,截止损耗(漏电流引起的,这个忽略不计),还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内,mos即会正常工作,超出承受范围,即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗,不同mos这个差距可能很大。
2023-05-08 11:09:452180 51单片机能做指纹锁,被heck的可能性大吗?求大神解答
2023-10-28 06:06:38
P沟道MOS管和N沟道MOS管的互补性体现在哪里????????求大神帮助!!!!!!!
2013-09-24 16:50:43
驱动的使用,当然就是用它的开关作用。接下来我们来了解MOS管发热五大关键技术。1、芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片
2015-12-16 15:53:00
可能导致整个电路板的损毁。其发热情况有:1、电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全
2018-11-24 11:17:56
管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流
2018-10-31 13:59:26
` 做电源设计,或者做驱动方面的电路,难免要用到场效应管,也就是人们常说的MOS管。MOS管有很多种类,也有很多作用。做电源或者驱动的使用,当然就是用它的开关作用。接下来我们来了解MOS管发热五大
2019-02-28 10:50:05
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:00 编辑
三极管B/E极从现有电路断开,B极上拉10K到电源,B极接按键到地,E极接地,C极保持现有不变MOS管换成P管这样实现的功能
2012-07-11 11:47:21
有谁用过IRLML6401,接法如下图,但是mos管不能导通是什么原因?
2015-12-18 11:19:37
01MOSFET的击穿有哪几种?02如何处理mos管小电流发热严重情况?03mos管小电流发热的原因04mos管小电流发热严重怎么解决05MOS管为什么可以防止电源反接?06MOS管功率损耗测量
2021-03-05 10:54:49
揭秘mos管电路逻辑及mos管参数 1.开启电压VT 开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;·通过工艺上的改进
2018-11-20 14:06:31
只有2.6左右了, 可怕! 还有消耗电能和发热问题. 因此MOS管的 "0压降" + "大电流" , 就越来越普遍被用在防反接电路中.建议使用最上面的方案(N MOS管), 因为N...
2021-11-12 07:24:13
MOS管详解,让你头痛的MOS管不在难~!!!
2018-06-25 09:57:31
最近在做一个Mos管驱动产品,发现发烫得厉害,然后参考了其他竞品发现都有增加这么一个二极管,依样增加上去后就不烫了,这就是是什么原因呢?在网上找到了原因,如下:再看MOS管本身DS极间也有个二极管
2021-09-14 07:49:42
1.电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则相反。没有完全
2020-10-10 11:21:32
发现MOS管发热,找了半天原因都不清楚,后来换了一个感量一样,线径一样,只是中柱粗一号的电感,就好了,哪位高人指导下!用在开关电源后面,滤波的~
2013-02-28 09:56:24
详解MOS管驱动电路在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀
2017-08-15 21:05:01
刨根问底。对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小,且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS,下面的介绍中,也多以NMOS为主。MOS管的三个管教之间有
2017-12-05 09:32:00
电路中ADN8831接TEC正极的那两个MOS管为集成的FDW2520,上电之后有控温,栅极处有PWM波占空比的变化,但是MOS管发热异常,之前不会很烫,会是什么问题?电路如附件图片中,其中MOS管型号为FDW2520附件ADN8831应用电路.jpg120.2 KB
2019-03-05 12:11:15
1、芯片发热 本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS
2017-12-11 13:48:05
1、芯片发热本帖内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管
2014-11-05 16:24:00
24v升380v 空载时电压输出正常带载后,输入功率增大,触摸后发现mos管发热严重,输出电压也不能达到规定值1.为什么一旦带载,mos管就发热这么严重2。如何解决无法带载的问题(5033的cs引脚的采样电阻已经减小到4毫欧)
2020-08-10 16:16:23
DC1411A Demo Board带相同负载,芯片和电感,MOS管都没有严重的发热。用DC1411A Demo Board上的电感取代我选的一体成型电感,电感不发热,但MOS管还是一样发热。用我的电感放在DC1411A Demo Board上测试,电感也会发热,但温升明显要低。这是什么原因呢?
2024-01-03 10:28:54
你好,我想用我的PSoC5LP板(CY8C55)做多个应用程序,我想知道与低通滤波器进行硬件连接的可能性,因为这些值被限制为C= 5PF-10PF和R=200K-1000 K,我们有四的可能性打破频率值。有可能增加硬件连接来增加这个值的可能性吗?
2019-08-13 10:52:23
桥设置死区的地方,本来应该低电平的,却有一个足以驱动MOS管的脉冲电压,导致MOS管发热严重。想问问各位大神,是什么原因,有什么办法解决呢?谢谢。图中的畸变还不算厉害,但强电电压上去后,就很高了。
2016-06-23 08:25:22
全桥逆变后接的是容性负载,全桥的高压是220v整流的,驱动是用的ir21834做的 自举电容是用的1uf快速二极管用的是rf107mos管耐压是500v 电流8a 全桥逆变接容性负载工作大概3分钟mos管的漏极和栅极通了且mos管的封转裂了 是由于负载引起的过热还是什么其他原因
2015-01-30 00:35:51
时产生的回扫电压,或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOS管的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。 典型电路: 二、器件发热损坏 由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因
2018-10-29 14:07:49
功率最大(更粗线表示)。所以一定充电电流下,红色标注区间总电荷小的管子会很快度过,这样发热区间时间就短,总发热量就低。所以理论上选择Qgs和Qgd小的mos管能快速度过开关区。导通内阻。Rds
2019-07-26 07:00:00
什么是MOS管?MOS管的工作原理是什么?MOS管和晶体三极管相比有何特性呢?
2022-02-22 07:53:36
、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。1、芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA
2017-12-19 13:51:55
这个电路MOS管发热严重,直接把锡融掉了,电机功率70W,电池是两串锂电池供电。单片机供电为5V。想知道这个电路是不是有问题,MOS管为30V/80A的。
2022-02-11 08:28:02
管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流
2018-10-25 14:40:18
的功耗分成两部分,开关损耗和导通损耗。要注意,大多数场合特别是LED市电驱动应用,开关损害要远大于导通损耗。开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关,所以要解决MOS管的发热可以从
2018-12-29 14:51:27
1、芯片发热 主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管
2018-12-07 11:57:38
MOS管的消耗,简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益,实际I=2cvf,其中c为功率MOS管的cgs电容,v为功率管导通时的gate电压,所以为了降低芯片的功耗,必须想办法降低c、v...
2021-12-28 08:05:00
,截止损耗(漏电流引起的,这个忽略不计),还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内,mos即会正常工作,超出承受范围,即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗(不同mos这个差距可能很大。Mos损坏主要原因:过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁;过压
2021-07-05 07:19:31
48v,这样开关发热损耗也降低了一半,不烧管子了。 这也是高压控容易烧管子原因,高压控制器和低压的只有开关损耗不一样(开关损耗和电池端电压基本成正比,假设限流一样),导通损耗完全受mos内阻决定
2020-06-26 13:11:45
电路疑问,加上10Ω电阻之后,变压器、MOS管发热腻害,有前辈知道原因吗?
2020-08-26 08:08:29
两个mos管,第一个MOS管栅极接单片机io口,通过io口控制通断继而控制第二个mos管通断,开关频率要求不高,对开关时间和导通电阻有要求,开关时间和导通电阻都要尽可能小,有没有推荐的电路图和MOS管,图片是我画的简单示意图
2018-10-16 22:40:53
场效应管发热的原因1、电路设计的问题就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关电路状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS
2021-11-12 06:33:53
嗨, 我正在尝试使用多个VL6180X传感器并将它们连接到机械臂上。它们之间是否存在干扰的可能性?如果答案是肯定的,有什么办法可以避免吗? 谢谢 码头#多vl6180x以上来自于谷歌翻译以下为原文
2018-09-20 09:50:59
1.MOS管并联的可行性分析 由下面的某颗MOS管的温度曲线可以看出MOS管的内阻的温度特性是随温度的升高内阻也增大,如果在并联过程中由于某种原因(比如RDSON比较低,电流路径比较短等)导致
2018-10-12 16:47:54
大家好,也许是一个愚蠢的问题,但是......如何启用在配置 - > Revup 配置部分中输入我自己的设置的可能性。ST 电机控制工作台版本。5.4.4.20160。我这里有空格我想要这样的东西
2023-01-29 07:26:04
MOSFET的击穿有哪几种?如何处理MOS管小电流发热严重情况?MOS管小电流发热的原因MOS管小电流发热严重怎么解决MOS管为什么可以防止电源反接?
2021-03-29 08:19:48
大神们,我在用matlab进行gamma可能性分析时,不知如何计算gamma值的SD SE,见笑了,实在没查到资料,望了解的可以解答一下,多谢多谢!
2019-02-23 09:28:12
存储级内存(SCM)取代NAND闪存的可能性分析
2021-01-05 06:23:08
MOS发热问题的分析和测试
2021-03-09 06:00:13
可能击穿其G-S极;这时栅极与源极之间加的电阻就能把上述的静电泻放掉,从而起到了保护场效应管的作用。<p></p> 挖掘mos管被击穿的原因及解决方案`
2018-11-05 14:26:45
的虚连、虚断两个重要原则就是基于这个特点。这是三极管不可比拟的。 9、发热原因 Mos管发热,主要原因之一是寄生电容在频繁开启关闭时,显现交流特性而具有阻抗,形成电流。有电流就有发热,并非电场型
2019-01-03 13:43:48
作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较
2018-11-30 12:00:43
`这是在常温36.5℃下测试的照片,6个mos管没加散热的情况下温度在50℃与78摄氏度这两个温度间徘徊.请问这正常吗`
2018-09-07 18:59:31
是什么原因导致了MOS管发热?
2021-06-07 06:21:08
有做过无刷电机驱动的小伙伴吗?驱动mos管发热严重求解决方法
2018-07-21 16:41:17
1.MOS管并联的可行性分析 由下面的某颗MOS管的温度曲线可以看出MOS管的内阻的温度特性是随温度的升高内阻也增大,如果在并联过程中由于某种原因(比如RDSON比较低,电流路径比较短等)导致
2018-11-28 12:08:27
时产生的回扫电压,或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOS管的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。 典型电路: 二、器件发热损坏 由超出安全区域弓|起发热而导致的。发热的原因
2018-11-21 13:52:55
加入保护电阻,所以这也是MOS管可能击穿的原因,而通过更换一个内部有保护电阻的MOS管应可防止此种失效的发生。还有由于保护电路吸收的瞬间能量有限,太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。所以
2012-07-14 15:34:14
增多。 物联网的诸多工业可能性 在DLP技术支持下,手持分光计能够连接到存有数以千计参考材料的云支持数据库。例如,医院和药店的医务人员可以使用该解决方案对药物进行远程扫描,确定药物成分是否正确或者药品
2019-03-13 06:45:09
和智能家居应用等远程传感领域中,客户通过DLP技术创造着具有新型、独特功能的产品。在制药、农业和制造业等各种工业领域,开发人员和工程师使用的物联网功能也日益增多。物联网的诸多工业可能性 在DLP技术支持
2022-11-14 07:55:03
`做了一个无刷直流电机驱动板,但是现在MOS管发热太严(MOS管型号CSD18540)。测试波形如下图。想问一下有没有大佬知道怎么解决散热问题?(增加散热片没什么效果)`
2020-03-26 16:46:00
引起电源模块发热的4个主要原因分别是什么?一摸电源模块的表面,热乎乎的,模块坏了?且慢,有一点发热,仅仅只是因为它正努力地工作着。但高温对电源模块的可靠性影响极其大!基于电源模块热设计的知识,这一次
2022-01-03 07:38:45
。电源模块在电压转换过程中有能量损耗,产生热能导致模块发热,降低电源的转换效率,影响电源模块正常工作,并且可能会影响周围其他器件的性能,这种情况需要马上排查。但什么情况下会造成电源模块发热严重呢?具体原因如下所示:一、使用的是线性电源线性电源工作原理如下图1,通过调节调整管RW改变输出电压的大小。..
2021-12-31 06:15:36
此电路为12V1.45A限流电源输入,上半部缓启动,下半部降压为5V。两条红线是短接线,红圈是发热的mos。验证电路故障时的工作情况,已确保芯片或者输入二级管损坏后,整个电路不会严重发热,是安全
2019-02-24 12:20:18
MOS管发热情况有: 1.电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导
2013-10-30 17:32:39
1、芯片发热 主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS
2021-12-28 08:00:59
1. MOS损耗MOS管是开关电源中常见器件之一,在评估开关电源效率的时候,对于MOS管的选型十分重要,如果选择的MOS不合适,电路该部分的发热会非常严重,影响效率。因此,在考虑到设计开关电源的效率
2021-07-29 06:01:56
哪几种可能性,造成ADC转换的码值异常?现象1:不是所有采样通道都会异常。现象2:异常码值要么归零要么变小,没有变大的(见图1和图2)。现象3:用示波器观察给运放供电的正负15V,以及DSP的3.3V
2018-06-14 00:43:40
输入电压110V,缓启动后面接了两个220uf电容。以前同样的电路实验没有问题,后来几年后也是同样的电路拿出来用,结果烧mos管。我猜测原因如下,不知道对不对,请各位大神指教。电源上电的时候
2020-05-20 10:06:20
貌似ST又开始申请评估板了,大家拿到的可能性有多大啊?
2012-03-05 20:39:05
很经典的MOS管电路工作原理详解,由55页PPT制作而成的PDF文档,免费供大家下载!
2019-05-10 10:14:15
本文主要介绍了场效应管发热严重的原因以及场效应管的工作原理。场效应管是只要一种载流子参与导电,用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。由于电路设计、频率太高、没有做好足够的散热设计以及MOS管的选型有误,对功率判断有误,都有可能造成场效应管发热严重。
2018-01-30 15:13:2032198 最近,做了一款小功率的开关电源,在进行调试的时候,发现MOS管发热很严重,为了解决MOS管发热问题,要准确判断是否是这些原因造成,最重要的是进行正确的测试,才能发现问题所在。
2018-08-20 10:34:4535751 功率MOS管在过较大的电流时会有发热现象,电子元器件对温度比较敏感,长期工作在高温状态下,会缩短使用寿命,所以要加快热量的散发。
2020-02-12 14:16:0522291 电缆产生发热现象后,如不找到原因及时排除故障,电缆继续连续通电运行后将产生绝缘热击穿现象。造成电缆发生相间短路跳闸现象,严重的可能引起火灾。
2020-03-12 16:23:2817628 MOS管表面贴装式封装方式详解
2021-07-07 09:14:480 场效应管发热的原因1、电路设计的问题就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关电路状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS
2021-11-07 12:50:5912 。电源模块在电压转换过程中有能量损耗,产生热能导致模块发热,降低电源的转换效率,影响电源模块正常工作,并且可能会影响周围其他器件的性能,这种情况需要马上排查。但什么情况下会造成电源模块发热严重呢?具体原因如下所示:一、使用的是线性电源线性电源工作原理如下图1,通过调节调整管RW改变输出电压的大小。..
2022-01-10 15:11:362 mos管的损坏主要围绕雪崩损坏、器件发热损坏、内置二极管破坏、由寄生振荡导致的破坏、栅极电涌、静电破坏这五大方面。接下来就由小编针对mos管的损坏原因做以下简明介绍。
2022-03-11 11:20:172517 完成电感的初步选择后,我们通常会安排电路板测试。只有通过板测才能确定所选电感是否合适。前几天网友留言问电感在板子上测试后发热问题比较严重,但是还没查出电感是什么问题。如果在电感上找不到原因,可能就要
2023-03-22 12:31:03523 电路设计的问题是让MOS管在线工作,而不是在开关状态下工作。这也是MOS管加热的原因之一。如果N-MOS做开关,G级电压比电源高几V,P-MOS就相反了。未完全打开,压降过大,导致功耗大,等效DC阻抗大,压降大,U*I大,损耗意味着加热。这是设计电路中最禁忌的错误。
2023-06-18 14:46:07552 如何处理MOS管小电流发热?
2023-12-07 15:13:51226 Ton和Toff已经接近图二要求的时间,MOS管24V时带载27欧,输出功率21.3W,输出电压正常,MOS管基本不发热。 总结一:MOS管发热原因小结(此处从网上搜集)
2023-12-11 13:46:40385 Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常见的半导体器件,广泛应用于各种电子设备中。然而,在实际应用中,MOS管可能会因为各种原因而损坏。本文将对MOS管损坏的原因进行分析
2023-12-28 16:09:38416
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