奈梅亨，2022年4月27日：基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia，今日宣布其分立式器件系列推出新品，新器件采用无引脚DFN封装，配有侧边可湿焊盘 (SWF)。这些器件坚固耐用，节省
2022-04-27 18:08:53
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奈梅亨，2022年5月12日：基础半导体器件领域的专家Nexperia推出了用于自动化安全气囊应用的专用MOSFET (ASFET)新产品组合，重点发布的BUK9M20-60EL为单N沟道60
2022-05-12 10:20:495112 
DSN1006和DSN1010中的三款全新器件可在空间受限的应用中节省电力并简化散热管理 奈梅亨，2022年7月27日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出
2022-07-27 10:14:36526 
Diodes公司推出旗下有助节省空间的DFN3020封装分立式产品系列的首批MOSFET。这三款双MOSFET组合包含了20V和30V N沟道及30V互补器件
2011-05-13 08:44:56928 多年来，功率MOSFET一直是高功率应用的支柱，能够可靠地提供大电流。然而，随着功率应用技术的进步，需要极高水平的电流。这些应用已达到功率水平要求，而一个MOSFET的实现已不再足够，这迫使设计人
2021-03-12 11:29:324652 假定我们设计电路中的功率MOSFET的总计算功耗为10W。该器件的最高结温为150℃。考虑到结到外壳还存在温差，那么MOSFET的实际外壳温度必须保持在等于或低于100°C才能可靠运行。假定MOSFET的结到外壳的热阻为3K/W，那么我们如何确定所需的最小散热器尺寸呢？
2022-05-20 10:06:086324 
Fig. 2标出了我们所关注的MOSFET器件的几何尺寸，包括沟道的有效长度L_eff（导体的长度L_drawn略大于L_eff），沟道的宽度W，绝缘层的厚度t_ox，这些参数主要影响沟道两侧的电容和沟道的电阻，从而影响着电压电流的关系，后面的表达式会用到这些尺寸。
2023-02-16 11:35:281560 
PMH系列MOSFET采用了DFN0606封装，占位面积仅为0.62 x 0.62 mm，与前一代DFN1006器件相比，节省了超过36%的空间。
2020-04-23 11:05:58799 LFPAK封装采用铜夹片结构，由Nexperia率先应用，已在汽车等要求严格的应用领域中使用近20年。
2020-05-08 09:02:451216 采用DFN2020D-6 （SOT1118D）封装，能有效节省空间。
2020-10-12 11:20:34752 Nexperia为电池隔离、电机控制、热插拔和以太网供电（PoE）应用提供ASFET系列。
2020-10-23 09:38:13881 Nexperia今日宣布，位于英国曼彻斯特的新8英寸晶圆生产线启动，首批产品使用最新的NextPower芯片技术的低RDS（on）和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。
2021-06-24 09:18:57701 Nexperia新款MOSFET电热模型的详细预览，该模型可以在仿真中准确呈现器件的静态和动态特性，并降低在设计过程后期发现EMC问题的风险。
2021-08-30 09:47:281500 
Nexperia今日宣布推出全系列低电流稳压器二极管。50µA齐纳二极管系列提供3种不同的表贴（SMD）封装选项，采用超小型分立式扁平无引脚（DFN）封装以及符合AEC-Q101标准的器件。
2022-01-27 10:40:402669 
Nexperia（安世半导体）今日宣布MOSFET器件推出全新增强型电热模型。半导体制造商通常会为MOSFET提供仿真模型，但一般仅限于在典型工作温度下建模的少量器件参数。
2022-03-24 09:31:461418 
RDS(on)额外降低40%，功率密度提高58倍，适合电信和热插拔计算应用 奈梅亨， 2023 年 3 月 22 日： 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出首批80
2023-03-22 09:11:33422 
) MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件，RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia
2023-11-30 09:12:02432 
`315433MHZ超小尺寸方案，详情见图`
2018-06-05 19:00:04
DFN,QFN代工QQ67217217
2015-07-21 13:41:32
DL0521P1有低电容，超小尺寸和ESD高稳健性等特点，是高速数据端口和高频线路（如USB 2.0和天线线路）应用的理想选择，如蜂窝电话和高清视频设备。超低电容TVS/ESD保护二极管特征高速数据线的瞬态保护
2020-03-18 10:30:15
产品概述：8323是两款国内首创采用DFN超小封装的单按键触摸芯片,此触摸芯片内建稳压电路,提供稳定的电压给触摸感应电路使用,稳定的触摸检测效果可以广泛的满足不同应用的需求,此触摸检测芯片是专为取代
2018-08-31 11:14:25
`产品概述：8323是国内首创采用DFN超小封装的单按键触摸芯片,此触摸芯片内建稳压电路,提供稳定的电压给触摸感应电路使用,稳定的触摸检测效果可以广泛的满足不同应用的需求,此触摸检测芯片是专为取代
2019-07-23 09:11:37
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些应用？
2021-07-09 07:45:34
`Nexperia 200V超快恢复整流器拥有高功率密度，同时最大限度地减少了反向恢复时间和损耗。这些器件是大功率密度、超快恢复整流器，采用高效平面技术，采用小型扁平引线SOD123W或SOD128
2020-02-13 14:30:30
。推荐产品：BCP56-16,115；BCX56-16,115Nexperia其它相关产品请 点击此处 了解特性：大电流三种电流增益选择高功耗能力裸露的散热器具有出色的导热性和导电性（SOT89
2020-03-11 17:20:01
`Nexperia汽车用MOSFET包括一系列符合AEC-Q101标准的器件，符合汽车行业制定的严格标准。这些Nexperia汽车器件设计用于比家用和便携式应用中使用的功率MOSFET更恶劣
2021-01-23 11:20:27
，设计工程师已经习惯于接受效率和隔离能力之间的折衷。然而，来自 Nexperia 的最新特定应用 50 V 和 55 V MOSFET 避免了这样的折衷。它们得益于卓越的超结技术，可产生较低的导通电阻，而
2022-10-28 16:18:03
=oxh_wx3、【周启全老师】开关电源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超结功率MOSFET技术白皮书资料来自网络
2019-06-26 20:37:17
导读：全球功率半导体领先供应商国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）日前发布其近日新增产品--AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET
2018-09-28 15:57:04
/ESOP-8、MSOP-8、DFN2*2-8、DFN3*3-8 等封装形式，给方案设计带来更多的选择。半桥/全桥转换器同步降压、升降压拓扑电子烟、无线充 MOSFET 驱动器电源电压工作范围为 4.5V
2022-01-12 13:39:25
`罗姆低门驱动电压MOSFET具有0.9伏至10伏的宽驱动类型。 这种广泛的驱动器类型范围支持从小信号到高功率的各种应用。 这些MOSFET具有与微型封装（0604尺寸）一样小的尺寸选择。 各种大小
2021-02-02 09:55:16
Si-MOSFET高。与Si-MOSFET进行替换时，还需要探讨栅极驱动器电路。与Si-MOSFET的区别：内部栅极电阻SiC-MOSFET元件本身（芯片）的内部栅极电阻Rg依赖于栅电极材料的薄层电阻和芯片尺寸
2018-11-30 11:34:24
反向保护连接集成先进功率MOSFET相当于44米′DS(ON)·Dfn1X1x0.37-4包·低过充释放电压·超温保护·过充电流保护0.4A两步过流检测：-过充电流0.4A-负载短路·充电器检测功能
2021-04-10 17:15:51
?电池寿命。<p>·电池反向保护连接·集成先进功率MOSFET相当于60m?RSS(上)·DFN1X1x0.37-4包·过充释放电压低·过热保护·过度充电电流保护·两步过电
2019-08-24 10:30:38
?电池寿命。 ·电池反向保护连接·集成先进功率MOSFET相当于60m?RSS(上)·DFN1X1x0.37-4包·过充释放电压低·过热保护·过度充电电流保护·两步过电流检测:过量放电电流负载短路
2019-08-24 09:36:42
`深圳市展嵘电子有限公司朱一鸣 手机号码：***QQ：1275294458XB6091全网超小封装DFN1X1封装之一，耳机二合一保护IC专用XB6091ISC产品是一个高锂的集成解决方案?离子
2019-05-05 19:42:04
DFN1X1x0.37-4包装，只有一个外部组件使其成为理想的组件解决方案在有限的空间电池包。XB6091ISC具有所有的保护功能要求在电池应用中包括过度充电、过放电、过电流以及负载短路保护等准确的超充电检测电压
2018-11-01 19:06:21
长时间使用的信息设备?电池寿命。·电池反向保护连接·集成先进功率MOSFET相当于60m?RSS(上)·DFN1X1x0.37-4包·过充释放电压低·过热保护·过度充电电流保护·两步过电流检测:过量
2019-08-29 09:13:50
一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻，并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大管芯尺寸可实现较低的RDS(on)值。但大单元密度和管芯尺寸
2017-08-09 17:45:55
扬杰电子，代工DFN,QFN,不分单，有需求联系：QQ67217217
2015-07-21 13:34:27
扬杰电子，代工DFN,QFN,不分单，有需求联系：QQ67217217
2015-07-21 13:29:59
超小尺寸宽带频率源，低相噪保证，可内外置晶振，唯一的区别在于腔体的高度增加两毫米。可靠地质量。仁健微波，频率源专家。{:12:}
2013-07-11 09:58:40
长期供应泰德IC MOSFET产品：[tr=transparent]针对快充应用 全系列的MOSFET [/tr] [tr=transparent]PartNumberpackagecfgBv(v
2018-06-07 16:51:22
电机驱动市场特别是家电市场对系统的能效、尺寸和稳健性的要求越来越高。 为满足市场需求，意法半导体针对不同的工况提供多种功率开关技术，例如， IGBT和最新的超结功率MOSFET。 本文在实际
2018-11-20 10:52:44
几乎所有的设备都有印刷电路板。然而，并不是每个设备都有相同的大小。例如，与电视相比，智能手机需要非常小的PCB。与重型机械相比，电视机需要更小的PCB。因此，这些尺寸在电路中起着至关重要的作用。设计人员必须根据设备尺寸来设计印刷电路板。而我们如何选择这些电子印刷电路板的尺寸呢？
2023-04-14 15:17:35
封装技术的优势，进一步推进了小信号MOSFET的微型化。 亚芯片级封装 XLLGA封装在封装底部提供可焊接的金属触点（类似于DFN型封装），采用创新的内部设计，使整体封装尺寸小于任何类似芯片级封装
2018-09-29 16:50:56
电子烟充电管理芯片 DFN-8 有那种类型可以选择
2016-07-23 12:52:06
：介于平面和超结型结构中间的类型超级结结构是高压MOSFET技术的重大发展并具有显著优点，其RDS(on)、栅极容值和输出电荷以及管芯尺寸同时得到降低。为充分利用这些快速和高效器件，设计工程师需要非常注意
2018-10-17 16:43:26
PW2601是一种充电器前端集成电路，旨在为锂离子提供保护电池充电电路故障。该设备监测输入电压，电池电压以及充电电流，以确保所有三个参数都在正常范围内工作。这个该设备将关闭内部MOSFET断开，以
2021-01-25 17:46:48
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-19 09:43 编辑
针对快充应用设计需要的3 mΩ、5 mΩ、10 mΩ，DFN33和DFN56封装的MOSFET，推出全系列的MOSFET
2018-06-15 17:28:34
东风DFN-15A DFN-20A DFN-25A充油式电暖器电路图
2009-06-06 16:24:59629 
Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封装的高性能MOSFET产品线。该封装仅占用0.6平方毫米的PCB面积，较同类SOT723封装器件节省一半以上的占板空间
2011-05-31 09:31:183330 Diodes Incorporated 推出了一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4，离板高度只有0.4毫米，占板面积只有四平方毫米，是一款额定电压为 -25V的P通道器
2012-05-03 10:08:401838 日前，集设计，开发和全球销售的功率半导体供应商AOS半导体有限公司（AOS），发布了具有行业领先标准的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它们的DFN3X3封装厚度只有超薄的0.8毫米。
2012-05-28 11:30:242463 Vishay发布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封装，使用TrenchFET® Gen IV技术的新款30V非对称双片TrenchFET 功率MOSFET
2014-02-10 15:16:51890 MICRO FOOT器件具有20V MOSFET中最低的RDS(ON)，外形尺寸为1mm2或小于0.7mm2，开启电压低至1.2V
2015-06-19 17:07:561040 有些电子系统受制于PCB的尺寸和内部的高度，如通信系统的模块电源由于高度的限制通常采用DFN5*6、DFN3*3的封装；在有些ACDC的电源中，使用超薄设计或由于外壳的限制，装配时TO220封装
2020-01-28 15:17:006671 
半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品。
2020-05-09 11:07:263164 AOI检测等优点的DFN（分立式扁平无引脚）封装，涵盖Nexperia的所有产品组合，包括开关、肖特基、齐纳和保护二极管、双极结晶体管（BJT）、N沟道及P沟道MOSFET、配电阻晶体管和LED驱动器。
2020-06-29 15:09:052666 DN466 - 热插拔控制器、MOSFET 和检测电阻器集成在一个 5mm x 3mm DFN 封装中，以在紧凑狭小的空间提供 准确的电流限制和负载电流监视
2021-03-18 21:25:58
5 DFN封装，相对来说，是一种比较新的表面贴装封装工艺。在ESD二极管产品中，DFN封装很常见，具体封装有：DFN-2L、DFN-3L、DFN-6L、DFN-8L、DFN-10L、DFN
2021-08-16 17:12:352684 Nexperia今天宣布，其位于德州达拉斯的全新设计中心正式启动。值此成为独立实体五周年之际，这一举措标志Nexperia朝着2030年成为全球基础半导体领军企业的既定目标又迈出了重要的一步。
2022-03-25 09:13:241015 
基本半导体专家Nexperia今天宣布为其 MOSFET 器件发布新的增强型电热模型。半导体制造商通常会为其 MOSFET 提供仿真模型，但这些模型通常只包含在典型工作温度下建模的有限数量的器件参数
2022-03-28 09:56:054259 Nexperia全新POWER MOSFET工程师设计指南 认识理解功率 MOSFET 数据手册中的参数 功率 MOSFET 单次和重复雪崩强度限值 RC 热阻模型的使用 基于 LFPAK 封装的 MOSFET 热设
2022-04-07 11:40:220 基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)今日宣布MOSFET器件推出全新增强型电热模型。半导体制造商通常会为MOSFET提供仿真模型，但一般仅限于在典型工作温度下建模的少量器件参数。Nexperia的全新先进模型可捕获-55℃至175℃的整个工作温度范围的一系列完整器件参数。
2022-09-21 00:08:34704 __[导读]__Nexperia 是基本半导体领域的专家，最近宣布其最新产品添加到越来越多的分立器件中，该器件采用具有侧面可湿性侧面 (SWF) 的无引线 DFN 封装。这些节省空间且坚固耐用的组件
2022-09-27 11:53:231092 设备。 多年来，Nexperia致力于将成熟的MOSFET专业知识和广泛的应用经验结合起来，增强器件中关键MOSFET的
2022-11-18 10:32:58399 
的安全工作区（SOA）性能与超低的 RDS(on)相结合，非常适合用于 12V 热插拔应用，包括数据中心服务器和通信设备。 多年来，Nexperia（安世半导体）致力于将成熟的 MOSFET 专业知识和广泛的应用经验结合起来，增强器件中关键 MOSFET 的性能，满足特定应用的要求，以打造市场领先的
2022-11-21 16:11:38646 虽然尺寸至关重要，但在许多方面，Nexperia的DFN0603 MOSFET的真正优势在于其RDSon。提供额定 VGS 为 4.5 V 的选项，典型 RDSon 低至 122 mΩ。在某些
2023-02-03 10:39:55298 
针对空间非常紧凑的功率MOSFET应用而言，3x3封装是理想的尺寸。因此，在Nexperia的MOSFET产品序列中，采用了非常可靠的高性能LFPAK33封装。Nexperia开发了MLPAK33，它是一款功率MOSFET封装，与业界闻名的DFN3333封装保持管脚兼容性，提供给客户另外一个选项。
2023-02-08 09:18:00243 尽管DFN封装的尺寸非常紧凑，但它具有出色的功耗能力。然而， 使用具有低热阻和足够导热性的 PCB 是强制性的，以允许适当的横向散热.图2中的红外图片显示了高功率密度，显示了SOT23
2023-02-08 09:45:381925 
Nexperia 文档白皮书 RET 设备 2021-Nexperia_document_wh...
2023-02-08 19:15:040 自动焊接在电子元件如何在PCB上工作方面起着至关重要的作用。一般来说，有两种主要技术：表面贴装封装的回流焊和通孔或双列直插式封装的波峰焊。Nexperia创建了DFN波峰焊评估项目，以确定波峰焊工艺对于某些分立式扁平无铅（DFN）封装是否可行。
2023-02-09 09:50:091014 用于功率 MOSFET 的 SPICE 和 VHDL-AMS 中的 Nexperia 精密电热模型-AN90034
2023-02-09 21:43:380 对于移动和便携式产品应用中，尤其是可穿戴设备来说，准则是更精简、更高效。通过使用高效的开关选项，设计者可以拥有更多空间来嵌入功能，同时最大限度降低电池消耗。Nexperia新发布的小信号MOSFET采用超小型DFN0606，拥有低导通电阻，能够节省大量空间
2023-02-10 09:33:31349 
Nexperia逻辑产品组合中的移位寄存器有助于减小使用LED的设计的尺寸和BOM。通过提供I/O扩展，移位寄存器支持使用引脚较少的较便宜的微控制器。
2023-02-10 10:08:13617 
在半桥拓扑中并联 Nexperia GaN FET-AN90030
2023-02-15 19:06:190 Nexperia 白皮书沟槽肖特基整流器日语-nexperia_whitepaper_...
2023-02-16 19:52:000 MOSFET 和 GaN FET 应用手册-Nexperia_document_bo...
2023-02-17 19:13:1625 NEXPERIA LFPAK 功率 MOSFET 中的最大连续电流-AN90016
2023-02-17 19:38:100 白皮书：DFN 能否成功进行波峰焊？-Nexperia_document_wh...
2023-02-17 19:40:190 可湿性侧面-Nexperia_Document_Wh...
2023-02-20 19:03:582 Side-Wettable Flanks 可在无引线 SMD (DFN) 封装上启用 AOI-Nexperia_document_wh...
2023-02-20 19:05:261 具有集成 ESD 保护功能的差分通道共模 EMI 滤波器-PCMF2DFN1_PCMF3DFN1
2023-03-03 20:02:550 无需人工计算，参数可随用户输入动态响应 奈梅亨， 2023 年 5 月 11 日： 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出与功率MOSFET配套使用的新一代交互式数据手册
2023-05-11 10:12:23300 
在功率MOSFET的数据手册中会有一个看似复杂的SOA（Safe Operation Area）图片，这个安全工作区域图告诉我们只有MOSFET工作在曲线内才是安全可靠的。如下面的Nexperia的NMOS管PHB32N06LT的SOA图。
2023-05-15 16:16:311174 
Nexperia | 了解RET的开关特性
2023-05-24 12:16:30450 
日：基础半导体器件领域的专家 Nexperia（安世半导体）推出了用于自动化安全气囊应用的专用 MOSFET (ASFET) 新产品组合，重点发布的 BUK9M20-60EL 为单 N 沟道 60 V、13 m
2023-05-29 10:35:11372 Ci24R1小尺寸封装DFN8/2*2*0.8mm已上市，并提供相应的demo板供客户测试。（详询各销售网络）区别两个封装的端口顺序有调整，但DFN8的性能参数和原有SOP8一样，在SOP8封装
2022-03-08 09:43:09619 
通过AEC-Q101认证且可承受的接面温度高达175°C，强茂P沟道MOSFET是汽车设计工程师理想的选择，可实现简化电路而又不牺牲性能。提供DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L和TO-252AA多种封装。
2023-07-20 15:57:45526 有四个主要元件可满足电池反向保护，分别是恢复整流二极管、肖特基整流二极管、P 沟道 MOSFET 和 N 沟道 MOSFET。
2023-08-10 14:00:10263 
亿件，Nexperia深知自身对保护环境应承担的社会责任。今年五月，Nexperia发布了其首份可持续发展报告，其中针对公司的环境影响、社会责任、增长目标以及其作为国际行业领导者的重要角色进行了评估。今天，Nexperia自豪地宣布其实现碳中和的预期目标，同时秉持公开透明的原则
2023-09-21 09:10:15165 
电子发烧友网站提供《MOSFET符合AEC-Q101标准 采用小型有引脚和无引脚DFN的SMD封装.pdf》资料免费下载
2023-09-26 15:36:081 意识到自己对环境的责任。Nexperia于今年5月发布了首份《可持续发展报告》，审查了该公司对环境的影响、对社会责任的承诺、未来增长计划以及作为全球工业部门主要参与者的地位。Nexperia很高兴以公开和负责任的方式宣布其对碳中和的承诺。 Nexperia致力于到2035年实现其
2023-10-13 17:13:34935 ) MOSFET分立产品。Nexperia和三菱电机都是各自行业领域的领军企业，双方联手开发，将促进SiC宽禁带半导体的能效和性能提升至新高度，同时满足对高效分立式功率半导体快速增长的需求。 三菱电机的功率半导体产品有助于客户在汽车、家用电器、工业设备和牵引电机等众多领域实现大幅节
2023-11-14 10:06:00101 
Nexperia 适用于 36V 电池系统的特定应用 MOSFET
2023-11-30 11:47:40251 
三菱电机公司宣布将与Nexperia B.V.结成战略合作伙伴关系，共同为电力电子市场开发硅碳（SiC）功率半导体。三菱电机将利用其广带隙半导体技术开发和供应SiC MOSFET芯片，这些芯片将用于Nexperia开发SiC分立器件。
2023-11-30 16:14:09165 
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 Nexperia（安世半导体）再次在 APEC 上展示产品创新，宣布发布几款新型 MOSFET，以进一步拓宽其分立开关解决方案的范围，可用于多个终端市场的各种应用。
2024-02-29 11:44:53225 在追求更长电池寿命和无电池应用趋势的推动下，全球知名半导体厂商Nexperia（安世半导体）近日发布了一款创新的能量平衡计算器。这款网络工具专为电池管理工程师设计，旨在通过提供精确的数据支持，帮助
2024-03-11 10:13:3662
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