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电子发烧友网>电源/新能源>功率器件>SiC MOSFET相对于Si MOSFET和IGBT的优势

SiC MOSFET相对于Si MOSFET和IGBT的优势

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2023-02-27 14:43:028

碳化硅MOSFET可以取代硅IGBT吗?

虽然将典型 400 V 电池的电压加倍可为 EV 带来巨大好处,但对于依赖硅 (Si) MOSFETIGBT 的 EV 逆变器来说,在更高电压下的性能会受到影响。
2023-03-16 12:35:51585

碳化硅MOSFET相对于IGBT优势

通常是可互换的,尽管MOSFET通常适用于较低的电压和功率,而IGBT则很好地适应更高的电压和功率。随着碳化硅的引入,MOSFET比以往任何时候都更有效,与传统硅元件相比具有独特的优势
2023-05-24 11:25:281214

优化SiC MOSFET的栅极驱动的方法

在高压开关电源应用中,相较传统的硅 MOSFETIGBT,碳化硅(以下简称“SiC”)MOSFET 有明 显的优势
2023-05-26 09:52:33462

探究快速开关应用中SiC MOSFET体二极管的关断特性

SiC MOSFET体二极管的关断特性与IGBT电路中硅基PN二极管不同,这是因为SiC MOSFET体二极管具有独特的特性。对于1200V SiC MOSFET来说,输出电容的影响较大,而PN
2023-01-04 10:02:071113

SiC-MOSFETIGBT的区别是什么

相对于IGBTSiC-MOSFET降低了开关关断时的损耗,实现了高频率工作,有助于应用的小型化。相对于同等耐压的SJ-MOSFET,导通电阻较小,可减少相同导通电阻的芯片面积,并显著降低恢复损耗。
2023-09-11 10:12:33566

SiC相对于传统Si优势如何

碳化硅(SiC)技术已达到临界点,即不可否认的优势推动技术快速采用的状态。 如今,出于多种原因,希望保持竞争力并降低长期系统成本的设计人员正在转向基于SiC的技术,其中包括: 降低总拥有
2023-10-13 09:24:17824

IGBT与碳化硅MOSFET的优缺点

Si IGBTSiC MOSFET之间的主要区别在于它们可以处理的电流类型。一般来说,MOSFET更适合高频开关应用,而IGBT更适合高功率应用。
2023-10-17 14:46:401038

SiC MOSFET 器件特性知多少?

点击蓝字 关注我们 对于高压开关电源应用,碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFETIGBT 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压电源轨以数百 kHz 运行并非易事
2023-10-18 16:05:02328

SiC MOSFET的封装、系统性能和应用

点击蓝字 关注我们 对于高压开关电源应用,碳化硅或SiC MOSFET与传统硅MOSFETIGBT相比具有显著优势。SiCMOSFET很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应
2023-11-09 10:10:02334

Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法

Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法
2023-11-29 16:16:06149

SiC MOSFETSi MOSFET寄生电容在高频电源中的损耗对比

SiC MOSFETSi MOSFET寄生电容在高频电源中的损耗对比
2023-12-05 14:31:21258

金升阳IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源产品优势

基于国内外新能源行业发展态势,半导体应用市场持续扩大;对于新能源充电桩、光伏SVG行业,IGBT/SiC MOSFET的应用广泛,而驱动电源作为专为IGBT/SiC MOSFET驱动器提供驱动能力的来源,市场潜力巨大。
2023-12-01 09:47:42219

SiC相对于Si有哪些优势

的 R sp将导致更低的损耗,从而产生更高的效率。 电子漂移速度是电子由于电场而在材料中移动的速度。SiC 半导体的电子漂移速度比 Si 基半导体高 2 倍。电子移动得越快,设备开关的速度就越快。系统
2023-12-19 09:41:36348

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