来自于百度翻译 以下为原文 I have an application
2018-10-29 11:16:42
以及功率MOSFET的驱动元件。本产品融合了罗姆独创的BiCDMOS技术与新开发的片上变压器工艺技术,作为内置了绝缘元件的栅极驱动器,是业界最小的小型封装,有助于逆变器电路的小型化。另外,与传统的光耦
2019-04-29 21:09:14
延长电池寿命是各种应用中常见的设计要求。无论是玩具还是水表,设计师都有各式技术来提高电池寿命。在这篇博文中,我将阐述一种可策略性地绕过低掉电线性稳压器(LDO)的技术。
2019-07-26 07:55:11
本文就充放电过程的温度控制技术、电池充电电源短路保护与选择电池充电器以延长电池寿命等芯片应用的方案配置作介绍。
2021-05-12 06:53:05
如何延长蓄电池的使用寿命?
2021-06-18 06:03:40
过。另据报道,与基于IGBT的电机驱动器相比,使用具有有限dv/dt的SiC-MOSFET和传统的栅极驱动器可以带来更高的效率[3]。在驱动应用中使用 SiC-MOSFET 的优势可以通过 CSD
2023-02-21 16:36:47
,能够在 MOSFET 关断状态下为栅极提供负电压、高充电/放电脉冲电流,并且足够快以在纳秒范围内操作栅极。IC IX6611是一款智能高速栅极驱动器,可轻松用于驱动碳化硅(SiC)MOSFET以及标准
2023-02-27 09:52:17
您好,我正在尝试使用 MC34GD3000 栅极驱动器,但我们遇到了设备故障和损坏高侧 MOSFET 栅极驱动器的问题。首先,是否有任何关于正确设置栅极驱动器输出的应用说明。我们看到的是在没有任何
2023-04-19 06:36:06
、时序特性更精确,与光耦合器相比,具有速度优势。在图3中,采用的是一个脉冲变压器,其工作速度可以达到半桥栅极驱动器应用通常所需的水平(最高1 MHz)。栅极驱动器IC可用于提供容性MOSFET栅极充电
2018-10-23 11:49:22
1 MHz)。栅极驱动器IC可用于提供容性MOSFET栅极充电所需的高电流。图3中的栅极驱动器以差分方式驱动脉冲变压器的原边,该变压器副边有两个绕组,用于驱动半桥的各个栅极。使用脉冲变压器的一个优势
2018-10-16 16:00:23
MOSFET栅极充电所需的高电流。在此,栅极驱动器以差分方式驱动脉冲变压器的原边,两个副边绕组驱动半桥的各个栅极。在这种应用中,脉冲变压器具有显着优势,不需要用隔离式电源来驱动副边MOSFET. 图3
2018-09-26 09:57:10
描述该用于工业驱动器的三相紧凑型功率级参考设计使用支持基本电容隔离要求的 UCC53xx 栅极驱动器,可通过光耦合器提供更长的使用寿命和更佳的传播延迟匹配,从而最大程度地减小逆变器死区失真和损耗
2018-09-30 09:44:42
延长电池寿命的开关电源
2019-09-18 09:11:39
越低,转换器就越能延长系统待机模式下的电池寿命。 2. 真关断模式:关断时将电流输出与输入阻塞,该功能可提高效率、延长最终产品保质期。如果作为转换器的集成功能,还能够节省昂贵的外部元件。 3
2021-01-28 17:21:40
(图 3)。 图 3:高集成度栅极驱动器(如 TI 的 DRV8323R)可以减少系统元件数量,降低成本和复杂性,同时节省空间。(图片来源:Texas Instruments) 这些栅极驱动器具有多项
2019-09-23 08:30:00
减少系统的元件数量,同时降低成本和复杂性。DRV8323x 系列有三种型号。每种型号都集成了三个独立的栅极驱动器,能够驱动高压侧和低压侧的 MOSFET 对。栅极驱动器包含一个电荷泵,可为高压侧晶体管
2019-10-31 08:00:00
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案,可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源,其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
AN1315,用于三相电机驱动的L6386 MOSFET功率驱动器评估板。 L6386,用于三相电机驱动的MOSFET功率驱动器。三相演示板是用于评估和设计高压栅极驱动器L6386的参考套件。用户
2019-07-03 09:22:07
范围,并给出了低功率和大功率栅极驱动器的实例计算。此外,它旨在解释如何解释大相径庭的散热器的要求,数量的 mosfet 正在使用,等等。电动工具选择的广泛性一些电动工具阵容跨越12v 到24v 的范围
2022-04-14 14:43:07
CR2032硬币电池操作电路延长电池寿命利用它内部的Boost变换器,该ltc3107可以从TEG提供电压水平低20 mV收获能量。随着2.2 V的LDO输出驱动外部MCU,该器件提供了一个主输出电压
2016-03-02 14:36:45
描述电池寿命延长器我试图将 NodeMCU 用于远程温度监控器。对于电池供电的设备,睡眠模式仍然使用太多电流。该电路应该使我能够使用 AA 或 AAA 电池运行数月。NodeMCU 被编程为在传输温度和湿度后提供 DONE 信号 提供一个小开关以允许用户触发计时器,因此他们不必等待 30 分钟。
2022-08-16 06:19:43
IGBT/功率 MOSFET 是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为
2018-10-25 10:22:56
的拉电流和灌电流额定值通常可达数十毫安,而栅极驱动器可以提供高得多的电流。图2中,当功率MOSFET由微控制器I/O引脚以最大额定拉电流驱动时,观察到切换时间间隔较长。如图3所示,采用ADuM4121
2018-11-01 11:35:35
驱动器供电。变压器包含四个次级绕组,三个用于顶部栅极驱动器每相的浮动电源,以及底部栅极驱动器的公共电源(图3)。除了大型变压器之外,还需要用于滤波的大电容器和用于初级绕组开关的大型晶体管。这些大型设备
2018-08-18 12:05:14
高速低侧栅极驱动器14nsUCC27201A3A,120V高侧和低侧驱动器20ns表1:高速驱动器 系统效率是一个团队努力的结果。本博客系列介绍了高速和高电流栅极驱动器是关键件。立即访问
2019-03-08 06:45:10
MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计本应用笔记将详细讨论与MOSFET 栅极电荷和工作频率相关的MOSFET 驱动器功耗。还将讨论如何根据MOSFET 所需的导通和截止时间将MOSFET 驱动器的
2010-06-11 15:23:20
214 低损耗LED驱动器通过提高效率、延长电池寿命加快系统的绿色进程
摘要:现今有很多不同的方案可以为高亮度LED (HB LED)供电。由于多数系统采用电
2009-09-18 08:58:32
847 
单通道MOSFET或IGBT栅极驱动器集成电路IR2117
IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能
2009-12-08 10:21:00
8772 
N沟道MOSFET延长便携设备电池寿命
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)因应手机、便
2010-03-13 11:11:20
1129 飞兆半导体推出N沟道MOSFET器件可延长电池寿命
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)因应手机、便携医疗设备和媒体播放器等便携应用设备的设计和元件工
2010-03-20 08:51:55
1377 笔记本最大限度延长电池的使用寿命
本文将讨论如何有效地使用电池,以及最大限度地延长电池的使用寿命。本文将只讨论最新的XTRA这几个使用了锂电池的系列,对于较
2010-04-19 09:20:34
1230 高压MOSFET驱动器电路的LTC1154被用作电荷泵,从而来驱动一个高压侧功率MOSFET的栅极。
2011-12-17 00:02:00
5529 
10 月 1 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高端、高频率 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器 LTC4440A-5,该器件能以高达 80V
2013-10-09 15:41:27
1392 
的栅极驱动要求等。与在这种设计中正式使用的双极晶体管相比,IGBT在驱动电路的尺寸和复杂度上都有相当大的降低。最近在IGBT开关速度的改进取得了设备适用于电源的应用,因此IGBT将与某些高电压MOSFET以及应用。许多设计者因此转向MOSFET驱动器以满足其
2017-07-04 10:51:05
22 便携式产品制造商一直在寻找降低电力需求的方法,以最大限度地延长电池寿命。随着物联网的发展,以及诸如移动电话等智能设备的普遍使用,用于网络控制和监控目的,对提高电源效率的需求变得更加迫切。便携式设备上
2019-12-30 08:09:00
3422 通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2019-04-16 17:07:39
6332 
安森美半导体NCP51530 MOSFET栅极驱动器是高频、700V、2A高侧和低侧驱动器,适用于交流/直流电源和逆变器。NCP51530可在较高工作频率下提供同类最佳的传播延迟、低静态电流和低开关电流。这些NCP51530驱动器适用于在高频下工作的高效电源。
2019-10-03 09:32:00
3983 
DRV832x 系列器件是适用于三相 应用的集成式栅极驱动器。这些器件具有三个半桥栅极驱动器,每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。 DRV832x 使用集成电荷泵为高侧
2020-03-05 08:00:00
0 来源:罗姆半导体社区 栅极驱动器的作用 栅极驱动器可以驱动开关电源如MOSFET,JFET等,因为MOSFET有个栅极电容,在导通之前要先对该电容充电,当电容电压超过阈值电压(VGS-TH
2022-11-16 17:50:18
1969 本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、导通和关断、功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分;驱动器内部电路
2021-06-14 03:51:00
5319 
摘要
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为
2021-01-28 08:13:38
21 LTC4441:N沟道MOSFET栅极驱动器数据表
2021-05-26 08:42:54
5 ADI隔离栅极驱动器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:08
30 ROHM不仅提供电机驱动器IC,还提供适用于电机驱动的非隔离型栅极驱动器,以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我们将先介绍罗姆非隔离型栅极驱动器,再介绍ROHM超级结MOSFET
2021-08-09 14:30:51
3305 MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理
2021-11-29 16:29:17
73 Allegro 的汽车级栅极驱动器A89307是QuietMotion™ 产品线中的一员,该IC专为电动汽车和混合动力汽车中的电池冷却风扇和 HVAC 系统而设计,通过使用场定向控制 (FOC
2022-05-05 16:11:35
2360 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)为其TCK42xG系列MOSFET 栅极驱动器IC 的产品阵容增加面向可穿戴设备等移动设备的五款新品。该系列的新产品配备了过压锁定功能,并根据输入电压控制外部MOSFET的栅极电压。
2022-06-09 10:00:30
2567 
STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 单通道栅极驱动器旨在调节碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄体 SO-8 封装,可节省空间并具有精确的PWM 控制
2022-08-03 09:47:01
2625 
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制器件,用作电源电路和电机驱动器等系统中的开关元件。栅极是每个设备的电气隔离控制端子。 MOSFET的其他端子是源极和漏极,对于IGBT,它们被称为集电极
2023-01-30 17:17:12
2921 
除了延长电池寿命外,降低功耗还有很多好处。产生的热量更少,因此外形尺寸更小。由于温度应力较低,可靠性得到提高。由于元件更小,PCB尺寸可以减小,因此可以降低系统成本,从而减少元件数量,因为不需要散热器等附件。
2023-01-31 09:34:05
1264 
栅极驱动参考 1.PWM直接驱动2.双极Totem-Pole驱动器3.MOSFET Totem-Pole驱动器4.速度增强电路5.dv/dt保护 1.PWM直接驱动 在电源应用中,驱动主开关
2023-02-23 15:59:00
24 功率 MOSFET 是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。
2023-04-04 09:58:39
2351 
功率 MOSFET 是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。
为了操作 MOSFET,通常须将一个电压施加于栅极(相对于源极或发射极)。使用专用驱动器向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流。
2023-05-17 10:21:39
2544 
介绍
在设计电源开关系统(例如电机驱动器或电源)时,设计人员必须做出重要决定。什么电机或变压器符合系统要求?什么是最好的MOSFET或IGBT来匹配该电机或变压器?以及哪种栅极驱动器 IC 最适合
2023-07-24 15:51:43
0 在电机驱动系统中,栅极驱动器或“预驱动器” IC常与N沟道功率MOSFET一起使用,以提供驱动电机所需的大电流。在选择驱动器IC、MOSFET以及某些情况下用到的相关无源元件时,有很多需要考量的设计因素。如果对这个过程了解不透彻,将导致实现方式的差强人意。
2023-08-02 18:18:34
2087 
电子发烧友网站提供《现代IGBT/MOSFET栅极驱动器 提供隔离功能的最大功率限制.pdf》资料免费下载
2023-11-22 16:48:15
0 近日,Littelfuse公司发布了IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器,这款新型驱动器在业界引起了广泛关注。
2024-05-23 11:34:21
1464 栅极驱动器芯片的原理是什么 栅极驱动器芯片是一种用于控制功率电子器件(如IGBT、MOSFET等)栅极电压的集成电路。它在电力电子领域中具有重要应用,如电机驱动、开关电源、太阳能逆变器等。本文将详细
2024-06-10 17:23:00
3609 的信号转换成高电压、高电流的脉冲来控制MOSFET或IGBT的栅极,从而提高这些器件的性能、可靠性和使用寿命。栅极驱动器在现代电力电子系统中扮演着至关重要的角色,广泛应用于电机控制、逆变器、开关电源等领域。
2024-07-19 17:15:27
24573 栅极驱动器(Gate Driver)是一种电路,其主要功能在于增强场效应晶体管(MOSFET)或绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的栅极信号,以便控制器能够更好地控制这些半导体开关的操作。栅极驱动器通过
2024-07-24 16:15:27
2144 电子发烧友网站提供《使用TPS61040白光LED驱动器延长电池寿命.pdf》资料免费下载
2024-09-30 14:26:45
5 MOSFET驱动器功耗 MOSFET驱动器的功耗包含三部分: 由于MOSFET栅极电容充电和放电产生的功耗。 由于 MOSFET 驱动器吸收静态电流而产生的功耗。 MOSFET 驱动器交越导通(穿通
2024-10-29 10:45:21
2502 
栅极驱动器(Gate Driver)是电力电子系统中的一种关键电路组件,主要用于增强场效应晶体管(MOSFET)或绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的栅极信号,以便控制器能够更好地控制这些半导体开关
2025-02-02 13:47:00
1718 Texas Instruments UCC27518低侧栅极驱动器是一款单通道、高速器件,可驱动MOSFET和IGBT电源开关。该驱动器采用可最大限度地减小击穿电流和拉电流的设计,并将高峰值电流脉冲
2025-07-14 14:18:35
596 
峰值灌电流的栅极驱动电流,以及90V MOSFET瞬态过压支持来支持大功率电机驱动应用。高效自举架构可最大限度地降低功率损耗和栅极驱动器的自发热。电荷泵允许栅极驱动器支持100% PWM占空比控制。
2025-09-11 13:56:55
753 
Texas Instruments DRV8300U三相栅极驱动器设有三个半桥栅极驱动器,电压为100V,每个均可驱动高侧和低侧N通道功率MOSFET。DRV8300UD使用集成式自举二极管和外部
2025-09-11 14:17:23
814 
Texas Instruments DRV832860V三相栅极驱动器是一款集成栅极驱动器,用于三相应用。该器件提供三个半桥栅极驱动器,每个驱动器可驱动高侧和低侧N沟道功率MOSFET。该器件
2025-09-22 13:58:18
730 
DRV8351-SEP是一款三相半桥栅极驱动器,能够驱动高侧和低侧N沟道功率MOSFET。DRV8351-SEPD 使用集成自举二极管和用于高端 MOSFET 的外部电容器产生正确的栅极驱动电压
2025-10-11 14:38:25
1089 
Microchip Technology MCP8021和MCP8022三相无刷直流 (BLDC) 电机栅极驱动器包含三个集成半桥驱动器,能够驱动三个外部NMOS/NMOS晶体管对。这三个半桥驱动器
2025-10-11 14:58:35
567 
该DRV8334是一款用于三相BLDC应用的集成智能栅极驱动器。该器件提供三个半桥栅极驱动器,每个驱动器能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。该DRV8334使用集成自举二极管和GVDD
2025-10-12 17:05:45
1894 
DRV8329系列器件是用于三相应用的集成栅极驱动器。这些器件提供三个半桥栅极驱动器,每个驱动器都能够驱动高侧和低侧N沟道功率MOSFET。该器件使用内部电荷泵产生正确的栅极驱动电压,并使用自举电路
2025-10-13 15:32:07
528 
90V MOSFET 瞬态过压支持。采用高效的自举架构,最大限度地减少栅极驱动器的功率损耗和自热。电荷泵允许栅极驱动器支持 100% PWM 占空比控制。
2025-10-13 15:35:23
504 
DRV3256-Q1 系列器件是高度集成的三相栅极驱动器,适用于 48V 汽车电机驱动应用。这些器件经过专门设计,通过提供 2A 峰值源极和 2.5A 峰值灌电流驱动电流以及 90V MOSFET
2025-10-13 15:57:16
573 
栅极驱动 (SGD) 架构来减少 MOSFET 压摆率控制和保护电路通常所需的外部元件数量。SGD 架构还优化了死区时间以防止击穿情况,通过 MOSFET 压摆率控制灵活地降低电磁干扰 (EMI),并
2025-10-15 10:04:42
643 
DRV8305-Q1器件是一款用于三相电机驱动应用的栅极驱动器IC。该器件提供三个高精度半桥驱动器,每个驱动器能够驱动高侧和低侧N沟道MOSFET。电荷泵驱动器支持100%占空比和冷启动情况下的低压作。该器件可承受高达45V的负载突降电压。
2025-10-16 16:13:46
518 
DRV8305器件是用于三相电机驱动应用的栅极驱动器IC。该器件提供三个高精度和温度补偿的半桥驱动器,每个驱动器都能够驱动高侧和低侧N沟道MOSFET。电荷泵驱动器支持100%占空比和低压工作。该
2025-10-17 10:01:14
565 
为EliteSiC匹配栅极驱动器指南旨在针对各类高功率主流应用,提供为 SiC MOSFET匹配栅极驱动器的专业指导,同时探索减少导通损耗与功率损耗的有效方法,以最大限度提升SiC器件在导通和关断过程中的电压与电流效率。
2025-11-13 09:46:33
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EiceDRIVER™ APD 2ED2410-EM:高性能汽车MOSFET栅极驱动器解析 在汽车电子领域,对于可靠且高效的MOSFET栅极驱动器的需求日益增长。英飞凌的EiceDRIVER
2025-12-20 16:25:06
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