基本半导体1200V 碳化硅MOSFET采用平面栅碳化硅工艺，结合元胞镇流电阻设计，开发出了短路耐受时间长，导通电阻小，阈值电压稳定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:03
9313 
极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料，SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点，SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅（SiC）具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点，被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料
2020-09-24 16:22:14
技术需求的双重作用，导致了对于可用于构建更高效和更紧凑电源解决方案的半导体产品拥有巨大的需求。这个需求宽带隙（WBG）技术器件应运而生，如碳化硅场效应管（SiC MOSFET） 。它们能够提供设计人
2023-03-14 14:05:02
一样，可以制成结型器件、场效应器件、和金属与半导体接触的肖特基二极管。 其优点是： (1)碳化硅单载流子器件漂移区薄，开态电阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的导通电阻，碳化硅功率器件
2019-01-11 13:42:03
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
充电器、电机和太阳能逆变器，不仅可以从这些新器件中受益匪浅，不仅在效率上，而且在尺寸上，可实现高功率、高温操作。但是，不仅器件的特性让人对新设计充满好奇，也是意法半导体的战略。碳化硅（SiC）技术是意
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44:07
领域的创新步伐不断加快，工程师们越来越多地在寻找新的解决方案，并对技术提出更多的要求，以满足消费者和行业的需求。碳化硅半导体是满足这些需求的优选答案，其本身也在不断改进，以期提供与旧技术相比更具成本
2023-02-27 14:28:47
应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员！附件是海飞乐技术碳化硅二极管选型表，欢迎大家选购！碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
，封装也是影响产品可靠性的重要因素。基本半导体碳化硅分立器件采用AEC-Q101标准进行测试。目前碳化硅二级管产品已通过AEC-Q101测试，工业级1200V碳化硅MOSFET也在进行AEC-Q101
2023-02-28 16:59:26
的碳化硅压敏电阻由约90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合剂和添加剂制成。将原材料制成各种几何尺寸的压敏电阻，然后在特定的大气和环境条件下在高温下烧结。然后将一层黄铜作为电触点喷上火焰。其他标准
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
超过40%，其中以碳化硅材料（SiC）为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体行业协会统计，2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元
2021-01-12 11:48:45
大量采用持续稳定的线路板；在引擎室中，由于高温环境和LED 灯源的散热要求，现有的以树脂、金属为基材的电路板不符合使用要求，需要散热性能更好碳化硅电路板，例如斯利通碳化硅基板；在高频传输与无线雷达侦测
2020-12-16 11:31:13
。强氧化气体在1000℃以上与SiC反应，并分解SiC.水蒸气能促使碳化硅氧化在有50%的水蒸气的气氛中，能促进绿色碳化硅氧化从100℃开始，随着温度的提高，氧化程度愈为明显，到1400℃时为最大
2019-07-04 04:20:22
的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷广泛用于各类应用，如汽车制动器和离合器，以及嵌入防弹背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备，如火焰点火器、电阻加热元件以及恶劣环境下的电子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料，为什么应用的领域会受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
碳化硅作为第三代半导体经典的应用，具有众多自身优势和技术优势，它所制成的功率器件在生活中运用十分广泛，越来越无法离开，因此使用碳化硅产品的稳定性在一定程度上也决定了生活的质量。作为高尖精的产品，芯片
2023-02-20 15:27:19
，热导率是硅材料的3倍，电子饱和漂移速率是硅的2倍，临界击穿场强更是硅的10倍。材料特性对比如图（1）所示。 图（1） 4H型碳化硅与硅基材料特性对比 在硅基半导体器件性能已经进入瓶颈期时，碳化硅材料
2023-02-28 16:55:45
基于基本半导体碳化硅肖特基二极管1D20065K（650V/20A），电流特性（5A、10A、15A）： 硅快速恢复二极管（环境温度25℃） 碳化硅肖特基二极管（环境温度25℃） 硅快恢复二极管在
2023-02-28 16:34:16
半导体行业协会统计，2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元，同比增长15.77%。2020年H1，中国集成电路产业销售额为3539亿元，同比增长16.1%。每一次材料的更新换代，都是产业的一次革命。碳化硅陶瓷基板在高铁、太阳能光伏、风能、电力输送、UPS不间断电源等电力电子领域均有不小单的作用。
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
通损耗一直是功率半导体行业的不懈追求。 相较于传统的硅MOSFET和硅IGBT 产品，基于宽禁带碳化硅材料设计的碳化硅 MOSFET 具有耐压高、导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗、减小
2023-02-27 16:14:19
有限公司（以下简称“萨科微”）为代表的“造芯”势力正在奋力追赶，致力补齐国内功率半导体产业链中重要的一环。萨科微半导体产品包括“slkor”品牌的碳化硅SiC二极管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管
2023-03-17 11:08:33
项目名称：基于碳化硅功率器件的永磁同步电机先进驱动技术研究试用计划：申请理由：碳化硅作为最典型的宽禁带半导体材料，近年来被越来越广泛地用于高频高温的工作场合。为了提高永磁同步电机伺服控制系统的性能
2020-04-21 16:04:04
应用范围也越来越广。据报道，美国特斯拉公司的马达驱动逆变器使用的是碳化硅半导体。另外，很多读者都已经在电器市场上看到了使用了氮化镓半导体的微型 AC转换器。采用宽禁带材料制作的电力半导体，其内部电路在高压
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
无不积极研发经济型高性能碳化硅功率器件，例如Cascode结构、碳化硅MOSFET平面栅结构、碳化硅MOSFET沟槽栅结构等。这些不同的技术对于碳化硅功率器件应用到底有什么影响，该如何选择呢？首先
2022-03-29 10:58:06
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
，获得华大半导体有限公司投资，创能动力致力于开发以硅和碳化硅为基材的功率电子器件、功率模块，并商品化提供解决方案。碳化硅使用在氮化镓电源中，可实现相比硅元器件更高的工作温度，实现双倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
复杂的设计，功率模块的集成能力使其成为首选。但是哪些封装适用于快速开关碳化硅器件？ 当传统硅器件在功率损耗和开关频率方面达到极限时，碳化硅可能是合适的半导体选择。高达 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
的功率半导体器件选型，并给出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解决方案。 02 图腾柱无桥PFC拓扑分析 在正半周期（VAC大于0）的时候，T2为主开关管。 当T2开通时，电感L储能，电流
2023-02-28 16:48:24
家族中的新成员。 相较于前两代二极管，基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管在沿用6英寸晶圆工艺基础上，实现了更高的电流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向导通压降。 基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管继承
2023-02-28 17:13:35
采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片的半桥功率模块系列 产品型号 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore2
2023-02-27 11:55:35
。碳化硅器件的结电容更小，栅极电荷低，因此，开关速度极快，开关过程中的 dv/dt 和 di/dt 均极高。虽然器件开关损耗显著降低，但传统封装中杂散电感参数较大，在极高的 di/dt 下会产生更大
2023-02-22 16:06:08
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题，解决各行业遇到的各种芯片散热问题，如果你有类似的困惑，欢迎前来探讨，铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热，高刚度，高耐磨，低膨胀，低密度，低成本，适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流，谢谢各位！
2016-10-19 10:45:41
发展筑牢了根基。张军军对半导体行业发展充满信心，对萨科微的未来更是充满信心。目前萨科微的产品市场主要在碳化硅SiC MOS管、高中低压的场效应管、可控硅、TVS二极管与电源管理芯片、霍尔传感器这一
2023-02-21 09:24:40
MOSFET更好的在系统中应用，需要给碳化硅MOSFET匹配合适的驱动。 接下来介绍基本半导体碳化硅MOSFET及驱动产品 基本半导体自主研发的碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低
2023-02-27 16:03:36
好，硬度大（莫氏硬度为9.5级，仅次于世界上最硬的金刚石（10级））、导热性能优良、高温抗氧化能力强等。由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人造。二、碳化硅半导体器件由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
华为为5G铺路，布局碳化硅半导体，打破国外第三代半导体市场垄断
2019-08-27 11:19:034989 SiC-碳化硅-功率半导体的介绍讲解说明。
2021-04-26 10:11:32
140 基本半导体是国内比较早涉及第三代半导体碳化硅功率器件研发的企业，率先推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等器件，为业界熟知，并得到广泛应用。在11月27日举行的2021基本创新日活动
2021-11-29 14:54:087839 
12月30日，基本半导体位于无锡市新吴区的汽车级碳化硅功率模块制造基地正式通线运行，首批碳化硅模块产品成功下线。这是目前国内第一条汽车级碳化硅功率模块专用产线，采用先进碳化硅专用封装工艺技术，打造
2021-12-31 10:55:432796 
与普通硅相比，碳化硅可以承受更高的电压，因此，碳化硅半导体中的电源系统需要更少的串联开关，从而提供了简化和可靠的系统布局。
2022-04-07 14:49:043206 在高端应用领域，碳化硅MOSFET已经逐渐取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化镓领衔的宽禁带半导体发展迅猛，被认为是有可能实现换道超车的领域。
2022-07-06 12:49:161072 氮化镓功率芯片行业领导者纳微半导体宣布收购碳化硅行业先驱GeneSiC，成为唯一专注下一代功率半导体公司 加利福尼亚州埃尔塞贡多，2022 年 8 月 15日讯 — 氮化镓 (GaN) 功率芯片
2022-08-16 14:03:061759 
基本半导体碳化硅MOSFET B1M080120HC(替代C2M0080120D)助力光伏逆变器设计
2022-08-27 15:57:02567 
亿美元的新工厂。随着新能源汽车的加速渗透，碳化硅技术的重要性愈发凸显。安森美、Wolfspeed、意法半导体等碳化硅领域主导企业，均发表了对行业发展的积极展望，并计划投资扩大产能。碳化硅大厂间的新一轮卡位之战正在展开。 激进的扩产步伐 作为碳化
2022-10-08 17:02:25872 意法半导体将于意大利兴建一座整合式碳化硅（Silicon Carbide；SiC）衬底制造厂，以支持意法半导体客户对汽车及工业碳化硅组件与日俱增的需求，协助其向电气化迈进并达到更高效率。新厂预计2023年开始投产，以实现碳化硅衬底的供应在对内采购及行业供货间达到平衡。
2022-10-08 17:04:031349 意法半导体将于意大利兴建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)衬底制造厂，以支持意法半导体客户对汽车及工业碳化硅组件与日俱增的需求，协助其向电气化迈进并达到更高效率。新厂预计2023年开始投产，以实现碳化硅衬底的供应在对内采购及行业供货间达到平衡。
2022-10-09 09:10:55741 日本媒体报道称日本罗姆（ROHM）12月将开始量产下一代功率半导体。原材料是碳化硅（SiC），罗姆花费约20年推进了研发。据称，罗姆在福冈县筑后市工厂的碳化硅功率半导体专用厂房实施量产
2022-11-28 16:51:24498 碳化硅 (SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物，属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强，使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。宽带隙和高热稳定性允许
2022-12-30 13:57:49630 
半导体届“小红人”——碳化硅肖特基，让你的电源温度低过冰墩墩
2022-12-30 17:05:47437 
碳化硅（SiC）是比较新的半导体材料。一开始，了解一下它的物理特性和特征。
2023-01-09 09:03:392345 
希科半导体（苏州）有限公司宣布碳化硅外延片投产。据悉，该产品通过了行业权威企业欧陆埃文思材料科技（上海）有限公司和宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室的双重检测，具备媲美国际大厂碳化硅外延片的品质，解决了国外产品的卡脖子问题，为我国碳化硅行业创下了一个新纪录。
2023-01-13 10:54:281005 汽车碳化硅技术原理图 相比硅基功率半导体，碳化硅功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在优势，随着特斯拉大规模量产碳化硅逆变器之后，更多的企业也开始落地碳化硅产品。 功率半导体碳化硅
2023-02-02 15:10:00467 碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体材料。半导体材料可用于制造芯片，这是半导体行业的基石。碳化硅是通过在电阻炉中高温熔化石英砂，石油焦，锯末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4420953 对新材料探索的脚步便从未停止。碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，属于第三代半导体材料，其禁带宽度高达3.0eV，相比第一代半导体材料硅，碳化硅的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8倍；电子饱和漂移速率为硅
2023-02-02 17:39:092602 碳化硅技术壁垒分析：碳化硅技术壁垒是什么 碳化硅技术壁垒有哪些 碳化硅芯片不仅是一个新风口，也是一个很大的挑战，那么我们来碳化硅技术壁垒分析下碳化硅技术壁垒是什么？碳化硅技术壁垒
2023-02-03 15:25:163637 
碳化硅是目前应用最为广泛的第三代半导体材料，由于第三代半导体材料的禁带宽度大于2eV，因此一般也会被称为宽禁带半导体材料，除了宽禁带的特点外，碳化硅半导体材料还具有高击穿电场、高热导率、高饱和电子
2023-02-12 15:12:32933 功率半导体碳化硅（SiC）技术 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技术的需求继续增长，这种技术可以最大限度地提高当今电力系统的效率
2023-02-15 16:03:448 碳化硅在半导体芯片中的主要形式为衬底。半导体芯片分为集成电路和分立器件，但不论是集成电路还是分立器件，其基本结构都可划分为“衬底-外延-器件”结构。碳化硅在半导体中存在的主要形式是作为衬底材料。
2023-02-19 10:18:481086 与普通硅相比，碳化硅可以承受更高的电压，因此，碳化硅半导体中的电源系统需要更少的串联开关，从而提供了简化和可靠的系统布局。 随着新行业和产品采用电子和半导体，设计师和制造商正在寻找改进和更智能
2023-02-20 15:51:550 晶圆（前端工艺）。碳化硅晶圆再经过划片封装测试（后段工艺）就变成了我们现在使用的半导体-碳化硅二极管和碳化硅MOS。
2023-02-21 10:04:111693 
什么是第三代半导体？我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体，这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二极管
2023-02-21 10:16:472090 本文介绍了激光在碳化硅（SiC）半导体晶圆制程中的应用，概括讲述了激光与碳化硅相互作用的机理，并重点对碳化硅晶圆激光标记、背金激光表切去除、晶粒隐切分片的应用进行了介绍。
2023-04-23 09:58:27712 
意法半导体（ST）宣布与采埃孚科技集团公司(ZF)签署碳化硅器件长期供应协议。从 2025 年起，采埃孚将从意法半导体采购碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51930 硅（Si）是电子产品中常用的纯半导体的一个例子。锗（Ge）是另一种纯半导体，用于一些最早的电子设备。半导体也由化合物制成，包括砷化镓 （GaAs）、氮化镓 （GaN）、硅锗 （SiGe） 和碳化硅 （SiC）。我们稍后将回到最后一项。
2023-05-24 11:26:141681 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件，其中"MOSFET"表示金属氧化物半导体场效应晶体管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180 罗姆收购Solar Frontier碳化硅工厂 计划到2027碳化硅功率半导体业务达139亿 罗姆一直看好碳化硅功率半导体的发展，一直在积极布局碳化硅业务。罗姆计划到2025年拿下碳化硅市场30
2023-07-19 19:37:01724 如今砷化镓、磷化铟等作为第二代化半导体因其高频性能效好主要是用于射频领域，碳化硅、和氮化镓等作为第三代半导体因禁带宽度和击穿电压高的特性。
2023-07-25 10:52:23405 碳化硅，也称为SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基础材料。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍，硼，铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅存在许多品种和纯度，但半导体级质量的碳化硅仅在过去几十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094 在半导体行业的下行周期中，也并非一片低迷之声，碳化硅就是萎靡之势中的一个反例。
2023-08-17 14:27:151085 
碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展，碳化硅需求增速可观。
2023-08-19 11:45:221041 igbt和碳化硅区别是什么？ IGBT和碳化硅都是半导体器件，它们之间的区别主要体现在以下几个方面。 一、材料： IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘
2023-08-25 14:50:049044 碳化硅又称金刚砂，是以石英砂、石油焦、木屑、食盐等为原料，经电阻炉高温冶炼而成。事实上，碳化硅在很久以前就被发现了。其特点是:化学性能稳定，导热系数高，热膨胀系数小，耐磨性好，硬度高（莫氏硬度等级
2023-09-22 15:11:04306 
SiC器件是一种新型的硅基MOSFET，特别是SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN结组成。
在众多的半导体器件中，碳化硅材料具有低热导率、高击穿
2023-09-26 16:42:29342 
业内人士预测，今年将成为8英寸碳化硅器件的元年。国际功率半导体巨头Wolfspeed和意法半导体等公司正在加速推进8英寸碳化硅技术。在国内市场方面，碳化硅设备、衬底和外延领域也有突破性进展，多家行业龙头选择与国际功率半导体巨头合作。
2023-10-24 17:11:21967 目前汽车业仍结构性缺芯，比如，电源类、控制类、通信类、计算类、功率类的芯片均紧缺。像碳化硅芯片项目投资建设期需18-24个月，去年有许多碳化硅项目的投资，要2025年才会释放产能，预计2025年碳化硅功率半导体的紧缺状况才会得到缓解。
2023-11-17 17:12:18664 目前，全球碳化硅产业处于快速发展阶段。据市场研究机构预测，未来几年碳化硅市场将保持高速增长态势。根据公开信息统计，2022年全球碳化硅市场份额约为18亿美元，该数据包括多家上市公司，如意法半导体、英飞凌、Wolfspeed和安森美罗姆等。
2023-12-06 17:17:37603 
碳化硅，又称SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅的品种和纯度很多，但半导体级质量的碳化硅只是在过去几十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438 氮化镓半导体和碳化硅半导体是两种主要的宽禁带半导体材料，在诸多方面都有明显的区别。本文将详尽、详实、细致地比较这两种材料的物理特性、制备方法、电学性能以及应用领域等方面的差异。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:18327 碳化硅（SiC）和传统硅半导体（Si）是两种常见的半导体材料，它们在电子器件制造中具有广泛的应用。然而，碳化硅相对于传统硅半导体具有一定的优缺点。 优点： 更高的热导率：碳化硅的热导率是传统硅半导体
2024-01-10 14:26:52230 第三代半导体性能优越，应用场景更广。半导体材料作为电子信息技术发展的 基础，经历了数代的更迭。随着应用场景提出更高的要求，以碳化硅、氮化镓为代 表的第三代半导体材料逐渐进入产业化加速放量阶段。相较
2024-01-16 10:48:49314 
电子发烧友App
工商网监
评论