功率元器件的发展与电源IC技术的变革

　　前言

　　为了防止地球温室化，减少CO2排放量已成为人类的课题。为了减少CO2排放量，节电与提高电压的转换效率是当务之急。在这种背景下，罗姆通过用于LED照明的技术贡献于节电，通过功率元器件提升转换效率。

　　而提高转换效率就需要减少损耗。发电站产生几十万伏的电压，通过电线和变压器将这些电压降低为如我们所熟悉的手机充电器所提供的约5V的电压进行使用。从发电站到充电器之间电压被多次转换，每次转换都会发生损耗。这些损耗的原因之一是功率元器件的损耗。只要这些损耗变成零，就可以大幅消减CO2排放量。虽然不能完全达到零，但为了接近零，罗姆日以继夜在进行反复的研究和开发。罗姆认为通过这些研发结果降低损耗、减少CO2排放，可以提高罗姆的企业存在价值。

　　罗姆在功率元器件领域的发展

　　提起半导体，一般人会想到施以微细加工的大规模集成电路（LSI），为了使LSI按要求工作，按所需电压、电流供应电力的电源是不可或缺的。在这种“按所需形式供应电力”的领域中，半导体也发挥着重要的作用，从“处理电力（功率）”的含义出发，其核心半导体部件被称为功率元器件或功率半导体。

　　在功率元器件的应用领域方面，又大致划分为电脑（PC）及PC外围设备领域约为30%，数码家电、车载领域约为15%，白色家电和工业、通信领域约为30%。在功率元器件的世界中，说“有多少电源种类就有多少功率元器件种类”毫不夸张，为满足市场需求，需要不断完善各种应用电路、易用封装、复合品、额定电流、额定电压的产品阵容，要求具备多元化的技术积累。

　　在功率元器件领域，罗姆拥有业界顶级水平的产品阵容，在Si基超级结（SJ）-MOSFET注1、MOSFET注2、双极晶体管注3、肖特基势垒二极管（SBD）注4、快速恢复二极管（FRD）注5、二极管（Di）注6、齐纳二极管注7之外，又新增了碳化硅（SiC注8）、氮化镓（GaN注9）等新一代元件，在各电压范围都配备了有特色的功率元器件产品。

　　［图1］晶体管开发趋势

　　

　　尤其是SiC从处于世界顶级的研究开发平稳顺利地进入到制造阶段，继2010年4月实现了SiC SBD量产之后，罗姆于同年12月在世界范围内首家※成功实现了SiC MOSFET的真正量产。另外，仅凭元件本身无法100%发挥SiC本身所具有的性能，为满足市场需求，罗姆于2011年陆续开始了模块产品的量产。

　　※：根据罗姆调查（截至2012年11月13日）

　　罗姆通过SiC产品覆盖高电压范围，通过SJ-MOS和MOSFET覆盖几百伏左右电压范围。近年来，罗姆正在发力扩充几百伏左右的商品的产品阵容。当然，传统的低耐压范围的商品扩充也在同时开发。2012年8月发布的新结构MOSFET就是耐压40V、电流可达100A的产品。该产品损耗的主要因素——Ron仅为1mΩ。

　　另外，在二极管方面，罗姆成功开发出一直以来认为要求极为苛刻的高耐热SBD。此产品即使在电气化程度越来越高的汽车这样的苛刻温度条件下亦可使用，可改善燃效。

　　不仅如此，罗姆正在不断提高驱动这些功率元器件的IC的耐压性能。以往耐压数十伏的罗姆IC，如今耐压性能已经提高到600V，可驱动各种耐压水平的功率元器件。

　　对于需要绝缘的整机产品，可使用2012年5月推出的带绝缘功能的栅极驱动器。此产品将3枚芯片一体封装，通过绝缘化，使电源部与控制部的分离成为可能，绝缘耐压已实现2500Vrms。这是通过罗姆融合了旗下IC电路设计技术、半导体（Wa）制造技术与封装技术而成功研发，并实现了量产化。

　　另外，伴随着功率元器件的高耐压化，还开发了外围使用的新系列电阻产品，即高耐压电阻KTR系列。以往在高电压发生部位（例：相机的闪光灯用电压部，使氙气型闪光灯瞬时产生几百伏电压）通过串联低耐压电阻实现耐压，而KTR系列产品通过结构改善实现了更高的耐压性能，1个电阻耐压可达300V以上。采用本品可以减少数码相机等产品的零部件数量。

　　罗姆针对各种耐压水平，不仅提供功率元器件，而且提供包括外围部件在内的综合改善方案。