电子发烧友网报道(文/李宁远)在高功率应用中,通常需要专用驱动器来驱动功率晶体管,不使用专用驱动器一般都会导致电路功耗过高。大多数功率MOSFET和IGBT由栅极驱动器IC驱动,尤其是IGBT,几乎
2021-11-03 09:33:563665 IGBT驱动光耦TLP250功率驱动模块在IRF840 MOSFET中的应用
2012-06-06 11:56:597045 日前,德州仪器 (TI) 宣布推出一款面向绝缘栅双极型晶体管(IGBT)与MOSFET的隔离式栅极驱动器,其速度比同等光学栅极驱动器快40%。
2012-10-11 14:04:331610 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极性三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
2023-11-24 15:51:59683 描述此参考设计在单个 24 伏直流输入电源中提供绝缘闸极双极型晶体管 (IGBT) 栅极驱动器所需的加强版隔离式正负电压轨。此参考设计采用反激式隔离型控制拓扑,提供符合 IEC61800-5 标准
2018-09-25 10:21:35
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR
2012-07-25 09:49:08
IGBT 102变压器隔离驱动模块原理图纸 我公司中频电源用变压器隔离驱动模块原理图纸,采用变压器隔离比光耦有完全隔离的优势。u 单管大功率 IGBT 模块驱动器。变压器信号耦合,延迟小,工作频率高
2013-01-17 13:54:30
`大家一起上传IGBT并联应用 功率器件交流群:215670829(500人) `
2013-03-25 11:19:45
隔离措施,以提高系统抗干扰措施,可采用带光电隔离的MOSFET驱动芯片TLP250。光耦TLP250是一种可直接驱动小功率MOSFET和IGBT的功率型光耦,由日本东芝公司生产,其最大驱动能力达1.5A
2012-06-14 20:30:08
现有IGBT 型号为H20R1202 要设计他的驱动电路,在哪里找资料?或者有没有设计过IGBT驱动电路的,能分享吗?现在有一个驱动MOSFET 的电路,可以用在IGBT的驱动上吗?
2016-04-01 09:34:58
和可靠性,因此。如何选择斩波电路和斩波器件十分重要。IGBT是近代新发展起来的全控型功率半导体器件,它是由MOSFET(场效应晶体管)与GTR(大功率达林顿晶体管)结合,并由前者担任驱动,因此具有
2018-10-17 10:05:39
IGBT的特点可以从其全称中了解一二:绝缘栅双极晶体管。所谓绝缘栅,是指IGBT与MOSFET类似,作为控制的门级和功率电路部分是绝缘的,之间没有通过导体或半导体电气连接。门级只要出现一定的电压,在
2023-02-16 15:36:56
引言IGBT在以变频器及各类电源为代表的电力电子装置中得到了广泛应用。IGBT集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体,具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断
2021-09-09 09:02:46
Supply;SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择,即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题,但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET
2018-08-27 20:50:45
,逆变器,变频器,电镀电解电源,超音频感应加热等领域。开关电源(SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择,即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题,但
2021-06-16 09:21:55
MOSFET转换到IGBT,必须对栅极驱动电路进行调节。 传导损耗需谨慎 在比较额定值为600V的器件时,IGBT的传导损耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。这种比较应该是在集电极和漏极
2020-06-28 15:16:35
MOSFET驱动器的主要用途有哪些?MOSFET或IGBT哪一种驱动器最适合您的应用呢?
2021-11-08 06:11:40
这个损耗看成器件的感性关断损耗。3)开关损耗:开通损耗:考虑二极管反向恢复后:关断损耗:驱动损耗:十、功率MOSFET的选择原则与步骤1)选择原则:a.根据电源规格,合理选择MOSFET 器件(见下
2021-08-29 18:34:54
:考虑二极管反向恢复后:关断损耗:驱动损耗:功率MOSFET的选择原则与步骤(1):选择原则(A):根据电源规格,合理选择MOSFET 器件(见下表):(B):选择时,如工作电流较大,则在相同的器件额定
2021-09-05 07:00:00
功率器件,如IGBT,Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等,都需要有充分的保护,以避免如欠压,缺失饱和,米勒效应,过载,短路等条件所造成的损害。本在线
2018-11-05 15:38:56
以适合更高功率的驱动器。此参考设计还利用推挽式拓扑的另一个优点,即可以从单个控制器并行控制多个变压器,从而生成三相 IGBT 逆变器所需的所有隔离式电压轨。最后,用于更高功率驱动器的更大 IGBT
2015-03-23 14:35:34
以适合更高功率的驱动器。此参考设计还利用推挽式拓扑的另一个优点,即可以从单个控制器并行控制多个变压器,从而生成三相 IGBT 逆变器所需的所有隔离式电压轨。最后,用于更高功率驱动器的更大 IGBT
2015-04-27 17:31:57
IGBT/功率 MOSFET 是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对
2018-11-01 11:35:35
利用3525做一个24v的隔离电源,为igbt驱动供电,驱动用3120来隔离,mc33153来做保护,请各位大神给讲讲原理,不太懂电源的推挽输出,还有mc33153和3120的连接部分
2016-05-08 21:02:46
控人机界面方案商的工程师(熟悉通信互联,并不熟悉执行部分和元器件构成),本文提供IGBT和MOSFET基础知识和工程选型要领。一般认为IGBT个大功率大,MOSFET适合开关和小电流驱动,其实IGBT
2022-06-28 10:26:31
智能功率模块 (IPM) 是一种功率半导体模块,它将运行 IGBT 所需的所有电路集成到单个封装中。它包括所需的驱动电路和保护功能,以及IGBT。通过这种方式,可以从现有的IGBT技术中获得最佳
2023-02-24 15:29:54
概述:IRS26302DJBPF美国国家半导体公司生产的一款高速功率MOSFET和IGBT驱动器,它把功率MOSFET/IGBT栅极驱动器与三个高侧及三个低侧参考输出通道集成在一起,在最高20V
2021-05-18 07:25:34
,SiC-MOSFET在25℃时的变动很小,在25℃环境下特性相近的产品,差距变大,温度增高时SiC MOSFET的导通电阻变化较小。与IGBT的区别:关断损耗特性前面多次提到过,SiC功率元器件的开关特性优异,可处理
2018-12-03 14:29:26
,SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动,从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小(可实现小型封装),而且体
2019-05-07 06:21:55
应用中使用的功率IGBT和MOSFET。 输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。 该光电耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定功率高达800 V / 50 A的IGBT。对于
2019-10-30 15:23:17
;IGBT集中应用于焊机,逆变器,变频器,电镀电解电源,超音频感应加热等领域 开关电源 (Switch Mode Power Supply;SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择,即
2017-04-15 15:48:51
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。在高度可靠、高性能的应用中,如电动/混合动力汽车,隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。随着
2021-01-22 06:45:02
Supply;SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择,即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题,但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行
2019-03-06 06:30:00
描述TIDA-00195 参考设计包括一个 22kW 功率级以及 TI 全新的增强型隔离式 IGBT 栅极驱动器 ISO5852S(适用于各种应用中的电机控制)。此设计可对三相逆变器(其中整合了额定
2018-12-27 11:41:40
引用:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极性三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率
2023-02-10 15:33:01
的问题,如果从系统的电压、电流、切换功率等因素作为考虑,可以总结出以下几点:详细的讲解,见附件。。。。。。MOSFET和IGBT 硬件驱动电路对比讲解1、MOSFE作为大功率器件的驱动方案 2、IGBT作为大功率器件的驱动方案`
2021-03-02 13:47:10
`描述此参考设计在单个 24 伏直流输入电源中提供绝缘闸极双极型晶体管 (IGBT) 栅极驱动器所需的加强版隔离式正负电压轨。此参考设计采用反激式隔离型控制拓扑,提供符合 IEC61800-5 标准
2015-04-27 18:16:34
电机驱动市场特别是家电市场对系统的能效、尺寸和稳健性的要求越来越高。 为满足市场需求,意法半导体针对不同的工况提供多种功率开关技术,例如, IGBT和最新的超结功率MOSFET。 本文在实际
2018-11-20 10:52:44
电子技术的能量变换与管理应用中,越来越成为各种主回路的首选功率开关器件,因此如何安全可靠地驱动igbt工作,也成为越来越多的设计工程师面临需要解决的课题。 在使用igbt构成的各种主回路之中,大功率
2012-12-08 12:34:45
是由光耦和功率缓冲器构成,如hcpl-3150 等,如图1所示。它将普通控制信号的ttl/cmos输入电平信号转变为正负十几伏的igbt门极驱动输出电平,正负电平的幅值取决于隔离电源。图1
2012-07-09 15:36:02
测量和校核开关电源、电机驱动以及一些电力电子变换器的功率器件结温,如 MOSFET 或 IGBT 的结温,是一个不可或缺的过程,功率器件的结温与其安全性、可靠性直接相关。测量功率器件的结温常用二种方法:
2021-03-11 07:53:26
描述 TIDA-00448 参考设计是带有双极性闸极电压的隔离式 IGBT 闸极驱动程序,旨在用于驱动所需高峰值闸极电流高达 40 A 的大功率 IGBT。TI 的 NexFET 电源块就在此范围内
2018-09-04 09:20:51
电源 低噪声灯丝电源 IGBT 栅极驱动电源3 说明VPS8703 是一款专门为小体积、低待机功耗的微功率隔离电源而设计的变压器驱动器,其外围只需匹配简单的输入输出滤波电容、隔离变压器和整流
2022-11-11 14:44:13
电动汽车、风能/太阳能逆变等所需的核心器件。2、IGBT特性简介图 1 功率MOSFET和IGBT结构示意图IGBT是通过在功率MOSFET的漏极上追加一层P+层而构成的,其理想等效电路如下图所示:图 2
2015-12-24 18:13:54
适合更高功率的驱动器。此参考设计还利用推挽式拓扑的另一个优点,即可以从单个控制器并行控制多个变压器,从而生成三相 IGBT 逆变器所需的所有隔离式电压轨。最后,用于更高功率驱动器的更大 IGBT 需要
2018-09-20 08:49:06
将减小元件尺寸,从而减小成本、系统尺寸和重量;这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化,其中包括栅极驱动器。本文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
频率将减小元件尺寸,从而减小成本、系统尺寸和重量;这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化,其中包括栅极驱动器。本文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
减小元件尺寸,从而减小成本、系统尺寸和重量;这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化,其中包括栅极驱动器。本文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
在高度可靠、高性能的应用中,如电动/混合动力汽车,隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。随着Si-MOSFET/IGBT不断改进,以及对GaN和SiC工艺技术的引进,现代功率转换器/逆变器的功率密度不断提高。
2019-08-09 07:03:09
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
选取最小值,以提高其耐短路能力)。1.2 对电源的要求 对于全桥或半桥电路来说,上下管的驱动电源要相互隔离,由于IGBT是电压控制器件,所需要的驱动功率很小,主要是对其内部几百至几千皮法的输入电容
2016-11-28 23:45:03
选取最小值,以提高其耐短路能力)。1.2 对电源的要求 对于全桥或半桥电路来说,上下管的驱动电源要相互隔离,由于IGBT是电压控制器件,所需要的驱动功率很小,主要是对其内部几百至几千皮法的输入电容
2016-10-15 22:47:06
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大,碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件,主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面,具体如下
2023-02-27 16:03:36
的效率。要做到这一点,电机控制电路必须很快地开关流向电机线圈的电流,在开关上面需要达到最小的切换时间或导电期间的损失。 要满足这些需求需要使用MOSFET和IGBT。这两种半导体器件都可以用于电机驱动
2016-01-27 17:22:21
IGBT的驱动与保护电路研究:对电力电子功率器件IGBT的开关特性、驱动波形、功率、布线、隔离等方面的要求和保护方法进行了分析和讨论,介绍了IGBT的几种基本驱动电路和一种典
2009-05-31 12:33:1564 IGBT和MOSFET器件的隔离驱动技术:介绍了绝缘栅大功率器件各种不同的驱动技术以及当前市场上的各类成品驱动器的性能特点。关键词院MOSFET IGBT 隔离驱动 光电耦合器 脉冲变压器
2009-06-20 08:37:4656 功率MOSFET的隔离式栅极驱动电路
2009-04-02 23:36:182182 本文针对10 kW三相IGBT全桥变换器设计了一种隔离驱动电源,提供4路相互隔离的输出,每路输出均提供+15 V/-9 V电源。电源功率较小,考虑成本和效率,采用单端反激式结构。
2011-08-19 11:35:1211058 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器,可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。
2016-03-14 18:13:231402 本文介绍了MOSFET/IGBT 半桥驱动芯片IR2111 的使用情况, 分析了其工作电路中外围各元器件的作用, 同时指出了在使用过程中应注意的一些问题和现象, 并对不同公司的MOSFET/IGBT 驱动芯片作了简要介绍。
2016-06-15 17:36:420 , 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、
2017-06-01 08:38:169 PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等功率器件,都需要有充分的保护以避免欠压、米勒效应、缺失饱和、过载、短路造成的损害。本文通过Avago参与的八大问答讨论隔离驱动
2017-10-26 16:52:4614 本文主要对逆变器等功率装置的IGBT驱动电路进行研究,从门极驱动电压、门极驱动电阻、驱动电路功率与IGBT的关系以及驱动保护等方面分析了驱动电路的设计。最后设计了以基于光电耦合器HCPL316J的驱动电路,计算了电路的参数。通过驱动实验和短路保护实验,验证了设计的正确性。
2018-06-01 11:33:5669 IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是一种电压控制型功率器件,它所需驱动功率小,控制电路简单,导通压降低,且具有较大的安全工作区和短路承受能力。因此,目前IGBT已在中功率以上的电力电子系统中(如变频器
2019-01-11 11:19:5749 通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394941 MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构,直流电不能通过,因而低频的表态驱动功率接近于零。但是栅极和源极之间构成了一个栅极电容Cgs,因而在高频率的交替
2019-07-03 16:26:554307 、全控型器件和不可控型器件,其中晶闸管为半控型器件,承受电压和电流容量在所有器件中最高;电力二极管为不可控器件,结构和原理简单,工作可靠;还可以分为电压驱动型器件和电流驱动型器件,其中GTO、GTR为电流驱动型器件,IGBT、电力MOSFET为电压驱动型器件
2022-12-08 14:48:341066 本应用笔记介绍了MOSFET / IGBT驱动器理论及其应用。该文档介绍了MOSFET和IGBT技术,驱动器的类型,隔离技术以及MOSFET / IGBT驱动器的IXYS系列以及一些实际考虑因素
2021-05-26 17:04:022922 Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
在高度可靠、高性能的应用中,如电动/混合动力汽车
2021-01-20 15:00:2413 摘要
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为
2021-01-28 08:13:3820 IGBT及MOSFET隔离驱动为可靠驱动绝缘栅器件,目前已有很多成熟电路。当驱动信号与功率器件不需要隔离时,驱动电路的设计是比较简单的,目前也有了许多优秀的驱动集成电路。
2021-02-08 17:38:007374 ROHM不仅提供电机驱动器IC,还提供适用于电机驱动的非隔离型栅极驱动器,以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我们将先介绍罗姆非隔离型栅极驱动器,再介绍ROHM超级结MOSFET
2021-08-09 14:30:512409 电子发烧友网报道(文/李宁远)在高功率应用中,通常需要专用驱动器来驱动功率晶体管,不使用专用驱动器一般都会导致电路功耗过高。大多数功率MOSFET和IGBT由栅极驱动器IC驱动,尤其是IGBT,几乎
2021-11-08 09:28:072297 速度比较快,因此关断过程中不会产生负压,但值得一提的是,在干扰较重的情况下,这一现象是有助于提高可靠性的。本文将针对IGBT以及MOSFET器件的隔离驱动技术进行大致的介绍,帮助大家理解。...
2022-02-11 14:53:527 的栅极输入供应所需的峰值充电电流,来打开器件。该目标通过向功率半导体的栅极提供正压(V OH )来实现。若要关闭MOSFET或IGBT,需拉起驱动器件的栅极至0电压(V OL )或更低。 许多功率控制应用采用两个或两个以上串联功率半导体的“图腾柱”上桥和下桥连接。上桥N沟道MOSFET漏极连接至电源
2022-12-07 19:30:07510 IGBT/功率MOSFET是一种电压控制器件,用作电源电路和电机驱动器等系统中的开关元件。栅极是每个设备的电气隔离控制端子。 MOSFET的其他端子是源极和漏极,对于IGBT,它们被称为集电极
2023-01-30 17:17:121151 智能功率模块(IPM)是一种功率半导体模块,可将操作IGBT所需的所有电路集成到一个封装中。它包括所需的驱动电路和保护功能,以及IGBT。这样,可以通过可用的IGBT技术获得最佳性能。
2023-02-02 14:39:142429 非隔离型栅极驱动器与功率元器件
2023-02-08 13:43:24355 本文的关键要点・IPM是“Intelligent Power Module”的缩写,IPM是集成了IGBT、MOSFET等元器件单体(分立产品)与驱动电路、保护电路等电路的模块的统称。
2023-02-13 09:30:151495 IGBT在MOSFET基础上升级,市场空间增速快。IGBT作为半导体功率器件中的全控器件,由BJT(双极型三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应
管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件
2023-02-15 16:26:3234 隔离驱动IGBT的意义在于,它可以将低电压的控制信号转换为高电压的控制信号,从而控制IGBT晶体管的开关,从而实现高效的电力控制。
2023-02-15 16:47:24788 式功率半导体器件。
上次从IGBT的名称入手,搞清楚了IGBT栅极和双极性所包含的背后意义。这次我们从IGBT的定义出发,来看看为什么说IGBT是由BJT和
MOSFET组成的器件?它们之间有什么区别和联系?在应用的时候,什么时候能选择IGBT、什么时候选择BJT、什么时候又选择MOSFET管
呢?
2023-02-22 14:51:281 MOSFET之间驱动参数的实际差异。 参考资料:《IGBT以及MOSFET的驱动参数的计算方法》concept 1.模块所需驱动功率的计算2.门级电荷说明3.峰值驱动电流公式4.输出电压摆幅的变化5.最大开
2023-02-22 14:45:3912 说明:IGBT 功率器件损耗与好多因素相关,比如工作电流,电压,驱动电阻。在出设计之前评估电路的损耗有一定的必要性。在确定好功率器件的驱动参数后(驱动电阻大小,驱动电压等),开关器件的损耗基本上
2023-02-22 14:05:543 , 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流
密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的
优点,驱动功率小而饱和压降低。
2023-02-23 09:52:070 SLM27517 单通道,高速,低侧栅极驱动器器件可以有效地驱动MOSFET和IGBT功率开关。使用设计其固有地最小化击穿电流,可以源汇高峰值电流脉冲转换为电容性负载轨对轨驱动能力非常小传播延迟通常
2023-02-23 15:42:222 半导体功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件,具有开关速度快、易于驱动、损耗低等优势。IGBT全称是绝缘栅极
2023-05-18 09:51:583451 森国科隆重推出IGBT分立器件新品,兼具功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高和功率双极型晶体管(BJT)低饱和压降、大电流运输能力及低损耗的优点。
2023-07-26 17:34:13355 、MOSFET和SiCMOSFET等功率开关。该板预装了两个CoolSiCSiCMOSFETIMZA120R020M1H,一个额外的栅极驱动IC用于隔离从上桥臂到逻辑控制侧
2023-07-31 17:55:56430 驱动光耦产品线,近期新增一款输出电流为2.5A的智能栅极驱动光耦 TLP5222 。它是一款可为MOSFET或IGBT等功率器件提供过流保护的隔离栅极驱动IC,内置保护操作自动恢复的功能。该器件主要用来实现逆变器、交流伺服器,光伏逆变器等的智
2023-09-28 17:40:02526 电子发烧友网站提供《隔离驱动IGBT等功率器件的技巧.doc》资料免费下载
2023-11-14 14:21:590 因IGBT具有电流拖尾效应,在关断时要求更好的抗干扰性,需要负压驱动。MOSFET速度比较快,关断时可以没有负压,但在干扰较重时,负压关断对于提高可靠性有很大好处。
2023-11-14 15:07:324 电子发烧友网站提供《现代IGBT/MOSFET栅极驱动器 提供隔离功能的最大功率限制.pdf》资料免费下载
2023-11-22 16:48:150 IGBT是一种高性能功率半导体器件,常用于驱动大功率负载的电路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和BJT(双极型晶体管)两个器件构成。它结合
2024-01-12 14:43:521681 意法半导体(下文为ST)的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 (典型值),采用SOW-18(宽体)封装, 高达5000Vrms的隔离电压,适用于于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET等功率器件。BTD25350功
2023-11-30 09:42:59
评论
查看更多