65W氮化镓电源原理图
2022-10-04 22:09:30
升级到半桥GaN功率半导体
2023-06-21 11:47:21
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
高效能、高电压的射频基础设施。几年后，即2008年，氮化镓金属氧化物半导场效晶体（MOSFET）（在硅衬底上形成）得到推广，但由于电路复杂和缺乏高频生态系统组件，使用率较低。
2023-06-15 15:50:54
桥式拓扑结构中放大了氮化镓的频率、密度和效率优势，如主动有源钳位反激式（ACF）、图腾柱PFC 和 LLC（CrCM 工作模式）。随着硬开关拓扑结构向软开关拓扑结构的转变，初级 FET 的一般损耗方程可以被最小化。更新后的简单方程使效率在 10 倍的高频率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
。
与硅芯片相比：
1、氮化镓芯片的功率损耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸为硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解决方案更便宜
然而，虽然 GaN 似乎是一个更好的选择，但它
2023-08-21 17:06:18
；这也说明市场对于充电器功率的市场需求及用户使用的范围；随着小米65W的充电器的发布，快速的走进氮化镓快充充电器时代。目前市面上已经量产商用的氮化镓方案主要来自PI和纳微半导体两家供应商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
的挑战丝毫没有减弱。氮化镓（GaN）等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年，电力电子领域将管理大约80％的能源，而2005年这一比例仅为30％1。这相当于30亿千瓦时以上
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空间，所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年，电力电子领域将管理大约80%的能源，而2005年这一比例仅为30
2018-11-20 10:56:25
在所有电力电子应用中，功率密度是关键指标之一，这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限，设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓（GaN）来提供方案。
2020-10-28 06:01:23
/ 45W+18W / 18W）最大输出功率，100-200V 50/60Hz 电网下可提供 50W（45W+5W / 45W / 18W）最大输出功率。 充电器采用第三代氮化镓芯片制作，集功率器件、驱动、保护
2022-06-14 11:11:16
现在越来越多充电器开始换成氮化镓充电器了，氮化镓充电器看起来很小，但是功率一般很大，可以给手机平板，甚至笔记本电脑充电。那么氮化镓到底是什么，氮化镓充电器有哪些优点，下文简单做个分析。一、氮化镓
2021-09-14 08:35:58
满足军方对小型高功率射频器件的需求，WBST 计划在一定程度上依托早期氮化镓在蓝光 LED 照明应用中的成功经验。为了快速跟踪氮化镓在军事系统中的应用，WBST 计划特准计划参与方深耕 MMIC 制造
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
从将PC适配器的尺寸减半，到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换，德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V，提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。
2019-08-01 07:38:40
的数十亿次的查询，便可以获得数十亿千瓦时的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空间，所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓（GaN）等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年
2019-03-14 06:45:11
激光器是20世纪四大发明之一，半导体激光器是采用半导体芯片加工工艺制备的激光器，具有体积小、成本低、寿命长等优势，是应用最多的激光器类别。氮化镓激光器（LD）是重要的光电子器件，基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。 与LDMOS相比，硅基氮化镓的性能优势已牢固确立——它可提供超过70%的功率效率，将每单位面积的功率提高4到6倍，并且可扩展至高频率。同时，综合测试
2018-08-17 09:49:42
GaN如何实现快速开关？氮化镓能否实现高能效、高频电源的设计？
2021-06-17 10:56:45
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
AN011: NV612x GaNFast功率集成电路(氮化镓)的热管理
2023-06-19 10:05:37
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化镓（GaN）高电子迁移率基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
，只应用在高端充电器上。一些小功率的，高性价比的充电器无法享受到氮化镓性能提升所带来的红利。目前，国内已经有多家厂商推出了用于33-100W大功率充电器的合封芯片，通过将氮化镓开关管，控制器以及驱动器
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
纳维半导体•氮化镓功率集成电路的性能影响•氮化镓电源集成电路的可靠性影响•应用示例：高密度手机充电器•应用实例：高性能电机驱动器•应用示例；高功率开关电源•结论
2023-06-16 10:09:51
应用。加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了关于用于GaN功率晶体管的智能栅极驱动器IC的精彩报告，并提出了一种适用于氮化镓功率晶体管的智能栅极驱动集成电路，该集成电路带有电流传感特性、可调节输出电阻、可调
2018-11-05 09:51:35
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器
2019-05-14 09:23:01
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 编辑
整合意法半导体的制造规模、供货安全保障和电涌耐受能力与MACOM的硅上氮化镓射频功率技术，瞄准主流消费
2018-02-12 15:11:38
应用。MACOM的氮化镓可用于替代磁控管的产品，这颗功率为300瓦的硅基氮化镓器件被用来作为微波炉里磁控管的替代。用氮化镓器件来替代磁控管带来好处很多：半导体器件可靠性更高，氮化镓器件比磁控管驱动电压
2017-09-04 15:02:41
多个方面都无法满足要求。在基站端，由于对高功率的需求，氮化镓（GaN）因其在耐高温、优异的高频性能以及低导通损耗、高电流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
测试背景地点：国外某知名品牌半导体企业，深圳氮化镓实验室测试对象：氮化镓半桥快充测试原因：因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管，需要对半桥上管控制信号的具体参数进行摸底测试测试探头：麦科信OIP
2023-01-12 09:54:23
`明佳达优势供应NV6115氮化镓MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器丝印1342AMDCD。产品信息1、NV6115氮化镓MOS丝印：NV6115芯片介绍：NV6115氮化镓MOS，是针对
2021-01-08 17:02:10
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:24:16
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：氮化镓发展技术编号：JFSJ-21-041作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
；此外对电动汽车尤为重要的是，整个系统规模、重量及降低成本。氮化镓还使工程师能够利用这些属性的系统拓扑：无桥图腾柱功率因数校正（PFC）。随着图腾柱PFC系统功率需求的增加，氮化镓的益处也随之增加。图1
2018-07-19 16:30:38
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
，在半桥拓扑结构中结合了频率、密度和效率优势。如有源钳位反激式、图腾柱PFC和LLC。随着从硬开关拓扑结构到软开关拓扑结构的改变，初级FET的一般损耗方程可以最小化，从而提升至10倍的高频率。
氮化镓功率芯片前所未有的性能表现，将成为第二次电力电子学革命的催化剂。
2023-06-15 15:53:16
2寸的芯片，现在已经能制造4寸了。业内普遍认为，要大规模生产功率半导体，至少需要6英寸以上的芯片，因此目前还不能大规模生产。此外，上述用于小型 AC转换器的氮化镓功率半导体使用以下的晶片，其最大尺寸为
2023-02-23 15:46:22
6×8mm QFN 封装中，用于交流电或400V 直流电的输入应用。
无论是“全桥”还是“半桥”电路设计，纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片都能够支持。GaNFast 氮化镓功率芯片具备适用性极强
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证，特推出“氮化镓系列”，告诉大家什么是氮化镓（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
，其中第一梯队有纳微、EPC等代表企业。[color=rgb(51, 51, 51) !important]然而，现在还有什么是阻碍氮化镓器件发展的不利因素呢？[color=rgb(51, 51, 51
2019-07-08 04:20:32
系统能做得越小巧，则电动车的电池续航力越高。这是电动车厂商之所以对碳化硅解决方案趋之若鹜的主要原因。相较于碳化硅在大功率电力电子设备上攻城略地，氮化镓组件则是在小型化电源应用产品领域逐渐扩散，与碳化硅
2021-09-23 15:02:11
明佳达电子优势供应氮化镓功率芯片NV6127+晶体管AON6268丝印6268，只做原装，价格优势，实单欢迎洽谈。产品信息型号1：NV6127丝印：NV6127属性：氮化镓功率芯片封装：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
（GaN）原厂来说尤为常见，其根本原因是氮化镓芯片的优异开关性能所引起的测试难题，下游的氮化镓应用工程师往往束手无策。某知名氮化镓品牌的下游客户，用氮化镓半桥方案作为3C消费类产品的电源，因电源稳定性
2023-02-01 14:52:03
高频150W PFC-LLC与GaN功率ic(氮化镓)
2023-06-19 08:36:25
的测试，让功率半导体设备更快上市并尽量减少设备现场出现的故障。为帮助设计工程师厘清设计过程中的诸多细节问题，泰克与电源行业专家携手推出“氮化镓电源设计从入门到精通“8节系列直播课，氮化镓电源设计从入门到
2020-11-18 06:30:50
如何带工程师完整地设计一个高效氮化镓电源，包括元器件选型、电路设计和PCB布线、电路测试和优化技巧、磁性元器件的设计和优化、环路分析和优化、能效分析和优化、EMC优化和整改技巧、可靠性评估和分析。
2021-06-17 06:06:23
如何实现小米氮化镓充电器是一个c to c 的一个充电器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但这个口不可以充电，它是用来转VGA,HDMI,DP之类了，可以外接显示器，拓展坞之类的。要用氮化镓
2021-09-14 06:06:21
导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当
2022-11-16 06:23:29
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品？
2021-06-15 06:30:55
的性能已接近理论极限[1-2]，而且市场对更高功率密度的需求日益增加。氮化镓(GaN)晶体管和IC具有优越特性，可以满足这些需求。
氮化镓器件具备卓越的开关性能，有助消除死区时间且增加PWM频率，从而
2023-06-25 13:58:54
已经在电池上采用多极耳，多条连接线来降低大电流的发热。氮化镓的低阻抗优势，可以有效的降低快充发热。应用在手机电池保护板上，可以支持更高的快充功率，延长快充持续时间，获得更好的快充体验。同时氮化镓属于宽禁
2023-02-21 16:13:41
量产上市的氮化镓充电器。无论是在包装上还是产品本身设计上，都是十足的“ANKER”风格很有辨识感，第一眼看见就知道是ANKER产品。充电器的外形体积整体圆润十分小巧，手感也十分不错。2、ANKER
2021-04-16 09:33:21
PCB布局设计的最佳工程实践。介绍了以下四种电路配置的布局指南： 用于单GaN E-HEMT的隔离式栅极驱动器电路 用于并联氮化镓E-HEMT的隔离式栅极驱动器电路 半桥自举栅极驱动器电路
2023-02-21 16:30:09
前言
橙果电子是一家专业的电源适配器，快充电源和氮化镓充电器的制造商，公司具有标准无尘生产车间，为客户进行一站式服务。充电头网拿到了橙果电子推出的一款2C1A氮化镓充电器，总输出功率为65W，单口
2023-06-16 14:05:50
对MOS管的驱动电路形式，常用推挽式电路，增强驱动能力而功率放大的电路形式，常使用全桥或者半桥的电路形式，放大功率同样是要接外接供电电源，为什么驱动用推挽，功放用全桥半桥？如果交换电路形式呢？谢谢
2020-07-15 01:34:51
对MOS管的驱动电路形式，常用推挽式电路，增强驱动能力而功率放大的电路形式，常使用全桥或者半桥的电路形式，放大功率同样是要接外接供电电源，为什么驱动用推挽，功放用全桥半桥？如果交换电路形式呢？谢谢
2017-02-16 14:02:13
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2022-11-10 06:36:09
纳芯微全新推出120V半桥驱动NSD1224系列产品，该系列产品具备3A/-4A的峰值驱动电流能力，集成 高压自举二极管 ，提供使能、互锁、欠压保护不同版本，有SOP8、HSOP8、DFN10
2023-06-27 15:14:07
目前使用的无线充电方案是半桥+谐振电路，搭半桥的MOS芯片通过板子散热最终可以达到50℃，天线可以到45℃，发射理论功率1W，有没有什么可以降低发热的办法==
2023-06-14 10:20:43
+LDO，可有效改善无线充电普遍存在的发热高、效率低、外围电路复杂等问题。这种方案除了少数电阻电容以外，只有两个主要元器件：主控和高集成度的全桥/半桥芯片，其中SN-D06集成了全桥驱动芯片、功率
2018-12-07 15:30:46
，氮化镓器件可以在同一衬底上集成多个器件，使得单片式电源系统可以更直接、更高效和更具成本效益地在单芯片上进行设计。集成功率级诸如EPC23102为设计人员提供了一个比基于分立器件方案的体积小35
2023-06-25 14:17:47
请问半桥上管氮化镓这样的开尔文连接正确吗？
2024-01-11 07:23:47
用于AC/DC变换器应用的新型650V GaNFast半桥IC(氮化镓)
2023-06-19 07:57:31
日前，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，与同行一道分享了硅衬底
2014-01-24 16:08:55
AN - 2000-055564 [05]11 48/66 - (C) WPI / DERWENT AN - 1999-363504 [31]【申请号】 02802023 【发明名称】 获得整体单晶性含镓氮化物的方法及装置【申请号】 200410002946 【 发明名称】 制造第三族氮化物衬底的方法
2009-10-19 14:57:15
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程吗？然后提取参数想基于candence model editor进行氮化镓器件的建模，有可能实现吗？求教ICCAP软件呢？
2019-11-29 16:04:02
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产，则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
解决方案，累计近100家客户选用了茂睿芯的氮化镓解决方案。致力于为客户提供最优解，进一步提高PD快充的功率密度，提高GaN系统可靠性，茂睿芯重磅推出33W集成氮化镓PD方案MK2787/MK2788，集成
2021-11-12 11:53:21
进的氮化镓值。 2015年，在测量功率开关的Ec时，我们还推测，同样地在更小的器件中允许更高的电场，氧化镓可能会在射频电路中取得类似成功。不过那时我们缺少一个关键信息，即还没有关于材料中的电子速度与电场
2023-02-27 15:46:36
采用ADMU4121来驱动氮化镓半桥电路，采样的全隔离的驱动方案，但是现在上管的驱动电压随输入电压的升高而升高，不知道为啥？是因为驱动芯片的原因吗？上管是将5V的输入电压由B0515隔离芯片转化
2024-01-11 06:43:50
位于加拿大渥太华的第三代半导体无晶圆设计公司，主营业务是开发基于 氮化镓的功率芯片和功率转换解决方案。公司现拥有200多名员工，这就意味着按照员工数量的收购价格约为4百万美元每位员工。恭喜GaN
2023-03-03 16:48:40
集成半桥驱动MOS管功率芯片SN-D05
2018-12-01 17:05:53
电压，可直接用于驱动氮化镓功率管；芯片工作于带谷底锁定功能的谷底开启模式，同时集成频率抖动功能以优化 EMI 性能；当负载降低时，芯片从 PFM 模式切换至 BURST 模式工作以优化轻载效率，空载待机
2023-03-28 10:24:46
的应用。“氮化镓就像一个超级增压引擎，”我们的高压新技术开发组总监Steve Tom说，“它使得系统运行更快，动力更加强劲，并且能够处理更高的功率。它周围的驱动器、封装和其它组件能够真正地提高任何系统的性能
2022-11-16 07:42:26
的应用。“氮化镓就像一个超级增压引擎，”我们的高压新技术开发组总监Steve Tom说，“它使得系统运行更快，动力更加强劲，并且能够处理更高的功率。它周围的驱动器、封装和其它组件能够真正地提高任何系统的性能
2018-08-30 15:05:50
产品概述： DK8715AD 是一颗基于不对称半桥架构，集成了两颗氮化镓功率器件的 AC-DC 功率开关芯片。 DK8715AD 利用漏感能量，可以实现原边功率管 ZVS，副边整流管
2023-09-21 09:58:21
产品概述： DK87XXAD 是一颗基于不对称半桥架构，集成了两颗氮化镓功率器件的 AC-DC 功率开关芯片。 DK87XXAD 能够在较大的负载范围内实现原边功率管 ZVS，副边整流管 ZCS
2024-01-26 16:19:08
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