美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技术的全新1200 V肖特基二极管系列
2012-11-22 14:09:06
1242 Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42:49
极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料,SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点,SiC
2019-10-24 14:25:15
不变。这是由于碳化硅肖特基二极管是单极器件,没有少数载流子注入和自由电荷的存储。在恢复瞬态,所涉及的电荷只有结耗尽区电荷,而且它比相同结构的Si器件结耗尽区电荷至少小一个数量级。这对于要求工作于高阻断
2020-09-24 16:22:14
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
SiC-MOSFET-沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品SiC功率元器件基础篇前言前言何谓SiC(碳化硅)?何谓碳化硅SiC功率元器件的开发背景和优点SiC肖特基势垒二极管所谓SiC-SBD-特征以及与Si
2018-11-27 16:40:24
继SiC功率元器件的概述之后,将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管下面从SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)的结构开始
2018-11-29 14:35:50
与硅相比,SiC有哪些优势?SiC器件与硅器件相比有哪些优越的性能?碳化硅器件的缺点有哪些?
2021-07-12 08:07:35
SiC碳化硅MOS驱动的PCB布局方法解析:在为任一高功率或高电压系统设计印刷电路板 (PCB) 布局时,栅极驱动电路特别容易受到寄生阻抗和信号的影响。对于碳化硅 (SiC) 栅极驱动,更需认真关注
2022-03-24 18:03:24
载流子器件(肖特基势垒二极管和MOSFET)去实现高耐压,从而同时实现 "高耐压"、"低导通电阻"、"高频" 这三个特性。另外,带隙较宽,是Si的3倍,因此SiC功率器件即使在高温下也可以稳定工作。
2019-07-23 04:20:21
。 ST的1200V碳化硅(SiC)JBS(结型势垒肖特基)二极管系列可满足设计人员对面向性能应用的卓越效率、轻巧、小尺寸和改善的热特性的需求。 ST的1200VSiC二极管具有出色的正向电压(低
2020-06-30 16:26:30
和相比上一代的优点,不过由于机会难得,能否请您首先介绍一下SiC-SBD的基础内容?说实话,我认为非常了解使用了SiC(碳化硅)这种半导体的二极管和晶体管的特点的人并不多。是啊!2010年ROHM确立
2018-12-03 15:12:02
二极管的参数是选用二极管的决定性因素之一,二极管的压降的其中的一种。 二极管在正向导通的时候,流过电流的时候会产生压降。一般情况下,这个压降和正向电流以及温度有关。通常硅二极管,电流越大,压降越大。温度越高,压降越小。但是碳化硅二极管却是温度越高,压降越大。二极管规格书下载:
2021-03-22 17:25:26
250V左右。对于能够耐受500~600V以上反向电压要求,人们开始使用碳化硅(SiC)制造器件,因为它能够耐受较高的电压。 除此以外的器件参数均相当于或优于硅肖特基二极管。详见表2。 由于SiC器件的成本较高(是同类硅器件的3~5倍),除非性能上要求非用不可,还没有用它来替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
小型化。然而,必须首先解决一个问题:SiC MOSFET反向操作期间,体二极管双极性导通会造成导通电阻性能下降。将肖特基势垒二极管嵌入MOSFET,使体二极管失活的器件结构,但发现用嵌入式SBD代替
2023-04-11 15:29:18
更进一步。其中UF系列的最新产品在1200V和650V器件上的导通电阻达到了同类产品最低,分别小于9毫欧和7毫欧。这些器件具有低损耗体二极管效应以及固有的抗过电压和短路的能力,与Si-MOSFET或
2023-02-27 14:28:47
反向恢复电流,其关断过程很快,开关损耗很小。由于碳化硅材料的临界雪崩击穿电场强度较高,可以制作出超过1000V的反向击穿电压。在3kV以上的整流器应用领域,由于SiC PiN二极管与Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
MOSFET 漏极出现浪涌并因寄生效应意外打开时。这种导通会产生从高压到地的短路,从而损坏电路。 如何驱动碳化硅场效应管 考虑到卓越的材料性能,这个问题提出了如何控制这些部件才能发挥最佳作用。从我们所知
2023-02-24 15:03:59
5G将于2020年将迈入商用,加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势,将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计,2018年全球SiC基板产值将达1.8
2019-05-09 06:21:14
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能,碳化硅是宽禁带半导体材料的一种,主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等,因此被应用于各种半导体材料当中,碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
超过40%,其中以碳化硅材料(SiC)为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体行业协会统计,2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元
2021-01-12 11:48:45
栅极和源极之间插入二极管电压箝位。如果负电压纯粹是电感问题,强烈建议选择带有开尔文源的 CoolSiC™ 器件。这可能导致EON损耗比没有EON的器件低三倍(图3)。 图 3:为避免 SiC
2023-02-23 17:11:32
成熟,资源丰富,碳化硅的行业已经具有集群化发展的趋势了,但是行业规模很小,政策资金方面的风险能力很大,行业秩序也需要进一步完善。碳化硅的用途也十分广泛,越来越多的新行业也正在开发,线切割为代表的新行业正
2019-07-04 04:20:22
650 V CoolSiC™混合分立器件,该器件包含一个50A TRENCHSTOP™ 快速开关 IGBT 和一个 CoolSiC 肖特基二极管,能够提升性价比并带来高可靠性。这种组合为硬开关拓扑
2021-03-29 11:00:47
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不过,自1893 年以来,粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
使用IGBT(绝缘栅极双极晶体管)等少数载流子元器件(双极元器件)。但因为开关损耗大而具有发热问题,实现高频驱动存在界限。由于SiC能使肖特基势垒二极管和MOSFET等高速多数载流子元器件的耐压更高,因此能
2018-11-29 14:43:52
),P阱与N-形成的PiN会投入工作,减小浪涌时刻VF的增长,降低器件功耗,提升器件的抗浪涌能力。 图(4)二极管正向与电流密度关系图 基本半导体B1D系列碳化硅肖特基二极管均采用JBS结构。 05
2023-02-28 16:55:45
,能够有效降低产品成本、体积及重量。 碳化硅具有载流子饱和速度高和热导率大的特点,应用开关频率可达到1MHz,在高频应用中优势明显,其中碳化硅肖特基二极管(SiC JBS)耐压可以达到6000V以上
2023-02-28 16:34:16
二十世纪五十年代后半期,才被纳入到固体器件的研究中来。二十世纪九十年代,碳化硅技术才真正意义上得到了迅速发展。SiC材料与目前应该广泛的Si材料相比,较高的热导率决定了其高电流密度的特性,较高的禁带宽
2021-03-25 14:09:37
额定击穿电压器件中的半导体材料方面胜过Si.Si在600V和1200V额定功率的SiC肖特基二极管已经上市,被公认为是提高功率转换器效率的最佳解决方案。 SiC的设计障碍是低水平寄生效应,如果内部和外部
2022-08-12 09:42:07
SiC JBS二极管提供卓越的功能,包括但不限于高温操作,高阻断电压和快速开关能力。本文档介绍高级交换与SiC肖特基二极管相比,GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二极管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
阻。尽管普通二极管的“惯性”较大,但是在超过200V的工作电压场合,普通的PIN二极管占主导地位。 源于硅基的肖特基二极管,近年来开发出来新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二极管用于一些效率很关键的电力
2019-01-02 13:57:40
Si整流器与SiC二极管:谁会更胜一筹
2021-06-08 06:14:04
数码产品等领域得到广泛的应用。主营产品MOS场效应管、霍尔hall元件、IGBT单管、SiC碳化硅器件、高速光耦、ESD静电保护二极管、TVS瞬态抑制二极管、肖特基二极管、COOLMOS、电源管理IC等
2023-03-17 11:08:33
)------------------------------------------------------------------------------------------------会议主题:罗姆 SiC(碳化硅)功率器件的活用直播时间:2018
2018-07-27 17:20:31
前言
碳化硅(SiC)材料是功率半导体行业主要进步发展方向,用于制作功率器件,可显著提高电能利用率。SiC器件的典型应用领域包括:新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网等现代工业领域,在
2023-10-07 10:12:26
数码产品等领域得到广泛的应用。主营产品MOS场效应管、霍尔hall元件、IGBT单管、SiC碳化硅器件、高速光耦、ESD静电保护二极管、TVS瞬态抑制二极管、肖特基二极管、COOLMOS、电源管理IC等
2023-03-17 11:13:35
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的结构是如何构成的?
2021-06-18 08:32:43
是1000V。FR106,FR107300ns快速恢复二极管FR101-FR105150nsSR260肖特基二极管 10ns左右反向恢复时间短,特别适用于高频电路。二、碳化硅二极管碳化硅是一种新材料,几乎不
2023-02-15 14:24:47
氧可靠性等可靠性问题备受关注。那么SiC MOSFET体二极管能抗多大的浪涌电流?其短路能力如何?如何保证栅极可靠性?SiC MOSFET的体二极管抗浪涌电流大小与芯片的大小成正比。像派恩杰半导体采用
2022-03-29 10:58:06
应用领域,SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上,电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11
相较于硅,碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新的技术,提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流,且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能,因此被视为下一代功率半导体。安森美半导体
2018-10-29 08:51:19
相较于硅,碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新的技术,提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流,且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能,因此被视为下一代功率半导体。
2020-07-30 07:14:58
功率密度和高温运行的需求至关重要。硅一直是许多应用中的主要技术,但随着这些新型宽带功率半导体(特别是SiC MOSFET和SiC二极管)的出现,与传统的硅基技术相比,电力电子设计人员可以利用新的更高开关速度
2022-06-13 11:27:24
介绍了采用商用1200V碳化硅(SiC)MOSFET和肖特基二极管的100KHz,10KW交错式硬开关升压型DC / DC转换器的参考设计和性能。 SiC功率半导体的超低开关损耗使得开关频率在硅实现方面显着增加
2019-05-30 09:07:24
大功率适配器为了减小对电网的干扰,都会采用PFC电路、使用氮化镓的充电器,基本也离不开碳化硅二极管,第三代半导体材料几乎都是同时出现,强强联手避免短板。创能动力推出的碳化硅二极管
2023-02-22 15:27:51
硅 IGBT 和二极管与多电平配置等新拓扑相结合,可提供最佳的性价比。混合碳化硅结合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基续流二极管,也是一个不错的选择,与纯硅解决方案相比,可将功率损耗降低多达50
2023-02-20 16:29:54
的混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合,为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。 该器件将传统
2023-02-28 16:48:24
ROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC(碳化硅)材料的SBD(肖特基势垒二极管)。2010年在日本国内率先开始SiC SBD的量产,目前正在扩充第二代SIC-SBD产品阵容,并推动在
2018-12-04 10:26:52
MOSFET之所以有如此的大吸引力,在于与它们具有比硅器件更出众的可靠性,在持续使用内部体二极管的连续导通模式(CCM)功率因数校正(PFC)设计,例如图腾功率因数校正器的硬开关拓扑中,碳化硅
2023-03-14 14:05:02
相较于硅,碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新的技术,提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流,且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能,因此被视为下一代功率半导体。
2019-07-25 07:51:59
导 读 追求更低损耗、更高可靠性、更高性价比是碳化硅功率器件行业的共同目标。为不断提升产品核心竞争力,基本半导体成功研发第三代碳化硅肖特基二极管,这是基本半导体系列标准封装碳化硅肖特基二极管
2023-02-28 17:13:35
砷化镓功率二极管是宽带隙半导体器件,其性能仅为碳化硅(SiC)的70%左右。本文对10kW LLC转换器中GaAs、SiC和超快硅二极管的性能进行基准测试,该转换器也常用于高效电动汽车充电
2023-02-21 16:27:41
电场而具有高击穿电压。例如,商用硅肖特基二极管的电压小于300V,而第一个商用SiC肖特基二极管的击穿电压已达到600V。3)碳化硅具有较高的导热性。4)SiC器件可以在更高的温度下工作,而Si器件
2023-02-07 15:59:32
对于高压开关电源应用,碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
的发展趋势,对 SiC 器件封装技术进行归纳和展望。近20多年来,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作为一种宽禁带功率器件,受到人们越来越多的关注。与硅相比,碳化硅具有很多优点,如:碳化硅
2023-02-22 16:06:08
二极管都一样。例如,大多数硅用于高达250V的电压,而砷化镓、碳化硅或硅锗被用作阻断200至1700V电压的半导体材料。硅肖特基二极管具有大约0.4V的低阈值电压,工作电流较低时甚至低于0.1V。这远远
2018-10-19 15:25:32
`①未来发展导向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半导体”已逐渐步入大众生活,以大功率低损耗为目的二极管和晶体管等分立(分立半导体)元器件备受瞩目。在科技发展道路上的,“小型化”和“节能化
2017-07-22 14:12:43
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入,但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05:05
碳化硅(SiC)等宽带隙技术为功率转换器设计人员开辟了一系列新的可能性。与现有的IGBT器件相比,SiC显著降低了导通和关断损耗,并改善了导通和二极管损耗。对其开关特性的仔细分析表明,SiC
2023-02-22 16:34:53
能够提供硅和碳化硅的有用特性,本文探讨了一项比较10kW、100kHz相移全桥(PSFB)性能的练习。在该应用中对GaAs、SiC和超快硅二极管进行基准测试的结果表明,GaAs二极管能够以显著较低
2023-02-22 17:13:39
°C。系统可靠性大大增强,稳定的超快速本体二极管,因此无需外部续流二极管。三、碳化硅半导体厂商SiC电力电子器件的产业化主要以德国英飞凌、美国Cree公司、GE、ST意法半导体体和日本罗姆公司、丰田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅,采用的是ICP系列设备,刻蚀气体使用的是SF6+O2,碳化硅上面没有做任何掩膜,就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
C6D06065G为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管,电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案
2022-05-29 19:36:12
C3D06065E为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管,电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案
2022-05-29 19:45:27
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅 (SiC),俗称金刚砂。 SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在,但十分稀少。 不过,自 1893 年以来,粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。 碳化硅用作研磨剂已有一百多年的历史,主要用于磨轮和众多其他研磨应用
2017-05-06 11:32:45
54 推动高能效创新的安森美半导体推出最新650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管系列产品,扩展了SiC二极管产品组合。
2018-03-01 13:14:17
8360 碳化硅 (SiC) 具有提高电动汽车整体系统效率的潜力。在太阳能行业,碳化硅逆变器优化在成本节约方面也发挥着很大的作用。在这个与俄亥俄州立大学电气与计算机工程系 IEEE 院士教授 Anant
2022-08-03 17:07:35
1383 介绍碳化硅功率二极管,包括碳化硅肖特基势垒二极管(SBD)、碳化硅PiN二极管(PiN),碳化硅结/肖特基二极管(JBS),然后介绍碳化硅聚碳场效应管、DMOSFET和几种MESFET,第三部分是关于碳化硅双极器件,如BJT和IGBT。最后,讨论了SiC功率器件开发过程中的挑战,特别是其材料生长和封装。
2022-11-04 09:56:01
564 ,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测基地。 目前常用的SiC碳化硅功率半导体器件主要包括:碳化sbd(schottkybarrierdiode,肖特基二极管)与碳化硅mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,金属氧化物半导体场效应管),其中碳化硅
2023-01-13 11:16:44
1230 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/8A/85/poYBAGPAzR6AFeH7AAF2cex8HbE268.png)
以碳化硅(silicon carbide,SiC)为代表的宽禁带半导体器件,受到了广泛的关注。SiC中存在各种多型体(结晶多系),它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作,4H-SiC最为合适。
2023-02-04 14:25:25
1013 高技术耐火原料中,碳化硅为应用最广泛、最经济的一种,可以称为金钢砂或耐火砂。 碳化硅基于SiC的肖特基二极管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性,可以在电力电子技术领域打破硅的极限,成为新能源及电力电子的首选器件。 碳
2023-02-05 16:34:59
1313 。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测
基地。
目前常用的SiC碳化硅功率半导体器件主要包括:碳化sbd(schottkybarrierdiode,肖特基二极管)与碳化硅mosfet(metal-oxidesemiconductor field-effect transistor,金属氧
2023-02-16 15:28:25
4 我们拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二极管和碳化硅MOSFET展开说明。碳和硅进过化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成为粉末,碳化硅粉末经过碳化硅单晶生长成为碳化硅晶锭;碳化硅
2023-02-21 10:04:11
1693 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/93/34/pYYBAGP0JjuAR46PAAKIidd6gz8607.png)
碳化硅功率器件涵盖碳化硅裸芯片,碳化硅二极管和碳化硅MOSFET,还要碳化硅模块。我们重点介绍一下碳化硅二极管和碳化硅MOSFET。碳化硅二极管除了确保符合当今最严格的能效法规(Energy
2023-02-21 10:06:42
898 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/92/B0/poYBAGP0ItCAXen4AAMCXoGqRiI825.png)
SiC碳化硅二极管起步电压为650V,电流6A到10A,主要用于UPS、快充、微逆、电源、电动工具、消费类产品、工控。碳化硅二极管料号为:KN3D06065F(650V碳化硅二极管,电流6A,贴片
2023-02-21 10:12:24
1680 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/93/35/pYYBAGP0KBaAAjCyAAIYZ-d2PUA852.png)
什么是第三代半导体?我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体,这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二极管
2023-02-21 10:16:47
2090 我们拿慧制敏造碳化硅半导体出品的KNSCHA碳化硅二极管封装接下来我们来看一下碳化硅二极管的贴片封装,常见的有有TO-263和TO-252封装,随着近些年电源对于功率密度要求不断提高,碳化硅功率器件
2023-02-21 13:38:16
1795 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/92/B1/poYBAGP0JRyAGdhGAAKAk6-d4uM291.png)
6.4.1.2SiC上的肖特基接触6.4.1n型和p型SiC的肖特基接触6.4金属化第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.4.1.1基本原理∈《碳化硅技术
2022-01-24 10:22:28
480 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/18/F6/pYYBAGFyVuSAMzSMAAFjwzg_URo256.png)
6.4.2.2n型SiC的欧姆接触6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技术
2022-01-25 09:18:08
743 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/18/F6/pYYBAGFyVuSAMzSMAAFjwzg_URo256.png)
6.4.2.3p型SiC的欧姆接触6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.4.2.2n型SiC的欧姆接触
2022-01-26 10:08:16
636 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/18/F6/pYYBAGFyVuSAMzSMAAFjwzg_URo256.png)
5.2.3扩展缺陷对SiC器件性能的影响5.2SiC的扩展缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技术《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:5.2.1SiC主要的扩展缺陷&5.2.2
2022-01-06 09:25:55
621 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/18/F6/pYYBAGFyVuSAMzSMAAFjwzg_URo256.png)
本文研究SiC碳化硅功率模块及分立器件,功率模块主要包括碳化硅MOSFET模块(SiC MOSFET Module),分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二极管(主要是碳化硅肖特二极管)。
2023-09-08 11:30:45
1806 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A3/73/wKgaomT5lvSAI5HrAAA8vSZ_szA905.png)
碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,具有优异的物理、化学和电学性能,在高温、高频、高压等恶劣环境下具有很高的稳定性和可靠性。本文将对SiC碳化硅的基本概念、制备方法、应用领域和技术发展趋势进行简要介绍。
2023-09-12 17:25:41
666 碳化硅(SiC)技术比传统硅(Si)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)和其他技术更具优势,包括更高的开关频率、更低的工作温度、更高的电流和电压容量以及更低的损耗,从而提高功率密度、可靠性和效率。本文将介绍碳化硅的发展趋势及其在储能系统(ESS)中的应用,以及Wolfspeed推出的碳化硅电源解决方案。
2023-11-17 10:10:29
393 在当今快速发展的电力电子领域,碳化硅(SiC)材料因其出色的物理性能而备受关注。作为一种宽禁带半导体材料,碳化硅在制造高效、高温和高速的电子器件方面具有巨大潜力。其中,碳化硅肖特基二极管作为一种重要
2023-12-29 09:54:29
186 应用以及发展趋势。
一、碳化硅功率器件的优势
碳化硅功率器件具有高频率、高效率、高耐压和高耐流等优势,使得其在能源转换、电动汽车、轨道交通、智能电网等领域具有广泛的应用前景。碳化硅功率器件
2024-01-06 14:15:03
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