`功率场效应晶体管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
。 功率场效应管(MOSFET)的特点功率场效应管(MOSFET)与双极型功率相比具有如下特点:1.场效应管(MOSFET)是电压控制型器件(双极型是电流控制型器件),因此在驱动大电流时无需推动级,电路较
2011-12-19 16:52:35
;lt;font face="Verdana">功率场效应管MOSFET,功率场控晶体管</font><
2009-05-12 20:38:45
功率场效应管MOSFET,功率场控晶体管
2019-04-10 10:02:53
场效应管(MOSFET)是电压控制型器件(双极型是电流控制型器件),因此在驱动大电流时无需推动级,电路较简单。
2019-09-30 09:01:58
功率场效应管的驱动
2012-08-20 21:01:05
1、驱动电路功率场效应管为单极型器件,输入阻抗高。因而开关速度快,驱动功率小,电路简单。但其极间电容较大,因此工作速度和驱动源的内阻抗有关,栅极驱动电路的形式各种各样,按驱动电路与栅极的连接方式
2018-01-31 10:01:49
功率场效应管(VMOS)是单极型电压控制器件。具有驱动功率小、工作速度高、无二次击穿问题、安全工作区宽等显著特点,还具有电流负温度系数、良好的电流自动调节能力、良好的热稳定性和抗干扰能力等优点。其
2018-01-29 11:04:58
功率晶体管(GTR)具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点,阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶体管(GTR)具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点,阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-25 11:27:53
现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同,第三位字母J代表结型场效应管,O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料,D是P型硅,反型层是N沟道;C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型
2021-05-13 06:13:46
二次击穿现象,安全工作区域宽等特点,主要分为两种:结型场效应管(JFET)和绝缘栈型场效应管(MOSFET)。对N沟道结型场效应管2N3370的输出特性进行分析。对N沟道增强型MOSFET2N7000的输出特性进行仿真
2012-08-03 21:44:34
(1)场效应晶体管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c,它们的作用相似,图1-6-A所示是N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚,图1-6-B所示是P沟道场效应晶体管
2019-03-28 11:37:20
我们常接触到晶体三级管,对它的使用也比较熟悉,相对来说对晶体场效应管就陌生一点,但是,由于场效应管有其独特的优点,例输入阻抗高,噪声低,热稳定性好等,在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管
2018-03-17 14:19:05
,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。一、场效应管的分类 场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名,绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其它电极完全
2011-12-19 16:30:31
我们常接触到晶体三级管,对它的使用也比较熟悉,相对来说对晶体场效应管就陌生一点,但是,由于场效应管有其独特的优点,例输入阻抗高,噪声低,热稳定性好等,在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管
2019-06-18 04:21:57
。场效应管的工作方式有两种:当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型;当栅压为零,漏极电流也为零,必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。场效应晶体管作用是什么1、场效应管可应用于放大。由于场效应管
2019-05-08 09:26:37
音频放大器的差分输入电路及调制、较大、阻抗变换、稳流、限流、自动保护等电路,可选用结型场效应晶体管。音频功率放大、开关电源、逆变器、电源转换器、镇流器、充电器、电动机驱动、继电器驱动等电路,可选用功率
2021-05-13 07:10:20
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET
2021-05-24 06:27:18
如何搞定恒流电源电路设计.doc第15章_基本放大电路.ppt基于较大功率的直流电机H桥驱动电路方案.doc详细讲解MOSFET管驱动电路.doc场效应晶体管的几点使用知识.doc全系列场效应管
2019-08-11 22:46:35
沟道结型场效应晶体管。也可以任意测量结型场效应晶体管任意两个电极之间的正、反向电阻值。若测出某两只电极之间的正、反向电阻均相等,且为几千欧姆,则这两个电极分别为漏极D和源极S,另一个电极为栅极G
2021-05-25 07:05:04
场效应管与双极型三极管的比较
2012-08-20 08:46:13
载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。(4)场效应管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。(2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管
2017-05-06 15:56:51
)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管
2009-04-25 15:43:51
)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管
2018-11-05 17:16:04
场效应晶体管NMOS场效应晶体管。由此观之,“双极”、“单极”是指晶体管中参与导电的载流子类型数,如同通讯系统的“双工”、“单工”的区别一样,而不是应该是“双结”和“单结”。转载自电子发烧友网`
2012-07-11 11:42:48
在场效应管对照表中,收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管(JFET)、金属氧化物半导体场次晶体管(MOSFET)、肖特基势垒控制栅场效应晶体管(SB)、金属半导体
2021-05-11 06:19:48
、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。一、场效应管的分类 场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名,绝缘栅型场效应管
2013-03-27 16:19:17
,不消耗信号源功率,因此它的输入电阻很高,它还具有很好的温度特性、抗干扰能力强、便于集成等优点。 场效应管是靠一种极性的载流子导电,它又被称为单极性三极管,它分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管
2012-07-11 11:36:52
:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下
2012-07-28 14:13:50
。目前广泛应用的是SiO2为绝缘层的绝缘栅场效应管,称为金属-氧化物-半导体场效应管,简称MOSFET。以功能类型划分,MOSFET分为增强型和耗尽型两种,其中耗尽型与增强型主要区别是在制造SiO2绝缘层
2019-07-29 06:01:16
场效应管的特性是什么场效应管的主要参数有哪些场效应管怎么选用?场效应管的选用注意事项?
2021-04-20 06:49:52
两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表
2008-06-03 14:57:05
作阻抗变换。 3、场效应管可以用作可变电阻。 4、场效应管可以方便地用作恒流源。 5、场效应管可以用作电子开关。 场效应管的测试 1、结型场效应管的管脚识别: 场效应管的栅极相当于晶体管
2021-05-13 06:55:31
材料的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分,场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。 场效应晶体管可分为结
2009-04-25 15:38:10
。 ①场效应管的转移特性曲线 栅极电压(UGs)对漏极电流(ID)的控制作用称为转移特性,反映这两者之间关系的曲线称为转移特性曲线。下图1-60所示为N沟道结型场效应管的转移特性曲线。当栅极电压UGs取
2020-12-01 17:36:25
场效应管的参数场效应管的参数很多,包括直流参数、交流参数和极限参数,但一般使用时关注以下主要参数:1、I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压U GS=0时的漏源电流
2009-04-25 15:43:12
这2图是2个场效应管的手册,里面的功率看得有点乱,有没有人能教下怎么看,谢谢
2019-03-10 21:09:56
场效应管的测试1、结型场效应管的管脚识别: 场效应管的栅极相当于晶体管的基极,源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档,用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某
2009-04-25 15:43:42
场效应晶体管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。FET应用范围很广
2009-04-02 09:34:11
,场效应管可被看成电气开关。当在N沟道场效应管的栅极和源极间加上正电压时,其开关导通。导通时,电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻,称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚场效应管的栅极
2020-07-10 14:51:42
Uds的增加而增加,Id由Ugs决定,相当于双极型晶体管的线性放大区。3.截止区:很好理解,Ugs另外,当Uds增加到一定程度,管子会被击穿,漏极电流迅速增大,此时为击穿区,应该避免。转移特性即漏极电压
2019-06-25 04:20:03
举例而言,一个结型场效应管,采用自偏置结构,即栅极和源极短接在一起源极也有一个电阻,在电源和漏极接一个负载,此时场效应管可以看做是一个互导放大器,压控电流源,请问此时这种电路的输入输出电阻应该怎么求
2024-01-15 18:06:15
是,最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联,因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理,在此基础上为什么要加电阻?
2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07:21
不会有明显的改变。此时三极管功率基本不变,电流达到饱和,电压降也已经是最小值。
场效应管以N增强型为例,其本质是一个压控电阻,通过控制栅源电压控制漏源电阻,具有互导特性,输出阻值的变化比上输入电压
2024-01-18 16:34:45
电压低并且允许从信号源汲取更多电流时,应使用晶体管。(2)场效应管利用多数载流子导电,故称为单极器件,晶体管既有多数载流子又有少数载流子导电,它被称为双极器件。(3)部分场效应管的源漏极可以互换
2021-12-09 16:26:24
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导...
2022-02-16 06:48:11
)的三层结构的Field-Effect Transistor(场效应晶体管)。BIPOLAR是指使用了双极性元件,将称为p型和n型的两种半导体构成n-p-n及p-n-p结构的电流工作型晶体管。
2019-05-06 05:00:17
的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分,场效应管又可分红耗尽型与加强型。结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有加强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和加强型;P沟耗尽型和加强型四大类。见下图。
2018-10-29 22:20:31
分为增强型和耗尽型,这两种电子元器件工作原理略有不同,增强型管在栅极(G)加上正向电压时漏极(D)和源极(S)才能导通,而耗尽型即使栅极(G)没加正电压,漏极(D)和源极(S)也是导通的。其实到这场效应晶体管
2019-04-15 12:04:44
,使Gate和Drain之间的场被建立,从而触发这种场效应晶体管(MOSFET)。 MOSFET的主要用途: MOSFET在工业中有广泛的应用,主要用在逻辑电路,放大电路,功率电路等方面。普遍
2023-03-08 14:13:33
缩小每个晶体管面积以获得相同的体积,从而在相同的总尺寸中产生更多的晶体管。 图1.平面场效应管 在平面设计中,浇口仅控制一个方向。在 3D 设计中,门缠绕在鳍片周围,提供两个或三个方向的控制(图
2023-02-24 15:20:59
晶体管的开关。 第二部分 N型场效应管的主要用途 N型场效应管在一些工业设备和电子装置中广泛被用来控制信号的开关和功率的传递,可应用于功率的放大器,适用于数字电路以及机械设备的控制等等。 N型
2023-03-08 14:21:22
晶体管之优点集于一身,因此在电压放大器(电压放大倍数可达数千倍)、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。 众所周知,传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上,其工作
2021-05-13 06:33:26
晶体管之优点集于一身,因此在电压放大器(电压放大倍数可达数千倍)、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。 众所周知,传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上,其工作电流
2021-05-13 06:40:51
`内容简介《射频微波功率场效应管的建模与特征》首先回顾了一般商用微波射频晶体管的种类和基本构造,介绍了高功率场效应管的集约模型的构成;描述了功率管一般电气参数的测量方法,着重讨论对功率管的封装法兰
2017-09-07 18:09:11
`内容简介《射频微波功率场效应管的建模与特征》首先回顾了一般商用微波射频晶体管的种类和基本构造,介绍了高功率场效应管的集约模型的构成;描述了功率管一般电气参数的测量方法,着重讨论对功率管的封装法兰
2018-01-15 17:57:06
)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管
2018-03-25 20:55:04
,和场效应晶体管一样,具有放大作用和开关特性的,是电子设备中的核心器件之- -,应用十分广泛。三极管和场效应晶体管虽然特性,外形相同,但是工作原理却大不-样,普通三极管是电流控制器件,二场效应晶体管是电压
2019-04-09 11:37:36
管的UGS一ID曲线,可明白看出IDSS和UP的意义。(3)开启电压开启电压UT是指加强型绝缘栅场效应晶体管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。(4)跨导跨导gm是表示栅源电压UGS对漏极电流ID的控制
2019-04-04 10:59:27
件,它是继三极管之后的新一代放大元件,场效应晶体管可分为耗尽型效应晶体管和增强型效应晶体管,同时又有N沟道和P沟耗尽型之分。场效应管一般用于开关作用,有开关用以及有功率用。特别是电机、开关电源等,应用场
2023-02-13 15:43:28
和功率晶体管的强大竞争者,只允许从信号源取较少电流的情况下应优先选用场效晶体应管。三、三极管与场效应晶体管区别特征:1、三极管之所以又被称为双极型管子,是因为管子在工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与
2019-04-08 13:46:25
场效应管性能当面不是已经超过了三极管了么,三极管会不会被淘汰?为什么总是讨论三极管问题?我是初学者,刚学了场效应管,嘿嘿,
2015-11-04 12:54:44
件,它是继三极管之后的新一代放大元件,场效应晶体管可分为耗尽型效应晶体管和增强型效应晶体管,同时又有N沟道和P沟耗尽型之分。场效应管一般用于开关作用,有开关用以及有功率用。特别是电机、开关电源等,应用场
2023-02-08 17:22:23
1三极管基本特性晶体管分为三极管和场效应管,三极管电路的学习更具普遍性,场效应管的应用我们放到后面电源管理的章节介绍。晶体管都可分为N型和P型,具体到三极管就是NPN三极管和PNP三极管。我们主要
2021-12-30 07:30:30
类型挑选好场效应晶体管电子元件的第一步是取决选用N沟道或是P沟道场效应晶体管。在典型的功率使用中,当1个场效应晶体管接地,而负载接入到干线电压上时,该场效应晶体管就组成了低压侧开关。在低压侧开关中,应选
2019-09-01 08:00:00
``中山回收场效应管 中山场效应管回收136-3166-5055铭盛电子科技长期收购IC,二,三极管,大小功率管,场效应管,,三端稳压,整流桥,光耦,继电器,变压器,连接器,钽电容,电感,磁珠,电容
2020-07-25 16:29:37
二极管三极管与晶闸管场效应管解析
2021-02-24 09:22:34
类型。3.2 晶体管的种类及其特点》巨型晶体管GTR是一种高电压、高电流的双极结型晶体管(BJT),因此有时被称为功率BJT。特点:电压高,电流大,开关特性好,驱动功率高,但驱动电路复杂;GTR和普通双极结型
2023-02-03 09:36:05
。 计算鳍式场效应晶体管宽度 (W) 鳍式场效应晶体管的通道(鳍片)是垂直的。该设备需要牢记特定尺寸。唤起马克斯·普朗克的“量子”,FinFET表现出一种称为宽度量化的特性:其宽度是其高度的倍数。随机
2023-02-24 15:25:29
的使用中也是必不可少的。我们知道场效应晶体管的种类很多,根据结构不同分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管;绝缘栅型场效应管又称为金属氧化物导体场效应管,或简称MOS场效应管. 1、如何防止绝缘栅型场效应管
2016-01-26 10:19:09
VT称为增强型MOS管的开启电压。 单极型晶体管特点 输入电阻高,可达107~1015Ω,绝缘栅型场效应管(IGFET)可高达1015Ω。 噪声低,热稳定性好,工艺简单,易集成,器件特性便于
2020-06-24 16:00:16
很多应用中,甚至可以直接贴换三极管。1概述场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有...
2021-07-14 06:38:07
情况下,在HF~VHF频段设计的宽带射频功放,采用场效应管(FET)设计要比使用常规功率晶体管设计方便简单,正是基于场效应管输入阻抗比较高,且输入阻抗相对频率的变化不会有太大的偏差,易于阻抗匹配
2019-06-19 06:30:29
1200AC:脉冲恒流源50uS~300uSD:Vce测量精度2mVE:Vce测量范围0~8VF:电脑图形显示界面G:被测量器件智能保护二:应用范围A:大功率IGBT(双极型晶体管)B:大功率场效应管
2015-03-11 13:51:32
1. 场效应晶体管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件,也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流;而场效应晶体管是电压控流器件,也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流
2019-03-29 12:02:16
IGBT是由哪些部分组成的?绝缘栅双极型晶体管IGBT有哪些特点?如何去使用绝缘栅双极型晶体管IGBT呢?
2021-11-02 06:01:06
如何快速定性判断场效应管、三极管的好坏?怎么判断结型场效应管的电极?有什么注意事项?如何判别晶体三极管管脚?
2021-05-10 06:36:25
如何挑选出好的场效应晶体管?晶体三极管选用技巧有哪些?
2021-06-18 06:50:42
`从型号区分 场效应管型号如IRF......... 三极管型号如国产:3DD,国外:2S......... 场效应管有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管,第三位字母J代表结型场效应管,O
2012-07-11 11:41:15
常用场效应管及晶体管参数常用场效应管及晶体管参数场效应管的主要参数 (1)直流参数 饱和漏极电流IDSS 它可定义为:当栅、源极之间的电压等于零,而漏、源极之间的电压大于夹断电压时,对应的漏极电流
2008-08-12 08:39:59
场效应管的G极和S极是绝缘的,其阻抗达数十兆欧姆,理论上驱动场效应管只需要电压不需要电流,也就是零功率驱动,但许多电路尤其是要驱动功率较大的场效应管时,在G极前面却有一个用PNP型和NPN型三极管
2019-05-22 08:29:46
明原先假定是正确的。再次测量的阻值均很小,说明是正向电阻,属于P沟道场效应管,黑表笔所接触的也是栅极G。若不出现上述情况,可以互换红黑表笔,按上述方法进测试,直至判别栅极爲止。普通结型效应晶体管的源极
2019-03-21 16:48:50
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
`海飞乐技术现货替换IXFP14N85XM场效应管MOS管驱动跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了。这个很容易做到,但是,我们还需要速度。在MOS
2020-03-20 17:14:07
和工作原理电力场效应晶体管种类和结构有许多种,按导电沟道可分为P沟道和N沟道,同时又有耗尽型和增强型之分。在电力电子装置中,主要应用N沟道增强型。电力场效应晶体管导电机理与小功率绝缘栅MOS管相同,但结构有
2020-03-20 17:09:10
`晶体三极管简称三极管,和场效应晶体管一样,具有放大作用和开关特性的,是电子设备中的核心器件之一,应用十分广泛。三极管和场效应晶体管虽然特性,外形相同,但是工作原理却大不一样,普通三极管是电流控制器
2019-03-27 11:36:30
的种类繁多,根据结构不同分为结型场效晶体应管和绝缘栅型场效应晶体管;绝缘栅型场效应晶体管又称为金属氧化物导体场效应晶体管,或简称MOS场效应晶体管。1、防止绝缘栅型场效晶体应管击穿由于绝缘栅场效应管
2019-03-26 11:53:04
1、结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。
为使N沟道场效应管能够正常工作,应在其栅源之间加负向电压,以保证耗尽层承受反向电压;在漏源之间加正向电压,以形成漏极电流。N沟道场效应管在不加控制电压
2024-01-30 11:38:27
IGBT 是一种功率开关晶体管,它结合了 mosfet 和 bjt 的优点,用于电源和电机控制电路绝缘栅极双极性晶体管也简称为 IGBT,是传统双极性晶体管晶体管和场效应晶体管的交叉,使其成为理想
2022-04-29 10:55:25
功率场效应管MOSFET,功率场控晶体管
功率场效应管又叫功率场控晶体管。一.
2009-05-12 20:36:421457 功率场效应管的原理、特点及参数
功率场效应管又叫功率场控晶体管。
一.功率场效应管
2009-10-06 22:55:144643 功率场效应晶体管(VF)又称VMOS场效应管。在实际应用中,它有着比晶体管和MOS场效应管更好的特性。
2019-10-11 10:51:0926486 除了RDS(ON)之外,在MOS管的选择过程中还有几个MOS管参数也对电源设计人员非常重要。许多情况下,设计人员应该密切关注数据手册上的安全工作区(SOA)曲
2021-01-07 16:56:473430
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