在未来十年，受电源、光伏（PV）逆变器以及工业电动机的需求驱动，新兴的碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。据有关报告称，至2022年SiC和GaN功率半导体
2013-04-26 10:10:04
1532 工程师对电磁干扰，并行化和布局非常熟悉，但是当从基于硅的芯片过渡到碳化硅或宽带隙器件时，需要多加注意。 芯片显示，基于硅（Si）的半导体比宽带隙（WBG）半导体具有十多年的领先优势，主要是碳化硅
2021-04-06 17:50:533168 
(电子发烧友网报道 文/章鹰)近日，著名调研机构Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半导体报告》显示，在混合动力及电动汽车、电源和光伏逆变器需求的拉动下，碳化硅（SiC）和氮化
2020-11-18 09:40:576941 功率转换器中使用的半导体开关技术是改进的关键，而使用碳化硅 （SiC） 和氮化镓 （GaN） 的新型宽带隙（WBG） 类型有望取得重大进展。让我们详细研究一下这些优势。
2022-07-29 08:07:58246 
第三代半导体碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）是近几年新兴的功率半导体，相比于传统的硅（Si）基功率半导体，氮化镓和碳化硅具有更大的禁带宽度，更高的临界场强，使得基于这两种材料制作的功率半导体具有
2023-01-06 15:26:41613 
超结（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商业化用于功率器件应用领域以来，在400–900V功率转换电压范围内取得了巨大成功。参考宽带隙（WBG）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件，我们将在本文中重点介绍其一些性能特性和应用空间。
2023-06-08 09:33:241389 
电子发烧友网报道（文/莫婷婷）在绿色低碳的发展背景下，以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体成为市场的焦点和话题。根据市场调研机构Yole的预测，到2025年全球以半绝缘型衬底制备
2023-08-11 00:11:001484 基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器已经开始在各种创新市场和应用领域攻城略地——这类应用包括太阳能光伏逆变器、能源存储、车辆电气化（如充电器
2019-07-31 06:16:52
5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8
2019-05-09 06:21:14
范围的高性能硅方案，也处于实现宽禁带的前沿，具备全面的宽禁带阵容，产品涵盖碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)分立器件、模块乃至围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统，为设计人员提供针对不同应用需求的更多的选择。
2020-10-30 08:37:36
，从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目标。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带材料，提供下一代功率器件的基础。与硅相比
2020-10-27 09:33:16
目前，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，宽禁带，以下简称为：WBG）”以及基于新型材料的电力半导体，其研究开发技术备受瞩目。根据日本环保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
元件来适应略微增加的开关频率，但由于无功能量循环而增加传导损耗［2］。因此，开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
具有7A直流和脉冲电流能力，已为高功率材 料、器件和模块特性分析和测试而优化，如碳化硅 (SiC)、 氮化镓(GaN)、DC-DC转换器、功率MOSFET、太阳电池 和面板、LED与照明系统、电化学
2019-05-30 14:42:53
地学习、更智能地工作和更轻松地发明。2470 具有 1100V 和 10fA 的能力，经过优化，可用于表征和测试高压、低泄漏器件、材料和模块，例如碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN)、功率 MOSFET
2022-03-02 15:00:33
碳化硅 (SiC)、氮化镓(GaN)、DC-DC转换器、功率MOSFET、太阳电池和面板、LED与照明系统、电化学电池与电池组，等等。这些新的能力加上企业数十年开发高精密、高精度源测量单元（SMU）仪器
2018-11-17 18:45:16
安森美半导体已成为主要汽车半导体技术的一个全球领袖。 安森美半导体是自动驾驶系统的图像传感器、电源管理和互通互联领域的一个公认的佼佼者。此外，公司的广泛电源方案组合，包括模块和碳化硅（SiC）/氮化镓
2018-10-11 14:33:43
下一代电源半导体的方案阵容，包括针对汽车功能电子化的宽禁带WBG（碳化硅SiC和氮化镓GaN）、全系列电子保险丝eFuse以减少线束、和免电池的智能无源传感器以在汽车感测/车身应用中增添功能。
2018-10-25 08:53:48
，从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目标。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带材料，提供下一代功率器件的基础。与硅相比
2018-10-30 08:57:22
范围的高性能硅方案，也处于实现宽禁带的前沿，具备全面的宽禁带阵容，产品涵盖碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)分立器件、模块乃至围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统，为设计人员提供针对不同应用需求的更多的选择。
2019-07-31 08:33:30
，而且实现学习曲线最小化，帮助工 程师和科学家更迅速学习、更聪明工作、更容易发明。 2460型仪器具有7A直流和脉冲电流能力，已为高功率材 料、器件和模块特性分析和测试而优化，如碳化硅 (SiC
2021-09-27 14:34:33
之一和全球第二大功率分立器件和模块半导体供应商，提供广泛的高能效和高可靠性的系统方案，并采用新型的宽禁带材料如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等进行新产品开发，用于汽车功能电子化和HEV/EV应用。
2019-07-23 07:30:07
，是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
）与电容式触摸屏技术，让您可直观地执行测试、减少学习曲线，以协助工程师和科学家能「快速掌握，灵活操作，轻松创新」。2460拥有 7A 直流和脉冲电流能力，并针对如碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、直流
2021-08-11 11:28:51
全球八大LED制造商简介
1,CREE著名LED芯片制造商，美国CREE公司，产品以碳化硅(SiC)，氮化镓(GaN),硅(Si)及相关的化合物为基础,
2009-11-13 09:31:282389 安森美半导体作为汽车功能电子化的领袖之一和全球第二大功率分立器件和模块半导体供应商，提供广泛的高能效和高可靠性的系统方案，并采用新型的宽禁带材料如碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等进行新产品开发，用于汽车功能电子化和HEV/EV应用。
2017-09-18 18:42:50
3 5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元，而GaN基板产值仅约3百万美元。
2018-03-29 18:48:001589 
5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元，而GaN基板产值仅约3百万美元。
2018-03-29 14:56:1235825 
5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元，而GaN基板产值仅约3百万美元。
2018-03-29 14:52:507478 
虽然以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN) 为代表的宽禁带半导体材料由于面临专利、成本等问题放缓了扩张的步伐，但世易时移，新兴市场为其应用加速增添了新动能。
2018-07-19 09:47:205129 行业标准的收紧和政府法规的改变是提高产品能效的关键推动因素。碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 是宽禁带材料，提供下一代功率器件的基础，具有比硅更佳的特性和性能。
2018-07-21 08:04:515860 宽禁带功率半导体的研发与应用日益受到重视，其中碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）以高效的光电转化能力、优良的高频功率特性、高温性能稳定和低能量损耗等优势，成为支撑信息、能源、交通、先进制造、国防等领域发展的重点新材料。
2018-08-06 11:55:008001 宽禁带功率半导体的研发与应用日益受到重视，其中碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）以高效的光电转化能力、优良的高频功率特性、高温性能稳定和低能量损耗等优势，成为支撑信息、能源、交通、先进制造、国防等领域发展的重点新材料。
2018-08-09 16:59:444664 基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的新型功率开关技术的出现促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技术的传统系统。
2018-10-04 09:03:004753 
新兴市场碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率半导体预计将在2020年达到近10亿美元，推动力来自混合动力及电动汽车、电力和光伏（PV）逆变器等方面的需求。
2018-11-02 15:12:233544 基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的新型功率开关技术的出现促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技术的传统系统。
2019-01-05 09:01:093767 
基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器已经开始在各种创新市场和应用领域攻城略地——这类应用包括太阳能光伏逆变器、能源存储、车辆电气化（如充电器和牵引电机逆变器）。
2019-06-13 11:45:003995 第三代半导体，又称宽禁带半导体，是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的半导体材料，具备高压、高温、高频大功率等特性。
2019-06-21 10:29:317739 的尺寸上忍耐高得多的运行温度，也激发了新型应用的出现。目前流行的WBG应用材料是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。
2019-08-28 12:31:068446 
智能化依托能效化，英飞凌在功率领域不断创新，已成功量产最新一代氮化镓功率产品，突破更高的功率转化效率，致力于探索当前半导体材料无法企及的应用领域。至此，英飞凌成为了市场上唯一一家提供覆盖硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的全系列功率产品的公司，为业界树立了下一代功率半导体的创新标杆！
2019-09-23 16:44:291016 日前，华为旗下哈勃投资入股山东天岳的消息，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料再次走入大众视野，引起业界重点关注。
2019-09-05 15:57:046423 5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元，而GaN基板产值
2020-03-15 09:56:574129 集微网消息，现如今是人工智能、无人驾驶汽车、5G等高新技术的发展浪潮，在汽车电子、5G基站和智能芯片的推动下，第三代半导体材料（尤其是碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)）的发展异常迅猛。
2020-03-01 18:36:104478 
以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表第三代半导体材料越来越受到市场重视，半导体企业正在竞相加速布局。日前，意法半导体宣布已签署收购法国氮化镓创新企业Exagan公司的多数股权的并购协议。
2020-03-10 11:22:192670 第三代半导体包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料，可广泛应用于发光、通讯、电能变换等领域。而近日，华灿光电就获批浙江省第三代半导体材料与器件重点实验室，将致力于第三代半导体材料和器件等领域的研究。
2020-04-08 16:24:393413 第一代材料是硅（Si），大家通俗理解的硅谷，就是第一代半导体的产业园。
第二代材料是砷化镓（GaAs），为4G时代而生，目前的大部分通信设备的材料。
第三代材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的宽禁带的半导体材料，是未来5G时代的标配
2020-09-04 19:07:147242 
文章来源：电子技术设计 作者：廖均 电力电子朝向碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽能隙（WBG）材料发展，虽然硅仍然占据市场主流，但SiC与GaN器件很快就会催生新一代更高效的技术解决方案
2020-10-16 10:47:4715688 
电力电子朝向碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽能隙（WBG）材料发展，虽然硅仍然占据市场主流，但SiC与GaN器件很快就会催生新一代更高效的技术解决方案。
2020-10-17 11:01:068239 第三代半导体主要是指碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等材料。相比于第一、二代半导体，第三代半导体具有更高的禁带宽度、高击穿电压、电导率和热导率等特点。它在新能源车、光伏风电、不间断电源、家电工控等领域有广阔的应用前景。
2020-12-10 11:00:562053 以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的的第三代半导体材料主要用于电力电子、微波射频和光电子器件的制造。其中，电力电子器件主要应用于消费类或工业、商业电源的制造，未来随着新能源汽车的广泛应用
2021-01-04 15:25:213398 
碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN） 众所周知，硅元素因其独特的稳定性成为功率MOS中最常用的材料。然而随着半导体材料的不断发展，越来越多的化合物半导体材料走上历史舞台。近年来，碳化硅（SiC
2021-06-04 18:21:233224 
众所周知，与硅相比，碳化硅 （SiC） 和氮化镓 （GaN） 等宽带隙 （WBG） 半导体可提供卓越的性能。这些包括更高的效率、更高的开关频率、更高的工作温度和更高的工作电压。
2022-04-22 17:07:541636 
在物理性能方面，AIN比碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）具有更小的损耗和更高的耐压，因此可以形成高压高效的电源电路。AlN具有6.0eV的“带隙”，即导带和价带之间的能量差，与硅(Si
2022-04-26 11:09:482012 对更高效电子产品的追求集中在功率器件上，而半导体材料处于研发活动的前沿。硅的低成本和广泛的可用性使其在多年前取代锗成为主要的功率半导体材料。然而，今天，硅正在将其在功率器件中的主导地位让给两种效率更高的替代品：碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)。
2022-07-27 09:08:23978 
使用宽带隙半导体的技术可以满足当今行业所需的所有需求。顾名思义，它们具有更大的带隙，因此各种电子设备可以在高电压、高温和高频率下工作。碳化硅 （SiC） 和氮化镓 （GaN） 是最近推出的宽带
2022-07-29 08:06:461389 
半导体材料从以锗（Ge）和硅（Si）为代表的第一代到以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表的第二代，再到目前热门的以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代，家族在不断壮大。而在汽车领域，碳化硅将发挥怎样的重要作用？
2022-07-29 10:32:411496 近年来，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽带隙（WBG）半导体受到了广泛关注。这两种化合物都可以承受比硅更高的频率、更高的电压和更复杂的电子产品。SiC 和 GaN 功率器件的采用现在是不可否认
2022-08-05 14:51:33751 
碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)等宽带隙材料由于其电气特性已被证明优于硅，因此在电力电子应用中占据领先地位。尽管被广泛接受，专家们仍不断检查其真实性。
2022-08-08 09:28:321331 
随着直流电流随着电动汽车和混合动力汽车等应用中开关频率的增加而增加，对直流电源总线的性能要求不仅仅是 IR 降（即电压降）和热考虑。由于设计需求和以碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 开关为代表的宽带隙器件 (WBG) 的使用增加，该总线现在必须在数百千赫兹的更高频率下具有非常低的电感。
2022-08-08 09:52:04342 
碳化硅技术有望为更智能的电源设计提供更高的效率、更小的外形尺寸、更低的成本和更低的冷却要求。 宽带隙 (WBG) 半导体技术在电力电子行业中的广泛采用持续增长。碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN
2022-08-08 09:52:41256 
宽带隙 （WBG） 半导体技术的广泛采用在电力电子行业中持续增长。与传统硅技术相比，碳化硅 （SiC） 和氮化镓 （GaN） 半导体材料显示出优异的性能，允许功率器件在高压下工作，尤其是在高温和开关频率下。电力电子系统的设计人员正在努力充分利用 GaN 和 SiC 器件。
2022-08-17 14:43:02313 随着 SiC MOSFET 等新型功率晶体管越来越多地用于电力电子系统，使用特殊的驱动器已成为必要。通过提供对 IGBT 和 MOSFET 的可靠控制，隔离式栅极驱动器专为碳化硅 (SiC) 和氮化
2022-08-10 15:22:11813 
在电力电子应用中，为了满足更高能效和更高开关频率的要求，功率密度正在成为关键的指标之一。基于硅（Si）的技术日趋接近发展极限，高频性能和能量密度不断下降，功率半导体材料也在从第一代的硅基材料发展到第二代的砷化镓后，正式开启了第三代宽禁带技术如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的应用之门。
2022-09-06 15:06:56827 
碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）具有类似的高宽带隙能量，从而使它们在开关能力、效率、大功率和高压处理方面比硅、锗或砷化镓等其他半导体更具优势。
2022-09-21 14:40:36547 针对要求最严苛的功率开关应用的功率分立元件和模块的封装趋势，从而引入改进的半导体器件。即碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽带隙类型，将显着提高功率开关应用的性能，尤其是汽车牵引逆变器
2022-11-16 10:57:40539 
一旦硅开始达不到电路需求，碳化硅和氮化镓就作为潜在的替代半导体材料浮出水面。与单独的硅相比，这两种化合物都能够承受更高的电压、更高的频率和更复杂的电子产品。这些因素可能导致碳化硅和氮化镓在整个电子市场上得到更广泛的采用。
2022-12-13 10:01:358944 S32K39高性能MCU为实现牵引逆变器的智能、高精度控制而进行了优化，可将电动汽车电池的直流电转换为交流电，驱动现代化牵引电机。该系列MCU既支持传统的绝缘栅极双极性晶体管（IGBT），也支持新推出的碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）技术。
2022-12-15 15:31:05397 技术的角度，带您走近碳化硅。 点击图片，持续打卡学习！ 工业和汽车是中功率和大功率电子元器件的两个大市场。随着诸如IGBT的现有技术与碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等技术相结合，工业、汽车和其他电气化趋势正在重塑其应用的
2022-12-20 12:20:06453 第三代半导体碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）是近几年新兴的功率半导体，相比于传统的硅（Si）基功率半导体，氮化镓和碳化硅具有更大的禁带宽度，更高的临界场强，使得基于这两种材料制作的功率半导体具有
2023-01-31 10:28:21627 
在这种情况下，第三代化合物半导体材料——碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等材料进入了大众的视线。与前两代半导体材料相比，宽禁带半导体材料因其在禁带宽度和击穿场强等方面的优势以及耐高温、耐腐蚀、抗辐射等特点
2023-02-01 14:39:43392 在这种情况下，第三代化合物半导体材料——碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等材料进入了大众的视线。与前两代半导体材料相比，宽禁带半导体材料因其在禁带宽度和击穿场强等方面的优势以及耐高温、耐腐蚀、抗辐射等特点
2023-02-03 11:09:461127 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）被称为“宽带隙半导体”（WBG）。在带隙宽度中，硅为1.1eV，SiC为3.3eV，GaN为3.4eV，因此宽带隙半导体具有更高的击穿电压，在某些应用中可以达到1200-1700V。
2023-02-05 14:13:341220 随着硅接近其物理极限，电子制造商正在转向非常规半导体材料，特别是宽带隙（WBG）半导体，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。由于宽带隙材料具有相对较宽的带隙（与常用的硅相比），宽带隙器件可以在高压、高温和高频下工作。宽带隙器件可以提高能效并延长电池寿命，这有助于推动宽带隙半导体的市场。
2023-02-05 14:25:15676 随着碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等新材料在二极管、场效应晶体管（MOSFET）和其他元件中的不断应用，电力电子行业的技术革命已经开始。这些新组件仍然比传统硅组件昂贵得多，但它们的性能指标，如开关速度和开关损耗，很难与之匹配。
2023-02-05 14:41:092704 第一代半导体材料大部分为目前广泛使用的高纯度硅；第二代化合物半导体材料包括砷化镓、磷化铟；第三代化合物半导体材料以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表。
2023-02-20 14:10:34509 第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子
密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
2023-02-27 14:49:138 NI宣布收购 SET GmbH(简称“SET”)。SET是长期专注于航空航天和国防测试系统开发的专家，也是功率半导体可靠性测试领域的创新者。加入NI后，将共同缩短关键的、高度差异化的解决方案的上市时间，并以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等功率电子材料为切入点，加速从半导体到汽车的供应链融合。
2023-03-15 17:42:56917 电子器件的使用环境逐渐恶劣，航空航天、石油探测领域前景广阔，在热导率、击穿场等上的要求更高，那么以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为主的第三代半导体材料起到了极大的作用。
2023-03-24 13:58:281323 第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
2023-04-04 14:46:2912686 半导体迄今为止共经历了三个发展阶段：第一代半导体以硅（Si）、锗（Ge）为代表；第二代半导体以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物为代表；第三代半导体是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN
2023-05-05 17:46:226176 
功率半导体技术经过 60 余年发展，器件阻断能力和通态损耗的折衷关系已逐渐逼近硅基材料物理极限，因此宽禁带材料与器件越来越受到重视，尤其是以碳化硅（SiC）和氮化镓 (GaN) 为代表的第 3 代半导体材料为大功率半导体技术及器件带来了新的发展机遇。
2023-05-09 14:27:552717 
「碳化硅」（SiC）和「氮化镓」（GaN）。宽能隙半导体中的「能隙」（EnergyGap），以白话方式说明，便是代表着（一个单位能量的差距），意思就是让一个半导体「从绝
2022-11-21 16:07:511525 
第三代半导体碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）是近几年新兴的功率半导体，相比于传统的硅（Si）基功率半导体，氮化镓和碳化硅具有更大的禁带宽度，更高的临界场强，使得基于这两种材料制作的功率半导体具有
2023-03-13 17:42:58495 
具体到三星方面，在今年三月，有报道指出，三星已支出约2,000亿韩元（约1.54亿美元），准备开始生产碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）半导体，用于电源管理IC，而且计划采用8吋晶圆来生产这类芯片，跳过多数功率半导体业者着手的入门级6吋晶圆。
2023-06-29 15:03:09440 根据研究和规模化应用的时间先后顺序，业内将半导体材料划分为三代。常见的半导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等材料。 第一代半导体材料以硅和锗等元素半导体为代表。
2023-09-28 12:57:43484 
点击蓝字 关注我们 宽禁带半导体是指具有宽禁带能隙的半导体材料，例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，由于其能够承受高电压、高温和高功率密度等特性，因此具有广泛应用前景。根据市场调研机构的数据
2023-10-08 19:15:02262 SiC 和 GaN 被称为“宽带隙半导体”(WBG)。由于使用的生产工艺，WBG 设备显示出以下优点：
2023-10-09 14:24:361332 
近年来，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体材料成为全球半导体市场热点之一。
2023-10-16 14:45:06694 设计人员正在寻求先进技术，从基于硅的解决方案转向使用碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等宽带隙 (WBG) 材料的功率半导体技术，从而在创新方面迈出下一步。他们寻求用于电动汽车 (EV) 的功率密度更高、效率更高的电路。
2023-11-12 11:30:001163 
清软微视是清华大学知识产权转化的高新技术企业，专注于化合物半导体视觉领域量检测软件与装备研发。其自主研发的针对碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的衬底和外延无损检测装备Omega系列产品，
2023-12-05 14:54:38767 
碳化硅和氮化镓的区别 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）是两种常见的宽禁带半导体材料，在电子、光电和功率电子等领域中具有广泛的应用前景。虽然它们都是宽禁带半导体材料，但是碳化硅和氮化镓在物理性质
2023-12-08 11:28:51741 第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表。第三代半导体材料主 要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、硒化锌（ZnSe）等，因其禁带宽度较大，又被 称为宽禁带半导体材料。
2024-01-23 10:06:04259 
2月20日，福州市可持续发展暨企业家大会召开，大会进行了重大项目集中签约仪式，长乐区签约落地16个重大项目，其中之一为天睿半导体项目。
2024-02-23 10:44:43700 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）这些材料，在特定的应用领域（如高频、高功率电子器件）中展现出了比硅更好的性能。而石墨烯也可以在某些特定的领域，提供硅难以企及的差异化优势。
2024-03-18 12:31:2859 
电子发烧友App
工商网监
湘ICP备 2023018690 号
评论