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电子发烧友网>电源/新能源>功率器件>300nm晶圆首次用于制造功率器件,英飞凌推出超结MOSFET

300nm晶圆首次用于制造功率器件,英飞凌推出超结MOSFET

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2022-07-05 16:14:272252

车规级功率模块封装的现状,SiC MOSFET器件封装的技术需求

1、SiC MOSFET器件封装的技术需求 2、车规级功率模块封装的现状 3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装 4、未来模块封装发展趋势及看法
2023-10-27 11:00:52419

英飞凌推出首款采用OptiMOS 7技术的15 V沟槽功率MOSFET

英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化,主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363

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