两个主要类型的功率晶体管：MOSFET和IGBT非常流行，它们在电源系统设计中已经使用了多年，因此，很容易假定它们之间的差异一直保持不变。本文通过解释最新一代MOSFET和IGBT的工作特性，使用户能够更好地了解最能满足应用需求的最合适的器件类型，并解释了目前的功率晶体管选择的灰色区域。
2016-11-04 20:43:07
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搞电力电子的应该都知道IGBT和MOSFET属于全控型电力电子器件，在应用的时候把它当作一个开关就可以了，但估计很少人能够说出IGBT和MOSFET工作区的命名和区别，同时由于不同参考书对工作区的命名又有很多种，很容易让人混淆。
2021-01-01 17:34:0018659 
。尤其在高压工作环境下，依然体现优异的电气特性，其高温工作特性，大大提高了高温稳定性，也大幅度提高电气设备的整体效率。 产品可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。 1200V碳化硅MOSFET系列选型
2020-09-24 16:23:17
本帖最后由 张飞电子学院郭嘉 于 2021-3-18 17:15 编辑
GBT 工作原理及应用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的保护引言绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管
2021-03-17 11:59:25
IGBT模块工作原理以及检测方法,希望会对大家有所帮助
2011-08-09 18:30:26
IGBT 的等效电路如图1 所示。由图1 可知,若在IGBT 的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET 导通,这样PNP 晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT
2018-10-18 10:53:03
的是，MOSFET的寄生二极管或体二极管的恢复特性比业界目前使用的分立二极管要缓慢。因此，对于硬开关MOSFET应用而言，体二极管常常是决定SMPS工作频率的限制因素。一般来说，IGBT组合封装二极管
2018-08-27 20:50:45
本帖最后由 松山归人 于 2022-2-10 16:57 编辑
大家下午好！今天给大家带来【MOSFET与IGBT基础讲解】，会持续更新，有问题可以留言一同交流讨论。需要更多学习资料可点击下方链接，添加客服领取http://zyunying.zhangfeidz.com?id=28
2022-02-10 16:54:31
应用。同时，图5中显示了传导损耗在CCM (连续电流模式)、升压PFC电路，125℃的结温以及85V的交流输入电压Vac和400 Vdc直流输出电压的工作模式下的比较曲线。图中，MOSFET-IGBT的曲线
2021-06-16 09:21:55
)、升压PFC电路，125℃的结温以及85V的交流输入电压Vac和400Vdc直流输出电压的工作模式下的比较曲线。图中，MOSFET-IGBT的曲线相交点为2.65A RMS。对PFC电路而言，当交流输入
2020-06-28 15:16:35
MOSFET驱动器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一种驱动器最适合您的应用呢？
2021-11-08 06:11:40
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶体管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
用于Si8751隔离式MOSFET驱动器的Si8751-EVB，Si875x评估套件是驱动各种应用中使用的功率开关的理想选择，与普通SSR相比，具有更长的使用寿命和更高的可靠性。 Si8751隔离式
2020-06-08 12:07:42
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-4 11:07 编辑
请教大家，stc89c51单片机的工作环境温度有要求吗？
2015-01-13 11:14:20
具有更高的开关损耗。 对于低频 (小于20kHz) 、高压 (大于1000V) 、小或窄负载或线路变化、高工作温度，以及超过5kw的额定输出功率应用，IGBT是首选。而MOSFET更适合低电压 (小于
2022-06-28 10:26:31
。高边连接的MOSFET或IGBT的工作电压可高达+600V，IRS26302D广泛用于通用逆变器和空调器逆变器以及马达控制。它为44脚PLCC封装工艺。一、IRS26302DJBPF外观图
2021-05-18 07:25:34
最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驱动电压为Vgs=10～15V，而SiC-MOSFET建议在Vgs=18V前后驱动，以充分获得低导通电阻。也就是说，两者的区别之一是驱动电压要比
2018-11-30 11:34:24
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。 与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体
2019-04-09 04:58:00
23.3FIT，故障率比同等级Si-IGBT和Si-MOSFET低3～4个数量级。耐压实力值更高，并具有足够的余量，从而可以在高原应用或多个使用的应用中，降低因宇宙射线引起的中子诱发故障的风险。静电
2018-11-30 11:30:41
。 首先，在SiC-MOSFET的组成中，发挥了开关性能的优势实现了Si IGBT很难实现的100kHz高频工作和功率提升。另外，第二代（2G）SiC-MOSFET中，由2个晶体管并联组成了1个开关
2018-11-27 16:38:39
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体
2019-05-07 06:21:55
使用orCAD软件时，需要先配置好工作环境。再进行下一步的创建工作。1.OrCAD工作环境设置（Cadende16.6）(1)首先启动ORCAD Capture CIS(2)设置Preference
2017-02-27 10:31:05
CCM (连续电流模式)、升压PFC电路，125℃的结温以及85V的交流输入电压Vac和400 Vdc直流输出电压的工作模式下的比较曲线。图中，MOSFET-IGBT的曲线相交点为2.65A RMS
2017-04-15 15:48:51
的是，MOSFET的寄生二极管或体二极管的恢复特性比业界目前使用的分立二极管要缓慢。因此，对于硬开关MOSFET应用而言，体二极管常常是决定SMPS工作频率的限制因素。一般来说，IGBT组合封装二极管的选择
2019-03-06 06:30:00
搞清楚IGBT、BJT、MOSFET之间的关系，就必须对这三者的内部结构和工作原理有大致的了解，下面我将用最简单易懂的语言来为大家逐一讲解。BJT：双极性晶体管，俗称三极管。内部结构（以PNP型BJT为例
2023-02-10 15:33:01
SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。关于这一点，根据这之前介绍过的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特点与性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
求各位大佬解惑。为什么LRC的LR78M05D工作环境温度最低可以到-40℃，但Tj最低只到0℃。
2021-11-30 12:26:32
在高负载时保持了与IGBT同等的效率。这是空调的例子，这款Hybrid MOS的特征在其他很多设备中也同样表现非凡。对比使用现有IGBT的应用以及使用SJ MOSFET的应用，Hybrid MOS
2018-11-28 14:25:36
天线一般的工作环境温度是怎么样的区间值？求大咖解答，谢谢！
2018-04-26 15:23:52
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
无线通信基站系统在现场应用中会受到散热、灰尘、油烟、湿度、腐蚀等环境因素的影响，而运营商降低建设成本和维护成本的考虑使得设备工作环境更加恶化。从实践角度出发，基于实际部署经验，系统性地分析了上述因素
2019-07-12 07:01:27
资料请参看产品手册）。通常，较小型的器件比较大型的表面贴装或穿孔封装器件更昂贵。所以，小型封装往往要在性能、输出选择和频率选择之间作出折衷。工作环境 晶体振荡器实际应用的环境需要慎重考虑。例如
2016-01-13 17:57:02
逆变的时候直流输入是25V，工作电流是250A.现在用的器件是IPM，以后可能还要增大工作电流，我害怕IPM不够使，所以想请大家推荐一个电力开关。听说MOSFET比较适合低压大电流的工作环境，有熟悉这方面的朋友能不能介绍一两个比较靠谱的MOSFET型号吗？{:22:}
2014-03-13 08:29:34
电机控制中的MOSFET和IGBT基础知识当前的发动机越来越倾向于电子控制，相对于通过直接连接到相应电源（无论是直流源还是交流源）的做法来说，这种方式可以提供更好的控制速度、位置以及扭矩，以及更高
2016-01-27 17:22:21
：SCT30N120 输出特性 （Tj = 25 °C） SiC MOSFET 基本上与 Si MOSFET 或 IGBT 的电压电平一起工作，但不是最佳参数。理想情况下，SiC MOSFET 在其
2023-02-24 15:03:59
的逆变器和转变器中一般使用Si-IGBT，但尾电流和外置FRD的恢复导致的功率转换损耗较大，因此，更低损耗、可高频动作的SiC-MOSFET的开发备受期待。但是，传统的SiC-MOSFET，体二极管通电
2019-03-18 23:16:12
保险丝是否正常动作，这是需要一定条件的，下面秦晋电子给大家讲解自恢复保险丝正常动作需要的工作环境及条件。
2021-01-07 06:39:09
，Si-MOSFET在这个比较中，导通电阻与耐压略逊于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率条件下，高速工作表现更佳。平面MOSFET与超级结MOSFETSi-MOSFET根据制造工艺可分为平面
2018-11-28 14:28:53
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
IGBT和MOSFET器件的隔离驱动技术:介绍了绝缘栅大功率器件各种不同的驱动技术以及当前市场上的各类成品驱动器的性能特点。关键词院MOSFET IGBT 隔离驱动 光电耦合器 脉冲变压器
2009-06-20 08:37:46
56 igbt工作原理及应用
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的保护引言 绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其
2008-06-19 09:45:1811134 
SI9114采用MOSFET电路图
2009-05-12 14:33:00650 
基站靠墙安装、散热和工作环境的考虑
华为公司BTS3812基站靠自带风扇后排风设计，但依然满足靠墙安装的需求。靠墙安装不是贴墙安装，
2009-06-30 09:32:00698 电容器的工作环境条件
这里所说的工作环境条件是对电容器性能影响最大的温度与温度。
电容器的工作温度过高，会使电容器容易老化;而温度过
2009-08-21 16:50:322737 IGBT的工作原理是什么?
IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使
2010-03-05 11:43:4296991 MOSFET和IGBT是当
2010-12-31 10:31:242463 
为了实现分布式虚拟设计过程中的信息共享、协作以及冲突消解，建立了一个面向分布式虚拟设计的协同工作环境=描述了系统体系模型的研究方法和基于.)L+的多层分布式结构，详细介
2011-06-28 15:27:3526 东芝光耦 IGBT/MOSFET，List of Photocouplers (IC Output) by Peak Output Current (IGBT / MOSFET)
2012-03-16 13:43:011090 
应用说明：使用Si828x驱动MOSFET和IGBT交换机
2016-12-28 11:09:170 众所周知，SiC材料的特性和优势已被大规模地证实，它被认为是用于高电压、高频率的功率器件的理想半导体材料。SiC器件的可靠性是开发工程师所关心的重点之一，因为在出现基于Si材料的IGBT
2017-12-21 09:07:0436485 
简单的说晶圆厂就是生产硅片。本文开始介绍了晶圆厂的概念，其次对晶圆厂工作环境进行了分析，最后分析了晶圆厂是否有辐射。
2018-03-16 13:33:0416568 本文开始介绍了PLC的结构及各部分的作用，其次介绍了PLC的基本特点与工作环境，最后介绍了PLC常见的六大应用领域。
2018-04-19 09:09:536490 
罗姆在全球率先实现了搭载罗姆生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2018-05-17 09:33:1313514 了解在Xilinx工作的感受。员工提供有关我们的文化，工作环境和产生影响的机会的观点。
2019-01-08 07:11:002178 当提到VR时，大多数人认为它是沉浸式游戏和娱乐的工具。微软研究院最近发表了一篇论文，其中讨论了VR在工作环境中的潜力。他们声称，基于沉浸式头戴式显示器（HMD）的VR办公室将实现身临其境，灵活和流畅的工作。基于VR的工作环境将提供诸多优势。
2019-01-24 10:39:09505 众所周知，在整条SMT生产线之中，贴片机是最为重要并且精密程度最高的设备。因此，为了设备的精度、稳定性，延长设备的生命周期，大家需要重视良好的工作环境。下面豪本电子为大家介绍适宜的设备工作环境
2020-05-11 10:04:431146 80℃的工作环境的，工控机主要应用是在热带或亚热带的户外阳光正射的工作环境。在工控机厂家在设计之前就会对市场有一个认知，对于小众市场，很少公司去专业开发一款工业主板满足高温工作环境的工控机市场需求。
2020-07-10 16:19:252096 企业如何在远程工作环境中利用云计算技术？以下是组织快速将其员工转换为在家远程工作的一些优秀实践。
2020-09-09 14:13:211772 本应用笔记介绍了MOSFET / IGBT驱动器理论及其应用。该文档介绍了MOSFET和IGBT技术，驱动器的类型，隔离技术以及MOSFET / IGBT驱动器的IXYS系列以及一些实际考虑因素
2021-05-26 17:04:022922 
IGBT MOSFET建模(电源4572)-该文档为利用Simplorer IGBT MOSFET建模仿真，simplorer为最近几年新出的仿真软件，模型具有比较准确的可仿真性
2021-07-26 13:35:4091 1、由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上KA，但耐压能力没有IGBT强。
2、IGBT可以做很大功率，电流和电压都可以，就是一点频率不是太高，目前IGBT硬开关速度可以
2022-02-11 10:47:5631 本书在简析电力MOSFET和IGBT的基本工作原理、内部结构、主要参
数及其对驱动电路的要求的基础上介绍电力MOSFET及IGBT的80多种
集成驱动电路的基本特性和主要参数重点讨论50多种电力
2022-08-13 09:21:390 伺服电动缸是高精密传动机械，我们对于伺服电动缸的应用环境可以参考所选用电机能够工作的环境，以此来作为正常工作环境。比如说客户工作环境特殊存在粉尘，高温，低温，雨水等工况，就需要综合考虑电机和缸体，两者缺一不可。
2022-10-27 15:37:50716 上期分析了发光二极管在NPN和PNP三极管电路中放置位置以及用PNP三极管如何搭建电路的两个问题，接下来的问题就是如何用三极管放大小信号，那么如何给三极管基极B提供一个“不大不小”的基极电流Ib，提供一个可靠的直流工作环境使其工作在放大区，就是我们要讨论的问题了。
2023-01-19 15:30:001547 
上期对三极管直流工作环境进行了分析，主要由三个偏置参数决定：基极电压、集电极电流、集电极电压，这期除了分析集电极电压之外，有必要对三极管“负载曲线”进行分析。
2023-01-19 15:31:001370 
从本文开始，将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。
2023-02-08 13:43:20644 
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶体管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722 
上一篇介绍了近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的产品定位，以及近年来的高耐压Si-MOSFET的代表超级结MOSFET（以下简称“SJ-MOSFET”）的概要。
2023-02-10 09:41:011301 
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-10 09:41:081333 
在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。
2023-02-12 15:29:032100 
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-13 09:30:04331 
IGBT是绝缘栅双极型晶体管的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动
2023-02-17 16:40:23914 MOSFET和IGBT的对比 MOSFET工作原理 MOSFET （metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）全称金属-氧化物半导体
2023-02-22 13:56:541 IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。
2023-02-22 15:52:241202 
本文章主要讲述五种主流器件：BJT,SCR,JFET,MOSFET,IGBT的器件工作原理，为阻态，开通，通态以及关断其器
件内部的原理，从而更好的了解器件工作，更好的区分各器件更加适合应用在何项目中。
2023-02-23 10:08:136 本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC-MOSFET的驱动与Si-MOSFET的比较中应该注意的两个关键要点。
2023-02-23 11:27:57736 
功率，电流和电压都可以，就是一点频率不是太高，目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ，那已经是不错了。不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛，MOSFET可以工作到几百KHZ，上MHZ，以至几十M
2023-02-23 15:51:011 功率，电流和电压都可以，就是一点频率不是太高，目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ，那已经是不
错了。不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛，MOSFET可以工作到几百KHZ，上MHZ，以至几十MHZ，射频领
域的产品。
2023-02-24 10:33:326 虽然将典型 400 V 电池的电压加倍可为 EV 带来巨大好处，但对于依赖硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 的 EV 逆变器来说，在更高电压下的性能会受到影响。
2023-03-16 12:35:51585 vcs工作环境
2023-05-15 09:38:170 随着IGBT的耗散功率和开关频率不断增大，以及工作环境严苛，使得IGBT模块产生大量的热量，由于模块内的热量无法及时得到释放，从而引起模块内部温度升高。
2023-05-16 11:30:25513 
1.工作环境1.1环境温度*工作温度：-10℃to+65℃.（-40℃可正常起机）*存储温度：-40℃to+70℃.*运输温度：-40℃to+70℃.1.2环境湿度*工作湿度：5%到95%相对湿度
2022-11-14 11:39:58379 
Si IGBT和SiC MOSFET之间的主要区别在于它们可以处理的电流类型。一般来说，MOSFET更适合高频开关应用，而IGBT更适合高功率应用。
2023-10-17 14:46:401038 
Strand7允许用户对工作环境的各类设置进行调整。例如，你可以根据需要改变诸如颜色、亮度和视角等显示设置。你还能指定文件位置，这在网络环境中非常重要－你可以将模型文件存放在网络中的共享驱动器上
2023-10-22 14:50:27325 高压分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其应用
2023-11-24 14:57:39195 
MOSFET与IGBT的区别
2023-11-27 15:36:45369 
电子发烧友网站提供《集成电路在工作环境中所受威胁的本质.pdf》资料免费下载
2023-11-28 10:26:310 、详实、细致的比较分析。 一、基本概念 MOSFET和IGBT都是用于功率电子领域的半导体器件。它们的主要区别在于结构和工作原理。 MOSFET：MOSFET是一种由金属氧化物绝缘体（MOS）构成的双极性晶体管。它由源极、漏极和栅极组成。在MOSFET中，源极和漏极之间的电流由栅极的电压控制
2023-12-15 15:25:35366 晶闸管开关是一种在电力控制领域中极其重要的设备，其使用环境是影响其工作性能和寿命的关键因素。为了确保晶闸管开关能够正常工作并具有长久的使用寿命，以下是一些晶闸管开关工作环境的重要要求。
2024-01-04 14:35:24221 IGBT是一种高性能功率半导体器件，常用于驱动大功率负载的电路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和BJT（双极型晶体管）两个器件构成。它结合
2024-01-12 14:43:521681 不同工作环境温度对电感性能有何影响？ 电感是一种电子元器件，其功能是存储和释放电能。在不同的工作环境温度下，电感的性能可能会发生变化，包括电感值、损耗、电感线圈的材料等方面。本文将从不同角度探讨
2024-01-30 16:18:10341 IGBT和MOSFET在对饱和区的定义差别 IGBT和MOSFET是传输电力和控制电流的重要电子器件。它们在许多电力电子应用中起着关键的作用。饱和区是IGBT和MOSFET工作的一个重要区域，但是
2024-02-18 14:35:35326
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