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编辑：黄飞
SiC道变器技术特性及系统优势
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2015-06-12 09:51:23
4738
4738浅谈SiC道变器技术特性及系统优势
相比IGBT芯片面积减少了50% ,取消了IGBT使用的反并联二极管。
逆变器效率主要与功率器件的导通损耗和开关损耗相关,而SiC逆
变器在这两点均具有一定优势。
2023-01-09 10:36:55178
17824Ghz微波-汽车盲区监测/变道辅助系统的滤波放大电路图
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2014-09-22 14:21:59
600V碳化硅二极管SIC SBD选型
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2019-10-24 14:25:15
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2019-03-14 06:20:14
SiC SBD的正向特性
二极管（FRD:快速恢复二极管），能够明显减少恢复损耗。有利于电源的高效率化，并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化，而且可以降噪。 广泛应用于空调、电源、光伏发电系统中的功率调节器、电动汽车
2019-04-22 06:20:22
SiC-MOSFET体二极管特性
二极管的比较所谓SiC-SBD－与Si-PND的反向恢复特性比较所谓SiC-SBD－与Si-PND的正向电压比较所谓SiC-SBD－SiC-SBD的发展历程所谓SiC-SBD－使用SiC-SBD的优势所谓
2018-11-27 16:40:24
SiC-MOSFET功率晶体管的结构与特征比较
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SiC-MOSFET器件结构和特征
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。 与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片
2023-02-07 16:40:49
SiC-MOSFET有什么优点
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体
2019-04-09 04:58:00
SiC-MOSFET的应用实例
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2018-11-27 16:38:39
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2018-11-29 14:34:32
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SiC-SBD大幅降低开关损耗
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2019-03-27 06:20:11
SiC-SBD的发展历程
。希望下面给出的产品阵容能够成为大家进行个别规格确认等的参考。各技术规格详情可点击这里。第2代 SiC-SBD第3代 SiC-SBD关键要点:・ROHMSiC-SBD已经发展到第3代。・第3代产品的抗浪涌电流特性与漏电流特性得到改善，并进一步降低了第2代达成的低VF。＜ 相关产品信息 ＞SiC-SBD
2018-11-30 11:51:17
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