三、 无源器件的大功率实时测量方法 无源器件的大功率性能可以通过其在大功率条件下S参数的变化量来表征,因此无源器件的大功率实时测量可以采用标量网络分析仪的原理。图2是一个标量网络分析
2023-08-21 09:29:49
983 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/93/E7/wKgZomTivhGAXneXAAAg5MtOfCs695.png)
Teledyne e2v HiRel为其基于GaN Systems技术的650伏行业领先高功率产品系列新增两款耐用型GaN功率HEMT(高电子迁移率晶体管)。 这两款全新大功率HEMT
2021-01-09 11:14:21
2799 基于GaN的功率晶体管和集成电路的早期成功最初源于GaN与硅相比的速度优势。GaN-on-Si晶体管的开关速度比MOSFET快10倍,比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:11
3112 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/EB/BB/o4YBAGB_51uAeHwBAAJE_AYzt6Y288.png)
电子发烧友网报道(文/梁浩斌)在我们谈论第三代半导体的时候,常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管),而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT(高电子
2023-12-27 09:11:36
1220 极大地增加了GaN晶体管栅极的应力。需要注意的一点是,任何FET的栅极上的过应力都会对可靠性产生负面影响。栅极环路电感还会对关断保持能力产生巨大影响。当低管器件的栅极保持在关闭电压时,并且高管器件接通
2018-08-30 15:28:30
材料在制作耐高温的微波大功率器件方面也极具优势。笔者从材料的角度分析了GaN 适用于微波器件制造的原因,介绍了几种GaN 基微波器件最新研究动态,对GaN 调制掺杂场效应晶体管(MODFETs)的工作原理以及特性进行了具体分析,并同其他微波器件进行了比较,展示了其在微波高功率应用方面的巨大潜力。
2019-06-25 07:41:00
GaN技术的出现让业界放弃TWT放大器,转而使用GaN放大器作为许多系统的输出级。这些系统中的驱动放大器仍然主要使用GaAs,这是因为这种技术已经大量部署并且始终在改进。下一步,我们将寻求如何使用电路设计,从这些宽带功率放大器中提取较大功率、带宽和效率。
2019-09-04 08:07:56
功率晶体管(GTR)具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点,阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶体管(GTR)具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点,阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-25 11:27:53
在Tech Web的“基础知识”里新添加了关于“功率元器件”的记述。近年来,使用“功率元器件”或“功率半导体”等说法,以大功率低损耗为目的二极管和晶体管等分立(分立半导体)元器件备受瞩目。这是
2018-11-29 14:39:47
(GaN)场效应晶体管(FET))的功率电平的日益增加,当安装在精心设计的放大器电路中时,它们也将受到连接器等器件甚至印刷电路板(PCB)材料的功率处理能力的限制。了解组成大功率器件或系统的不同部件的限制
2019-06-21 07:43:10
MOSFET又叫功率场效应管或者功率场控晶体管。其特点是驱动功率小,速度高,安全工作区宽。但高压时,导通电阻与电压的平方成正比,因而提高耐压和降低高压阻抗困难。适合低压100V以下,是比较理想的器件
2018-05-08 10:08:40
大功率晶体三极管的检测 利用万用表检测中、小功率三极管的极性、管型及性能的各种方法,对检测大功率三极管来说基本上适用。但是,由于大功率三极管的工作电流比较大,因而其PN结的面积也较大。PN结较大
2012-06-04 10:58:28
功率器件从整体上可以分为不可控器件、半可控器件和全可控器件。
2019-09-17 09:01:55
1200AC:脉冲恒流源50uS~300uSD:Vce测量精度2mVE:Vce测量范围0~8VF:电脑图形显示界面G:被测量器件智能保护二:应用范围A:大功率IGBT(双极型晶体管)B:大功率场效应管
2015-03-11 13:51:32
有做大功率PCB板的朋友吗,电流要200A左右
2016-08-19 10:56:56
与小功率TVS管有何区别等等问题。小编今天带来的是大功率TVS管方方面面知识,一起来看看吧。何为大功率TVS二极管?TVS二极管,是一种新型高效电路保护器件,凭借快速响应时间、大瞬态功率、低漏电
2018-09-27 17:36:26
一、PN结:大功率TVS和小功率TVS两者之间的PN结不一样,大功率TVS二极管有很大的散热片,而小功率TVS二极管没有;二、结电容:大功率TVS的结电容可高达上百pF;小功率TVS的结电容可以做到
2022-05-24 16:18:18
在小型的升降压电路中,BUCK和BOOST电路利用电感实现主拓扑回路的升降压,区别在于电感和开关管的位置不一样,但是请问在大功率例如几十上百KW的DC-DC或者有源整流和同步整流,也是利用大功率电感
2024-01-17 16:26:41
与封装材料。大的耗散功率,大的发热量,高的出光效率给LED封装工艺,封装设备和封装材料提出了新的更高的要求。要想得到大功率LED器件就必须制备合适的大功率LED芯片,国际上通常的制造大功率LED芯片
2013-06-10 23:11:54
全国电子设计比赛要到了,不知道要备些哪些芯片,不管赛题类型。大功率的电子元器件怎么理解?大功率的电子元器件有哪些?
2015-06-03 18:13:47
寻求有做过大功率短波项目的人员,27.12M40.68M等的大功率短波功率能达到二百瓦,主要涉及信号震荡,选频,放大,耦合,控制精度较高,需符合电磁兼容标准要求YY0505有合作意向的联系我***吴先生
2016-07-11 11:38:22
供应晶圆芯片,型号有: 可控硅, 中、大功率晶体管,13000系列晶体管,达林顿晶体管,高频小信号晶体管,开关二极管,肖特基二极管,稳压二极管等。有意都请联系:沈女士***
2020-02-17 16:24:13
的电流、电压和应用进行分类。 下面以“功率元器件”为主题,从众多晶体管中选取功率类元器件展开说明。其中,将以近年来控制大功率的应用中广为采用的MOSFET为主来展开。 先来看一下晶体管的分类与特征
2020-06-09 07:34:33
题,从众多晶体管中选取功率类元器件展开说明。其中,将以近年来控制大功率的应用中广为采用的MOSFET为主来展开。首先是基础性的内容,来看一下晶体管的分类与特征。Si晶体管的分类Si晶体管的分类根据
2018-11-28 14:29:28
控制大功率现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率,使用功率晶体管作为开关有很多优点,主要是;(1)容易关断,所需要的辅助元器件少,(2)开关迅速,能在很高的频率下工作,(3)可得到的器件耐压范围从
2018-10-25 16:01:51
彩色电视机中使用的行输出管属于高反压大功率晶体管,其最高反向电压应大于或等于1200V,耗散功率应大于或等于50W,最大集电极电流应大于或等于3.5A(大屏幕彩色电视机行输出管的耗散功率应大于或等于60W
2012-01-28 11:27:38
效率低下,发热严重。GaN HEMT(氮化镓晶体管)可以替代高压高频电动机应用中的MOSFET和IGBT器件,这类参数比较宽的半导体器件为大功率密度电动机开辟了新的应用领域,它们可以处理更高的电压、电流
2019-07-16 20:43:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 该GaN内部匹配(IM)FET与其他技术相比,具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
脉冲功率。 在没有外部调谐的情况下,所有设备都在宽带RF测试夹具中100%屏蔽了大信号RF参数。硅双极匹配50欧姆210W输出功率经过100%大功率射频测试C级操作IB0607S10功率晶体管
2021-04-01 10:07:29
`IB0912M600是一种高功率脉冲晶体管器件,设计用于在0.960-1.215 GHz瞬时带宽上运行的系统。 当在规定的脉冲条件下且VCC = 50V时以C类模式工作时,该通用基本设备可提供至少
2021-04-01 09:41:49
`IB0912M600是一种高功率脉冲晶体管器件,设计用于在0.960-1.215 GHz瞬时带宽上运行的系统。 当在规定的脉冲条件下且VCC = 50V时以C类模式工作时,该通用基本设备可提供至少
2021-04-01 10:29:42
`IB1011M800是高功率脉冲航空电子晶体管,专为工作在1.03-1.09 GHz的L波段航空电子系统而设计。 当在VCC = 50V的模式S脉冲突发条件下以C类模式运行时,此通用基本设备可提供
2021-04-01 10:11:46
`IB2729M170是专为S波段ATC雷达系统设计的大功率脉冲晶体管,该系统工作在2.7-2.9 GHz的瞬时带宽上。 在C类模式下工作时,该通用基础设备在100µs脉冲宽度和10%占空比的条件下
2021-04-01 09:48:36
`IDM165L650是一种高功率脉冲晶体管,专为工作于0.125-0.167 GHz的Sub-1 GHz系统而设计。 该双MOSFET器件以1ms的脉冲宽度和20%的占空比工作,在瞬时工作带宽上以
2021-04-01 10:03:31
,维修费用高,器件参数把控难,供货时间长等因素都应该在产品化时慎重考虑。尽管普通晶闸管存在关断困难的缺点,如果能够加以解决,仍然是近期大功率斩波应用的主导方向,理由是普通晶闸管的其它优点是晶体管无法替代的。
2018-10-17 10:05:39
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶体管,旨在满足P波段雷达系统的独特需求。它在整个420-450 MHz频率范围内运行。 在100毫秒以下,10%占空比脉冲条件
2021-04-01 10:35:32
,装在基于金属的封装中,并用陶瓷环氧树脂盖密封。GaN on SiC HEMT技术40W输出功率AB类操作预先匹配的内部阻抗经过100%大功率射频测试负栅极电压/偏置排序IGN2731M5功率晶体管
2021-04-01 09:57:55
`MACOM以分立器件、模块和单元的形式提供广泛的射频功率半导体产品,支持频率从DC到6GHz。高功率晶体管完美匹配民用航空、通讯、网络、雷达、广播、工业、科研和医疗领域。MACOM的产品线借助于
2017-08-14 14:41:32
`产品型号:NPTB00025B产品名称: 射频功率晶体管NPTB00025B 产品特性针对DC-4000MHz的宽带运行进行了优化散热增强的行业标准包装100%射频测试具有高达32V的工作电压
2019-11-01 10:46:19
为满足晶体管用户的需求,有源器件的功率密度持续增长。商用无线通讯、航空电子、广播、工业以及医疗系统应用推动固态功率封装随着更小输出级器件输出更高输出功率的要求而发展。对飞思卡尔半导体公司而言,为这些
2019-07-05 06:56:41
为满足晶体管用户的需求,有源器件的功率密度持续增长。商用无线通讯、航空电子、广播、工业以及医疗系统应用推动固态功率封装随着更小输出级器件输出更高输出功率的要求而发展。对飞思卡尔半导体公司而言,为这些
2019-07-09 08:17:05
能够在高输出功率电平下承受严苛的负载失配状况而不降低性能或造成器件故障。当晶体管工作在负载失配状态下时,它的输出功率有很大一部分会被反射进器件,此时功率必须在晶体管中耗散掉。但在比较不同耐用性的晶体管时,重要的是检查不同器件制造商达到其耐用性结果的条件,因为不同制造商的测试条件可能有很大变化。
2019-06-26 07:11:37
在Tech Web的“基础知识”里新添加了关于“功率元器件”的记述。近年来,使用“功率元器件”或“功率半导体”等说法,以大功率低损耗为目的二极管和晶体管等分立(分立半导体)元器件备受瞩目。这是
2018-11-28 14:34:33
工作等SiC的特征所带来的优势。通过与Si的比较来进行介绍。”低阻值”可以单纯解释为减少损耗,但阻值相同的话就可以缩小元件(芯片)的面积。应对大功率时,有时会使用将多个晶体管和二极管一体化的功率模块
2018-11-29 14:35:23
及不可控型;或按驱动电路信号性质分为电压驱动型、电流驱动型等划分类别。常用到的功率半导体器件有Power Diode(功率二极管)、SCR(晶闸管)、GTO(门极可关断晶闸管)、GTR(大功率电力
2019-02-26 17:04:37
中国功率器件市场发展现状:功率器件包括功率 IC 和功率分立器件,功率分立器件则主要包括功率MOSFET、大功率晶体管和IGBT 等半导体器件,功率器件几乎用于所有的电子制造业,所应用的产品包括
2009-09-23 19:36:41
,GaN完胜。块体GaN电子迁移率是硅的两倍多,而二维电子气形态的GaN电子迁移率则是硅的四倍。正如GaN具有高临界击穿电场和高热导率,GaN也具有远高于硅的载流子饱和速度。 透明晶体管的障碍
2020-11-27 16:30:52
大于5W的晶体管称为大功率晶体管。4.4 特性频率(fT)当晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时,电流放大因子β会随着频率的增加而降低。特征频率是晶体管β值降低到1的频率。特征频率小于或等于
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 08:14:59
元件来适应略微增加的开关频率,但由于无功能量循环而增加传导损耗[2]。因此,开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
的微小变化非常敏感。由于这个原因,达林顿通常用于触摸和光传感器。光电达林顿专为光敏电路而设计。 输出侧通常是高功率、低增益的。使用非常高功率的晶体管,它可以控制电机,电源逆变器和其他大电流设备。中等功率
2023-02-16 18:19:11
的瞬变电压,以及感应雷所产生的过电压。 TVS管根据环境需要,大功率TVS管和小功率TVS管应该区分使用,那么他们有哪些区别? 1、结电容:小功率TVS管结电容可做到0.3pF以下;大功率TVS管
2019-01-07 14:51:11
MOS场效应晶体管。所选场效应晶体管的主要参数应符合应用电路的具体要求。小功率场效应晶体管应注意输入阻抗、低频跨导、夹断电压(或开启电压)、击穿电压待参数。大功率场效应晶体管应注意击穿电压、耗散功率
2021-05-13 07:10:20
在过去的十多年里,行业专家和分析人士一直在预测,基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比,基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力
2019-06-21 08:27:30
情况下,在HF~VHF频段设计的宽带射频功放,采用场效应管(FET)设计要比使用常规功率晶体管设计方便简单,正是基于场效应管输入阻抗比较高,且输入阻抗相对频率的变化不会有太大的偏差,易于阻抗匹配
2019-06-19 06:30:29
什么是微波功率晶体管?如何提高微波功率晶体管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 06:13:27
大功率TVS管和小功率TVS管是有应用区别是什么?小封装大功率SMB30J系列TVS的应用是什么?
2022-01-14 07:09:46
能,尤其适用于高压大功率电力电子装置.目前通用电路仿真软件中还没有专门的IGCT仿真模型,不能满足可靠的仿真性能的要求.基于电力电子器件的物理现象,建立IGCT模型的方法有:功能模型法、电学模型法、集
2010-04-24 09:07:39
效率和功率密度。GaN功率晶体管作为一种成熟的晶体管技术在市场上确立了自己的地位,但在软开关应用中通常不被考虑使用。虽然在硬开关应用中使用GaN可以显著提高效率,但软开关转换器(如LLC)对效率和频率
2023-02-27 09:37:29
650V的MOSFET。根据应用程序的要求,开发人员可以针对最高效率,最大功率密度或两者之间的折衷。 由于其“0反向恢复”行为,GaN晶体管使得一些拓扑实际上可用,例如图腾柱PFC,其需要比传统
2023-02-27 15:53:50
(MicrosemiCorporation)扩展其基于碳化硅衬底氮化镓(GaNonSiC)技术的射频(RF)晶体管系列,推出新型S波段500WRF器件2729GN-500,新器件瞄准大功率空中交通控制机场监视雷达(ASR
2012-12-06 17:09:16
针对可靠的高功率和高频率电子设备,制造商正在研究氮化镓(GaN)来制造具有高开关频率的场效应晶体管(FET)由于硅正在接近其理论极限,制造商现在正在研究使用宽带隙(WBG)材料来制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
半导体(LDMOS)晶体管和氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET))的功率电平的日益增加,当安装在精心设计的放大器电路中时,它们也将受到连接器等元件甚至印刷电路板(PCB)材料的功率处理能力的限制。了解组成大功率元件或系统的不同部件的限制有助于回答这个长久以来的问题。
2019-06-21 08:03:27
,在这种情况下采用基于氮化镓(GaN)晶体管的解决方案意义重大。与传统硅器件相类似,GaN晶体管单位裸片面积同样受实际生产工艺限制,单个器件的电流处理能力存在上限。为了增大输出功率,并联配置晶体管已成为
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保护,直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压(600V)氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
的瞬变电压,以及感应雷所产生的过电压。 TVS二极管根据环境需要,大功率TVS管和小功率TVS管可以这样区分选择: 1、结电容:小功率TVS管结电容可做到0.3pF以下;大功率TVS管寄结电容高达上百
2020-08-14 16:55:28
大功率容量等特点,成为发较快的宽禁带器件。GaN功率管因其高击穿电压、高线性性能、高效率等优势,已经在无线通信基站、广播电视、电台、干扰机、大功率雷达、电子对抗、卫星通信等领域有着广泛的应用和良好
2017-06-16 10:37:22
导读:近日,英飞凌宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管。该晶体管具备业界最高的L波段输出功率(700瓦),适用于工作频率范围为1200 MHz~1400 MHz的雷达系统。这种新型器件可通过减少
2018-11-29 11:38:26
大功率的电子元器件怎么理解?大功率的电子元器件有哪些?
2019-02-15 06:36:33
在风力发电储能的场合中,大功率DC-DC的拓扑图是怎么样的,主要功率器件是用的什么?
2024-01-23 10:16:57
高频中、大功率晶体管一般用于视频放大电路、前置放大电路、互补驱动电路、高压开关电路及行推动等电路。常用的国产高频中、大功率晶体管有3DG41A~3DG41G、3DG83A~3DG83E、3DA87A
2013-08-17 14:26:19
功率器件包括功率 IC 和功率分立器件,功率分立器件则主要包括功率MOSFET、大功率晶体管和IGBT 等半导体器件,功率器件几乎用于所有的电子制造业,所应用的产品包括计算机领
2009-04-27 17:04:38
24 大功率开关晶体管的重要任务
现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率,使用功率晶体管作为开关有很多优点,主要是;
(1)容易关断,所需要的辅
2010-02-06 10:23:49
43 大功率器件的关键是准直器,而准直器的关键是功率场的分布,而光功率场的分布取决于加热源温度场的分布,本文提出的加热源可以提高光功率分布性能,从而廉价获得高性
2010-11-23 16:04:22
0
大功率晶体管驱动电路的设计及其应用
摘要:介绍了大功率晶体管(GTR)基极驱动电路的设计,分析了基极驱动电路的要求
2009-07-09 10:36:40
3188 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A5/1E/wKgZomUMNwGAJTurAAC_iljPaQ0406.gif)
大功率开关—晶体管的重要任务
(一)控制大功率
现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率,使用功率晶体管作为开关有很多优点,主要是;
(1)容易关断,
2009-07-29 16:09:52
1762 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A5/33/wKgZomUMN2CAUGNwAACfrlLoQAk961.gif)
大功率晶体管的修理
2009-08-22 16:08:06
349 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A5/3B/wKgZomUMN4GAeFfVAAJQ_uaHqQk490.jpg)
TIP41C低频大功率平面晶体管芯片设计
0 引言
TIP41C是一种中压低频大功率线性开关晶体管。该器件设计的重点是它的极限参数。设计反压较高的大功率晶体管
2009-12-24 17:04:56
10381 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A5/69/wKgZomUMOFKAMmluAABPpnnVa84306.jpg)
晶体管,大功率,晶体管参数NPN型、大功率开关管、音频功放开关、达林顿、音频功放开关。
2015-11-09 16:22:15
0 本报告将介绍一些最新的耐用型大功率LDMOS晶体管以及它们的电气特性,并通过比较测试过程来判断它们的耐用水平。
2017-09-15 16:10:15
15 IGBT器件的大功率DCDC电源并联技术(通信电源技术2019第七期)-该文档为基于IGBT器件的大功率DCDC电源并联技术总结文档,是一份不错的参考资料,感兴趣的可以下载看看
2021-09-22 12:39:19
50 在知道大功率器件之前,我们要先知道功率器件是什么意思,功率器件是电子元件和电子器件的总称,是电子装置中,电能转换与电路控制的核心,它利用半导体单向导电的特性改变电子装置中电压、频率、相位和直流交流转换等的功能。
2022-06-10 14:21:25
2554 GaN功率晶体管:器件、技术和可靠性详解
2022-12-21 16:07:11
426 100 V、3 A PNP 大功率双极晶体管-MJD32C
2023-02-20 19:35:38
1 大功率晶体管是指在高电压、大电流的条件下工作的晶体管。一般被称为功率器件,属于电力电子技术(功率电子技术)领域研究范畴。其实质就是要有效地控制功率电子器件合理工作,通过功率电子器件为负载提供大功率的输出。
2023-03-01 09:39:24
1038 大功率晶体管的放大倍数取决于其特定的设计和工作条件,因此不能一概而论。晶体管的放大倍数(即电流增益)通常定义为晶体管输出电流与输入电流之比,用β表示。β的大小受到晶体管的结构、工作电流、温度等因素
2023-03-01 14:06:59
2056 如何利用表面贴装功率器件提高大功率电动汽车电池的充电能力
2023-11-23 09:04:48
148 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B1/CB/wKgZomVdacqANx5lAACVz-g_OVs125.png)
晶体管)结构。GaN HEMT由以下主要部分组成: 衬底:氮化镓功率器件的衬底采用高热导率的材料,如氮化硅(Si3N4),以提高器件的热扩散率和散热能力。 二维电子气层:氮化镓衬底上生长一层氮化镓,形成二维电子气层。GaN材料的禁带宽度大,由于
2024-01-09 18:06:41
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