,并签订战略合作协议,合作内容包含了基于某些客户的需求,进行基于罗姆碳化硅芯片的功率半导体模块,及对应电机控制器的开发。本文即介绍臻驱对碳化硅功率模块的开发、测试及系统评估。 Introduction 碳化硅功率半导体近年来在能源转换
2020-11-24 11:51:471754 流及更高的工作温度,抗辐照能力得到提升;碳化硅材料击穿电场是硅的 10 倍,因此,其器件可设计更高的掺杂浓度及更薄的外延厚度,与相同电压等级的硅功率器件相比,导通电阻更低;碳化硅具有高电子饱和速度的特性
2022-11-12 10:01:261315 碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点,被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料
2020-09-24 16:22:14
发展。 Microsemi公司1月15日宣布推出了新一代碳化硅(SiC)标准电源模块,非常适用于大功率开关模式电源供应器、马达驱动器、不间断电源、太阳能逆变器、石油勘探和其他高功率高电压工业应用。该
2018-11-28 10:59:07
复杂的设计,功率模块的集成能力使其成为首选。但是哪些封装适用于快速开关碳化硅器件? 当传统硅器件在功率损耗和开关频率方面达到极限时,碳化硅可能是合适的半导体选择。高达 30 至 40kHz,最新一代
2023-02-20 16:29:54
PN结器件优越的指标是正向导通电压低,具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点,一是反向耐压VR较低,一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。 二、碳化硅半导体材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
作用下的界面完整性;此项目标准对碳化硅功率模块而言很苛刻,尤其是应用于汽车的模块。AC/PCT(高温蒸煮测试) 高温蒸煮测试是把被测对象放进高温高湿高气压的环境中,考验晶片钝化层的优良程度及树脂材料
2023-02-28 16:59:26
碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言,该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量,并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值,对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44:07
更新换代,SiC并不例外 新一代半导体开关技术出现得越来越快。下一代宽带隙技术仍处于初级阶段,有望进一步改善许多应用领域的效率、尺寸和成本。虽然,随着碳化硅技术的进步,未来还将面临挑战,例如,晶圆
2023-02-27 14:28:47
的商机。另外,X-Fab、汉磊及环宇也提供SiC及GaN的代工业务。随着代工业务的带动,第三代半导体材料的市场规模也将进一步扩大。
2019-05-09 06:21:14
应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员!附件是海飞乐技术碳化硅二极管选型表,欢迎大家选购!碳化硅(SiC)半导体材料是自第一代元素半导体材料(Si、Ge)和第二代化合物半导体材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能,碳化硅是宽禁带半导体材料的一种,主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等,因此被应用于各种半导体材料当中,碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
的碳化硅压敏电阻由约90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合剂和添加剂制成。将原材料制成各种几何尺寸的压敏电阻,然后在特定的大气和环境条件下在高温下烧结。然后将一层黄铜作为电触点喷上火焰。其他标准
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
泛的宽禁带半导体材料之一,凭借碳化硅(SiC)陶瓷材料自身优异的半导体性能,在各个现代工业领域发挥重要革新作用。是高温、高频、抗辐射、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。由于碳化硅功率器件可显著降低
2021-01-12 11:48:45
上,对介电常数要求严格,虽然有低温共烧陶瓷,仍然无法满足他们的要求,需要一种性能更好的升级产品,建议可以使用富力天晟的碳化硅基板;因应汽车需求而特别开发的产品(如IC 载板、软板、银胶贯孔等),也在向
2020-12-16 11:31:13
在设计功率转换器时,碳化硅(SiC)等宽带隙(WBG)技术现在是组件选择过程中的现实选择。 在设计功率转换器时,碳化硅(SiC)等宽带隙(WBG)技术现在是组件选择过程中的现实选择。650V
2023-02-23 17:11:32
电磁性。因碳化硅是一种共价键化合物,原子间结合的键很强,它具有以下一些独特的性能,因而得以广泛应用。1)高熔点。关于碳化硅熔点的数据.不同资料取法不一,有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不过,自1893 年以来,粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料,为什么应用的领域会受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
材料施加热应力,评估器件内部各种不同材质在热胀冷缩作用下的界面完整性;此项目标准对碳化硅功率模块而言很苛刻,尤其是应用于汽车的模块。HTRB(高温反偏测试)HTRB是分立器件可靠性最重要的一个试验项目
2023-02-20 15:27:19
第二代碳化硅肖特基二极管-JBS简介 产业界以第一代标准肖特基结构做成的肖特基二极管(SBD)漏电流大,反向耐压低,产品竞争力差,商业应用价值低。为了提升产品竞争力,碳化硅肖特基二极管的结构也从标准
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(49W/mK)使功率半导体器件效率更高,运行速度更快
2023-02-28 16:34:16
材料的两倍以上。因此,SiC所能承受的温度更高,一般而言,使用碳化硅(SiC)陶瓷线路板的功率器件所能达到的最大工作温度可到600 C。2) 高阻断电压与Si材料相比,SiC的击穿场强是Si的十倍多
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
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2018-11-15 11:52:42
科技有限公司TGF2023-2-10对碳化硅器件由DC至14 GHz的离散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益为19.8 dB的饱和输出功率。最大功率附加效率为
2018-06-12 10:22:42
TGF2023-2-10对碳化硅器件由DC至14 GHz的离散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益为19.8 dB的饱和输出功率。功率附加效率为69.5%,这使
2018-11-15 11:59:01
TGF2023-2-20碳化硅晶体管产品介绍TGF2023-2-20报价TGF2023-2-20代理TGF2023-2-20咨询热线TGF2023-2-20现货,王先生*** 深圳市首质诚
2018-06-22 11:09:47
TGF2954碳化硅晶体管产品介绍TGF2954报价TGF2954代理TGF2954TGF2954现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司TGF2954是离散的5.04毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:01:58
TGF2955碳化硅晶体管产品介绍TGF2955报价TGF2955代理TGF2955TGF2955现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司TGF2955是离散的7.56毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:06:57
通损耗一直是功率半导体行业的不懈追求。 相较于传统的硅MOSFET和硅IGBT 产品,基于宽禁带碳化硅材料设计的碳化硅 MOSFET 具有耐压高、导通电阻低,开关损耗小的特点,可降低器件损耗、减小
2023-02-27 16:14:19
用于电机驱动领域的优势,寻找出适合碳化硅功率器件的电机驱动场合,开发工程应用技术。现已有Sct3017AL在实验室初步用于无感控制驱动技术中,为了进一步测试功率器件性能,为元器件选型和实验验证做调研
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的结构是如何构成的?
2021-06-18 08:32:43
多半仍以机械结构为主,造价高昂,且产品相当笨重,更需要经常维修。为了改良这些缺点,以电力电子为基础的新一代大功率电力设备应运而生。碳化硅等新世代组件,则是在背后促成这股电力设备电子化不可或缺的功臣
2021-09-23 15:02:11
碳化硅 (SiC) 是一种下一代材料,可以显著降低功率损耗并实现更高的功率密度、电压、温度和频率,同时减少散热。高温可操作性降低了冷却系统的复杂性,从而降低了电源系统的整体架构。与过去几十年相比
2022-06-13 11:27:24
,获得华大半导体有限公司投资,创能动力致力于开发以硅和碳化硅为基材的功率电子器件、功率模块,并商品化提供解决方案。碳化硅使用在氮化镓电源中,可实现相比硅元器件更高的工作温度,实现双倍的功率密度,更小
2023-02-22 15:27:51
和分析,为满足不同的市场需求,基本半导体为图腾柱无桥PFC这一硬开关拓扑设计了能同时兼顾效率与性价比的混合碳化硅分立器件,同时也提供了更高效率的全碳化硅 MOSFET方案。 04 对比测试 这里
2023-02-28 16:48:24
明白碳化硅MOSFET其中好处之一,这个个参数是导通电阻 RDS(on)。在芯片温度100°C 时,CoolSiC有较低的倍增系数(multiplication factor,K),约为 1.13,而
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫欧4脚TO247封装碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)实现了高频LLC谐振全桥隔离变换器,如图所示。由于碳化硅的高阻断电压, 快速开关及低损耗等
2016-08-05 14:32:43
导 读 追求更低损耗、更高可靠性、更高性价比是碳化硅功率器件行业的共同目标。为不断提升产品核心竞争力,基本半导体成功研发第三代碳化硅肖特基二极管,这是基本半导体系列标准封装碳化硅肖特基二极管
2023-02-28 17:13:35
用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器
2021-02-22 07:32:40
采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片的半桥功率模块系列 产品型号 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore2
2023-02-27 11:55:35
,极大地提高模块工作的可靠性。此外,铝带、铜带连接工艺因其更大的截流能力、更好的功率循环以及散热能力,也有望为碳化硅提供更佳的解决方案。图 11 所示分别为铜键合线、铜带连接方式。锡片或锡膏常用于芯片
2023-02-22 16:06:08
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题,解决各行业遇到的各种芯片散热问题,如果你有类似的困惑,欢迎前来探讨,铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热,高刚度,高耐磨,低膨胀,低密度,低成本,适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流,谢谢各位!
2016-10-19 10:45:41
10μs,在设计硅IGBT的短路保护电路时,建议将短路保护的检测延时和相应时间设置在5-8μs较为合适。 2)碳化硅MOSFET 一般碳化硅MOSFET模块短路承受能力小于5μs,要求短路保护在3
2023-02-27 16:03:36
碳化硅(SiC)等宽带隙技术为功率转换器设计人员开辟了一系列新的可能性。与现有的IGBT器件相比,SiC显著降低了导通和关断损耗,并改善了导通和二极管损耗。对其开关特性的仔细分析表明,SiC
2023-02-22 16:34:53
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能,特别是在800 V 电池系统和大电池容量中,它可提高逆变器的效率,从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16
是宽禁带半导体材料的一种,主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等,因此被应用于各种半导体材料当中,碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管。功率二极管包括结势垒肖特基(JBS)二极管
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅,采用的是ICP系列设备,刻蚀气体使用的是SF6+O2,碳化硅上面没有做任何掩膜,就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
越长,损失的功率就越多。图 2:MOSFET 导通特性和米勒高原当碳化硅MOSFET开关时,栅源电压(V 一般事务人员 ) 通过门到源阈值 (V 总金 ),钳位在米勒平台电压(V PLT ),并且停留在
2022-11-02 12:02:05
Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,日前宣布作为公司强力进军工业和汽车用功率半导体元件市场战略的一项举措,Littelfuse对碳化硅技术研发领域的初创公司Monolith
2015-12-22 11:04:2210718 具体来说,在新能源发电系统中,采用碳化硅技术能够达到的更高的效率意味着其能够更早地替代传统的石化燃料发电。英飞凌为光伏串组串逆变器的升压和逆变部分提供量身定制的模块系列,可以提升的逆变器效率和性能。在充电桩应用中,英飞凌的全碳化硅解决方案大幅提升功率密度,从而使充电设备变得更加轻巧便捷。
2018-05-04 09:05:019155 作为碳化硅技术全球领先企业的科锐(Cree Inc., 美国纳斯达克上市代码:CREE)公司,于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET产品组合,适用于更广阔的工业应用,助力新一代电动汽车车载充电、数据中心和其它可再生能源系统应用,提供业界领先的功率效率。
2020-04-02 15:37:563648 7月29日,基本半导体碳化硅功率模块装车测试发车仪式在深圳成功举行,搭载自主研发碳化硅模块的测试车辆正式启程。
2021-07-30 15:55:331835 基本半导体是国内比较早涉及第三代半导体碳化硅功率器件研发的企业,率先推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等器件,为业界熟知,并得到广泛应用。在11月27日举行的2021基本创新日活动
2021-11-29 14:54:087839 12月30日,基本半导体位于无锡市新吴区的汽车级碳化硅功率模块制造基地正式通线运行,首批碳化硅模块产品成功下线。这是目前国内第一条汽车级碳化硅功率模块专用产线,采用先进碳化硅专用封装工艺技术,打造
2021-12-31 10:55:432796 Agarwal 的播客中,我们将发现 SiC 的好处和应用。 讨论的文章: 改进碳化硅晶圆工艺 碳化硅功率模块建模 商用 1.2 kV 4H-SiC 功率 MOSFET 的栅极漏电流行为研究 商用 1.2
2022-08-03 17:07:351383 本期Digi-Key Daily向大家推介两款产品:TDK-Lambda CUS350MP-1000医疗和工业电源和Wolfspeed WolfPACK碳化硅功率模块。
2022-08-04 09:51:111458 来源:中国电子报 日前,国际碳化硅大厂安森美宣布,其在捷克Roznov扩建的碳化硅工厂落成,未来两年内产能将逐步提升。另一家碳化硅大厂Wolfspeed也表示将在美国北卡罗来纳州建造一座价值数十
2022-10-08 17:02:25872 碳化硅器件总成本的50%,外延、晶圆和封装测试成本分别为25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性对最终器件的性能有着举足轻重的意义,从产业链各环节探究材料特性及缺陷产生的原因,与上下游企业协同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
2023-01-05 11:23:191191 ,莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中,碳化硅为应用最广泛、最经济的一种,可以称为金钢砂或耐火砂。 中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种,均为六方晶体,比重为3.20~3.25,显微硬度为2840~3320kg/mm。 碳化硅也可以通过使
2023-02-02 14:50:021981 碳化硅的电阻率。碳化硅的电阻率随温度的变化而改变,但在一定的温度范围内与金属的电阻温度特性相反。碳化硅的电阻率与温度的关系更为复杂。碳化硅的导电率随温度升高到一定值时出现峰值,继续升高温度,导电率又会下降。
2023-02-03 09:31:234410 碳化硅技术壁垒分析:碳化硅技术壁垒是什么 碳化硅技术壁垒有哪些 碳化硅芯片不仅是一个新风口,也是一个很大的挑战,那么我们来碳化硅技术壁垒分析下碳化硅技术壁垒是什么?碳化硅技术壁垒
2023-02-03 15:25:163637 高技术耐火原料中,碳化硅为应用最广泛、最经济的一种,可以称为金钢砂或耐火砂。中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种,均为六方晶体,比重为3.20~3.25。
2023-02-03 16:11:352997 碳化硅模块上车高湿测试 2021年碳化硅很“热”。比亚迪 半导体 、派恩杰、中车时代电气、基本半导体等国内碳化硅功率器件供应商的产品批量应用在汽车上,浙江金华、安徽合肥等地碳化硅项目开始
2023-02-21 09:26:452 我们拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二极管和碳化硅MOSFET展开说明。碳和硅进过化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成为粉末,碳化硅粉末经过碳化硅单晶生长成为碳化硅晶锭;碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 什么是第三代半导体?我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体,这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二极管
2023-02-21 10:16:472090 汽车碳化硅模块是一种用于汽车电力传动系统的电子器件,由多个碳化硅芯片、散热器、绝缘材料和连接件等组成。碳化硅芯片作为模块的核心部件,采用现代半导体技术制造而成,可以实现高功率、高效率、高频率的控制和开关,适用于电动车的逆变器、充电器、DC-DC转换器等多种应用。
2023-02-25 15:03:222180 首先,让我们简要介绍一下碳化硅到底是什么,以及它与传统硅的一些不同之处。关于SiC的一个有趣的事实是,碳化硅的碳化物成分不是天然存在的物质。事实上,碳化物最初是从陨石的碎片中发现的。其独特的性能非常有前途,以至于今天,我们合成了用于碳化硅功率产品的硬质合金。
2023-05-20 17:00:09614 碳化硅功率模组有哪些 碳化硅功率器件系列研报深受众多专业读者喜爱,本期为番外篇,前五期主要介绍了碳化硅功率器件产业链的上中下游,本篇将深入了解碳化硅功率器件的应用市场,以及未来的发展趋势,感谢各位
2023-05-31 09:43:20390 碳化硅二极管是什么 碳化硅二极管是一种半导体器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐压能力和高的温度耐受性,因此碳化硅二极管具有较低的反向漏电流、高温下稳定性良好、响应速度快等特点,广泛用于高功率、高频率、高温、高压等领域,如电源、变频器、太阳能、电动汽车等。
2023-06-02 14:10:32747 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件,其中"MOSFET"表示金属氧化物半导体场效应晶体管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180 当前,全球碳化硅产业格局呈现美、欧、日三足鼎立态势,碳化硅材料七成以上来自美国公司,欧洲拥有完整的碳化硅衬底、外延、器件以及应用产业链,日本则在碳化硅芯片、模块和应用开发方面占据领先优势。
2023-08-15 10:07:41260 随着新能源汽车的快速发展,碳化硅功率器件在新能源汽车领域中的应用也越来越多。碳化硅功率器件相比传统的硅功率器件具有更高的工作温度、更高的能耗效率、更高的开关速度和更小的尺寸等优点,因此在新能源
2023-09-05 09:04:421880 碳化硅功率器件是一种利用碳化硅材料制作的功率半导体器件,具有高温、高频、高效等优点,被广泛应用于电力电子、新能源等领域。下面介绍一些碳化硅功率器件的基础知识。
2023-09-28 18:19:571219 硅是半导体的传统材料,但其近亲碳化硅(SiC)最近已成为激烈的竞争对手。碳化硅的特性特别适合高温、高压应用。它提供了更高的效率,并扩展了功率密度和工作温度等领域的功能。
2023-11-10 09:36:59482 前段时间,奥迪宣布年底生产碳化硅车型Q6 e-tron(,最近,奥迪又有1款碳化硅车型公布,同时Lucid也发布了最新的900V碳化硅车型。
2023-11-25 16:13:051423 碳化硅在温度传感器中的应用 碳化硅 (SiC) 是一种广泛应用于温度传感器中的材料。由于其出色的耐高温和抗腐蚀能力,碳化硅成为了各种工业和高温环境下的温度测量领域中的首选材料。在本文中,我们将讨论
2023-12-19 11:48:30207 碳化硅功率器件的实用性不及硅基功率器件吗 碳化硅功率器件相较于传统的硅基功率器件具有许多优势,主要体现在以下几个方面:材料特性、功率密度、温度特性和开关速度等。尽管碳化硅功率器件还存在一些挑战
2023-12-21 11:27:09286 随着科技的不断进步,碳化硅(SiC)作为一种新型的半导体材料,在功率器件领域的应用越来越广泛。碳化硅功率器件在未来具有很大的发展潜力,将在多个领域展现出显著的优势。本文将介绍未来碳化硅功率器件的优势
2024-01-06 14:15:03353 碳化硅(SiC)是一种优良的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点,因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379 材料的生长和加工难度较大,其特色工艺模块的研究和应用成为了当前碳化硅产业发展的关键。 碳化硅特色工艺模块主要包括以下几个方面: 注入掺杂 在碳化硅中,碳硅键能较高,杂质原子难以在其中扩散。因此,在制备碳化硅器件时
2024-01-11 17:33:14293
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