无线充电在技术行业中变得越来越普遍,提供了一种更方便的设备充电方式,而无需使用电缆或插头。随着技术的进步,由于氮化镓(GaN)功率器件的使用,无线充电变得越来越高效和快速。 无线充电技术 无线充电
2023-07-28 17:07:478828 GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
纳维半导体•氮化镓功率集成电路的性能影响•氮化镓电源集成电路的可靠性影响•应用示例:高密度手机充电器•应用实例:高性能电机驱动器•应用示例;高功率开关电源•结论
2023-06-16 10:09:51
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
(86) ,因此在正常体温下,它会在人的手中融化。
又过了65年,氮化镓首次被人工合成。直到20世纪60年代,制造氮化镓单晶薄膜的技术才得以出现。作为一种化合物,氮化镓的熔点超过1600℃,比硅高
2023-06-15 15:50:54
被誉为第三代半导体材料的氮化镓GaN。早期的氮化镓材料被运用到通信、军工领域,随着技术的进步以及人们的需求,氮化镓产品已经走进了我们生活中,尤其在充电器中的应用逐步布局开来,以下是采用了氮化镓的快
2020-03-18 22:34:23
的节能。这些电力足以为30多万个家庭提供一年的电量。 任何可以直接从电网获得电力的设备(从智能手机充电器到数据中心),或任何可以处理高达数百伏高电压的设备,均可受益于氮化镓等技术,从而提高电源管理系统的效率和规模。(白皮书下载:GaN将能效提高到一个新的水平。)
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空间,所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年,电力电子领域将管理大约80%的能源,而2005年这一比例仅为30
2018-11-20 10:56:25
在所有电力电子应用中,功率密度是关键指标之一,这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限,设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓(GaN)来提供方案。
2020-10-28 06:01:23
是什么氮化镓(GaN)是氮和镓化合物,具体半导体特性,早期应用于发光二极管中,它与常用的硅属于同一元素周期族,硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料,具有宽带隙、高热导率等特点,应用在充电器方面,主要是集成氮化镓MOS管,可适配小型变压器和高功率器件,充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
。联想此举直接将氮化镓快充拉到普通充电器一样的售价,如果以往是因为“贵”不买氮化镓而选择普通充电器,那么这次联想 59.9 元售价可谓是不给你任何拒绝它的理由。氮化镓快充价格走势氮化镓(GaN)具有禁带宽
2022-06-14 11:11:16
付出更大的成本?本文會以適配器(Adaptor)的應用來做說明。圖1目標產品應用種類 氮化鎵(GaN)是橫向結構的功率元件,其具有小於矽(Si)的十分之一以下的閘極電荷(Qg)與輸出電荷(Qoss),且沒
2019-09-19 09:05:03
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷(低电容)、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件,以及分立氮化镓的典型开关频率(65kHz)相比,集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小:GaNFast™ 功率芯片,可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量节约方面,它最高能节约 40% 的能量。
更快:氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
的系统级解决方案,其市场潜力刚刚开始被关注。氮化镓如今被定位成涵盖了从无线基站到射频能量等商业射频领域的主流应用,它从一项高深的技术发展为市场的中流砥柱,这一发展历程融合了多种因素,是其一致发挥作用的结果
2017-08-15 17:47:34
数据中心),或任何可以处理高达数百伏高电压的设备,均可受益于氮化镓等技术,从而提高电源管理系统的效率和规模。(白皮书下载:GaN将能效提高到一个新的水平。)
寻找理想开关
任何电源管理系统的核心
2019-03-14 06:45:11
和功率密度,这超出了硅MOSFET技术的能力。开发工程师需要能够满足这些要求的新型开关设备。因此,开始了氮化镓晶体管(GaN)的概念。 HD-GIT的概述和优势 松下混合漏极栅极注入晶体管(HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
激光器是20世纪四大发明之一,半导体激光器是采用半导体芯片加工工艺制备的激光器,具有体积小、成本低、寿命长等优势,是应用最多的激光器类别。氮化镓激光器(LD)是重要的光电子器件,基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
数据已证实,硅基氮化镓符合严格的可靠性要求,其射频性能和可靠性可媲美甚至超越昂贵的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)替代技术。 硅基氮化镓成为射频半导体行业前沿技术之时正值商用无线基础设施发展
2018-08-17 09:49:42
GaN如何实现快速开关?氮化镓能否实现高能效、高频电源的设计?
2021-06-17 10:56:45
降低了产品成本。搭载GaN的充电器具有元件数量少、调试方便、高频工作实现高转换效率等优点,可以简化设计,降低GaN快充的开发难度,有助于实现小体积、高效氮化镓快充设计。 Keep Tops氮化镓内置多种
2023-08-21 17:06:18
` 本帖最后由 射频技术 于 2021-4-8 09:16 编辑
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。GaN具有比硅或砷化镓更高的性能,包括
2021-04-07 14:31:00
`Cree的CGH40010是无与伦比的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。 CGH40010,正在运行从28伏电压轨供电,提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是无与伦比的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高效率,高增益和宽带宽功能而设计。 该器件可部署在L,S和C频段放大器应用中。 数据手册中的规格
2020-02-24 10:48:00
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比,这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 该GaN内部匹配(IM)FET与其他技术相比,具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化镓(GaN)高电子迁移率基于晶体管(HEMT)的单片微波集成电路(MMIC)。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能,包括更高的击穿电压,更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
充电器变得高效起来,发热更低,体积也缩小便于携带,推进了百瓦大功率充电器的普及,也改变了人们对大功率充电器的印象。但是氮化镓器件对栅极驱动电压要求非常敏感,并且对布线要求也很高,这也导致了应用门槛较高
2021-11-28 11:16:55
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势,并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容,在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
电子、汽车和无线基站项目意法半导体获准使用MACOM的技术制造并提供硅上氮化镓射频率产品预计硅上氮化镓具有突破性的成本结构和功率密度将会实现4G/LTE和大规模MIMO 5G天线中国,2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大的变革,特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的主导地位正在被氮化镓(GaN)撼动,这将对无线
2017-08-30 10:51:37
,尤其是2010年以后,MACOM开始通过频繁收购来扩充产品线与进入新市场,如今的MACOM拥有包括氮化镓(GaN)、硅锗(SiGe)、磷化铟(InP)、CMOS、砷化镓等技术,共有40多条生产线
2017-09-04 15:02:41
多个方面都无法满足要求。在基站端,由于对高功率的需求,氮化镓(GaN)因其在耐高温、优异的高频性能以及低导通损耗、高电流密度的物理特性,是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器(PA)芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
测试背景地点:国外某知名品牌半导体企业,深圳氮化镓实验室测试对象:氮化镓半桥快充测试原因:因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管,需要对半桥上管控制信号的具体参数进行摸底测试测试探头:麦科信OIP
2023-01-12 09:54:23
QPD1004氮化镓晶体管产品介绍QPD1004报价QPD1004代理QPD1004咨询热线QPD1004现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1004是25W(p3db),50欧姆输入匹配
2018-07-30 15:25:55
)1.1脉冲条件脉冲宽度:120µsec,占空比10%笔记Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:14:59
)1.1脉冲条件脉冲宽度:120µsec,占空比10%笔记Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:24:16
基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器已经开始在各种创新市场和应用领域攻城略地——这类应用包括太阳能光伏逆变器、能源存储、车辆电气化(如充电
2019-07-31 06:16:52
TGF2977-SM氮化镓晶体管产品介绍TGF2977-SM报价TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨询热线TGF2977-SM现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
由于换了三星手机,之前的充电器都不支持快充了,一直想找一款手机电脑都能用的快充充电器,「倍思GaN2 Pro氮化镓充电器」就是这样一款能满足我的充电器,这篇文章就来说下这款充电器的选购过程
2021-09-14 08:28:31
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:氮化镓发展技术编号:JFSJ-21-041作者:炬丰科技网址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
速度。这些功能对于牵引逆变器来说是最佳的,因为它们需要间歇地将大量能量传输回电池。与此同时,硅上氮化镓开关为从低kW到10kW宽范围的供电系统带来了益处,即交流到直流板载充电器(OBC)、直流到直流辅助
2018-07-19 16:30:38
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显,增加。因为它与传统的硅技术相比,不仅性能优异,应用范围广泛,而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中,传统硅器件在能量转换方面,已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化镓(GaN)是一种“宽禁带”(WBG)材料。禁带,是指电子从原子核轨道上脱离出来所需要的能量,氮化镓的禁带宽度为 3.4ev,是硅的 3 倍多,所以说氮化镓拥有宽禁带特性(WBG)。
硅的禁带宽
2023-06-15 15:53:16
目前,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等“WBG(Wide Band Gap,宽禁带,以下简称为:WBG)”以及基于新型材料的电力半导体,其研究开发技术备受瞩目。根据日本环保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
电子产品中。这种氧化物是个好选择,因为它能与AlGaN/GaN形成良好的肖特基接触,并在GaN晶体管中起到栅极的作用。有一些报道证实在氮化镓晶体管中可存在铟锡氧化物(ITO)栅极,并且已经表明,在氮化镓器件
2020-11-27 16:30:52
氮化镓(GaN)功率芯片,将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上,能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化镓功率芯片,能令先进的电源转换拓扑结构,从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装,GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
两年多前,德州仪器宣布推出首款600V氮化镓(GaN)功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率,且易于设计,带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起,我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势,氮化镓充电器的充电器件运行速度,比传统硅器件要快 100倍。
更重要的是,氮化镓相比传统的硅,可以在更小的器件空间内处理更大的电场,同时提供更快的开关速度。此外,氮化镓比硅基半导体器件,可以在更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证,特推出“氮化镓系列”,告诉大家什么是氮化镓(GaN)?
2019-07-31 06:53:03
=rgb(51, 51, 51) !important]射频氮化镓技术是5G的绝配,基站功放使用氮化镓。氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)是射频应用中常用的半导体材料。[color
2019-07-08 04:20:32
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生,以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
(GaN)原厂来说尤为常见,其根本原因是氮化镓芯片的优异开关性能所引起的测试难题,下游的氮化镓应用工程师往往束手无策。某知名氮化镓品牌的下游客户,用氮化镓半桥方案作为3C消费类产品的电源,因电源稳定性
2023-02-01 14:52:03
在过去的十多年里,行业专家和分析人士一直在预测,基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比,基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力
2019-06-21 08:27:30
高频150W PFC-LLC与GaN功率ic(氮化镓)
2023-06-19 08:36:25
氮化镓技术是功率级的真正推动者,如今可提供过去十年无法想象的性能。只有当栅极驱动器与晶体管具有相同程度的性能和创新时,才能获得GaN的最大性能和优势。经过多年的研发,MinDCet通过推出
2023-02-24 15:09:34
和优化、EMC优化和整改技巧、可靠性评估和分析。第一步:元器件选型对于工程师来说,GaN元器件相较于传统的MOSFET而言有很多不同和优势,但在设计上也带来一定挑战。课程从硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓
2020-11-18 06:30:50
我经常感到奇怪,我们的行业为什么不在加快氮化镓 (GaN) 晶体管的部署和采用方面加大合作力度;毕竟,大潮之下,没人能独善其身。每年,我们都看到市场预测的前景不太令人满意。但通过共同努力,我们就能
2022-11-16 06:43:23
如何实现小米氮化镓充电器是一个c to c 的一个充电器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但这个口不可以充电,它是用来转VGA,HDMI,DP之类了,可以外接显示器,拓展坞之类的。要用氮化镓
2021-09-14 06:06:21
导读:将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能,并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多,从而有可能实现更低的开关损耗。然而,当
2022-11-16 06:23:29
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品?
2021-06-15 06:30:55
的性能已接近理论极限[1-2],而且市场对更高功率密度的需求日益增加。氮化镓(GaN)晶体管和IC具有优越特性,可以满足这些需求。
氮化镓器件具备卓越的开关性能,有助消除死区时间且增加PWM频率,从而
2023-06-25 13:58:54
氮化镓技术非常适合4.5G或5G系统,因为频率越高,氮化镓的优势越明显。那对于手机来说射频GaN技术还需解决哪些难题呢?
2019-07-31 06:53:15
`网络基础设施与反导雷达等领域都要求使用高性能高功率密度的射频器件,这使得市场对于射频氮化镓(GaN)器件的需求不断升温。举个例子,现在的无线基站里面,已经开始用氮化镓器件取代硅基射频器件,在
2016-08-30 16:39:28
OPPO公司分享了这一应用的优势,一颗氮化镓可以代替两颗硅MOS,体积更小、更节省空间,且阻抗比单颗硅MOS更低,可降低在此路径上的热量消耗,降低充电温升,提升充电的恒流持续时间。不仅如此,氮化镓有
2023-02-21 16:13:41
一下,目前已经推出氮化镓快充的电商品牌及其产品。ANKER安克1、ANKER 30W氮化镓充电器ANKER PowerPort Atom PD 1 GaN氮化镓充电器于2018年10月推出,是业内首款
2021-04-16 09:33:21
在德州仪器不断推出的“技术前沿”系列博客中,一些TI最优秀的人才讨论当今最大的技术趋势以及如何应对未来挑战等问题。相较于先前使用的硅晶体管,氮化镓(GaN)可以让全新的电源应用在同等电压条件下以更高
2018-08-30 15:05:40
第 1 步 – 栅极驱动选择 驱动GaN增强模式高电子迁移率晶体管(E-HEMT)的栅极与驱动硅(Si)MOSFET的栅极有相似之处,但有一些有益的差异。 驱动氮化镓E-HEMT不会消除任何
2023-02-21 16:30:09
电源并联控制,并且支持双路独立的过流、过压以及短路保护,确保使用安全。
充电头网了解到,英集芯IP2738此前已被麦多多40W双USB-C氮化镓充电器、爱兰博140W 2C1A氮化镓充电器、安克65W
2023-06-16 14:05:50
两年多前,德州仪器宣布推出首款600V氮化镓(GaN)功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率,且易于设计,带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起,我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2022-11-10 06:36:09
氮化镓(GaN)是一种全新的使能技术,可实现更高的效率、显着减小系统尺寸、更轻和于应用中取得硅器件无法实现的性能。那么,为什么关于氮化镓半导体仍然有如此多的误解?事实又是怎样的呢?
关于氮化镓技术
2023-06-25 14:17:47
)。WBG 板载电动汽车充电器示意图此外,这两种宽带隙化合物半导体(如氮化镓和碳化硅)的所用材料晶体管据说具有很高的击穿电压,可以在高温下工作。考虑到这一点,本文打算研究 GaN 和 SiC 晶体管之间
2022-06-15 11:43:25
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
5G将于2020年将迈入商用,加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势,将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计,2018年全球SiC基板产值将达1.8
2019-05-09 06:21:14
重要作用。下图展示的是锗化硅和氮化镓的毫米波5G基站MIMO天线方案,左侧展示的是锗化硅基MIMO天线,它有1024个元件,裸片面积是4096平方毫米,辐射功率是65dbm,与之形成鲜明对比的,是右侧氮化
2019-04-13 22:28:48
氮化镓GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
,是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中,长期担任副总裁及更高级别的管理职位,并领导研发工作。他在硅、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案,相对于传统的、基于硅材料的技术,创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
,我们的设备都被连接在了一起,我们需要消耗更多的电能,”GaN开发团队的系统和应用工程师Eric Faraci说,“更多的能耗意味着需要建造更多的大型电厂。但是,如果我们使用诸如氮化镓的技术,我们可以将
2018-08-30 15:05:50
氮化镓 (GaN) 电源解决方案,氮化镓 (GaN) 在充电器和适配器中的应用技术交流;
2021-11-22 09:26:58
Sumitomo 是全球最大的射频应用氮化镓 (GaN) 器件供应商之一。住友氮化镓器件用于通信基础设施、雷达系统、卫星通信、点对点无线电和其他应用。 功率氮化镓-用于无线电链路和卫星通信
2023-12-15 17:43:45
氮化镓不仅受到近距离无线充电的欢迎,比如高合汽车采用GaN无线充电,而且远距离无线输电也在采用氮化镓技术。
2022-12-08 11:50:011947 氮化镓充电器什么意思?氮化镓充电器的优点?氮化镓充电器和普通充电器的区别是什么? 氮化镓充电器是一种使用氮化镓(GaN)材料制造的充电器。GaN是一种新型的宽禁带半导体材料,具有高电子迁移率、高热
2023-11-21 16:15:24981
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