6月7日，国内第三代半导体碳化硅功率器件头部企业——基本半导体在公司成立六周年之际宣布完成C2轮融资，由广汽资本、润峡招赢、蓝海华腾等机构联合投资。本轮融资将用于进一步推动碳化硅功率器件的研发
2022-06-07 18:07:21
2046 
海飞乐技术有限公司是一家以快速恢复二极管（FRD）、快恢复模块、超结MOSFET等新型功率半导体芯片及器件的设计、生产和销售为主营业务的高科技企业。公司快恢复二极管/模块产品广泛应用于变频空调
2019-10-24 14:25:15
碳化硅（SiC）具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点，被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料
2020-09-24 16:22:14
复杂的设计，功率模块的集成能力使其成为首选。但是哪些封装适用于快速开关碳化硅器件？ 当传统硅器件在功率损耗和开关频率方面达到极限时，碳化硅可能是合适的半导体选择。高达 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
位功能，可用于各种开关拓扑控制碳化硅（SiC）或硅MOSFET和IGBT功率晶体管。STGAP2SCM配备一个有源米勒钳位专用引脚，为设计人员防止半桥配置晶体管意外导通提供一个简便的解决方案。在
2018-08-06 14:37:25
PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。 二、碳化硅半导体材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
至半导体内部导致失效。同样的晶片表面钝化层损坏后，杂质可能迁移到晶片内部导致失效。 HTRB试验可以使这些失效加速呈现，排查出异常器件。基本半导体碳化硅二级管的HTRB实验温度为175℃，高于一般
2023-02-28 16:59:26
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
充电器、电机和太阳能逆变器，不仅可以从这些新器件中受益匪浅，不仅在效率上，而且在尺寸上，可实现高功率、高温操作。但是，不仅器件的特性让人对新设计充满好奇，也是意法半导体的战略。碳化硅（SiC）技术是意
2023-02-24 15:03:59
更新换代，SiC并不例外 新一代半导体开关技术出现得越来越快。下一代宽带隙技术仍处于初级阶段，有望进一步改善许多应用领域的效率、尺寸和成本。虽然，随着碳化硅技术的进步，未来还将面临挑战，例如，晶圆
2023-02-27 14:28:47
5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8
2019-05-09 06:21:14
应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员！附件是海飞乐技术碳化硅二极管选型表，欢迎大家选购！碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
。碳化硅压敏电阻的主要特点自我修复。用于空气/油/SF6 环境。可配置为单个或模块化组件。极高的载流量。高浪涌能量等级。100% 活性材料。可重复的非线性特性。耐高压。基本上是无感的。碳化硅圆盘压敏电阻每个
2024-03-08 08:37:49
超过40%，其中以碳化硅材料（SiC）为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体行业协会统计，2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元
2021-01-12 11:48:45
碳化硅的颜色，纯净者无色透明，含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝，浅绿等色，少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射，在紫外光下发黄、橙黄色光，无
2019-07-04 04:20:22
的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷广泛用于各类应用，如汽车制动器和离合器，以及嵌入防弹背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备，如火焰点火器、电阻加热元件以及恶劣环境下的电子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料，为什么应用的领域会受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
非常稳定。SiC存在各种多型体（多晶型体），它们的物理特性值各有不同。4H-SiC最适用于功率元器件。下表为Si和近几年经常听到的半导体材料的比较。3英寸4H-SiC晶圆表中黄色高亮部分是Si与SiC
2018-11-29 14:43:52
01 碳化硅材料特点及优势 碳化硅作为宽禁带半导体的代表性材料之一，其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型碳化硅材料为例，其禁带宽度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带（3.26eV）、高临界场（3×106V/cm）和高导热系数（49W/mK）使功率半导体器件效率更高，运行速度更快
2023-02-28 16:34:16
，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷线路板的功率器件的阻断电压比Si器件高很多。3) 低损耗一般而言，半导体器件的导通损耗与其击穿场强成反比，故在相似的功率等级下，SiC器件的导通损耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
电子、汽车和无线基站项目意法半导体获准使用MACOM的技术制造并提供硅上氮化镓射频率产品预计硅上氮化镓具有突破性的成本结构和功率密度将会实现4G/LTE和大规模MIMO 5G天线中国，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
TGF2023-2-05是离散的5毫米GaN-on-SiC HEMT由DC至18 GHz。在3 GHz的tgf2023-2-05通常提供18 dB的功率增益饱和输出功率43 dBm。功率附加效率为78.3
2018-11-15 11:52:42
科技有限公司TGF2023-2-10对碳化硅器件由DC至14 GHz的离散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益为19.8 dB的饱和输出功率。最大功率附加效率为
2018-06-12 10:22:42
TGF2023-2-10对碳化硅器件由DC至14 GHz的离散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益为19.8 dB的饱和输出功率。功率附加效率为69.5%，这使
2018-11-15 11:59:01
科技有限公司TGF2023-2-20是离散的20毫米的氮化镓上sichemt由DC至14 GHz。在3 GHz的tgf2023-2-20通常提供50.5 dBm的功率增益为19.2 dB的饱和输出功率。最大功率
2018-06-22 11:09:47
TGF2954碳化硅晶体管产品介绍TGF2954报价TGF2954代理TGF2954TGF2954现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司TGF2954是离散的5.04毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:01:58
TGF2955碳化硅晶体管产品介绍TGF2955报价TGF2955代理TGF2955TGF2955现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司TGF2955是离散的7.56毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:06:57
通损耗一直是功率半导体行业的不懈追求。 相较于传统的硅MOSFET和硅IGBT 产品，基于宽禁带碳化硅材料设计的碳化硅 MOSFET 具有耐压高、导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗、减小
2023-02-27 16:14:19
）------------------------------------------------------------------------------------------------会议主题：罗姆 SiC（碳化硅）功率器件的活用直播时间：2018
2018-07-27 17:20:31
项目名称：基于碳化硅功率器件的永磁同步电机先进驱动技术研究试用计划：申请理由：碳化硅作为最典型的宽禁带半导体材料，近年来被越来越广泛地用于高频高温的工作场合。为了提高永磁同步电机伺服控制系统的性能
2020-04-21 16:04:04
生长氮化镓结晶，以研发更高性能的纵型氮化镓FET。制成的晶圆的电阻约为10-4Ωcm²，远低于碳化硅晶圆（10-3Ωcm²左右）、错位密度为104/cm²、氮化镓膜厚超过1毫米。研究人员获得了一块晶圆
2023-02-23 15:46:22
半导体晶圆（晶片）的直径为4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圆盘，在制造过程中可承载非本征半导体。它们是正（P）型半导体或负（N）型半导体的临时形式。硅晶片是非常常见的半导体晶片，因为硅
2021-07-23 08:11:27
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
，航空业最近经历了快速增长，新的航空航天世界在用于电源和电机控制的SiC器件中找到了新的电源管理解决方案。碳化硅有望在航空工业中降低重量和减少燃料消耗和排放，例如，碳化硅 MOSFET在更高工作温度下
2022-06-13 11:27:24
，获得华大半导体有限公司投资，创能动力致力于开发以硅和碳化硅为基材的功率电子器件、功率模块，并商品化提供解决方案。碳化硅使用在氮化镓电源中，可实现相比硅元器件更高的工作温度，实现双倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
的功率半导体器件选型，并给出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解决方案。 02 图腾柱无桥PFC拓扑分析 在正半周期（VAC大于0）的时候，T2为主开关管。 当T2开通时，电感L储能，电流
2023-02-28 16:48:24
技术需求的双重作用，导致了对于可用于构建更高效和更紧凑电源解决方案的半导体产品拥有巨大的需求。这个需求宽带隙（WBG）技术器件应运而生，如碳化硅场效应管（SiC MOSFET） 。它们能够提供设计人
2023-03-14 14:05:02
导 读 追求更低损耗、更高可靠性、更高性价比是碳化硅功率器件行业的共同目标。为不断提升产品核心竞争力，基本半导体成功研发第三代碳化硅肖特基二极管，这是基本半导体系列标准封装碳化硅肖特基二极管
2023-02-28 17:13:35
是基本半导体针对新能源商用车等大型车辆客户对主牵引驱动器功率器件的高功率密度、长器件寿命等需求而专门开发的产品。 该产品采用标准ED3封装，采用双面有压型银烧结连接工艺、高密度铜线键合技术、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
电子系统的效率和功率密度朝着更高的方向前进。碳化硅器件的这些优良特性，需要通过封装与电路系统实现功率和信号的高效、高可靠连接，才能得到完美展现，而现有的传统封装技术应用于碳化硅器件时面临着一些关键挑战
2023-02-22 16:06:08
晶圆由 Wolfspeed 提供，图片由 Wolfspeed 提供另一家电源开关和射频设备领域的领先企业 Wolfspeed 正在莫霍克河谷为基于碳化硅的元件建造一个200毫米的晶圆制造厂。这家
2022-07-07 11:34:54
一体的高科技企业，产品研发骨干来自北京清华大学和韩国延世大学，掌握碳化硅功率器件的核心技术。再加上萨科微总经理宋仕强先生深耕华强北多年，深度了解华强北的商业模式，萨科微slkor的多年积累，为现阶段快速
2023-02-21 09:24:40
系列电源模块，支持多种栅极输出电压，可灵活应用于碳化硅MOSFET驱动。该电源模块尺寸为 19.5 X 9.8 X 12.5 mm， 设计紧凑， 通用性强。原作者：基本半导体
2023-02-27 16:03:36
是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管。功率二极管包括结势垒肖特基（JBS）二极管
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
日前，致力于碳化硅功率器件技术创新的深圳基本半导体有限公司（以下简称基本半导体）成功参展2017国际电力电子元件、可再生能源管理展览会（PCIM Asia）。这是基本半导体首次亮相PCIM Asia
2017-07-06 17:05:302839 碳化硅半导体器件供应商致瞻科技有限公司获得Pre-A轮融资。11月20日，毅达资本在官方微信宣布，已完成对致瞻科技的投资。依托核心团队10余年的碳化硅功率半导体设计和驱动系统研发经验
2020-11-30 10:33:272199 SiC-碳化硅-功率半导体的介绍讲解说明。
2021-04-26 10:11:32
140 碳化硅器件总成本的50%，外延、晶圆和封装测试成本分别为25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性对最终器件的性能有着举足轻重的意义，基本半导体从产业链各环节探究材料特性及缺陷产生的原因，与上下游企业协同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:405266 基本半导体是国内比较早涉及第三代半导体碳化硅功率器件研发的企业，率先推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等器件，为业界熟知，并得到广泛应用。在11月27日举行的2021基本创新日活动
2021-11-29 14:54:087839 
12月30日，基本半导体位于无锡市新吴区的汽车级碳化硅功率模块制造基地正式通线运行，首批碳化硅模块产品成功下线。这是目前国内第一条汽车级碳化硅功率模块专用产线，采用先进碳化硅专用封装工艺技术，打造
2021-12-31 10:55:432796 
相比硅基功率半导体，碳化硅功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在优势，随着特斯拉大规模量产碳化硅逆变器之后，更多的企业也开始落地碳化硅产品。
2022-10-14 17:52:065309 碳化硅器件制造环节与硅基器件的制造工艺流程大体类似，主要包括光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。不少功率器件制造厂商在硅基制造流程基础上进行产线升级便可满足碳化硅器件的制造需求。
2022-10-24 11:12:217272 。 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。碳化硅较宽的禁带宽度保证了其可击穿更高的电场强度，适合制备耐高压、高频的功率器件，是电动汽车、5G 基站、卫星等新兴领域的
2022-11-28 16:51:24498 SiC器件在高于硅的结温下使用，甚至超过 200°C。碳化硅在功率应用中的主要优势是其低漂移区电阻，这是高压功率器件的关键因素。
2022-12-30 13:57:49630 
碳化硅器件总成本的50%，外延、晶圆和封装测试成本分别为25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性对最终器件的性能有着举足轻重的意义，从产业链各环节探究材料特性及缺陷产生的原因，与上下游企业协同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
2023-01-05 11:23:191191 SiC碳化硅功率半导体器件具有耐压高、热稳定好、开关损耗低、功率密度高等特点，被广泛应用在电动汽车、风能发电、光伏发电等新能源领域。 近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前
2023-01-13 11:16:441230 
有哪些？ 1） 第一代半导体材料以传统的硅（Si）和锗（Ge）为代表，是集成电路制造的基 础，广泛应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中，90%以上的半导体产品 是用硅基材料制作的； 2） 第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）和磷化镓
2023-02-03 15:25:163637 
技术方面，意法半导体与Soitec就碳化硅晶圆制造技术合作达成协议。意法半导体希望通过此次合作，使其未来200mm晶圆生产可以采用Soitec的Smart碳化硅技术。
2023-02-06 16:25:17679 SiC碳化硅功率半导体器件具有耐压高、热稳定好、开关损耗低、功率密度高等特点，被广泛应用在电动汽车、风能发
电、光伏发电等新能源领域。
近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移
2023-02-16 15:28:254 碳化硅在半导体芯片中的主要形式为衬底。半导体芯片分为集成电路和分立器件，但不论是集成电路还是分立器件，其基本结构都可划分为“衬底-外延-器件”结构。碳化硅在半导体中存在的主要形式是作为衬底材料。
2023-02-19 10:18:481086 什么是第三代半导体？我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体，这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二极管
2023-02-21 10:16:472090 我们拿慧制敏造碳化硅半导体出品的KNSCHA碳化硅二极管封装接下来我们来看一下碳化硅二极管的贴片封装，常见的有有TO-263和TO-252封装，随着近些年电源对于功率密度要求不断提高，碳化硅功率器件
2023-02-21 13:38:161795 
SiC器件是一种新型的硅基 MOSFET，特别是 SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN结组成。
在众多半导体器件中，碳化硅材料具有低热
2023-03-03 14:18:564075 在半导体材料领域，碳化硅与氮化镓无疑是当前最炙手可热的明星。其中，碳化硅拥有高压、高频和高效率等特性，其耐高频耐高温的性能，是同等硅器件耐压的10倍。
2023-04-06 11:06:53465 按照电学性能的不同，碳化硅材料制成的器件分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅射频器件，两种类型碳化硅器件的终端应用领域不同。导电型碳化硅功率器件是通过在低电阻率的导电型衬底上生长碳化硅外延层后进一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437 意法半导体（ST）宣布与采埃孚科技集团公司(ZF)签署碳化硅器件长期供应协议。从 2025 年起，采埃孚将从意法半导体采购碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51930 碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展起来的第三代半导体材料。作为一种宽禁带半导体材料，碳化硅具有禁带宽
2023-05-10 09:43:241338 
碳化硅功率模组有哪些 碳化硅功率器件系列研报深受众多专业读者喜爱，本期为番外篇，前五期主要介绍了碳化硅功率器件产业链的上中下游，本篇将深入了解碳化硅功率器件的应用市场，以及未来的发展趋势，感谢各位
2023-05-31 09:43:20390 器件用于开关损耗和浪涌电压，可降低开关损耗高达92%。半导体碳化硅功率器件功耗显着降低，设备发热量大大降低，进一步简化了设备的冷却机构，减小了设备的体积，大大降低
2021-12-07 10:36:02546 
碳化硅（SiC）功率器件是一种基于碳化硅材料的半导体器件，具有许多优势和广泛的应用前景。
2023-06-28 09:58:092317 
罗姆收购Solar Frontier碳化硅工厂 计划到2027碳化硅功率半导体业务达139亿 罗姆一直看好碳化硅功率半导体的发展，一直在积极布局碳化硅业务。罗姆计划到2025年拿下碳化硅市场30
2023-07-19 19:37:01724 碳化硅(SiC)作为一个新兴的宽带隙半导体材料，已经吸引了大量的研究关注。其优越的电气性能、高温稳定性和高频响应使其在功率电子器件领域中具有巨大的应用潜力。但要完全发挥SiC功率器件的潜力，封装技术同样至关重要。本文主要探讨碳化硅功率器件封装的三个关键技术。
2023-08-15 09:52:11701 
目前市场上出现的碳化硅半导体包括的类型相对较多，常见的主要有二极管、金属氧化物、半导体场效应、晶体管、晶闸管、结算场、效应晶体管等等这些不同类型的碳化硅器件，单元结构和漂移区参杂以及厚度之间存在较为明显的差异。那么下文主要针对不同类型的碳化硅功率器件的相关内容进行分析。
2023-08-31 14:14:22286 汽车领域中得到了广泛的应用。本文将从AD820ARZ碳化硅功率器件的基本原理、优势及应用等方面进行分析。 一、碳化硅功率器件的基本原理 碳化硅功率器件是由碳化硅材料制成的半导体器件，它的工作原理与传统的硅功率器件基本相同，
2023-09-05 09:04:421880 SiC器件是一种新型的硅基MOSFET，特别是SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN结组成。
在众多的半导体器件中，碳化硅材料具有低热导率、高击穿
2023-09-26 16:42:29342 
碳化硅功率器件是一种利用碳化硅材料制作的功率半导体器件，具有高温、高频、高效等优点，被广泛应用于电力电子、新能源等领域。下面介绍一些碳化硅功率器件的基础知识。
2023-09-28 18:19:571220 碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半导体，用于制造电动汽车、电源、电机控制电路和逆变器等高压应用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 
11月13日， 三菱电机株式会社（TOKYO：6503）宣布，将与Nexperia B.V.建立战略合作伙伴关系，共同开发面向电力电子市场的碳化硅（SiC）功率半导体。三菱电机将利用其宽禁带半导体技术开发和供应SiC MOSFET芯片，Nexperia将用于开发SiC分立器件。
2023-11-14 10:34:33456 目前汽车业仍结构性缺芯，比如，电源类、控制类、通信类、计算类、功率类的芯片均紧缺。像碳化硅芯片项目投资建设期需18-24个月，去年有许多碳化硅项目的投资，要2025年才会释放产能，预计2025年碳化硅功率半导体的紧缺状况才会得到缓解。
2023-11-17 17:12:18664 目前，全球碳化硅产业处于快速发展阶段。据市场研究机构预测，未来几年碳化硅市场将保持高速增长态势。根据公开信息统计，2022年全球碳化硅市场份额约为18亿美元，该数据包括多家上市公司，如意法半导体、英飞凌、Wolfspeed和安森美罗姆等。
2023-12-06 17:17:37603 
随着电力电子技术的不断发展，碳化硅（SiC）功率器件作为一种新型的半导体材料，在电力电子领域的应用越来越广泛。与传统的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐压、高耐流等优点
2023-12-14 09:14:46240 随着科技的快速发展，碳化硅（SiC）功率器件作为一种先进的电力电子设备，已经广泛应用于能源转换、电机控制、电网保护等多个领域。本文将详细介绍碳化硅功率器件的原理、应用、技术挑战以及未来发展趋势。
2023-12-16 10:29:20359 碳化硅功率器件的实用性不及硅基功率器件吗 碳化硅功率器件相较于传统的硅基功率器件具有许多优势，主要体现在以下几个方面：材料特性、功率密度、温度特性和开关速度等。尽管碳化硅功率器件还存在一些挑战
2023-12-21 11:27:09286 随着科技的不断进步，碳化硅（SiC）作为一种新型的半导体材料，在功率器件领域的应用越来越广泛。碳化硅功率器件在未来具有很大的发展潜力，将在多个领域展现出显著的优势。本文将介绍未来碳化硅功率器件的优势
2024-01-06 14:15:03353 碳化硅（SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379
电子发烧友App
工商网监
评论