本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响,并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点,推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电路的SIC驱动电源模块。
2015-06-12 09:51:234738 Si MOSFET管因为其输入阻抗高,随着其反向耐压的提高,通态电阻也急剧上升,从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件,具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数
2015-10-14 09:38:542606 功率转换电路中的晶体管的作用非常重要,为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化,一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势前面已经介绍过,如低损耗、高速开关、高温工作等,显而易见这些优势是非常有用的。本章将通过其他功率晶体管的比较,进一步加深对SiC-MOSFET的理解。
2022-07-26 13:57:522074 其中一个优势是,MOSFET 器件在高频开关应用中使用 应用非常重要。MOSFET 晶体管更加容易驱动,因为其控制电极与导电器件隔离,所以不需要连续的导通电流。一旦 MOSFET 晶体管开通
2023-02-03 14:48:24827 在高功率应用中,碳化硅(SiC)MOSFET与硅(Si)IGBT相比具有多项优势。其中包括更低的传导和开关损耗以及更好的高温性能。
2023-09-11 14:55:31347 下面将对于SiC MOSFET和SiC SBD两个系列,进行详细介绍
2023-11-01 14:46:19736 SiC MOSFET并联的动态均流与IGBT类似,只是SiC MOSFET开关速度更快,对一些并联参数会更为敏感。
2021-09-06 11:06:233813 到100KHZ,那已经是不错了。不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品。3. 就其应用,根据其特点:MOSFET应用于
2018-08-27 20:50:45
,但耐压能力没有IGBT强。2、IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了。不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛
2021-06-16 09:21:55
有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
。下面是25℃和150℃时的Vd-Id特性。请看25℃时的特性图表。SiC及Si MOSFET的Id相对Vd(Vds)呈线性增加,但由于IGBT有上升电压,因此在低电流范围MOSFET元器件的Vds
2018-12-03 14:29:26
最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驱动电压为Vgs=10~15V,而SiC-MOSFET建议在Vgs=18V前后驱动,以充分获得低导通电阻。也就是说,两者的区别之一是驱动电压要比
2018-11-30 11:34:24
。关键要点:・SiC-MOSFET体二极管的正向特性Vf比Si-MOSFET大。・SiC-MOSFET体二极管的trr更高速,与Si-MOSFET相比可大幅降低恢复损耗。与IGBT的区别所谓
2018-11-27 16:40:24
”)应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET,这里给出了DMOS结构,不过目前ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。具体情况计划后续进行介绍。在特征方面,Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
的小型化。 另外,SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动,从而也可以实现无源器件的小型化。 与600V~900V的Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET的优势在于芯片
2023-02-07 16:40:49
,SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动,从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小(可实现小型封装),而且体
2019-04-09 04:58:00
确认现在的产品情况,请点击这里联系我们。ROHM SiC-MOSFET的可靠性栅极氧化膜ROHM针对SiC上形成的栅极氧化膜,通过工艺开发和元器件结构优化,实现了与Si-MOSFET同等的可靠性
2018-11-30 11:30:41
。 首先,在SiC-MOSFET的组成中,发挥了开关性能的优势实现了Si IGBT很难实现的100kHz高频工作和功率提升。另外,第二代(2G)SiC-MOSFET中,由2个晶体管并联组成了1个开关
2018-11-27 16:38:39
`请问:图片中的红色白色蓝色模块是什么东西?芯片屏蔽罩吗?为什么加这个东西?抗干扰或散热吗?这是个SiC MOSFET DC-DC电源,小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
SiC MOS器件的栅极氧化物可靠性的挑战是,在某些工业应用给定的工作条件下,保证最大故障率低于1 FIT,这与今天的IGBT故障率相当。除了性能之外,可靠性和坚固性是SiC MOSFET讨论最多
2022-07-12 16:18:49
与IGBT相比,SiC MOSFET具备更快的开关速度、更高的电流密度以及更低的导通电阻,非常适用于电网转换、电动汽车、家用电器等高功率应用。但是,在实际应用中,工程师需要考虑SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
员已经在Si IGBT上使用SiC MOSFET观察到系统级价格的显着优势,并且我们预计随着150 mm晶圆的规模经济,SiC MOSFET的价格将继续下降。 图7:在Digi-Key上看到的市售
2023-02-27 13:48:12
家公司已经建立了SiC技术作为其功率器件生产的基础。此外,几家领先的功率模块和功率逆变器制造商已为其未来基于SiC的产品的路线图奠定了基础。碳化硅(SiC)MOSFET即将取代硅功率开关;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
,SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动,从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小(可实现小型封装),而且体
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
工业领域的特点有哪些?WiFi为什么会被用于工业控制中?SimpleWiFi相对于常见的UARTWiFi具有哪些优势?
2021-07-19 08:17:40
KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了.不过相对于MOSFET的工作频率还是
2017-04-15 15:48:51
失效模式等。项目计划①根据文档,快速认识评估板的电路结构和功能;②准备元器件,相同耐压的Si-MOSFET和业内3家SiC-MOSFET③项目开展,按时间计划实施,④项目调试,优化,比较,分享。预计成果分享项目的开展,实施,结果过程,展示项目结果
2020-04-24 18:09:12
项目名称:基于Sic MOSFET的直流微网双向DC-DC变换器试用计划:申请理由本人在电力电子领域(数字电源)有五年多的开发经验,熟悉BUCK、BOOST、移相全桥、LLC和全桥逆变等电路拓扑。我
2020-04-24 18:08:05
100KHZ,那已经是不错了.不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品. 3,就其应用,根据其特点:MOSFET应用于
2019-03-06 06:30:00
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比,SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数。
2023-06-16 06:04:07
状态之间转换,并且具有更低的导通电阻。例如,900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片内提供与 Si MOSFET 相同的导通电阻(图 1)。图 1:SiC MOSFET(右侧)与硅
2017-12-18 13:58:36
》1100A。图1 10ms浪涌极限测试平台图2 10us浪涌极限测试平台至于短路能力,相较与Si IGBT,SiC MOSFET电流密度更高且栅极氧化层较薄,其短路能力要弱于Si IGBT,但其依然有
2022-03-29 10:58:06
SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。关于这一点,根据这之前介绍过的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特点与性能,可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
的IGBT模块相比,具有1)可大大降低开关损耗、2)开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。下图是1200V/300A的全SiC功率模块BSM300D12P2E001与同等IGBT的比较。左图
2018-11-27 16:37:30
示Hybrid MOS与SJ MOSFET的导通电阻Ron的详细温度特性。SJ MOSFET在高温时,相对于ID的VDS、即Ron显著增加。所以,当周围温度高时不必言说,当ID增加时可能会产生发热增加、芯片温度
2018-11-28 14:25:36
极驱动器的优势和期望,开发了一种测试板,其中测试了分立式IGBT和SiC-MOSFET。标准电压源驱动器也在另一块板上实现,见图3。 图3.带电压源驱动器(顶部)和电流源驱动器(底部)的半桥
2023-02-21 16:36:47
对于高压开关电源应用,碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
MOSFET、Si MOSFET 和 IGBT,开关频率高达 500kHz紧凑高效的内置隔离式偏置电源(具有 15V 和 –4V 输出)分立式两级关断功能可实现短路保护,具有可调的电流限制和延迟(消隐)时间提供大于 100V/ns 的高 CMTI 以及增强的 8kV 峰值电压和 5.7kV RMS 电压隔离
2018-10-16 17:15:55
结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。沟槽结构在Si-MOSFET中已被广为采用,在SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低导通电阻也备受关注。然而,普通的单
2018-12-05 10:04:41
,一直被视为“理想器件”而备受期待。然而,相对以往的Si材质器件,SiC功率器件在性能与成本间的平衡以及其对高工艺的需求,将成为SiC功率器件能否真正普及的关键。近年来,随着国内多品牌的进入,SiC技术
2019-09-17 09:05:05
的应用优势优于 IGBT。考虑到所有开关损耗、导通电阻相关传导损耗和内部二极管的正向电压损耗,基于 SiC MOSFET 的设计比基于 IGBT 的同类设计可节省约 66% 的损耗(图 2)。这种效率改进为
2023-02-22 16:34:53
来看看图1中的产品组合。 在查看该产品组合解决的电压范围时,很明显,SiC MOSFET与Si MOSFET竞争,并且存在与IGBT竞争的范围。在较低的电压范围内,Si MOSFET确实与SiC器件
2023-02-24 15:03:59
的逆变器和转变器中一般使用Si-IGBT,但尾电流和外置FRD的恢复导致的功率转换损耗较大,因此,更低损耗、可高频动作的SiC-MOSFET的开发备受期待。但是,传统的SiC-MOSFET,体二极管通电
2019-03-18 23:16:12
绝大多数情况下都取决于IC的规格,因此虽然不是没有方法,但选用专为SiC-MOSFET用而优化的电源IC应该是上策。具体一点来讲,在规格方面,一般的IGBT或Si-MOSFET的驱动电压为VGS
2018-11-27 16:54:24
从本篇开始,介绍近年来MOSFET中的高耐压MOSFET的代表超级结MOSFET。功率晶体管的特征与定位首先来看近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率与频率
2018-11-28 14:28:53
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
请问:驱动功率MOSFET,IBGT,SiC MOSFET的PCB布局需要考虑哪些因素?
2019-07-31 10:13:38
3GPP R4相对于R99的优势
相对于传统电路交换网络,软交换网络可以实现更简单的目标网络结构,主要是从节约运营成本、易于维护和保
2009-06-13 22:27:091049 应用说明:使用Si828x驱动MOSFET和IGBT交换机
2016-12-28 11:09:170 IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了.不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品。
2017-12-11 18:46:5625040 众所周知,SiC材料的特性和优势已被大规模地证实,它被认为是用于高电压、高频率的功率器件的理想半导体材料。SiC器件的可靠性是开发工程师所关心的重点之一,因为在出现基于Si材料的IGBT
2017-12-21 09:07:0436485 Si MOSFET管因为其输入阻抗高,随着其反向耐压的提高,通态电阻也急剧上升,从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件,具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数
2020-09-29 10:44:009 近年来,宽禁带半导体SiC器件得到了广泛重视与发展。SiC MOSFET与Si MOSFET在特定的工作条件下会表现出不同的特性,其中重要的一条是SiC MOSFET在长期的门极电应力下会产生阈值漂移现象。本文阐述了如何通过调整门极驱动负压,来限制SiC MOSFET阈值漂移的方法。
2020-07-20 08:00:006 电力电子产业未来的发展趋势之一便是使用更高的开关频率以获得更紧密的系统设计,而在高开关频率高功率的应用中,SiC器件优势明显,这就使得SiC MOSFET在5G基站、工业电源、光伏、充电
2021-08-13 18:16:276631 在开关频率、散热、耐压、功率密度方面优势更为凸显。 下文主要对国产SiC MOSFET进行介绍并与国外相近参数的主流产品相对比。 国产1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年开始专注于第三代半导体SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件,在基于
2021-09-16 11:05:374228 到100KHZ,那已经是不错了。不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ。
3、就其应用:根据其特点MOSFET应用于开关电源,镇流器,...
2022-02-11 10:47:5631 为什么需要关注 SiC MOSFET 栅极?尽管具有传统的 SiO 2栅极氧化物,但该氧化物的性能比传统 Si 基半导体中的经典 Si-SiO 2界面更差。这是由于在SiC 的 Si 终止面上生长
2022-08-04 09:23:041129 SiC MOSFET模块是采用新型材料碳化硅(SiC)的功率半导体器件,在高速开关性能和高温环境中,优于目前主流应用的硅(Si)IGBT和MOSFET器件。在需要更高额定电压和更大电流容量的工业设备
2022-11-06 21:14:51956 SiC MOSFET 的优势和用例是什么?
2022-12-28 09:51:201034 本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容,总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。另外,除了SiC-MOSFET,还可以从这里了解SiC-SBD、全SiC模块的应用实例。
2023-02-06 14:39:51645 从本文开始,将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人,与其详细研究每个参数,不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。
2023-02-08 13:43:20644 上一章针对与Si-MOSFET的区别,介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别:Vd-Id特性,Vd-Id特性是晶体管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722 上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。如图所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏极-源极间存在体二极管。
2023-02-08 13:43:20790 在SiC-MOSFET不断发展的进程中,ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。沟槽结构在Si-MOSFET中已被广为采用,在SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低导通电阻也备受关注。
2023-02-08 13:43:211381 上一篇介绍了近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的产品定位,以及近年来的高耐压Si-MOSFET的代表超级结MOSFET(以下简称“SJ-MOSFET”)的概要。
2023-02-10 09:41:011301 本文介绍ROHM命名为“Hybrid MOS”的、同时具备MOSFET和IGBT两者优势的MOSFET。产品位于下图最下方红色框内。
2023-02-10 09:41:02373 ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-10 09:41:081333 通常是可互换的,尽管MOSFET通常适用于较低的电压和功率,而IGBT则很好地适应更高的电压和功率。随着碳化硅的引入,MOSFET比以往任何时候都更有效,与传统硅元件相比具有独特的优势。
2023-02-12 10:32:35659 在SiC MOSFET的开发与应用方面,与相同功率等级的Si MOSFET相比,SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,另由于其高温工作特性,大大提高了高温稳定性。
2023-02-12 15:29:032100 ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-13 09:30:04331 EN-1230A可对各类型Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各项动态参数如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间
2023-02-23 09:20:462 本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人,与其详细研究每个参数,不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC-MOSFET的驱动与Si-MOSFET的比较中应该注意的两个关键要点。
2023-02-23 11:27:57736 功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了。不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十M
2023-02-23 15:51:011 功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不
错了。不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领
域的产品。
2023-02-24 10:33:326 ROHM针对SiC上形成的栅极氧化膜,通过工艺开发和元器件结构优化,实现了与Si-MOSFET同等的可靠性。
2023-02-24 11:50:12784 3.1 驱动电源SiC MOSFET开启电压比Si IGBT低,但只有驱动电压达到18V~20V时才能完全开通; Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs对比 Cree的产品手册
2023-02-27 14:41:099 如何为SiC MOSFET选择合适的驱动芯片?(英飞凌官方) 由于SiC产品与传统硅IGBT或者MOSFET参数特性上有所不同,并且其通常工作在高频应用环境中, 为SiC MOSFET选择合适的栅极
2023-02-27 14:42:0479 碳化硅 MOSFET 驱动电路保护 SiC MOSFET 作为第三代宽禁带器件之一,可以在多个应用场合替换 Si MOSFET、IGBT,发挥其高频特性,实现电力设备高功率密度。然而被应用于桥式电路
2023-02-27 14:43:028 虽然将典型 400 V 电池的电压加倍可为 EV 带来巨大好处,但对于依赖硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 的 EV 逆变器来说,在更高电压下的性能会受到影响。
2023-03-16 12:35:51585 通常是可互换的,尽管MOSFET通常适用于较低的电压和功率,而IGBT则很好地适应更高的电压和功率。随着碳化硅的引入,MOSFET比以往任何时候都更有效,与传统硅元件相比具有独特的优势。
2023-05-24 11:25:281214 在高压开关电源应用中,相较传统的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅(以下简称“SiC”)MOSFET 有明 显的优势。
2023-05-26 09:52:33462 SiC MOSFET体二极管的关断特性与IGBT电路中硅基PN二极管不同,这是因为SiC MOSFET体二极管具有独特的特性。对于1200V SiC MOSFET来说,输出电容的影响较大,而PN
2023-01-04 10:02:071113 相对于IGBT,SiC-MOSFET降低了开关关断时的损耗,实现了高频率工作,有助于应用的小型化。相对于同等耐压的SJ-MOSFET,导通电阻较小,可减少相同导通电阻的芯片面积,并显著降低恢复损耗。
2023-09-11 10:12:33566 碳化硅(SiC)技术已达到临界点,即不可否认的优势推动技术快速采用的状态。 如今,出于多种原因,希望保持竞争力并降低长期系统成本的设计人员正在转向基于SiC的技术,其中包括: 降低总拥有
2023-10-13 09:24:17824 Si IGBT和SiC MOSFET之间的主要区别在于它们可以处理的电流类型。一般来说,MOSFET更适合高频开关应用,而IGBT更适合高功率应用。
2023-10-17 14:46:401038 点击蓝字 关注我们 对于高压开关电源应用,碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压电源轨以数百 kHz 运行并非易事
2023-10-18 16:05:02328 点击蓝字 关注我们 对于高压开关电源应用,碳化硅或SiC MOSFET与传统硅MOSFET和 IGBT相比具有显著优势。SiCMOSFET很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应
2023-11-09 10:10:02334 Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法
2023-11-29 16:16:06149 SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生电容在高频电源中的损耗对比
2023-12-05 14:31:21258 基于国内外新能源行业发展态势,半导体应用市场持续扩大;对于新能源充电桩、光伏SVG行业,IGBT/SiC MOSFET的应用广泛,而驱动电源作为专为IGBT/SiC MOSFET驱动器提供驱动能力的来源,市场潜力巨大。
2023-12-01 09:47:42219 的 R sp将导致更低的损耗,从而产生更高的效率。 电子漂移速度是电子由于电场而在材料中移动的速度。SiC 半导体的电子漂移速度比 Si 基半导体高 2 倍。电子移动得越快,设备开关的速度就越快。系统
2023-12-19 09:41:36348
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