12月30日消息 根据中欣晶圆官方的消息，中欣晶圆12英寸第一枚外延片正式下线，成为国内首家独立完成12英寸单晶、抛光到外延研发、生产的企业。
2020-12-31 10:57:31
3826 电压：2.5～3.6V2. LCD尺寸：2.8英寸3.分辨率RGBx320x2404、驱动IC：ILI9320/9325/93415.显示尺寸：57.6mm x 43.2mm6.颜色深度：16位7、背光
2022-08-16 07:21:14
65W氮化镓电源原理图
2022-10-04 22:09:30
我国科学家成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片。我国氧化镓领域研究连续取得突破日前，西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片
2023-03-15 11:09:59
` 本帖最后由 firstchip 于 2015-1-20 10:54 编辑
北京飞特驰科技有限公司对外提供6英寸半导体工艺代工服务和工艺加工服务，包括：产品代工、短流程加工、单项工艺加工等
2015-01-07 16:15:47
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
(86) ，因此在正常体温下，它会在人的手中融化。
又过了65年，氮化镓首次被人工合成。直到20世纪60年代，制造氮化镓单晶薄膜的技术才得以出现。作为一种化合物，氮化镓的熔点超过1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
充电器6、AUKEY傲基27W氮化镓充电器7、AUKEY傲基61W氮化镓充电器8、AUKEY傲基65W氮化镓充电器9、AUKEY傲基100W氮化镓充电器10、amc 65W氮化镓充电器11、Aohai奥海
2020-03-18 22:34:23
的选择。 生活更环保 为了打破成本和大规模采用周期，一种新型功率半导体技术需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会，使其在高电压应用中的贡献远远超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
在所有电力电子应用中，功率密度是关键指标之一，这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限，设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓（GaN）来提供方案。
2020-10-28 06:01:23
技术迭代。2018 年，氮化镓技术走出实验室，正式运用到充电器领域，让大功率充电器迅速小型化，体积仅有传统硅（Si）功率器件充电器一半大小，氮化镓快充带来了充电器行业变革。但作为新技术，当时氮化镓
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
时间。
更加环保：由于裸片尺寸小、制造工艺步骤少和功能集成，氮化镓功率芯片制造时的二氧化碳排放量，比硅器件的充电器解决方案低10倍。在较高的装配水平上，基于氮化镓的充电器，从制造和运输环节产生的碳足迹，只有硅器件充电器的一半。
2023-06-15 15:32:41
。氮化镓的性能优势曾经一度因高成本而被抵消。最近，氮化镓凭借在硅基氮化镓技术、供应链优化、器件封装技术以及制造效率方面的突出进步成功脱颖而出，成为大多数射频应用中可替代砷化镓和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
从将PC适配器的尺寸减半，到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换，德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V，提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。
2019-08-01 07:38:40
首先报道了基于氮化镓双异质结构、波长为402.5 nm的受激辐射。1996年日本日亚公司中村修二领导研制出世界上第一支GaN基紫光激光器。从此，波长为405 nm的氮化镓紫光激光器的发展和应用推动
2020-11-27 16:32:53
)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。 与LDMOS相比，硅基氮化镓的性能优势已牢固确立——它可提供超过70%的功率效率，将每单位面积的功率提高4到6倍，并且可扩展至高频率。同时，综合测试
2018-08-17 09:49:42
GaN如何实现快速开关？氮化镓能否实现高能效、高频电源的设计？
2021-06-17 10:56:45
。
与硅芯片相比：
1、氮化镓芯片的功率损耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸为硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解决方案更便宜
然而，虽然 GaN 似乎是一个更好的选择，但它
2023-08-21 17:06:18
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
内的波长标准偏差标准为1.3nm，波长范围为4nm微米。硅衬底氮化镓基LED外延片的翘曲度很小，2英寸硅衬底LED大多数在4-5微米左右，6英寸在10微米以下。 2英寸硅衬底大功率LED量产硅4545
2014-01-24 16:08:55
不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点，Wafer可以做的很大，目前在8英寸，未来可以做到10英寸、12英寸，整个晶圆的长度可以拉长至2米
2017-08-29 11:21:41
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化镓（GaN）高电子迁移率基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 编辑
整合意法半导体的制造规模、供货安全保障和电涌耐受能力与MACOM的硅上氮化镓射频功率技术，瞄准主流消费
2018-02-12 15:11:38
硬件和软件套件有助加快并简化固态射频系统开发经优化后可供烹饪、照明、工业加热/烘干、医疗/制药和汽车点火系统的商业制造商使用系统设计人员能够以LDMOS的价格充分利用硅基氮化镓性能的优势在IMS现场
2017-08-03 10:11:14
可以做得更大，成长周期更短。MACOM现在已经在用8英寸晶圆生产氮化镓器件，与很多仍然用4英寸设备生产碳化硅基氮化镓的厂商不同。MACOM的氮化镓技术用途广泛，在雷达、军事通信、无线和有线宽带方面都有
2017-09-04 15:02:41
以及能耗成本上的差别。碳化硅基氮化镓的高昂的成本，极大限制了其在商业基站成为主流应用的前景。相比之下，一个8英寸硅晶圆厂几周的产能便可满足 MACOM氮化镓用于整个射频和微波行业一年的需求。MACOM
2017-08-30 10:51:37
的射频器件越来越多，即便集成化仍然很难控制智能手机的成本。这跟功能机时代不同，我们可以将成本做到很低，在全球市场都能够保证低价。但如果到了5G时代，需要的器件越来越多，价格越来越高。半导体材料硅基氮化镓
2017-07-18 16:38:20
测试背景地点：国外某知名品牌半导体企业，深圳氮化镓实验室测试对象：氮化镓半桥快充测试原因：因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管，需要对半桥上管控制信号的具体参数进行摸底测试测试探头：麦科信OIP
2023-01-12 09:54:23
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:24:16
应对不同的应用场景。2. 应用领域 适配器 充电器 AC-DC 开关电源特性 集成氮化镓直接驱动（6V DRV） 集成高压启动（700V） 集成高压 BROWN-IN &
2023-03-28 10:31:57
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：氮化镓发展技术编号：JFSJ-21-041作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
碳化硅（SiC）和硅上氮化镓（GaN-on-Si）。这两种突破性技术都在电动汽车市场中占有一席之地。与Si IGBT相比，SiC提供更高的阻断电压、更高的工作温度（SiC-on-SiC）和更高的开关
2018-07-19 16:30:38
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
的电压，其漏极漂移区为10-20μm，或大约40-80V/μm。这大大高于硅20V/μm的理论极限。然而，氮化镓器件目前仍然远远低于约300V/µm的禁带宽度极限，这为未来的优化和改进，留下了巨大的空间
2023-06-15 15:53:16
TI始终引领着提倡开发和实施全面性方法，确保在严苛操作环境下，GaN设备也能够可靠地运行和具有出色的使用寿命。为此，我们用传统的硅方法制作GaN的硅基，从而利用硅的内在特性。
2019-07-31 06:19:34
2寸的芯片，现在已经能制造4寸了。业内普遍认为，要大规模生产功率半导体，至少需要6英寸以上的芯片，因此目前还不能大规模生产。此外，上述用于小型 AC转换器的氮化镓功率半导体使用以下的晶片，其最大尺寸为
2023-02-23 15:46:22
eMode硅基氮化镓技术，创造了专有的AllGaN™工艺设计套件（PDK），以实现集成氮化镓 FET、氮化镓驱动器，逻辑和保护功能于单芯片中。该芯片被封装到行业标准的、低寄生电感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓充电器的充电器件运行速度，比传统硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化镓相比传统的硅，可以在更小的器件空间内处理更大的电场，同时提供更快的开关速度。此外，氮化镓比硅基半导体器件，可以在更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16
氮化镓也处于这一阶段，成本将会随着市场需求量加速、大规模生产、工艺制程革新等，而走向平民化，而最终的市场也将会取代传统的硅基功率器件。8英寸硅基氮化镓的商用化量产，可以大幅降低成本。第三代半导体的普及
2019-07-08 04:20:32
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
明佳达电子优势供应氮化镓功率芯片NV6127+晶体管AON6268丝印6268，只做原装，价格优势，实单欢迎洽谈。产品信息型号1：NV6127丝印：NV6127属性：氮化镓功率芯片封装：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
{:11:}手头有个900V，1600W的开关电源，电压一直升不上去。到底是哪的问题，查不出来。有哪位大神介绍点斩波升压这方面的资料。
2013-01-17 09:32:42
我想了解关于LED关于外延片生长的结构，谢谢
2013-12-11 12:50:27
和优化、EMC优化和整改技巧、可靠性评估和分析。第一步：元器件选型对于工程师来说，GaN元器件相较于传统的MOSFET而言有很多不同和优势，但在设计上也带来一定挑战。课程从硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓
2020-11-18 06:30:50
我经常感到奇怪，我们的行业为什么不在加快氮化镓 (GaN) 晶体管的部署和采用方面加大合作力度；毕竟，大潮之下，没人能独善其身。每年，我们都看到市场预测的前景不太令人满意。但通过共同努力，我们就能
2022-11-16 06:43:23
如何实现小米氮化镓充电器是一个c to c 的一个充电器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但这个口不可以充电，它是用来转VGA,HDMI,DP之类了，可以外接显示器，拓展坞之类的。要用氮化镓
2021-09-14 06:06:21
导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当
2022-11-16 06:23:29
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品？
2021-06-15 06:30:55
目前的永磁电机或称为直流无刷电机(BLDC)的应用非常广泛。与其他电机相比，永磁电机可提供每立方英寸更高的扭矩和更优越的动态性能。到目前为止，硅基功率器件在逆变器电子领域中一直占主导地位。可是，它们
2023-06-25 13:58:54
性。不过硅衬底比碳化硅衬底更便宜。Macom正在计划将生产工艺从6英寸升级到8英寸，从而进一步降低基于硅的氮化镓射频工艺现在大多数基于碳化硅的氮化镓还是采用3英寸或4英寸晶圆生产，因此成本非常高
2016-08-30 16:39:28
OPPO公司分享了这一应用的优势，一颗氮化镓可以代替两颗硅MOS，体积更小、更节省空间，且阻抗比单颗硅MOS更低，可降低在此路径上的热量消耗，降低充电温升，提升充电的恒流持续时间。不仅如此，氮化镓有
2023-02-21 16:13:41
30W超薄氮化镓充电器ANKER Powerport Atom III Slim因为内置了氮化镓元器件，体型可以做的非常的纤薄，只有0.63英寸（约1.6cm）厚，并且是可折叠插脚设计，可以轻松装进
2021-04-16 09:33:21
和功率因数校正 （PFC） 配置。 简单的电路提供了将硅控制器用于GaN器件的过渡能力。对于单个氮化镓器件，隔离式负 V一般事务（关闭）EZDrive®电路是一种低成本、简单的方法，可以使用12V驱动器
2023-02-21 16:30:09
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2022-11-10 06:36:09
功率/高频射频晶体管和发光二极管。2010年，第一款增强型氮化镓晶体管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后随即推出氮化镓功率集成电路- 将GaN FET、氮化镓基驱动电路和电路保护集成为单个器件
2023-06-25 14:17:47
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
12英寸晶圆片的外观检测方案？那类探针台可以全自动解决12英寸晶圆片的外观缺陷测试？ 本人邮箱chenjuhua@sidea.com.cn,谢谢
2019-08-27 05:56:09
，是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
的独特性意味着，几乎所有这些材料都不能用作半导体。不过，透明导电氧化物氧化镓（Ga2O3）是一个特例。这种晶体的带隙近5电子伏特，如果说氮化镓（3.4eV）与它的差距为1英里，那么硅（1.1eV）与它的差距
2023-02-27 15:46:36
各位大神，目前国内卖铟镓砷红外探测器的有不少，知道铟镓砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生产的吗，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
灵活应对不同的应用场景。2. 应用领域 适配器 充电器 AC-DC 开关电源. 特性 集成氮化镓直接驱动（6V DRV） 集成高压启动（700V） 集成高压 BROWN-IN &
2023-03-28 10:24:46
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
MAPC-A1507GaN 放大器 50 V，1400 W 900 - 930 MHzMAPC-A1507 是一款碳化硅基氮化镓 HEMT D 模式放大器，适用于 900 - 930 MHz
2022-11-27 10:40:50
NPT2020PT2020 是一款 48 V 硅基氮化镓晶体管，工作频率为 DC 至 3.5 GHz，功率为 50 W，增益为 17 dB。它采用陶瓷封装，面向军事和大批量商业市场。
2023-04-14 15:39:35
SiC市场领导者Cree（科锐公司）近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。
2015-09-07 09:29:311923 意法半导体 (ST) 同级领先的900V MOSFET晶体管，提升反激式转换器的输出功率和能效
2017-09-21 14:45:167390 近日，北京耐威科技股份有限公司（以下简称“耐威科技”）发布公告称，其控股子公司聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司（以下简称“聚能晶源”）成功研制“8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延
2018-12-20 14:45:206607 耐威科技表示，本次“8 英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆”的研制成功，使得聚能晶源成为截至目前公司已知全球范围内领先的可提供具备长时可靠性的 8 英寸 GaN 外延晶圆的生产企业
2018-12-20 15:21:175524 根据中欣晶圆官方的消息，中欣晶圆12英寸第一枚外延片正式下线，成为国内首家独立完成12英寸单晶、抛光到外延研发、生产的企业。 官方表示，12月28日杭州中欣晶圆迎来了具有历史意义的一天：在12英寸
2020-12-31 09:44:144725 两款900V FET均属于常闭型器件，通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷，提供更高的效率，明显超越传统硅 (Si) 器件，具有显著优势。
2022-09-16 15:42:02817 氮化镓外延片生长工艺较为复杂，多采用两步生长法，需经过高温烘烤、缓冲层生长、重结晶、退火处理等流程。两步生长法通过控制温度，以防止氮化镓外延片因晶格失配或应力而产生翘曲，为目前全球氮化镓外延片主流制备方法。
2023-02-05 14:50:004345 氮化镓外延片指采用外延方法，使单晶衬底上生长一层或多层氮化镓薄膜而制成的产品。近年来，在国家政策支持下，我国氮化镓外延片行业规模不断扩大。
2023-02-06 17:14:353012 氮化镓外延片是一种由氮化镓制成的薄片，它可以用于制造电子元件、电子器件和电子零件。氮化镓外延片具有良好的热稳定性和电磁屏蔽性，可以用于制造高精度的零件和组件，如电路板、电子控制器、电子模块、电子接口、电子连接器等。
2023-02-14 14:05:413722 氮化镓外延片工艺是一种用于制备氮化镓外延片的工艺，主要包括表面清洗、氮化处理、清洗处理、干燥处理和检测处理等步骤。
2023-02-20 15:50:3210569 日前，Power Integrations（PI）举办新品媒体线上沟通会，公司资深技术培训经理Jason Yan介绍了在美国APEC展（国际电力电子应用展）上发布的一款重要新品——900V氮化
2023-03-24 10:28:28609 电子发烧友网站提供《SLW9N90CZ美浦森高压MOSFET 900V 9A.pdf》资料免费下载
2022-04-29 13:48:28
0 电子发烧友网站提供《SLW9N90C美浦森高压MOSFET 900V 9A .pdf》资料免费下载
2022-04-29 13:53:240 新一代900V高性能电驱平台采用自研面向900V的碳化硅电驱平台，双电机冗余设计保证了在恶劣天气和湿滑路面上的稳定行驶，后永磁同步电机在体积更小的情况下提供更强劲的动力输出。
2023-12-26 10:52:27230 
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